海南好的西門(mén)康可控硅工廠直銷(xiāo)

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2023-05-07

  BG1、BG2受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài)。這時(shí),即使輸入觸發(fā)信號(hào),可控硅也不能工作。反過(guò)來(lái),E接成正向,而觸動(dòng)發(fā)信號(hào)是負(fù)的,可控硅也不能導(dǎo)通。另外,如果不加觸發(fā)信號(hào),而正向陽(yáng)極電壓大到超過(guò)一定值時(shí),可控硅也會(huì)導(dǎo)通,但已屬于非正常工作情況了。可控硅這種通過(guò)觸發(fā)信號(hào)(小觸發(fā)電流)來(lái)控制導(dǎo)通(可控硅中通過(guò)大電流)的可控特性,正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征。由于可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài),所以它具有開(kāi)關(guān)特性,這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化,此條件見(jiàn)表1應(yīng)用舉例:可控硅在實(shí)際應(yīng)用中電路花樣多的是其柵極觸發(fā)回路,概括起來(lái)有直流觸發(fā)電路,交流觸發(fā)電路,相位觸發(fā)電路等等。1、直流觸發(fā)電路:如圖2是一個(gè)電視機(jī)常用的過(guò)壓保護(hù)電路,當(dāng)E+電壓過(guò)高時(shí)A點(diǎn)電壓也變高,當(dāng)它高于穩(wěn)壓管DZ的穩(wěn)壓值時(shí)DZ道通,可控硅D受觸發(fā)而道通將E+短路,使保險(xiǎn)絲RJ熔斷,從而起到過(guò)壓保護(hù)的作用。2、相位觸發(fā)電路:相位觸發(fā)電路實(shí)際上是交流觸發(fā)電路的一種,如圖3,這個(gè)電路的方法是利用RC回路控制觸發(fā)信號(hào)的相位。當(dāng)R值較少時(shí),RC時(shí)間常數(shù)較少,觸發(fā)信號(hào)的相移A1較少,因此負(fù)載獲得較大的電功率;當(dāng)R值較大時(shí),RC時(shí)間常數(shù)較大,觸發(fā)信號(hào)的相移A2較大??煽毓枋强煽毓枵髟暮?jiǎn)稱(chēng),是一種具有三個(gè)PN 結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。海南好的西門(mén)康可控硅工廠直銷(xiāo)

   現(xiàn)代照明設(shè)計(jì)要求規(guī)定,照明系統(tǒng)率因數(shù)必須達(dá)到,而氣體放電燈的功率因數(shù)在一般在,所以都設(shè)計(jì)用電容補(bǔ)償功率因數(shù))在國(guó)外發(fā)達(dá)國(guó)家,已有明文規(guī)定對(duì)電氣設(shè)備諧波含量的限制,在國(guó)內(nèi),北京、上海、廣州等大城市,已對(duì)諧波含量超標(biāo)的設(shè)備限制并入電網(wǎng)使用。采用可控硅技術(shù)對(duì)照明系統(tǒng)進(jìn)行照度控制時(shí),可通過(guò)加裝濾波設(shè)備來(lái)有效降低諧波污染。近年來(lái),許多新型可控硅元件相繼問(wèn)世,如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅,可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號(hào)控制兩個(gè)方向?qū)ǖ碾p向可控硅,可以用正觸發(fā)信號(hào)使其導(dǎo)通,用負(fù)觸發(fā)信號(hào)使其關(guān)斷的可控硅等等。應(yīng)用介紹------可控硅在調(diào)光器中的應(yīng)用:可控硅調(diào)光器是目前舞臺(tái)照明、環(huán)境照明領(lǐng)域的主流設(shè)備。在照明系統(tǒng)中使用的各種調(diào)光器實(shí)質(zhì)上就是一個(gè)交流調(diào)壓器,老式的變壓器和變阻器調(diào)光是采用調(diào)節(jié)電壓或電流的幅度來(lái)實(shí)現(xiàn)的,如下圖所示。u1是未經(jīng)調(diào)壓的220V交流電的波形,經(jīng)調(diào)壓后的電壓波形為u2,由于其幅度小于u1,使燈光變暗。在這種調(diào)光模式中,雖然改變了正弦交流電的幅值,但并未改變其正弦波形的本質(zhì)。與變壓器、電阻器相比,可控硅調(diào)光器有著完全不同的調(diào)光機(jī)理,它是采用相位控制方法來(lái)實(shí)現(xiàn)調(diào)壓或調(diào)光的。對(duì)于普通反向阻斷型可控硅。廣東貿(mào)易西門(mén)康可控硅普通可控硅的三個(gè)電極可以用萬(wàn)用表歐姆擋R×100擋位來(lái)測(cè)。

