還有一個(gè)小問(wèn)題:因?yàn)?010內(nèi)建死區(qū)**小為300NS,不能到0死區(qū),所以,還原的饅頭波,可能會(huì)有150NS的收縮,造成合成的正弦波在過(guò)0點(diǎn)有一點(diǎn)交越失真,如果8010能做到有一檔是0死區(qū),我這個(gè)問(wèn)題就能完美解決了。經(jīng)和屹晶的許工聯(lián)系,他說(shuō)可以做成0死區(qū)的,看來(lái)是第二版可以做得更完美了。驅(qū)動(dòng)板做好了,但我這里沒(méi)有大功率的高壓電源進(jìn)行帶功率的測(cè)試,只得寄給神八兄,讓他對(duì)這塊驅(qū)動(dòng)板進(jìn)行一番***的測(cè)試,現(xiàn)在,這塊板還在路上。神八兄測(cè)試的過(guò)程和結(jié)果,可以跟在這個(gè)貼子上,經(jīng)享眾朋友。在母線電壓392的情況下,做短路試驗(yàn),試了十多次,均可靠保護(hù),沒(méi)有燒任何東西,帶載短路也試了幾次,保護(hù)靈敏可靠,他現(xiàn)在用的是150A的IGBT模塊。能輕松啟動(dòng)10根1000W的小太陽(yáng)燈管,神八兄**好測(cè)一下,你這種1000W的燈管,冷阻是多少歐,我這里有幾根,冷阻只有4R。還請(qǐng)神八兄再試一下啟動(dòng)感性負(fù)載,如果能啟動(dòng)常用的感性負(fù)載,如空調(diào)什么的,我覺(jué)得也差不多了,基本上達(dá)到了我們預(yù)先的設(shè)計(jì)目標(biāo)。這是試機(jī)現(xiàn)場(chǎng)照片:測(cè)試情況:1.功率已加載到12KW,開風(fēng)扇,模塊溫度不高。現(xiàn)在已把驅(qū)動(dòng)板上的功率限止電路調(diào)到10KW。2.在母線電壓350V時(shí),順利啟動(dòng)了11根1000W的小太陽(yáng)燈管。IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極晶體管)模塊是一種常見的功率半導(dǎo)體器。湖北品質(zhì)模塊
2、肖特基二極管模塊肖特基二極管A為正極,以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬半導(dǎo)體器件。特性是正向?qū)妷旱?,反向恢?fù)時(shí)間小,正向整流大,應(yīng)用在低壓大電流輸出場(chǎng)合做高頻整流。肖特基二極管模塊分50V肖特基二極管模塊,100V肖特基二極管模塊,150V肖特基二極管模塊,200V肖特基二極模塊等。3、整流器二極管模塊整流二極管模塊是利用二極管正向?qū)ǎ聪蚪刂沟脑?,將交流電能轉(zhuǎn)變?yōu)橘|(zhì)量電能的半導(dǎo)體器件。特性是耐高壓,功率大,整流電流較大,工作頻率較低,主要用于各種低頻半波整流電路,或連成整流橋做全波整流。整流管模塊一般是400-3000V的電壓。4、光伏防反二極管模塊防反二極管也叫做防反充二極管,就是防止方陣電流反沖。在光伏匯流箱中選擇光伏防反二極管時(shí),由于受到匯流箱IP65等級(jí)的限制,一般選擇模塊式的會(huì)更簡(jiǎn)便。選擇防反二極管模塊的主要條件為壓降低、熱阻小、熱循環(huán)能力強(qiáng)。目前,市場(chǎng)上有光伏**防反二極管模塊與普通二極管模塊兩種類型可供選擇。兩種模塊的區(qū)別在于:①光伏**防反二極管模塊具有壓降低(通態(tài)壓降),而普通二極管模塊通態(tài)壓降達(dá)到。壓降越低,模塊的功耗越小,散發(fā)的熱量相應(yīng)也減小。模塊制定IGBT是先進(jìn)的第三代功率模塊,工作頻率1-20khz,主要應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路。
