允許通過陰極和陽極的電流平均值。可控硅封裝形式編輯常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、T0-220、TO-220ABC、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252、SOT-23、SOT23-3L等可控硅用途編輯普通晶閘管基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管，就可以構(gòu)成可控整流電路。以簡單的單相半波可控整流電路為例，在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug，VS仍然不能導(dǎo)通，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時，晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通。畫出它的波形（c）及（d），只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出。Ug到來得早，晶閘管導(dǎo)通的時間就早；Ug到來得晚，晶閘管導(dǎo)通的時間就晚。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時間，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL。在電工技術(shù)中，常把交流電的半個周期定為180°，稱為電角度。這樣，在U2的每個正半周，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α；在每個正半周內(nèi)晶閘管導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ。很明顯，α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)ń铅取Ｋ哂畜w積小、效率高、壽命長等優(yōu)點(diǎn)。云南英飛凌可控硅
就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL。在電工技術(shù)中，常把交流電的半個周期定為180°，稱為電角度。這樣，在U2的每個正半周，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α；在每個正半周內(nèi)晶閘管導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ。很明顯，α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)ń铅龋淖冐?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL，實(shí)現(xiàn)了可控整流。1：小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng)。額定電流：IA小于2A。2：大塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路。像可調(diào)壓輸出直流電源等等。3：大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中；高頻熔煉爐等?？煽毓枵{(diào)壓調(diào)速原理小功率分體機(jī)室內(nèi)風(fēng)機(jī)目前用的是PG調(diào)速塑封電機(jī)，為單向異步電容運(yùn)轉(zhuǎn)電動機(jī)。為了滿足空調(diào)正常的運(yùn)轉(zhuǎn)，達(dá)到制冷、制熱能力的平衡，所以必須保證室內(nèi)風(fēng)機(jī)的轉(zhuǎn)速滿足系統(tǒng)的要求，并保持轉(zhuǎn)速的穩(wěn)定。因此采用可控硅調(diào)壓調(diào)速的方法來調(diào)節(jié)風(fēng)機(jī)的轉(zhuǎn)速。1.電路原理圖2.工作原理簡介可控硅調(diào)速是用改變可控硅導(dǎo)通角的方法來改變電動機(jī)端電壓的波形，從而改變電動機(jī)端電壓的有效值，達(dá)到調(diào)速的目的。當(dāng)可控硅導(dǎo)通角α1=180°時，電動機(jī)端電壓波形為正弦波。云南英飛凌可控硅可控硅能以毫安級電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備，如果超過此功率，因元件開關(guān)損耗增加。
可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不僅是整流，還可以用作無觸點(diǎn)開關(guān)以快速接通或切斷電路，實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。可控硅和其它半導(dǎo)體器件一樣，其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運(yùn)輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件。中文名可控硅原理原稱可控硅整流元件目錄1工作過程2主要用途?整流?無觸點(diǎn)開關(guān)3產(chǎn)品特性可控硅原理工作過程編輯晶閘管T在工作過程中，它的陽極A和陰極K與電源和負(fù)載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路雙向晶閘管的結(jié)構(gòu)與符號見圖2。它屬于NPNPN五層器件，三個電極分別是T1、T2、G。因該器件可以雙向?qū)?，故除門極G以外的兩個電極統(tǒng)稱為主端子，用T1、T2。表示，不再劃分成陽極或陰極。其特點(diǎn)是，當(dāng)G極和T2極相對于T1，的電壓均為正時，T2是陽極，T1是陰極。反之，當(dāng)G極和T2極相對于T1的電壓均為負(fù)時，T1變成陽極，T2為陰極。