普通晶閘管的三個(gè)電極可以用萬(wàn)用表歐姆擋R×100擋位來(lái)測(cè)。大家知道,晶閘管G、K之間是一個(gè)PN結(jié)〔圖2(a)〕,相當(dāng)于一個(gè)二極管,G為正極、K為負(fù)極,所以,按照測(cè)試二極管的方法,找出三個(gè)極中的兩個(gè)極,測(cè)它的正、反向電阻,電阻小時(shí),萬(wàn)用表黑表筆接的是控制極G,紅表筆接的是陰極K,剩下的一個(gè)就是陽(yáng)極A了。測(cè)試晶閘管的好壞,可以用剛才演示用的示教板電路(圖3)。接通電源開(kāi)關(guān)S,按一下按鈕開(kāi)關(guān)SB,燈泡發(fā)光就是好的,不發(fā)光就是壞的。

就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL。在電工技術(shù)中,常把交流電的半個(gè)周期定為180°,稱(chēng)為電角度。這樣,在U2的每個(gè)正半周,從零值開(kāi)始到觸發(fā)脈沖到來(lái)瞬間所經(jīng)歷的電角度稱(chēng)為控制角α;在每個(gè)正半周內(nèi)晶閘管導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ。很明顯,α和θ都是用來(lái)表示晶閘管在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過(guò)改變控制角α或?qū)ń铅?,改變?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,實(shí)現(xiàn)了可控整流。1:小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng)。額定電流:IA小于2A。2:大;率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路。像可調(diào)壓輸出直流電源等等。3:大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中;高頻熔煉爐等。可控硅調(diào)壓調(diào)速原理小功率分體機(jī)室內(nèi)風(fēng)機(jī)目前用的是PG調(diào)速塑封電機(jī),為單向異步電容運(yùn)轉(zhuǎn)電動(dòng)機(jī)。為了滿(mǎn)足空調(diào)正常的運(yùn)轉(zhuǎn),達(dá)到制冷、制熱能力的平衡,所以必須保證室內(nèi)風(fēng)機(jī)的轉(zhuǎn)速滿(mǎn)足系統(tǒng)的要求,并保持轉(zhuǎn)速的穩(wěn)定。因此采用可控硅調(diào)壓調(diào)速的方法來(lái)調(diào)節(jié)風(fēng)機(jī)的轉(zhuǎn)速。1.電路原理圖2.工作原理簡(jiǎn)介可控硅調(diào)速是用改變可控硅導(dǎo)通角的方法來(lái)改變電動(dòng)機(jī)端電壓的波形,從而改變電動(dòng)機(jī)端電壓的有效值,達(dá)到調(diào)速的目的。當(dāng)可控硅導(dǎo)通角α1=180°時(shí)。雙向可控硅的特性曲線(xiàn)是由一、三兩個(gè)象限內(nèi)的曲線(xiàn)組合成的。

其閘流特性表現(xiàn)為當(dāng)可控硅加上正向陽(yáng)極電壓的同時(shí)又加上適當(dāng)?shù)恼蚩刂齐妷簳r(shí),可控硅就導(dǎo)通;這一導(dǎo)通即使在撤去門(mén)極控制電壓后仍將維持,一直到加上反向陽(yáng)極電壓或陽(yáng)極電流小于可控硅自身的維持電流后才關(guān)斷。普通的可控硅調(diào)光器就是利用可控硅的這一特性實(shí)現(xiàn)前沿觸發(fā)相控調(diào)壓的。在正弦波交流電過(guò)零后的某一時(shí)刻t1(或某一相位角wt1),在可控硅控制極上加一觸發(fā)脈沖,使可控硅導(dǎo)通,根據(jù)前面介紹過(guò)的可控硅開(kāi)關(guān)特性,這一導(dǎo)通將維持到正弦波正半周結(jié)束。因此在正弦波的正半周(即0~p區(qū)間)中,0~wt1范圍可控硅不導(dǎo)通,這一范圍稱(chēng)為控制角,常用a表示;而在wt1~p間可控硅導(dǎo)通,這一范圍稱(chēng)為導(dǎo)通角,常用j表示。同理在正弦波交流電的負(fù)半周,對(duì)處于反向聯(lián)接的另一個(gè)可控硅(對(duì)兩個(gè)單向可控硅反并聯(lián)或雙向可控硅而言)在t2時(shí)刻(即相位角wt2)施加觸發(fā)脈沖,使其導(dǎo)通。如此周而復(fù)始,對(duì)正弦波每半個(gè)周期控制其導(dǎo)通,獲得相同的導(dǎo)通角。如改變觸發(fā)脈沖的施加時(shí)間(或相位),即改變了導(dǎo)通角j(或控制角a)的大小。導(dǎo)通角越大調(diào)光器輸出的電壓越高,燈就越亮。從上述可控硅調(diào)光原理可知,調(diào)光器輸出的電壓波形已經(jīng)不再是正弦波了,除非調(diào)光器處在全導(dǎo)通狀態(tài)。反應(yīng)極快,在微秒級(jí)內(nèi)開(kāi)通、關(guān)斷;無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行,無(wú)火花、無(wú)噪音;效率高,成本低等等。海南好的西門(mén)康可控硅工廠直銷(xiāo)

