不存在少子儲(chǔ)存效應(yīng)，因而關(guān)斷過程非常迅速，開關(guān)時(shí)間在10—100ns之間，工作頻率可達(dá)100kHz以上，普通的晶體三極管由于少數(shù)載流子的存儲(chǔ)效應(yīng)，使開關(guān)總有滯后現(xiàn)象，影響開關(guān)速度的提高（目前采用MOS管的開關(guān)電源其工作頻率可以輕易的做到100K/S～150K/S,這對(duì)于普通的大功率晶體三極管來說是難以想象的）。10、無二次擊穿：由于普通的功率晶體三極管具有當(dāng)溫度上升就會(huì)導(dǎo)致集電極電流上升（正的溫度～電流特性）的現(xiàn)象，而集電極電流的上升又會(huì)導(dǎo)致溫度進(jìn)一步的上升，溫度進(jìn)一步的上升，更進(jìn)一步的導(dǎo)致集電極電流的上升這一惡性循環(huán)。而晶體三極管的耐壓VCEO隨管溫度升高是逐步下降，這就形成了管溫繼續(xù)上升、耐壓繼續(xù)下降終導(dǎo)致晶體三極管的擊穿，這是一種導(dǎo)致電視機(jī)開關(guān)電源管和行輸出管損壞率占95%的破環(huán)性的熱電擊穿現(xiàn)象，也稱為二次擊穿現(xiàn)象。MOS管具有和普通晶體三極管相反的溫度～電流特性，即當(dāng)管溫度（或環(huán)境溫度）上升時(shí)，溝道電流IDS反而下降。例如；一只IDS=10A的MOSFET開關(guān)管，當(dāng)VGS控制電壓不變時(shí)，在250C溫度下IDS=3A，當(dāng)芯片溫度升高為1000C時(shí)，IDS降低到2A，這種因溫度上升而導(dǎo)致溝道電流IDS下降的負(fù)溫度電流特性，使之不會(huì)產(chǎn)生惡性循環(huán)而熱擊穿。mos管的工作原理是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（簡(jiǎn)稱mos管）。北京進(jìn)口MOS管供應(yīng)商
在單個(gè)MOS管器件中有，在集成電路光刻中沒有，這個(gè)二極管在大電流驅(qū)動(dòng)中和感性負(fù)載時(shí)可以起到反向保護(hù)和續(xù)流的作用，一般正向?qū)▔航翟谧笥摇Ｒ驗(yàn)檫@個(gè)二極管的存在，MOS器件在電路中不能簡(jiǎn)單地看到一個(gè)開關(guān)的作用，比如充電電路中，充電完成，移除電源后，電池會(huì)反向向外部供電，這個(gè)通常是我們不愿意看到的結(jié)果。一般解決的方法是在后面增加一個(gè)二極管來防止反向供電，這樣雖然可以做到，但是二極管的特性決定必須有的正向壓降，在大電流的情況下發(fā)熱嚴(yán)重，同時(shí)造成能源的浪費(fèi)，使整機(jī)能效低下。還有一個(gè)方法是再增加一個(gè)背靠背的MOS管，利用MOS管低導(dǎo)通電阻來達(dá)到節(jié)能的目的，這一特性另一個(gè)常見的應(yīng)用為低壓同步整流。注意事項(xiàng)MOS管導(dǎo)通后的無方向性，MOS在加壓導(dǎo)通后，就類似于一根導(dǎo)線，只具有電阻特性，無導(dǎo)通壓降，通常飽和導(dǎo)通電阻為幾到幾十毫歐，且無方向性，允許直流和交流電通過。使用MOS管的注意事項(xiàng)1、為了安全使用MOS管，在線路的設(shè)計(jì)中不能超過管的耗散功率，大漏源電壓、大柵源電壓和大電流等參數(shù)的極限值。2、各類型MOS管在使用時(shí)，都要嚴(yán)格按要求的偏置接入電路中，要遵守MOS管偏置的極性。如結(jié)型MOS管柵源漏之間是PN結(jié)，N溝道管柵極不能加正偏壓。江蘇哪里有MOS管代理商開關(guān)損耗是在MOS由可變電阻區(qū)進(jìn)入夾斷區(qū)的過程中，也就是MOS處于恒流區(qū)時(shí)所產(chǎn)生的損耗。
