采用本實(shí)用新型ipm模塊短路檢測(cè)電路和現(xiàn)有退飽和檢測(cè)電路對(duì)ipm模塊進(jìn)行短路檢測(cè)，結(jié)果如圖3所示，圖3中，縱軸vce為ipm模塊集電極與發(fā)射極之間的電壓，橫軸為時(shí)間，該圖中上面的虛線表示ipm模塊發(fā)生短路故障后，其集電極與發(fā)射極之間電壓隨時(shí)間的變化趨勢(shì)；中間實(shí)線表示ipm模塊正常工作時(shí)，即沒有發(fā)生短路時(shí)，其其集電極與發(fā)射極之間電壓隨時(shí)間的變化趨勢(shì)；底部虛線表示現(xiàn)有退飽和檢測(cè)電路設(shè)置的閾值電壓vref隨時(shí)間的變化趨勢(shì)；在ipm模塊發(fā)生短路時(shí)，本實(shí)用新型ipm模塊短路檢測(cè)電路測(cè)試出短路故障所需時(shí)間為t1，現(xiàn)有退飽和檢測(cè)電路測(cè)試出短路故障所需時(shí)間為t2，從圖3中可看出，t2≈2t1，表明本實(shí)用新型ipm模塊短路檢測(cè)電路所需檢測(cè)時(shí)間較短，在ipm模塊發(fā)生短路時(shí)能及時(shí)關(guān)斷ipm模塊，避免了ipm模塊內(nèi)部芯片發(fā)生損壞，提高了ipm模塊的可靠性和使用壽命。則立刻發(fā)生短路保護(hù)，門極驅(qū)動(dòng)電路，輸出故障信號(hào)。廣東優(yōu)勢(shì)Mitsubishi三菱IPM模塊代理商
大多數(shù)IPM采用兩級(jí)關(guān)斷模式。為縮短過(guò)流保護(hù)的電流檢測(cè)和故障動(dòng)作間的響應(yīng)時(shí)間，IPM內(nèi)部使用實(shí)時(shí)電流控制電路(RTC)，使響應(yīng)時(shí)間小于100ns，從而有效抑制了電流和功率峰值，提高了保護(hù)效果。當(dāng)IPM發(fā)生UV、OC、OT、SC中任一故障時(shí)，其故障輸出信號(hào)持續(xù)時(shí)間tFO為1．8ms(SC持續(xù)時(shí)間會(huì)長(zhǎng)一些)，此時(shí)間內(nèi)IPM會(huì)門極驅(qū)動(dòng)，關(guān)斷IPM;故障輸出信號(hào)持續(xù)時(shí)間結(jié)束后，IPM內(nèi)部自動(dòng)復(fù)位，門極驅(qū)動(dòng)通道開放。可以看出，器件自身產(chǎn)生的故障信號(hào)是非保持性的，如果tFO結(jié)束后故障源仍舊沒有排除，IPM就會(huì)重復(fù)自動(dòng)保護(hù)的過(guò)程，反復(fù)動(dòng)作。過(guò)流、短路、過(guò)熱保護(hù)動(dòng)作都是非常惡劣的運(yùn)行狀況，應(yīng)避免其反復(fù)動(dòng)作，因此靠IPM內(nèi)部保護(hù)電路還不能完全實(shí)現(xiàn)器件的自我保護(hù)。要使系統(tǒng)真正安全、可靠運(yùn)行，需要輔助的保護(hù)電路。智能功率模塊電路設(shè)計(jì)編輯驅(qū)動(dòng)電路是IPM主電路和控制電路之間的接口，良好的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)對(duì)裝置的運(yùn)行效率、可靠性和安全性都有重要意義。IGBT的分立驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)IGBT的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)問(wèn)題亦即MOSFET的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)問(wèn)題，設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)注意以下幾點(diǎn):①IGBT柵極耐壓一般在±20V左右，因此驅(qū)動(dòng)電路輸出端要給柵極加電壓保護(hù)，通常的做法是在柵極并聯(lián)穩(wěn)壓二極管或者電阻。廣東優(yōu)勢(shì)Mitsubishi三菱IPM模塊代理商前者的缺陷是將增加等效輸入電容Cin，從而影響開關(guān)速度，后者的缺陷是將減小輸入阻抗，增大驅(qū)動(dòng)電流。