按關(guān)斷速度分類(lèi):可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻(快速)可控硅。海南好的西門(mén)康可控硅工廠直銷(xiāo)

只有可控硅模塊能夠滿(mǎn)足上述條件,才能說(shuō)明可控硅模塊是質(zhì)量的。當(dāng)然,判斷起來(lái)也非常簡(jiǎn)單,只需要使用萬(wàn)用表的歐姆檔測(cè)量可控硅的極間電阻。具體的做法就是:用R×1k或R×10k擋測(cè)陰極與陽(yáng)極之間的正反向電阻(控制極不接電壓),此兩個(gè)阻值均應(yīng)很大。電阻值越大,表明正反向漏電電流愈小。如果測(cè)得的阻值很低,或近于無(wú)窮大,說(shuō)明可控硅已經(jīng)擊穿短路或已經(jīng)開(kāi)路,此可控硅不能使用了。接著就是檢測(cè)可控硅模塊的三個(gè)PN結(jié)是否完好或者損壞,可以用萬(wàn)用表的R×1k或R×10k擋測(cè)陽(yáng)極與控制極之間的電阻,正反向測(cè)量阻值均應(yīng)幾百千歐以上,若電阻值很小表明可控硅擊穿短路。用R×1k或R×100擋,測(cè)控制極和陰極之間的PN結(jié)的正反向電阻在幾千歐左右,如出現(xiàn)正向阻值接近于零值或?yàn)闊o(wú)窮大,表明控制極與陰極之間的PN結(jié)已經(jīng)損壞。反向阻值應(yīng)很大,但不能為無(wú)窮大。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值。基本上來(lái)說(shuō),通過(guò)以上方法就能夠判斷出可控硅模塊的好壞了。海南好的西門(mén)康可控硅工廠直銷(xiāo)

江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司是一家從事IGBT模塊,可控硅晶閘管,二極管模塊,熔斷器研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售及售后的貿(mào)易型企業(yè)。公司坐落在昆山開(kāi)發(fā)區(qū)朝陽(yáng)東路109號(hào)億豐機(jī)電城北樓A201,成立于2022-03-29。公司通過(guò)創(chuàng)新型可持續(xù)發(fā)展為重心理念,以客戶(hù)滿(mǎn)意為重要標(biāo)準(zhǔn)。公司主要經(jīng)營(yíng)IGBT模塊,可控硅晶閘管,二極管模塊,熔斷器等產(chǎn)品,產(chǎn)品質(zhì)量可靠,均通過(guò)電子元器件行業(yè)檢測(cè),嚴(yán)格按照行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行。目前產(chǎn)品已經(jīng)應(yīng)用與全國(guó)30多個(gè)省、市、自治區(qū)。江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司研發(fā)團(tuán)隊(duì)不斷緊跟IGBT模塊,可控硅晶閘管,二極管模塊,熔斷器行業(yè)發(fā)展趨勢(shì),研發(fā)與改進(jìn)新的產(chǎn)品,從而保證公司在新技術(shù)研發(fā)方面不斷提升,確保公司產(chǎn)品符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和要求。IGBT模塊,可控硅晶閘管,二極管模塊,熔斷器產(chǎn)品滿(mǎn)足客戶(hù)多方面的使用要求,讓客戶(hù)買(mǎi)的放心,用的稱(chēng)心,產(chǎn)品定位以經(jīng)濟(jì)實(shí)用為重心,公司真誠(chéng)期待與您合作,相信有了您的支持我們會(huì)以昂揚(yáng)的姿態(tài)不斷前進(jìn)、進(jìn)步。