中文名單向可控硅外文名SCR:SiliconControlledRectifier別名可控硅整流器性質(zhì)電子元件目錄1結(jié)構(gòu)控制2對(duì)比3引腳區(qū)分4性能檢測(cè)5單向和雙向可控硅的區(qū)分單向可控硅結(jié)構(gòu)控制編輯單向可控硅為具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)，由外層的P層、N層引出兩個(gè)電極――陽極A和陰極K，由中間的P層引出控制極G。電路符號(hào)好像為一只二極管，但好多一個(gè)引出電極――控制極或觸發(fā)極G。SCR或MCR為英文縮寫名稱。從控制原理上可等效為一只PNP三極管和一只NPN三極管的連接電路，兩管的基極電流和集電極電流互為通路，具有強(qiáng)烈的正反反饋?zhàn)饔?。一旦從G、K回路輸入NPN管子的基極電流，由于正反饋?zhàn)饔茫瑑晒軐⒀讣催M(jìn)入飽合導(dǎo)通狀態(tài)?？煽毓鑼?dǎo)通之后，它的導(dǎo)通狀態(tài)完全依靠管子本身的正反饋?zhàn)饔脕砭S持，即使控制電流（電壓）消失，可控硅仍處于導(dǎo)通狀態(tài)?？刂菩盘?hào)UGK的作用是觸發(fā)可控硅使其導(dǎo)通，導(dǎo)通之后，控制信號(hào)便失去控制作用。單向可控硅的導(dǎo)通需要兩個(gè)條件：1）A、K之間加正向電壓；2）G、K之間輸入一個(gè)正向觸發(fā)電流信號(hào)，無論是直流或脈沖信號(hào)。若欲使可控硅關(guān)斷，也有兩個(gè)關(guān)斷條件：1）使正向?qū)娏髦敌∮谄涔ぷ骶S持電流值；2）使A、K之間電壓反向?？梢?，可控硅器件若用于直流電路?？煽毓枋强煽毓枵髟暮?jiǎn)稱,是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。遼寧進(jìn)口Mitsubishi三菱可控硅模塊銷售廠
其原因是當(dāng)可控硅元件控制一個(gè)連接電感性負(fù)載的電路斷開或閉合時(shí)，其線圈中的電流通路被切斷，其變化率極大，因此在電感上產(chǎn)生一個(gè)高電壓，這個(gè)電壓通過電源的內(nèi)阻加在開關(guān)觸點(diǎn)的兩端，然后感應(yīng)電壓一次次放電直到感應(yīng)電壓低于放電所必須的電壓為止，在這一過程中將產(chǎn)生極大的脈沖束。這些脈沖束疊加在供電電壓上，并且把干擾傳給供電線或以輻射形式傳向周圍空間，這種脈沖具有很高的幅度，很寬的頻率，因而具有感性負(fù)載的開關(guān)點(diǎn)是一個(gè)很強(qiáng)的噪聲源。：為防止或減小噪聲，對(duì)于移相控制式交流調(diào)壓一般的處理方法有電感電容濾波電路，阻容阻尼電路和雙向二極管阻尼電路及其它電路。：電感電容濾波電路，由電感電容構(gòu)成諧振回路，其低通截止頻率為f=1/2π雙向可控硅Ic，一般取數(shù)十千赫低頻率。：雙向二極管阻尼電路。由于二極管是反向串聯(lián)的，所以它對(duì)輸入信號(hào)極性不敏感。當(dāng)負(fù)載被電源激勵(lì)時(shí)，抑制電路對(duì)負(fù)載無影響。當(dāng)電感負(fù)載線圈中電流被切斷時(shí)，則在抑制電路中有瞬態(tài)電流流過，因此就避免了感應(yīng)電壓通過開關(guān)接點(diǎn)放電，也就減小了噪聲，但是要求二極管的反向電壓應(yīng)比可能出現(xiàn)的任何瞬態(tài)電壓高。另一個(gè)是額定電流值要符合電路要求。：電阻電容阻尼電路。上海好的Mitsubishi三菱可控硅模塊供應(yīng)雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡(jiǎn)稱TRIAC。
它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)。見圖1。它有三個(gè)PN結(jié)（J1、J2、J3），從J1結(jié)構(gòu)的P1層引出陽極A，從N2層引出陰級(jí)K，從P2層引出控制極G，所以它是一種四層三端的半導(dǎo)體器件。可控硅結(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào)圖可控硅工作原理編輯可控硅結(jié)構(gòu)原件可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個(gè)PN結(jié)，分析原理時(shí)，可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成，其等效圖解如右圖所示。雙向可控硅：雙向可控硅是一種硅可控整流器件，也稱作雙向晶閘管。這種器件在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無觸點(diǎn)控制，以小電流控制大電流，具有無火花、動(dòng)作快、壽命長(zhǎng)、可靠性高以及簡(jiǎn)化電路結(jié)構(gòu)等優(yōu)點(diǎn)。從外表上看，雙向可控硅和普通可控硅很相似，也有三個(gè)電極。但是，它除了其中一個(gè)電極G仍叫做控制極外，另外兩個(gè)電極通常卻不再叫做陽極和陰極，而統(tǒng)稱為主電極Tl和T2。它的符號(hào)也和普通可控硅不同，是把兩個(gè)可控硅反接在一起畫成的，如圖2所示。它的型號(hào)，在我國一般用“3CTS”或“KS”表示；國外的資料也有用“TRIAC”來表示的。雙向可控硅的規(guī)格、型號(hào)、外形以及電極引腳排列依生產(chǎn)廠家不同而有所不同，但其電極引腳多數(shù)是按T1、T2、G的顧序從左至右排列(觀察時(shí)，電極引腳向下。
