西門康IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)結(jié)構(gòu)和工作原理絕緣柵雙極型晶體管是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。西門康IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上。寧夏模塊裝潢
優(yōu)勢(shì)：?簡(jiǎn)單的串聯(lián)方式?很強(qiáng)的抗浪涌電流能力?標(biāo)準(zhǔn)封裝，易于安裝英飛凌二極管綜述：具有比較高功率密度和更多功能的高性能平板封裝器件、具有高性價(jià)比的晶閘管/二極管模塊、采用分立封裝的高效硅基或CoolSiCTM碳化硅二極管以及裸片等靈活多樣產(chǎn)品組合大功率二極管和晶閘管旨在顯著提高眾多應(yīng)用的效率，覆蓋10kW-10GW的寬廣功率范圍，樹立了行業(yè)應(yīng)用**。分立式硅或碳化硅（SiC）肖特基二極管的應(yīng)用范圍包括服務(wù)器堆場(chǎng)、太陽(yáng)能發(fā)電廠和儲(chǔ)能系統(tǒng)等；同時(shí)適用于工業(yè)和汽車級(jí)應(yīng)用。進(jìn)口模塊性價(jià)比IGBT的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N-溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。
Le是射極回路漏電感，用電感L1與二極管VD并聯(lián)作為負(fù)載。圖2IGBT開通波形IGBT開通波形見(jiàn)圖2b。T0時(shí)刻，IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)，柵極驅(qū)動(dòng)電壓開始上升，Uge的上升斜率上要由Rg和Cgc決定，上升較快。到t1時(shí)刻。Uge達(dá)到柵極門檻值(約4~5V)，集電極電流開始上升。導(dǎo)致Uge波形偏離原有軌跡的因素主要有兩個(gè)：一是發(fā)射極電路中分布電感Le的負(fù)反饋?zhàn)饔茫欢菛艠O-集電極電容Cgc的密勒效應(yīng)。t2時(shí)刻，Ic達(dá)到比較大值，集射極電壓Uce下降，同時(shí)Cgc放電，驅(qū)動(dòng)電路電流增大，使得Rg和R上分壓加大，也造成Uge下降。直到t3時(shí)刻，Uce降為0，Ic達(dá)到穩(wěn)態(tài)值，Uge才以較快的上升率達(dá)到比較大值。IGBT關(guān)斷波形如圖2c所示。T0時(shí)刻?hào)艠O驅(qū)動(dòng)電壓開始下降，到t1時(shí)刻達(dá)到剛能維持Ic的水下，lGBT進(jìn)入線性工作區(qū)，Uce開始上升，對(duì)Cgc、Cge充電，由于對(duì)兩個(gè)寄生電容的耦合充電作用，使得在t1~t2期間，Uge基本不變。在t3時(shí)刻，Uce上升結(jié)束，Uge和Ic以柵極-發(fā)射極間固有阻抗下降為0。通過(guò)以上分析可知，對(duì)IGBT開通關(guān)斷過(guò)程影響較大的因素是驅(qū)動(dòng)電路的阻杭、Le和Cge。因此在設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，應(yīng)選擇Cgc較小的IGBT，并通過(guò)合理布線、選擇合理電阻等方法改善開通與關(guān)斷的過(guò)程。，四路驅(qū)動(dòng)電路完全相同。
原標(biāo)題：干貨|大功率IGBT模塊及驅(qū)動(dòng)技術(shù)電力電子技術(shù)在當(dāng)今急需節(jié)能降耗的工業(yè)領(lǐng)域里起到了不可替代的作用;而igbt在諸如變頻器、大功率開關(guān)電源等電力電子技術(shù)的能量變換與管理應(yīng)用中，越來(lái)越成為各種主回路的優(yōu)先功率開關(guān)器件，因此如何安全可靠地驅(qū)動(dòng)igbt工作，也成為越來(lái)越多的設(shè)計(jì)工程師面臨需要解決的課題。在使用igbt構(gòu)成的各種主回路之中，大功率igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路起到弱電控制強(qiáng)電的終端界面(接口)作用。因其重要性，所以可以將該電路看成是一個(gè)相對(duì)**的“子系統(tǒng)”來(lái)研究、開發(fā)及設(shè)計(jì)。大功率igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路一直伴隨igbt技術(shù)的發(fā)展而發(fā)展，現(xiàn)在市場(chǎng)上流行著很多種類非常成熟的大功率igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路**產(chǎn)品，成為大多數(shù)設(shè)計(jì)工程師的優(yōu)先;也有許多的工程師根據(jù)其電路的特殊要求，自行研制出各種**的大功率igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路。