[1]維持電流I：是指晶閘管維持導(dǎo)通所必需的小電流，一般為幾十到幾百毫安。IH與結(jié)溫有關(guān)，結(jié)溫越高，則I越小。擎住電流I：是晶閘管剛從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)并移除觸發(fā)信號后，能維持導(dǎo)通所需的小電流。對同一晶閘管來說，通常I約為I的2～4倍。[1]浪涌電流I：浪涌電流是指由于電路異常情況引起的使結(jié)溫超過額定結(jié)溫的不重復(fù)性大正向過載電流。斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt：是指在額定結(jié)溫、門極開路的情況下，不能使晶閘管從斷態(tài)到通態(tài)轉(zhuǎn)換的外加電壓大上升率。通態(tài)電流臨界上升率di/dt：指在規(guī)定條件下，晶閘管能承受的大通態(tài)電流上升率。如果di/dt過大，在晶閘管剛開通時會有很大的電流集中在門極附近的小區(qū)域內(nèi)，從而造成局部過熱而使晶閘管損壞。[1]觸發(fā)技術(shù)晶閘管觸發(fā)電路的作用是產(chǎn)生符合要求的門極觸發(fā)脈沖，使得晶閘管在需要時正常開通。晶閘管觸發(fā)電路必須滿足以下幾點要求：①觸發(fā)脈沖的寬度應(yīng)足夠?qū)捠沟镁чl管可靠導(dǎo)通；②觸發(fā)脈沖應(yīng)有足夠的幅度，對一些溫度較低的場合，脈沖電流的幅度應(yīng)增大為器件大觸發(fā)電流的3～5倍，脈沖的陡度也需要增加，一般需達(dá)1～2A/μs；③所提供的觸發(fā)脈沖應(yīng)不超過晶閘管門極的電壓、電流和功率定額，且在門極伏安特性的可靠觸發(fā)區(qū)域之內(nèi)。晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和高頻（快速）晶閘管。浙江進(jìn)口Infineon英飛凌晶閘管銷售廠家
產(chǎn)生波形失真和噪聲?？申P(guān)斷晶閘管克服了上述缺陷，它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點，以具有自關(guān)斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開關(guān)器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR），只是工作頻率比GTR低。目前，GTO已達(dá)到3000A、4500V的容量。大功率可關(guān)斷晶閘管已用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域，顯示出強(qiáng)大的生命力?？申P(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同，但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導(dǎo)通之后即處于深度飽和狀態(tài)，而GTO在導(dǎo)通后只能達(dá)到臨界飽和，所以GTO門極上加負(fù)向觸發(fā)信號即可關(guān)斷。GTO的一個重要參數(shù)就是關(guān)斷增益，βoff，它等于陽極大可關(guān)斷電流IATM與門極大負(fù)向電流IGM之比，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大，說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強(qiáng)。很顯然，βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處。下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力、估測關(guān)斷增益βoff的方法。判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔。浙江進(jìn)口Infineon英飛凌晶閘管銷售廠家晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，它有三個極：陽極，陰極和門極。
2)雙向晶閘管工作原理雙向晶閘管可以等效為兩個單向晶閘管反向并聯(lián)，如圖4-47所示。雙向晶閘管可以控制雙向?qū)?，因此除控制極G外的另兩個電極不再分陽極、陰極，而稱之為主電極T1、T2。當(dāng)有觸發(fā)電壓加至控制極G時，雙向晶閘管導(dǎo)通，井在觸發(fā)電壓消失后仍維持導(dǎo)通狀態(tài)，電流既可從T1經(jīng)過VS2流向T2，又可從T2經(jīng)過VS1流向Tl。當(dāng)電流小于晶閘管的維持電流時晶閘管關(guān)斷。(3)可關(guān)斷晶閘管工作原理普通單向或雙向晶閘管導(dǎo)通后控制極即不起作用，要關(guān)斷晶閘管必須切斷電源，使流過晶閘管的正向電流小于維持電流IH可關(guān)斷品閘管的特點是可以通過控制極關(guān)斷，克服了上述缺陷。當(dāng)可關(guān)斷晶閘管控制極G加上正脈沖電壓時晶閘管導(dǎo)通，當(dāng)控制極G加上負(fù)脈沖電膚日寸晶閘管關(guān)斷，如圖4-48所示。怎樣理解晶閘管的參數(shù)品體閘流管的主要參數(shù)是額定通態(tài)平均電流、阻斷峰值電壓、觸發(fā)電壓和電流、維持電流等，下面我們逐一解釋。(1)額定通態(tài)平均電流額定通態(tài)平均電流IT是指晶閘管導(dǎo)通時所允許通過的大交流正弦電流的有效值。使用中電路的工作電流應(yīng)小于晶閘管的額定通態(tài)平均電流IT。(2)阻斷峰值電壓阻斷峰值電壓包括正向阻斷峰值電壓UDRM和反向峰值電壓URRM。
