當在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea，又在控制極G和陰極C之間（相當BG1的基一射間）輸入一個正的觸發(fā)信號，BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1，經(jīng)放大，BG1將有一個放大了β1倍的集電極電流IC1。因為BG1集電極與BG2基極相連，IC1又是BG2的基極電流Ib2。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環(huán)放大，直到BG1、BG2完全導通。實際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程，對可控硅來說，觸發(fā)信號加入控制極，可控硅立即導通。導通的時間主要決定于可控硅的性能。可控硅一經(jīng)觸發(fā)導通后，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1，而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠大于Ib1，足以保持BG1的持續(xù)導通。此時觸發(fā)信號即使消失，可控硅仍保持導通狀態(tài)只有斷開電源Ea或降低Ea，使BG1、BG2中的集電極電流小于維持導通的小值時，可控硅方可關斷。當然，如果Ea極性反接，BG1、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止狀態(tài)。這時，即使輸入觸發(fā)信號，可控硅也不能工作。反過來，Ea接成正向，而觸動發(fā)信號是負的，可控硅也不能導通。另外，如果不加觸發(fā)信號，而正向陽極電壓大到超過一定值時，可控硅也會導通，但已屬于非正常工作情況了。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點。在自動控制系統(tǒng)中，大功率驅(qū)動器件，實現(xiàn)小功率控件控制大功率設備。遼寧優(yōu)勢Mitsubishi三菱可控硅模塊銷售價格
AV)--通態(tài)平均電流VDRM--通態(tài)重復峰值電壓VRRM--反向重復峰值電壓IRRM--反向重復峰值電流IDRM--斷態(tài)重復峰值電流IF(AV)--正向平均電流VTM--通態(tài)峰值電壓Tjm--額定結溫VGT--門極觸發(fā)電壓VISO--模塊絕緣電壓IH--維持電流Rthjc--結殼熱阻IGT--門極觸發(fā)電流di/dt--通態(tài)電流臨界上升率ITSM--通態(tài)一個周波不重復浪涌電流dv/dt--斷態(tài)電壓臨界上升率雙向可控硅伏安特性編輯雙向可控硅反向特性當控制極開路，陽極加上反向電壓時，J2結正偏，但J1、J3結反偏。此時只能流過很小的反向飽和電流，當電壓進一步提高到J1結的雪崩擊穿電壓后，接差J3結也擊穿，電流迅速增加，特性開始彎曲，如特性OR段所示，彎曲處的電壓URO叫“反向轉(zhuǎn)折電壓”。此時，可控硅會發(fā)生反向。雙向可控硅正向特性當控制極開路，陽極上加上正向電壓時，J1、J3結正偏，但J2結反偏，這與普通PN結的反向特性相似，也只能流過很小電流，這叫正向阻斷狀態(tài)，當電壓增加，特性發(fā)生了彎曲，如特性OA段所示，彎曲處的是UBO叫：正向轉(zhuǎn)折電壓，由于電壓升高到J2結的雪崩擊穿電壓后，J2結發(fā)生雪崩倍增效應，在結區(qū)產(chǎn)生大量的電子和空穴，電子時入N1區(qū)，空穴時入P2區(qū)。進入N1區(qū)的電子與由P1區(qū)通過J1結注入N1區(qū)的空穴復合，同樣。遼寧優(yōu)勢Mitsubishi三菱可控硅模塊銷售價格在應用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。
面對標有字符的一面)。市場上常見的幾種塑封外形結構雙向可控硅的外形及電極引腳排列如下圖1所示?？煽毓杈чl管特性可控硅為了能夠直觀地認識晶閘管的工作特性，大家先看這塊示教板（圖3）。晶閘管VS與小燈泡EL串聯(lián)起來，通過開關S接在直流電源上。注意陽極A是接電源的正極，陰極K接電源的負極，控制極G通過按鈕開關SB接在（這里使用的是KP1型晶閘管，若采用KP5型，應接在3V直流電源的正極）。晶閘管與電源的這種連接方式叫做正向連接，也就是說，給晶閘管陽極和控制極所加的都是正向電壓。合上電源開關S，小燈泡不亮，說明晶閘管沒有導通；再按一下按鈕開關SB，給控制極輸入一個觸發(fā)電壓，小燈泡亮了，說明晶閘管導通了。這個演示實驗給了我們什么啟發(fā)呢?這個實驗告訴我們，要使晶閘管導通，一是在它的陽極A與陰極K之間外加正向電壓，二是在它的控制極G與陰極K之間輸入一個正向觸發(fā)電壓。晶閘管導通后，松開按鈕開關，去掉觸發(fā)電壓，仍然維持導通狀態(tài)?？煽毓杈чl管特點“一觸即發(fā)”。但是，如果陽極或控制極外加的是反向電壓，晶閘管就不能導通。控制極的作用是通過外加正向觸發(fā)脈沖使晶閘管導通，卻不能使它關斷。那么。