調(diào)速開關(guān),恒溫水床,電熱毯溫控器,恒溫水毯,數(shù)字調(diào)光臺,數(shù)字調(diào)光硅箱,電源箱,組合硅箱,調(diào)光臺,調(diào)光設(shè)備,燈光控制設(shè)備,可控硅元件多用來做可控整流，逆變，變頻，調(diào)壓，無觸點(diǎn)開關(guān)等,調(diào)聲控電路，定時控制器，感應(yīng)燈，圣誕燈控制器，自動門電路，玩具裝置，電動工具，無線電遙控電路，攝像機(jī)，調(diào)光燈、調(diào)速風(fēng)扇，冷暖空調(diào)器，熱水器，電視，冰箱，洗衣機(jī)，照相機(jī)，音箱組合，電動工具調(diào)速開關(guān)，電動調(diào)速器開關(guān).電動工具控制板,電動機(jī)軟啟動控制板,小家電控制板,按摩產(chǎn)品控制板,按摩控制板,控制器、電磁鐵、變壓器、電源適配器,變壓器;振動電磁鐵;磁力鎖;環(huán)形變壓器;電源變壓器;振動盤調(diào)速器;高壓變壓器;隔離變壓器;自耦變壓器;大型中央熱水器、太陽能熱水器、快熱電熱水器配電監(jiān)測及無功補(bǔ)償控制器,太陽能光伏產(chǎn)品/LED照明產(chǎn)品的研發(fā)/,熱式電熱水器,電熱水龍,電子離心開關(guān);離心開關(guān);電子開關(guān);整流器;工具;氣動工具;電動工具，美容儀器,超聲波,,噴霧機(jī),,低頻電磁治療儀;磁療枕;磁療眼罩;足療鞋;電子拔火罐;;治療儀，LED路燈_LED隧道燈_LED洗墻燈，照明燈具、輔材配件、LED光源、LED照明燈具、太陽能照明,三防燈,支架燈,熒光燈具配件,燈腳,啟動器座。這種器件在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無觸點(diǎn)控制，以小電流控制大電流。
可控硅開關(guān)可控硅又叫晶閘管，是晶體閘流管(Thyristor)的簡稱，故稱可控硅，它是一種大功率開關(guān)型半導(dǎo)體器件，在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示（舊標(biāo)準(zhǔn)中用字母“SCR”表示）。中文名可控硅開關(guān)外文名Thyristor別稱晶體閘流管性質(zhì)大功率開關(guān)型半導(dǎo)體器件目錄1分類2特點(diǎn)及應(yīng)用3鑒別硅電極4封裝形式品牌可控硅開關(guān)分類編輯按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆可控硅開關(guān)導(dǎo)可控硅、門極關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。[1]按引腳和極性分類可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。[1]按封裝形式分類可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。[1]按電流容量分類可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。[1]按關(guān)斷速度分類可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。但其電極引腳多數(shù)是按T1、T2、G的顧序從左至右排列(觀察時，電極引腳向下，面對標(biāo)有字符的一面)。云南英飛凌可控硅
它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。云南英飛凌可控硅
可控硅基礎(chǔ)知識環(huán)昕微可控硅基礎(chǔ)知識，缺少一個價電子而在共價鍵中留下一個空穴。在P型半導(dǎo)體中空穴是多數(shù)載流子，它主要由摻雜形成；自由電子是少數(shù)載流子，由熱激發(fā)形成?？昭ê苋菀追@電子，使雜質(zhì)原子成為負(fù)離子。三價雜質(zhì)因而也稱為受主雜質(zhì)。，而多余的一個價電子因無共價鍵束縛而很容易形成自由電子。在N型半導(dǎo)體中自由電子是多數(shù)載流子，它主要由雜質(zhì)原子提供；空穴是少數(shù)載流子,由熱激發(fā)形成。提供自由電子的五價雜質(zhì)原子因帶正電荷而成為正離子，因此五價雜質(zhì)原子也稱為施主雜質(zhì)。在P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體結(jié)合后，由于N型區(qū)內(nèi)電子很多而空穴很少，而P型區(qū)內(nèi)空穴很多電子很少，在它們的交界處就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差別。這樣，電子和空穴都要從濃度高的地方向濃度低的地方擴(kuò)散。于是，有一些電子要從N型區(qū)向P型區(qū)擴(kuò)散，也有一些空穴要從P型區(qū)向N型區(qū)擴(kuò)散。它們擴(kuò)散的結(jié)果就使P區(qū)一邊失去空穴，留下了帶負(fù)電的雜質(zhì)離子,N區(qū)一邊失去電子，留下了帶正電的雜質(zhì)離子。半導(dǎo)體中的離子不能任意移動，因此不參與導(dǎo)電。這些不能移動的帶電粒子在P和N區(qū)交界面附近，形成了一個很薄的空間電荷區(qū)，就是所謂的PN結(jié)。4.單向可控硅介紹（1）4.單向可控硅介紹。云南英飛凌可控硅