前者的缺陷是將增加等效輸入電容Cin，從而影響開關(guān)速度，后者的缺陷是將減小輸入阻抗，增大驅(qū)動(dòng)電流，使用時(shí)應(yīng)根據(jù)需要取舍。②盡管IGBT所需驅(qū)動(dòng)功率很小，但由于MOSFET存在輸入電容Cin，開關(guān)過(guò)程中需要對(duì)電容充放電，因此驅(qū)動(dòng)電路的輸出電流應(yīng)足夠大，這一點(diǎn)設(shè)計(jì)者往往忽略。假定開通驅(qū)動(dòng)時(shí)，在上升時(shí)間tr內(nèi)線性地對(duì)MOSFET輸入電容Cin充電，則驅(qū)動(dòng)電流為Igt=CinUgs/tr，其中可取tr=2。2RCin，R為輸入回路電阻。③為可靠關(guān)閉IGBT，防止擎住現(xiàn)象，要給柵極加一負(fù)偏壓，因此采用雙電源供電。IGBT集成式驅(qū)動(dòng)電路IGBT的分立式驅(qū)動(dòng)電路中分立元件多，結(jié)構(gòu)復(fù)雜，保護(hù)功能比較完善的分立電路就更加復(fù)雜，可靠性和性能都比較差，因此實(shí)際應(yīng)用中大多數(shù)采用集成式驅(qū)動(dòng)電路。日本富士公司的EXB系列集成電路、法國(guó)湯姆森公司的UA4002集成電路等應(yīng)用都很廣。IPM驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)IPM對(duì)驅(qū)動(dòng)電路輸出電壓的要求很嚴(yán)格，具體為:①驅(qū)動(dòng)電壓范圍為15V±10%?熏電壓低于13．5V將發(fā)生欠壓保護(hù)，電壓高于16．5V將可能損壞內(nèi)部部件。②驅(qū)動(dòng)電壓相互隔離，以避免地線噪聲干擾。③驅(qū)動(dòng)電源絕緣電壓至少是IPM極間反向耐壓值的兩倍(2Vces)。④驅(qū)動(dòng)電流可以參閱器件給出的20kHz驅(qū)動(dòng)電流要求。
該ic芯片與該散熱基板的熱接口材料層90％以上的成分為銀，孔隙率小于15％，且厚度為～10μm。于本發(fā)明上述實(shí)施例中，該步驟四若未對(duì)該組合對(duì)象加壓而加熱燒結(jié)后，該ic芯片與該散熱基板之熱接口材料層90％以上的成分為銀，孔隙率小于25％，且厚度為1～15μm。附圖說(shuō)明圖1是本發(fā)明的制備流程示意圖。圖2是本發(fā)明的非接觸式探針配合電壓量測(cè)自動(dòng)回饋方式示意圖。圖3是本發(fā)明非接觸式點(diǎn)膠與傳統(tǒng)接觸式點(diǎn)膠的比較示意圖。其中：a為本發(fā)明的非接觸式點(diǎn)膠；b為傳統(tǒng)接觸式點(diǎn)膠；左側(cè)二圖為二種點(diǎn)膠方式點(diǎn)膠的sem圖；中間二圖為以sem分別量測(cè)二種點(diǎn)膠方式的節(jié)點(diǎn)尺寸；右側(cè)二圖為以alpha-step技術(shù)量測(cè)二種點(diǎn)膠方式的節(jié)點(diǎn)尺寸圖。從上述結(jié)果可得，非接觸點(diǎn)膠確實(shí)可以轉(zhuǎn)移漿料，且節(jié)點(diǎn)尺寸可以更小。圖4是本發(fā)明經(jīng)熱壓接合后的熱界面材料層sem圖。標(biāo)號(hào)對(duì)照：非接觸式探針點(diǎn)膠設(shè)備1容器11制動(dòng)裝置12推進(jìn)活塞13活塞頭131連桿132探針14傳感器15散熱基板2步驟s101～s104。具體實(shí)施方式請(qǐng)參閱圖1至圖4所示，分別為本發(fā)明的制備流程示意圖、本發(fā)明的非接觸式探針配合電壓量測(cè)自動(dòng)回饋方式示意圖、本發(fā)明非接觸式點(diǎn)膠與傳統(tǒng)接觸式點(diǎn)膠的比較示意圖以及本發(fā)明經(jīng)熱壓接合后的熱接口材料層sem圖。具有更好的熱特性和低音頻噪聲。