隨著社會(huì)的進(jìn)步和發(fā)展，MOS管在電子行業(yè)的應(yīng)用越來越廣，薩科微電子SLKOR作為能夠研發(fā)生產(chǎn)碳化硅SiC產(chǎn)品的“碳化硅**”，必須來科普一下這方面的知識(shí)。MOS即MOSFET的簡(jiǎn)寫，全稱是金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管。就是利用輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件。MOS管的構(gòu)造、原理、特性、符號(hào)規(guī)則和封裝種類等，大致如下。1、MOS管的構(gòu)造：MOS管的構(gòu)造是在一塊摻雜濃度較低的P型半導(dǎo)體硅襯底上，用半導(dǎo)體光刻、擴(kuò)散工藝制作兩個(gè)高摻雜濃度的N+區(qū)，并用金屬鋁引出兩個(gè)電極，分別作為漏極D和源極S。然后在漏極和源極之間的P型半導(dǎo)體表面復(fù)蓋一層很薄的二氧化硅（Si02）絕緣層膜，在再這個(gè)絕緣層膜上裝上一個(gè)鋁電極，作為柵極G。這就構(gòu)成了一個(gè)N溝道（NPN型）增強(qiáng)型MOS管。它的柵極和其它電極間是絕緣的。同樣用上述相同的方法在一塊摻雜濃度較低的N型半導(dǎo)體硅襯底上，用半導(dǎo)體光刻、擴(kuò)散工藝制作兩個(gè)高摻雜濃度的P+區(qū)，及上述相同的柵極制作過程，就制成為一個(gè)P溝道（PNP型）增強(qiáng)型MOS管。圖1-1所示（a）、（b）分別是P溝道MOS管道結(jié)構(gòu)圖和符號(hào)。2、MOS管的工作原理：從圖1-2-（a）可以看出，增強(qiáng)型MOS管的漏極D和源極S之間有兩個(gè)背靠背的PN結(jié)。
也就是MOS管沒有二次擊穿現(xiàn)象，可見采用MOS管作為開關(guān)管，其開關(guān)管的損壞率大幅度的降低，近兩年電視機(jī)開關(guān)電源采用MOS管代替過去的普通晶體三極管后，開關(guān)管損壞率降低也是一個(gè)極好的證明。11、MOS管導(dǎo)通后其導(dǎo)通特性呈純阻性：普通晶體三極管在飽和導(dǎo)通是，幾乎是直通，有一個(gè)極低的壓降，稱為飽和壓降，既然有一個(gè)壓降，那么也就是；普通晶體三極管在飽和導(dǎo)通后等效是一個(gè)阻值極小的電阻，但是這個(gè)等效的電阻是一個(gè)非線性的電阻（電阻上的電壓和流過的電流不能符合歐姆定律），而MOS管作為開關(guān)管應(yīng)用，在飽和導(dǎo)通后也存在一個(gè)阻值極小的電阻，但是這個(gè)電阻等效一個(gè)線性電阻，其電阻的阻值和兩端的電壓降和流過的電流符合歐姆定律的關(guān)系，電流大壓降就大，電流小壓降就小，導(dǎo)通后既然等效是一個(gè)線性元件，線性元件就可以并聯(lián)應(yīng)用，當(dāng)這樣兩個(gè)電阻并聯(lián)在一起，就有一個(gè)自動(dòng)電流平衡的作用，所以MOS管在一個(gè)管子功率不夠的時(shí)候，可以多管并聯(lián)應(yīng)用，且不必另外增加平衡措施（非線性器件是不能直接并聯(lián)應(yīng)用的）。MOS管和普通的晶體三極管相比，有以上11項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)，就足以使MOS管在開關(guān)運(yùn)用狀態(tài)下完全取代普通的晶體三極管。目前的技術(shù)MOS管道VDS能做到1000V。這個(gè)器件有兩個(gè)電極，一個(gè)是金屬，另一個(gè)是extrinsic silicon(外在硅)。
或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。目前在市場(chǎng)應(yīng)用方面，排名第1的是消費(fèi)類電子電源適配器產(chǎn)品。而MOS管的應(yīng)用領(lǐng)域排名第二的是計(jì)算機(jī)主板、NB、計(jì)算機(jī)類適配器、LCD顯示器等產(chǎn)品，隨著國情的發(fā)展計(jì)算機(jī)主板、計(jì)算機(jī)類適配器、LCD顯示器對(duì)MOS管的需求有要超過消費(fèi)類電子電源適配器的現(xiàn)象了。第三的就屬網(wǎng)絡(luò)通信、工業(yè)控制、汽車電子以及電力設(shè)備領(lǐng)域了，這些產(chǎn)品對(duì)于MOS管的需求也是很大的，特別是現(xiàn)在汽車電子對(duì)于MOS管的需求直追消費(fèi)類電子了。下面對(duì)MOS失效的原因總結(jié)以下六點(diǎn)，然后對(duì)1，2重點(diǎn)進(jìn)行分析：1：雪崩失效（電壓失效），也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達(dá)到了一定的能力從而導(dǎo)致MOSFET失效。2：SOA失效（電流失效），既超出MOSFET安全工作區(qū)引起失效，分為Id超出器件規(guī)格失效以及Id過大，損耗過高器件長(zhǎng)時(shí)間熱積累而導(dǎo)致的失效。3：體二極管失效：在橋式、LLC等有用到體二極管進(jìn)行續(xù)流的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，由于體二極管遭受破壞而導(dǎo)致的失效。mos管也稱場(chǎng)效應(yīng)管，首先考察一個(gè)更簡(jiǎn)單的器件--MOS電容--能更好的理解MOS管。江蘇哪里有MOS管代理商
