節(jié)能模塊品牌

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2023-08-10

    死區(qū)電路的作用是:實(shí)現(xiàn)上下管驅(qū)動(dòng)信號(hào)有一定的時(shí)間間隔td,例如上管驅(qū)動(dòng)信號(hào)關(guān)閉后,需要等待td延時(shí)后才能開通下管驅(qū)動(dòng)信號(hào);互鎖電路的作用是:上下管驅(qū)動(dòng)信號(hào)不能同時(shí)為有效,避免產(chǎn)生上下管驅(qū)動(dòng)直通信號(hào);保護(hù)電路的作用是:當(dāng)副邊出現(xiàn)故障信號(hào)是,保護(hù)電路能夠同時(shí)關(guān)閉上下管驅(qū)動(dòng)信號(hào)。15v電源輸入濾波電路的作用是:對(duì)輸入15v電源進(jìn)行濾波,維持15v電源的穩(wěn)定并且降低emc干擾。dc/dc電路的的作用是:15v電源高頻脈寬調(diào)制dc/dc。隔離電路包括:驅(qū)動(dòng)光耦、反饋光耦和隔離變壓器。驅(qū)動(dòng)光耦的作用是:傳遞原邊驅(qū)動(dòng)信號(hào)給副邊電路,電氣隔離原邊低壓側(cè)和副邊高壓側(cè)。反饋光耦的作用是:傳遞副邊故障信號(hào)給原邊電路,電氣隔離原邊低壓側(cè)和副邊高壓側(cè)。隔離變壓器的作用是:輸出上下管驅(qū)動(dòng)電源,電氣隔離原邊低壓側(cè)和副邊高壓側(cè)。副邊電路包括:±15v電源、驅(qū)動(dòng)電路、vce-sat檢測(cè)電路。±15v電源的作用是:輸出igbt模塊所推薦的驅(qū)動(dòng)電源。驅(qū)動(dòng)電路的作用是:副邊驅(qū)動(dòng)信號(hào)放大,推挽輸出。vce-sat檢測(cè)電路的作用是:檢測(cè)igbt模塊退飽和或過(guò)流信號(hào),故障信號(hào)反饋給原邊。vce-sat檢測(cè)電路分別連接igbt模塊、驅(qū)動(dòng)電路和光耦隔離電路。研發(fā)出了高CTI值300V~600V的PPS料,已應(yīng)用于IGBT模塊上。節(jié)能模塊品牌

    pwm_l信號(hào)為低電平時(shí),c2通過(guò)r2充電,r2,c2構(gòu)成死區(qū)延時(shí)td。當(dāng)pwm_h信號(hào)為高電平時(shí),c3通過(guò)d3快速放電,pwm_l信號(hào)為低電平時(shí),c3通過(guò)r3充電,r3,c3構(gòu)成死區(qū)延時(shí)td。其中v1輸入采用cmos施密特與非門,可以提高輸入信號(hào)門檻電壓,提高信號(hào)抗干擾能力。上管驅(qū)動(dòng)電路由r11,q3,q4,r8構(gòu)成推挽放大電路,對(duì)光耦輸出信號(hào)u2_out信號(hào)進(jìn)行放大,上管驅(qū)動(dòng)信號(hào)drv_h直接連接igbt模塊上管門極hg,滿足igbt模塊對(duì)于驅(qū)動(dòng)峰值電流的需求。下管驅(qū)動(dòng)電路由r17,q5,q6,r18構(gòu)成推挽放大電路,對(duì)光耦輸出信號(hào)u4_out信號(hào)進(jìn)行放大,下管驅(qū)動(dòng)信號(hào)drv_l直接連接igbt模塊下管門極lg,滿足igbt模塊對(duì)于驅(qū)動(dòng)峰值電流的需求。上管vce-sat檢測(cè)電路由r9,d11,r10構(gòu)成vce-sat采樣電路:當(dāng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)drv_h為高電平(15v)時(shí),通過(guò)電阻和igbt模塊導(dǎo)通壓降vce-sat的分壓原理:,采樣信號(hào)vce_h,r13和r14構(gòu)成分壓電路(通過(guò)r13和r14設(shè)定保護(hù)值),比較信號(hào)comp_h,通過(guò)vce_h與comp_h的比較實(shí)現(xiàn)vce飽和壓降的檢測(cè),并輸出故障信號(hào)fault_h:當(dāng)vce_h小于comp_h,fault_h為高電平,正常狀態(tài);當(dāng)vce_h大于comp_h,fault_h為低電平,報(bào)故障狀態(tài);當(dāng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)drv_l為低電平(-15v)時(shí)。節(jié)能模塊構(gòu)件IGBT模塊還具有低功耗、高可靠性、高效率、低噪聲等優(yōu)點(diǎn)。

    圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的溝槽柵結(jié)構(gòu)制作方法的流程圖。圖中:1為多晶硅層,2為氧化層,21為***氧化層,22為第二氧化層,23為**氧化層,3為光刻膠。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖,對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例**是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。圖4示出了本實(shí)施例提供的一種溝槽柵igbt示意圖,包括半導(dǎo)體襯底和設(shè)置在半導(dǎo)體襯底表面內(nèi)的兩個(gè)溝槽柵結(jié)構(gòu),兩個(gè)溝槽柵結(jié)構(gòu)對(duì)稱,溝槽柵結(jié)構(gòu)設(shè)置有多晶硅層1和包圍多晶硅層1的氧化層2,氧化層包括***氧化層21和第二氧化層22,***氧化層21設(shè)置在溝道區(qū),第二氧化層22設(shè)置在非溝道區(qū),第二氧化層22的厚度大于***氧化層21的厚度,與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)施例提供的溝槽柵igbt氧化層2的厚度大于現(xiàn)有技術(shù)中的厚度,因此本實(shí)施例的結(jié)電容更小。需要說(shuō)明的是,本實(shí)施例減小結(jié)電容的方式是通過(guò)增加溝槽內(nèi)非溝道區(qū)第二氧化層22的厚度,***氧化層21厚度不變,因此本實(shí)施例在減小結(jié)電容的同時(shí)并不會(huì)造成器件整體性能變差。

    交直流電壓還可以測(cè)量直流電壓。甚至有的萬(wàn)用表還可以測(cè)量晶體管...發(fā)表于2018-01-1819:18?3013次閱讀驗(yàn)證了LCL型濾波器參數(shù)設(shè)計(jì)及光伏并入配電網(wǎng)的逆...從濾波器的原理入手,對(duì)單L型和LCL型濾波器原理進(jìn)行對(duì)比分析,在設(shè)計(jì)方法上,對(duì)比傳統(tǒng)的分步設(shè)計(jì)法,本...發(fā)表于2018-01-1716:00?1327次閱讀怎么用示波器測(cè)功率本文介紹了怎么用示波器測(cè)功率,小編為大家總結(jié)了使用示波器執(zhí)行功率測(cè)量的七大秘訣。那么,在測(cè)量功率時(shí)我...發(fā)表于2018-01-1510:55?699次閱讀示波器如何測(cè)量直流電壓_示波器測(cè)量直流電壓方法示波器測(cè)量直流電壓方法有兩種,一種是直接測(cè)量法,一種是比較測(cè)量法,這兩種方法都能準(zhǔn)確測(cè)出直流電壓。發(fā)表于2018-01-1509:53?2013次閱讀示波器測(cè)量電壓范圍_示波器測(cè)量電壓**大量程示波器是***應(yīng)用的測(cè)試儀器,利用示波器能觀察各種不同信號(hào)幅度隨時(shí)間變化的波形曲線,還可以用它測(cè)試各種...發(fā)表于2018-01-1509:42?408次閱讀如何用示波器測(cè)量交流電壓_示波器測(cè)量交流電壓方法在電子測(cè)量?jī)x器中,示波器是一種電信號(hào)的時(shí)域測(cè)量和分析儀器;它顯示信號(hào)隨時(shí)間變化的波形。反之,加反向門極電壓消除溝道,切斷基極電流,使IGBT關(guān)斷。

    四種IGBT模塊常規(guī)測(cè)量?jī)x器作者:微葉科技時(shí)間:2015-10-1516:38看了很多的IGBT測(cè)量方法,其中不乏極具精髓的,但不怎么的***?,F(xiàn)在我總結(jié)介紹四招,有這四招,足以應(yīng)付日常工作中的要求了。但這是在簡(jiǎn)單工具的前提下,只能說(shuō)是常規(guī)測(cè)量吧。下面先擺出四大裝備(排名不分先后):數(shù)字萬(wàn)用表:雖然,用它來(lái)測(cè)量有太多的局限性,但它卻是我們**常用和普遍的工具**。用它測(cè)量二極管的管壓降,不僅能在一定程度上判斷其好壞,還能判定它們的離散性。數(shù)字電容表:這個(gè)可能是很多人用的比較少吧,其實(shí)我們都知道,IGBT的容量大小是有規(guī)律的,容量大它的各種等效電容容量也將同比加大,如**重要的Cies就是我們的測(cè)量對(duì)象。但是,官方給出的多是VGE=0VVCE=10Vf=1MHZ時(shí)的參考數(shù)值,我們根本沒(méi)有條件來(lái)做直接對(duì)比。我們使用的數(shù)字電容表多在800HZ的測(cè)試頻率。但這不并不影響我們的測(cè)量,我們只要總結(jié)規(guī)律,以我們現(xiàn)有的這種簡(jiǎn)單測(cè)試儀表也還是具有非大的靠性的,而且在一定程度上能判斷各個(gè)IGBT管的同一性?,F(xiàn)在很多***商以小充大來(lái)賺取暴利,所以這是一個(gè)很好的方法。萬(wàn)一你用上了“來(lái)歷不明”的模塊而爆機(jī)時(shí)有可能就是這種情況,不是你技術(shù)不好或是你維修的不夠仔細(xì)。IGBT功率模塊是電壓型控制,輸入阻抗大,驅(qū)動(dòng)功率小,控制電路簡(jiǎn)單,開關(guān)損耗小,通斷速度快,工作頻率高。山西模塊代理品牌