采用本實(shí)用新型ipm模塊短路檢測(cè)電路和現(xiàn)有退飽和檢測(cè)電路對(duì)ipm模塊進(jìn)行短路檢測(cè),結(jié)果如圖3所示,圖3中,縱軸vce為ipm模塊集電極與發(fā)射極之間的電壓,橫軸為時(shí)間,該圖中**上面的虛線表示ipm模塊發(fā)生短路故障后,其集電極與發(fā)射極之間電壓隨時(shí)間的變化趨勢(shì);中間實(shí)線表示ipm模塊正常工作時(shí),即沒(méi)有發(fā)生短路時(shí),其其集電極與發(fā)射極之間電壓隨時(shí)間的變化趨勢(shì);底部虛線表示現(xiàn)有退飽和檢測(cè)電路設(shè)置的閾值電壓vref隨時(shí)間的變化趨勢(shì);在ipm模塊發(fā)生短路時(shí),本實(shí)用新型ipm模塊短路檢測(cè)電路測(cè)試出短路故障所需時(shí)間為t1,現(xiàn)有退飽和檢測(cè)電路測(cè)試出短路故障所需時(shí)間為t2,從圖3中可看出,t2≈2t1,表明本實(shí)用新型ipm模塊短路檢測(cè)電路所需檢測(cè)時(shí)間較短,在ipm模塊發(fā)生短路時(shí)能及時(shí)關(guān)斷ipm模塊,避免了ipm模塊內(nèi)部芯片發(fā)生損壞,提高了ipm模塊的可靠性和使用壽命。
用戶自備時(shí)按以下原則選取:1、軸流風(fēng)機(jī)的風(fēng)速應(yīng)大于6m/s;2、必須能保證模塊正常工作時(shí)散熱底板溫度不大于80℃;3、模塊負(fù)載較輕時(shí),可減小散熱器的大小或采用自然冷卻;4、采用自然方式冷卻時(shí)散熱器周圍的空氣能實(shí)現(xiàn)對(duì)流并適當(dāng)增大散熱器面積;5、所有緊固模塊的螺釘必須擰緊,壓線端子連接牢固,以減少次生熱量的產(chǎn)生,模塊底板和散熱器之間必須要涂敷一層導(dǎo)熱硅脂或墊上一片底板大小的導(dǎo)熱墊,以達(dá)到**佳散熱效果。8、模塊的安裝與維護(hù)(1)在模塊導(dǎo)熱底板表面與散熱器表面各均勻涂覆一層導(dǎo)熱硅脂,然后用四個(gè)螺釘把模塊固定于散熱器上,固定螺釘不要一次擰緊,幾個(gè)螺釘要依次固定,用力要均勻,反復(fù)幾次,直至牢固,使模塊底板與散熱器表面緊密接觸。(2)把散熱器和風(fēng)機(jī)按要求裝配好后,垂直固定于機(jī)箱合適位置。(3)用接線端頭環(huán)帶將銅線扎緊,**好浸錫,然后套上絕緣熱縮管,用熱風(fēng)加熱收縮。將接線端頭固定于模塊電極上,并保持良好的平面壓力接觸,嚴(yán)禁將電纜銅線直接壓接在模塊電極上。(4)為延長(zhǎng)產(chǎn)品使用壽命,建議每隔3-4個(gè)月維護(hù)一次,更換一次導(dǎo)熱硅脂,***表面灰塵,緊固各壓線螺釘。詳細(xì)內(nèi)容請(qǐng)登錄公司網(wǎng)站:或閱覽和下載。當(dāng)MOSFET的溝道形成后,從P+基極注入到N-層的空穴(少子),對(duì)N-層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,減小N-層的電阻。
流過(guò)IGBT的電流值超過(guò)短路動(dòng)作電流,則立刻發(fā)生短路保護(hù),***門極驅(qū)動(dòng)電路,輸出故障信號(hào)。跟過(guò)流保護(hù)一樣,為避免發(fā)生過(guò)大的di/dt,大多數(shù)IPM采用兩級(jí)關(guān)斷模式。為縮短過(guò)流保護(hù)的電流檢測(cè)和故障動(dòng)作間的響應(yīng)時(shí)間,IPM內(nèi)部使用實(shí)時(shí)電流控制電路(RTC),使響應(yīng)時(shí)間小于100ns,從而有效抑制了電流和功率峰值,提高了保護(hù)效果。