本文對(duì)這些大功率igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路進(jìn)行分類，并對(duì)該電路需要達(dá)到的一些功能進(jìn)行闡述，***展望此電路的發(fā)展。此外本文所述大功率igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路是指應(yīng)用于直流母線電壓在650v～1000v范圍、輸出電流的交流有效值在100a～600a范圍的場(chǎng)合。來(lái)源：電力電子技術(shù)與新能源，智享汽車圈返回搜狐。IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)。
但過(guò)小會(huì)導(dǎo)致di/dt過(guò)大，產(chǎn)生較大的集電極電壓尖峰。因此對(duì)串聯(lián)電阻要根據(jù)具體設(shè)計(jì)要求***綜合考慮。柵極驅(qū)動(dòng)電阻對(duì)驅(qū)動(dòng)脈沖的波形也有影響。電阻值過(guò)小時(shí)會(huì)造成脈沖振蕩，過(guò)大時(shí)脈沖的前后沿會(huì)發(fā)生延遲或變緩。IGBT柵極輸入電容Cge隨著其額定容量的增加而增大。為了保持相同的脈沖前后沿速率，對(duì)于電流容量大的IGBT器件，應(yīng)提供較大的前后沿充電電流。為此，柵極串聯(lián)的電阻的阻值應(yīng)隨著IGBT電流容量的增大而減小。：⑴光耦驅(qū)動(dòng)電路，光耦驅(qū)動(dòng)電路是現(xiàn)代逆變器和變頻器設(shè)計(jì)時(shí)被***采用的一種電路，由于線路簡(jiǎn)單，可靠性高，開關(guān)性能好，被許多逆變器和變頻器廠家所采用。由于驅(qū)動(dòng)光耦的型號(hào)很多，所以選用的余地也很大。驅(qū)動(dòng)光耦選用較多的主要有東芝的TLP系列，夏普的PC系列，惠普的HCLP系列等；⑵**集成塊驅(qū)動(dòng)電路，主要有IR的IR2111，IR2112，IR2113等，三菱的EXB系列，M57959，M57962等。IGBT的驅(qū)動(dòng)電路必須具備兩個(gè)功能：一是實(shí)現(xiàn)控制電路與被驅(qū)動(dòng)IGBT的柵極隔離；二是提供合適的柵極驅(qū)動(dòng)脈沖，實(shí)現(xiàn)電隔離可以采用脈沖變壓器、微分變壓器和光電耦合器。：一類是低倍數(shù)(～倍)的過(guò)載保護(hù)；一類是高倍數(shù)(8～10)的短路保護(hù)。對(duì)于過(guò)載保護(hù)不必快速反應(yīng)，可采用集中式保護(hù)。就像我上面說(shuō)的 IGBT 是 BJT 和 MOS管的融合，IGBT 的符號(hào)也**相同。陜西模塊施工
在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。寧夏模塊裝潢
IGBT模塊采用預(yù)涂熱界面材料（TIM），能讓電力電子應(yīng)用實(shí)現(xiàn)一致性的散熱性能。此外，IGBT模塊可以借助壓接引腳進(jìn)行安裝，從而實(shí)現(xiàn)無(wú)焊料無(wú)鉛的功率模塊安裝。英飛凌可控硅：綜述：6.5kV片式晶閘管系列包括四款強(qiáng)大而可靠的片式器件，專為滿足中壓軟起動(dòng)器應(yīng)用的特殊要求而開發(fā)。所有器件均具備很強(qiáng)的抗浪涌電流能力。開關(guān)性能經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可以按串聯(lián)器件的數(shù)量輕松調(diào)整軟起動(dòng)器，以適應(yīng)不同的工作電壓。該器件還適用于通用線電壓整流器應(yīng)用，如電源和標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)。寧夏模塊裝潢
江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司位于昆山開發(fā)區(qū)朝陽(yáng)東路109號(hào)億豐機(jī)電城北樓A201。公司業(yè)務(wù)涵蓋IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器等，價(jià)格合理，品質(zhì)有保證。公司將不斷增強(qiáng)企業(yè)重點(diǎn)競(jìng)爭(zhēng)力，努力學(xué)習(xí)行業(yè)知識(shí)，遵守行業(yè)規(guī)范，植根于電子元器件行業(yè)的發(fā)展。江蘇芯鉆時(shí)代立足于全國(guó)市場(chǎng)，依托強(qiáng)大的研發(fā)實(shí)力，融合前沿的技術(shù)理念，及時(shí)響應(yīng)客戶的需求。