這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導(dǎo)致電壓擊穿。主要用途/晶閘管編輯普通晶閘管基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管，就可以構(gòu)成可控整流電路、逆變、電機(jī)調(diào)速、電機(jī)勵磁、無觸點開關(guān)及自動控制等方面。現(xiàn)在我畫一個簡單的單相半波可控整流電路〔圖4(a）〕。在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug，VS仍然不能導(dǎo)通，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時，晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通。現(xiàn)在，畫出它的波形圖〔圖4(c）及（d）〕，可以看到，只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出（波形圖上陰影部分）。Ug到來得早，晶閘管導(dǎo)通的時間就早；Ug到來得晚，晶閘管導(dǎo)通的時間就晚。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時間，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL（陰影部分的面積大?。Ｔ陔姽ぜ夹g(shù)中，常把交流電的半個周期定為180°，稱為電角度。這樣，在U2的每個正半周，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α；在每個正半周內(nèi)晶閘管導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ。很明顯，α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。大功率晶閘管多采用金屬殼封裝，而中、小功率晶閘管則多采用塑封或陶瓷封裝。
在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不超過相應(yīng)電流下的允許值。2、使用可控硅之前，應(yīng)該用萬用表檢查可控硅是否良好。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時，應(yīng)立即更換。3、嚴(yán)禁用兆歐表（即搖表）檢查元件的絕緣情況。4、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器，并且保證所規(guī)定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅管心接觸良好，它們之間應(yīng)涂上一薄層有機(jī)硅油或硅脂，以幫于良好的散熱。5、按規(guī)定對主電路中的可控硅采用過壓及過流保護(hù)裝置。6、要防止可控硅控制極的正向過載和反向擊穿。損壞原因判別/晶閘管編輯當(dāng)晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡，以判斷是何原因。下面介紹幾種常見現(xiàn)象分析。1、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個光潔的小孔，有時需用擴(kuò)大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產(chǎn)生的高電壓擊穿。2、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙，其位置在遠(yuǎn)離控制極上。3、電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上。4、邊緣損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細(xì)小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細(xì)細(xì)金屬物劃痕。根據(jù)晶閘管的工作特性，常見的應(yīng)用就是現(xiàn)場用的不間斷應(yīng)急燈。浙江進(jìn)口Infineon英飛凌晶閘管銷售廠家
晶閘管在工業(yè)中的應(yīng)用越來越廣，隨著行業(yè)的應(yīng)用范圍增大。浙江進(jìn)口Infineon英飛凌晶閘管銷售廠家
通過改變控制角α或?qū)ń铅龋淖冐?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL，實現(xiàn)了可控整流。晶閘管晶體閘流管（英語：Thyristor），簡稱晶閘管，指的是具有四層交錯P、N層的半導(dǎo)體裝置。早出現(xiàn)與主要的一種是硅控整流器（SiliconControlledRectifier，SCR），中國大陸通常簡稱可控硅，又稱半導(dǎo)體控制整流器，是一種具有三個PN結(jié)的功率型半導(dǎo)體器件，為一代半導(dǎo)體電力電子器件。晶閘管的特點是具有可控的單向?qū)щ姡磁c一般的二極管相比，可以對導(dǎo)通電流進(jìn)行控制。晶閘管具有以小電流（電壓）控制大電流（電壓）作用，并體積小、輕、功耗低、效率高、開關(guān)迅速等優(yōu)點，用于無觸點開關(guān)、可控整流、逆變、調(diào)光、調(diào)壓、調(diào)速等方面。發(fā)展歷史/晶閘管編輯半導(dǎo)體的出現(xiàn)成為20世紀(jì)現(xiàn)代物理學(xué)其中一項重大的突破，標(biāo)志著電子技術(shù)的誕生。而由于不同領(lǐng)域的實際需要，促使半導(dǎo)體器件自此分別向兩個分支快速發(fā)展，其中一個分支即是以集成電路為的微電子器件，特點為小功率、集成化，作為信息的檢出、傳送和處理的工具；而另一類就是電力電子器件，特點為大功率、快速化。1955年，美國通用電氣公司研發(fā)了世界上一個以硅單晶為半導(dǎo)體整流材料的硅整流器（SR）。浙江進(jìn)口Infineon英飛凌晶閘管銷售廠家