簡稱可控硅T。又由于可控硅初應用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件，簡稱為可控硅SCR。在性能上，可控硅不具有單向?qū)щ娦?，而且還具有比硅整流元件（俗稱“死硅”）更為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀態(tài)?？煽毓枘芤院涟布夒娏骺刂拼蠊β实臋C電設備，如果超過此頻率，因元件開關損耗增加，允許通過的平均電流相降低，此時，標稱電流應降級使用。可控硅的優(yōu)點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達幾十萬倍；反應極快，在微秒級內(nèi)開通、關斷；無觸點運行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等。可控硅的弱點：靜態(tài)及動態(tài)的過載能力較差；容易受干擾而誤導通。雙向可控硅產(chǎn)品分類編輯可控硅有多種分類方法。（一）按關斷、導通及控制方式分類：可控硅按其關斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門極關斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。TY300/TY301可控硅調(diào)壓單元（二）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。（三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。
當G極和T2極相對于T1的電壓均為負時，T1變成陽極，T2為陰極。雙向可控硅由于正、反向特性曲線具有對稱性，所以它可在任何一個方向?qū)āｋp向可控硅產(chǎn)品特性編輯雙向可控硅一陽極A1與第二陽極A2間，無論所加電壓極性是正向還是反向，只要控制極G和一陽極A1間加有正負極性不同的觸發(fā)電壓，就可觸發(fā)導通呈低阻狀態(tài)。此時A1、A2間壓降也約1V。雙向可控硅一旦導通，即使失去觸發(fā)電壓，也能繼續(xù)保持導通狀態(tài)。只有當一陽極A1、第二陽極A2電流減小，小于維持電流或A1、A2間當電壓極性改變且沒有觸發(fā)電壓時，雙向可控硅才截斷，此時只有重新加觸發(fā)電壓方可導通。雙向可控硅觸發(fā)電路編輯將兩只單向可控硅SCRl、SCR2反向并聯(lián)．再將控制板與本觸發(fā)電路連接，就組成了雙向可控硅一個簡單實用的大功率無級調(diào)速電路。這個電路的獨特之處在于可控硅控制極不需外加電源，只要將負載與本電路串聯(lián)后接通電源，兩個控制極與各自的陰極之間便有5V~8V脈動直流電壓產(chǎn)生，調(diào)節(jié)電位器R2即可改變兩只可控硅的導通角，增大R2的阻值到一定程度,便可使兩個主可控硅阻斷，因此R2還可起開關的作用。該電路的另一個特點是兩只主可控硅交替導通，一個的正向壓降就是另一個的反向壓降。不管可控硅的外形如何，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結構。遼寧優(yōu)勢Mitsubishi三菱可控硅模塊銷售價格
可控硅有三個電極---陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。遼寧優(yōu)勢Mitsubishi三菱可控硅模塊銷售價格
可控硅這種通過觸發(fā)信號（小的觸發(fā)電流）來控制導通（可控硅中通過大電流）的可控特性，正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征。普通可控硅的三個電極可以用萬用表歐姆擋R×100擋位來測。大家知道，晶閘管G、K之間是一個PN結（a），相當于一個二極管，G為正極、K為負極，所以，按照測試二極管的方法，找出三個極中的兩個極，測它的正、反向電阻，電阻小時，萬用表黑表筆接的是控制極G，可以用剛才演示用的示教板電路。接通電源開關S，按一下按鈕開關SB，燈泡發(fā)光就是好的，不發(fā)光就是壞的。可控硅測量方法鑒別可控硅三個極的方法很簡單，根據(jù)P-N結的原理，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通）[1]?？刂茦O與陰極之間是一個P-N結，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大。可是控制極二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過，因此，有時測得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好。另外。遼寧優(yōu)勢Mitsubishi三菱可控硅模塊銷售價格