IGBT既可以幫助空調(diào)、洗衣機(jī)實(shí)現(xiàn)較小的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗,實(shí)現(xiàn)節(jié)能減排。節(jié)能模塊品牌

    由于西門康IGBT模塊供應(yīng)為MOSFET結(jié)構(gòu),IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄,其擊穿電一般達(dá)到20~30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點(diǎn):1、在使用模塊時(shí),盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分,當(dāng)必須要觸摸西門康IGBT模塊供應(yīng)端子時(shí),要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后,再觸摸;2、在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí),在配線未接好之前請(qǐng)先不要接上模塊;3、盡量在底板良好接地的情況下操作。在應(yīng)用中有時(shí)雖然保證了柵極驅(qū)動(dòng)電壓沒(méi)有超過(guò)柵極大額定電壓,但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合,也會(huì)產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此,通常采用雙絞線來(lái)傳送驅(qū)動(dòng)信號(hào),以減少寄生電感。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。此外,在柵極—發(fā)射極間開路時(shí),若在集電極與發(fā)射極間加上電壓,則隨著集電極電位的變化,由于集電極有漏電流流過(guò),柵極電位升高,集電極則有電流流過(guò)。這時(shí),如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓,則有可能使西門康IGBT模塊供應(yīng)發(fā)熱及至損壞。在使用西門康IGBT模塊供應(yīng)的場(chǎng)合,當(dāng)柵極回路不正?;驏艠O回路損壞時(shí)(柵極處于開路狀態(tài))。節(jié)能模塊品牌

江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司擁有一般項(xiàng)目:技術(shù)服務(wù)、技術(shù)開發(fā)、技術(shù)咨詢、技術(shù)交流、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)推廣;電子元器件批發(fā);電子元器件零售;電子元器件與機(jī)電組件設(shè)備銷售;電力電子元器件銷售;電子設(shè)備銷售;電子測(cè)量?jī)x器銷售;機(jī)械電氣設(shè)備銷售;風(fēng)動(dòng)和電動(dòng)工具銷售;電氣設(shè)備銷售;光電子器件銷售;集成電路芯片及產(chǎn)品銷售;半導(dǎo)體照明器件銷售;半導(dǎo)體器件設(shè)備銷售;半導(dǎo)體分立器件銷售;集成電路銷售;五金產(chǎn)品批發(fā);五金產(chǎn)品零售;模具銷售;電器輔件銷售;電力設(shè)施器材銷售;電工儀器儀表銷售;電工器材銷售;儀器儀表銷售;辦公設(shè)備銷售;辦公設(shè)備耗材銷售;辦公用品銷售;日用百貨銷售;機(jī)械設(shè)備銷售;超導(dǎo)材料銷售;密封用填料銷售;密封件銷售;高性能密封材料銷售;橡膠制品銷售;塑料制品銷售;文具用品批發(fā);文具用品零售;金屬材料銷售;金屬制品銷售;金屬工具銷售;環(huán)境保護(hù)設(shè)備銷售;生態(tài)環(huán)境材料銷售;集成電路設(shè)計(jì);集成電路芯片設(shè)計(jì)及服務(wù)(除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目外,憑營(yíng)業(yè)執(zhí)照依法自主開展經(jīng)營(yíng)活動(dòng))等多項(xiàng)業(yè)務(wù),主營(yíng)業(yè)務(wù)涵蓋IGBT模塊,可控硅晶閘管,二極管模塊,熔斷器。公司目前擁有較多的高技術(shù)人才,以不斷增強(qiáng)企業(yè)重點(diǎn)競(jìng)爭(zhēng)力,加快企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新,實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)。江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司主營(yíng)業(yè)務(wù)涵蓋IGBT模塊,可控硅晶閘管,二極管模塊,熔斷器,堅(jiān)持“質(zhì)量保證、良好服務(wù)、顧客滿意”的質(zhì)量方針,贏得廣大客戶的支持和信賴。公司憑著雄厚的技術(shù)力量、飽滿的工作態(tài)度、扎實(shí)的工作作風(fēng)、良好的職業(yè)道德,樹立了良好的IGBT模塊,可控硅晶閘管,二極管模塊,熔斷器形象,贏得了社會(huì)各界的信任和認(rèn)可。