MOS管有 三個(gè)引腳名稱：G：gate 柵極;S：source 源極;D：drain 漏極。北京進(jìn)口MOS管供應(yīng)商
我們看下面FLYBACK電流波形圖（圖形不是太清楚，十分抱歉，建議雙擊放大觀看）。從圖中可以看出，電流波形在快到電流尖峰時(shí)，有個(gè)下跌，這個(gè)下跌點(diǎn)后又有一段的上升時(shí)間，這段時(shí)間其本質(zhì)就是IC在檢測(cè)到過流信號(hào)執(zhí)行關(guān)斷后，MOSFET本身也開始執(zhí)行關(guān)斷，但是由于器件本身的關(guān)斷延遲，因此電流會(huì)有個(gè)二次上升平臺(tái)，如果二次上升平臺(tái)過大，那么在變壓器余量設(shè)計(jì)不足時(shí)，就極有可能產(chǎn)生磁飽和的一個(gè)電流沖擊或者電流超器件規(guī)格的一個(gè)失效。3：合理的熱設(shè)計(jì)余量，這個(gè)就不多說了，各個(gè)企業(yè)都有自己的降額規(guī)范，嚴(yán)格執(zhí)行就可以了，不行就加散熱器。在使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻，大電壓等，大電流等，也有很多人考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是的，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不允許的。1、MOS管種類和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被**成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。對(duì)于這兩種增強(qiáng)型MOS管，比較常用的是NMOS。北京進(jìn)口MOS管供應(yīng)商
江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司成立于2022-03-29年，在此之前我們已在IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器行業(yè)中有了多年的生產(chǎn)和服務(wù)經(jīng)驗(yàn)，深受經(jīng)銷商和客戶的好評(píng)。我們從一個(gè)名不見經(jīng)傳的小公司，慢慢的適應(yīng)了市場(chǎng)的需求，得到了越來越多的客戶認(rèn)可。公司現(xiàn)在主要提供IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器等業(yè)務(wù)，從業(yè)人員均有IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器行內(nèi)多年經(jīng)驗(yàn)。公司員工技術(shù)嫻熟、責(zé)任心強(qiáng)。公司秉承客戶是上帝的原則，急客戶所急，想客戶所想，熱情服務(wù)。公司秉承以人為本，科技創(chuàng)新，市場(chǎng)先導(dǎo)，和諧共贏的理念，建立一支由IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器**組成的顧問團(tuán)隊(duì)，由經(jīng)驗(yàn)豐富的技術(shù)人員組成的研發(fā)和應(yīng)用團(tuán)隊(duì)。在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)日趨激烈的現(xiàn)在，我們承諾保證IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器質(zhì)量和服務(wù)，再創(chuàng)佳績(jī)是我們一直的追求，我們真誠的為客戶提供真誠的服務(wù)，歡迎各位新老客戶來我公司參觀指導(dǎo)。