當(dāng)IPM發(fā)生UV、OC、OT、SC中任一故障時(shí),其故障輸出信號(hào)持續(xù)時(shí)間tFO為1.8ms(SC持續(xù)時(shí)間會(huì)長(zhǎng)一些),此時(shí)間內(nèi)IPM會(huì)***門極驅(qū)動(dòng),關(guān)斷IPM;故障輸出信號(hào)持續(xù)時(shí)間結(jié)束后,IPM內(nèi)部自動(dòng)復(fù)位,門極驅(qū)動(dòng)通道開放。可以看出,器件自身產(chǎn)生的故障信號(hào)是非保持性的,如果tFO結(jié)束后故障源仍舊沒(méi)有排除,IPM就會(huì)重復(fù)自動(dòng)保護(hù)的過(guò)程,反復(fù)動(dòng)作。過(guò)流、短路、過(guò)熱保護(hù)動(dòng)作都是非常惡劣的運(yùn)行狀況,應(yīng)避免其反復(fù)動(dòng)作,因此*靠IPM內(nèi)部保護(hù)電路還不能完全實(shí)現(xiàn)器件的自我保護(hù)。要使系統(tǒng)真正安全、可靠運(yùn)行,需要輔助的**保護(hù)電路。智能功率模塊電路設(shè)計(jì)編輯驅(qū)動(dòng)電路是IPM主電路和控制電路之間的接口,良好的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)對(duì)裝置的運(yùn)行效率、可靠性和安全性都有重要意義。IGBT的分立驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)IGBT的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)問(wèn)題亦即MOSFET的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)問(wèn)題。普通PPS的CTI值大約在150V左右,遠(yuǎn)遠(yuǎn)滿足不了要求。國(guó)產(chǎn)模塊平臺(tái)
IGBT模塊的主要功能是控制電流和電壓,以及提供高效的電力控制。它可以用于控制電機(jī)、變頻器、變壓器。湖北品質(zhì)模塊
收藏查看我的收藏0有用+1已投票0智能功率模塊編輯鎖定討論上傳視頻智能功率模塊(IPM)是IntelligentPowerModule的縮寫,是一種先進(jìn)的功率開關(guān)器件,具有GTR(大功率晶體管)高電流密度、低飽和電壓和耐高壓的優(yōu)點(diǎn),以及MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)高輸入阻抗、高開關(guān)頻率和低驅(qū)動(dòng)功率的優(yōu)點(diǎn)。而且IPM內(nèi)部集成了邏輯、控制、檢測(cè)和保護(hù)電路,使用起來(lái)方便,不*減小了系統(tǒng)的體積以及開發(fā)時(shí)間,也**增強(qiáng)了系統(tǒng)的可靠性,適應(yīng)了當(dāng)今功率器件的發(fā)展方向——模塊化、復(fù)合化和功率集成電路(PIC),在電力電子領(lǐng)域得到了越來(lái)越***的應(yīng)用。中文名智能功率模塊外文名IPM概念一種先進(jìn)的功率開關(guān)器件全稱IntelligentPowerModule目錄1IPM結(jié)構(gòu)2內(nèi)部功能機(jī)制3電路設(shè)計(jì)智能功率模塊IPM結(jié)構(gòu)編輯結(jié)構(gòu)概念I(lǐng)PM由高速、低功率的IGBT芯片和推薦的門級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成,如圖1所示。其中,IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合,由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR,因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng),中大功率的IPM使用陶瓷絕緣。湖北品質(zhì)模塊