本發(fā)明有關(guān)于一種高功率模塊的制備方法，尤指一種含有兩種不同尺寸的銀粒子的銀基奈米漿料，特別是指搭配全新非接觸式探針點(diǎn)膠技術(shù)進(jìn)行涂布而可避免破壞基板，并經(jīng)熱壓燒結(jié)后形成的熱接口材料。背景技術(shù)：：近年環(huán)保意識(shí)抬頭，無(wú)鉛電子封裝材料將為未來(lái)環(huán)保趨勢(shì)，故目前商用的硅基高功率模塊的熱接口材料(thermalinterfacematerials,tim)主要是以錫銀銅(sn-ag-cu)合金為封裝材料。然而，次世代高功率模塊將以碳化硅(sic)與氮化鎵(gan)為主要材料，且工作溫度高于150℃。在此高溫下，錫銀銅合金容易形成易脆裂的介金屬化合物。而高功率模塊在長(zhǎng)時(shí)間的熱循環(huán)下所累積的剪應(yīng)力將會(huì)導(dǎo)致此介金屬化合物的破裂，進(jìn)而使得模塊因散熱不良而失效。參考數(shù)百筆后，統(tǒng)整現(xiàn)有技術(shù)如下：1.作為焊接用途：為減少鉛、鎘等危害物質(zhì)的用量，發(fā)明一種無(wú)鉛焊料合金，以鋅(zn)作為主成份及鋁(al)作為合金金屬制成，并將其用于機(jī)械連接或電子應(yīng)用中。簡(jiǎn)言之，包含鋅作為主成分及鋁作為合金金屬的無(wú)鉛共晶焊料合金。2.用于太陽(yáng)能及接合：制作焊接合用層合體，由金屬奈米粒子燒結(jié)體層(含有平均粒徑為1μm～100nm的銀奈米粒子)、黏結(jié)劑層、含有金屬氧化物粒子的障壁層、及金錫。即使發(fā)生負(fù)載事故或使用不當(dāng)，也可以保證IPM自身不受損壞。遼寧Mitsubishi三菱IPM模塊
IGBT柵極耐壓一般在±20V左右，因此驅(qū)動(dòng)電路輸出端要給柵極加電壓保護(hù)，柵極并聯(lián)穩(wěn)壓二極管或者電阻。廣東優(yōu)勢(shì)Mitsubishi三菱IPM模塊代理商
公共柵極單元與一發(fā)射極單元和第二發(fā)射極單元之間通過(guò)刻蝕方式進(jìn)行隔開；第二表面上設(shè)有工作區(qū)域和電流檢測(cè)區(qū)域的公共集電極單元；接地區(qū)域設(shè)置于一發(fā)射極單元內(nèi)的任意位置處；電流檢測(cè)區(qū)域和接地區(qū)域分別用于與檢測(cè)電阻連接，以使檢測(cè)電阻上產(chǎn)生電壓，并根據(jù)電壓檢測(cè)工作區(qū)域的工作電流。本申請(qǐng)避免了柵電極因?qū)Φ仉娢蛔兓斐傻钠?，提高了檢測(cè)電流的精度。本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體功率模塊，與上述實(shí)施例提供的一種igbt芯片具有相同的技術(shù)特征，所以也能解決相同的技術(shù)問(wèn)題，達(dá)到相同的技術(shù)效果。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可以清楚地了解到，為描述的方便和簡(jiǎn)潔，上述描述的半導(dǎo)體功率模塊的具體工作過(guò)程，可以參考前述方法實(shí)施例中的igbt芯片對(duì)應(yīng)過(guò)程，在此不再贅述。另外，在本發(fā)明實(shí)施例的描述中，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語(yǔ)“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過(guò)中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語(yǔ)在本發(fā)明中的具體含義。在本發(fā)明的描述中，需要說(shuō)明的是。廣東優(yōu)勢(shì)Mitsubishi三菱IPM模塊代理商