j-a)ThermalResistanceJunction-to-ambient熱阻-結(jié)到環(huán)境-℃/WIGTTriggeringgatecurrent門極觸發(fā)電流為了使可控硅可靠觸發(fā)，觸發(fā)電流Igt選擇25度時(shí)max值的α倍，α為門極觸發(fā)電流—結(jié)溫特性系數(shù)，查數(shù)據(jù)手冊(cè)可得，取特性曲線中低工作溫度時(shí)的系數(shù)。若對(duì)器件工作環(huán)境溫度無特殊需要，通常選型時(shí)α取大于。mAIHHoldingCurrent維持電流維持可控硅維持通態(tài)所必需的小主電流，它與結(jié)溫有關(guān)，結(jié)溫越高，則IH越小。mAILLatchingCurrent(IGT3)接入電流(第三象限)/擎住電流擎住電流是晶閘管剛從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)并移除觸發(fā)信號(hào)后，能維持導(dǎo)通所需的小電流。對(duì)同一晶閘管來說，通常IL約為IH的2--4倍。mAIDOff-stateleakagecurrent斷態(tài)漏電流-mAVGTTriggeringgatevoltage門極觸發(fā)電壓—可以選擇Vgt25度時(shí)max值的β倍。β為門極觸發(fā)電壓—結(jié)溫特性系數(shù)，查數(shù)據(jù)手冊(cè)可得，取特性曲線中低工作溫度時(shí)的系數(shù)。若對(duì)器件工作環(huán)境溫度無特殊需要，通常選擇時(shí)β取1~。在控制極G上加正脈沖(或負(fù)脈沖)可使其正向(或反向)導(dǎo)通。
因此不存在反向擊穿問題。但當(dāng)外加電壓瞬時(shí)超過阻斷電壓時(shí)，SCR1、SCR2會(huì)誤導(dǎo)通，導(dǎo)通程度由電位器R2決定。SCR3與周圍元件構(gòu)成普通移相觸發(fā)電路，其原理這里從略。SCR1、SCR2選用封裝好的可控硅模塊(110A/1000V)，SCR3選用BTl36，即600V的雙向可控硅。本電路如用于感性負(fù)載，應(yīng)增加R4，C3阻容吸收電路及壓敏電阻RV作過壓保護(hù)，防止負(fù)載斷開和接通瞬間產(chǎn)生很高的感應(yīng)電壓損壞可控硅。雙向可控硅工作原理編輯1.可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個(gè)PN結(jié)，分析原理時(shí)，可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成。當(dāng)陽極A加上正向電壓時(shí)，BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)。此時(shí)，如果從控制極G輸入一個(gè)正向觸發(fā)信號(hào)，BG2便有基流ib2流過，經(jīng)BG2放大，其集電極電流ic2=β2ib2。因?yàn)锽G2的集電極直接與BG1的基極相連，所以ib1=ic。2.此時(shí)，電流ic2再經(jīng)BG1放大，于是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個(gè)電流又流回到BG2的基極，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向饋循環(huán)的結(jié)果，兩個(gè)管子的電流劇增，可控硅使飽和導(dǎo)通。由于BG1和BG2所構(gòu)成的正反饋?zhàn)饔?，所以一旦可控硅?dǎo)通后，即使控制極G的電流消失了，可控硅仍然能夠維持導(dǎo)通狀態(tài)，由于觸發(fā)信號(hào)只起觸發(fā)作用。一般由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不僅是整流，還可以用作無觸點(diǎn)開關(guān)以快速接通或切斷電路。上海好的Mitsubishi三菱可控硅模塊供應(yīng)
它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)小功率控件控制大功率設(shè)備。遼寧進(jìn)口Mitsubishi三菱可控硅模塊銷售廠
當(dāng)在陽極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓Ea，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG1的基一射間）輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號(hào)，BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1，經(jīng)放大，BG1將有一個(gè)放大了β1倍的集電極電流IC1。因?yàn)锽G1集電極與BG2基極相連，IC1又是BG2的基極電流Ib2。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環(huán)放大，直到BG1、BG2完全導(dǎo)通。實(shí)際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程，對(duì)可控硅來說，觸發(fā)信號(hào)加入控制極，可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能?？煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1，而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠(yuǎn)大于Ib1，足以保持BG1的持續(xù)導(dǎo)通。此時(shí)觸發(fā)信號(hào)即使消失，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)只有斷開電源Ea或降低Ea，使BG1、BG2中的集電極電流小于維持導(dǎo)通的小值時(shí)，可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然，如果Ea極性反接，BG1、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài)。這時(shí)，即使輸入觸發(fā)信號(hào)，可控硅也不能工作。反過來，Ea接成正向，而觸動(dòng)發(fā)信號(hào)是負(fù)的，可控硅也不能導(dǎo)通。另外，如果不加觸發(fā)信號(hào)，而正向陽極電壓大到超過一定值時(shí)，可控硅也會(huì)導(dǎo)通，但已屬于非正常工作情況了。遼寧進(jìn)口Mitsubishi三菱可控硅模塊銷售廠