頻率影響
1.當頻率自額定值偏離±10%(但對相位表和功率因數(shù)表為±2%，對單相無功功率表為±5%)時，由此所引起的儀表指示值的改變應(yīng)不超過表7中的規(guī)定值。如果在儀表上注明額定頻率范圍，則在此范圍內(nèi)的任一頻率下，儀表的基本誤差都應(yīng)不超過規(guī)定值。如果在儀表上除注明額定頻率外，還注明有擴大的頻率范圍時，則在此范圍內(nèi)的任一頻率下，儀表的基本誤差應(yīng)不超過表7中規(guī)定值的兩倍。儀表輔助電路的電源，當其頻率自額定值偏離±2%時，由此引起的儀表指示值的改變，應(yīng)不超過表7規(guī)定值的一半。
2.檢驗頻率的影響時，應(yīng)遵守有關(guān)規(guī)定(對頻率的規(guī)定除外)，且應(yīng)除去變差影響。試驗是在標度尺的幾何中心附近和上量限附近的兩點分度線上進行。相位表在額定電流下進行，功率表在額定功率因數(shù)下進行。 易于集成（只?1.2mm，重量只幾克）。江蘇電子激光干涉儀
波長的測量任何一個以波長為單位測量標準米尺的方法也就是以標準米尺為單位來測量波長的方法。以國際米為標準，利用干涉儀可精確測定光波波長。法布里-珀luo gan 涉儀（標準具）曾被用來確定波長的初級標準（鎘紅譜線波長）和幾個次級波長標準，從而通過比較法確定其他光譜線的波長。檢驗光學元件泰曼干涉儀被普遍用來檢驗平板、棱鏡和透鏡等光學元件的質(zhì)量。在泰曼干涉儀的一個光路中放置待檢查的平板或棱鏡，平板或棱鏡的折射率或幾何尺寸的任何不均勻性必將反映到干涉圖樣上。若在光路中放置透鏡，可根據(jù)干涉圖樣了解由透鏡造成的波面畸變，從而評估透鏡的波像差。珠海段差激光干涉儀中國物聯(lián)網(wǎng)校企聯(lián)盟認為，傳感器的存在和發(fā)展。
被光束照射到的電子會吸收光子的能量，但是其中機制遵照的是一種非全有即全無的判據(jù)，光子所有能量都必須被吸收，用來克服逸出功，否則這能量會被釋出。假若電子所吸收的能量能夠克服逸出功，并且還有剩余能量，則這剩余能量會成為電子在被發(fā)射后的動能。逸出功 W 是從金屬表面發(fā)射出一個光電子所需要的較小能量。如果轉(zhuǎn)換到頻率的角度來看，光子的頻率必須大于金屬特征的極限頻率，才能給予電子足夠的能量克服逸出功。逸出功與極限頻率之間的關(guān)系為其中，h是普朗克常數(shù)， W是光頻率為的光子的能量?？朔莩龉χ?，光電子的比較大動能為其中，hv 是光頻率為 v的光子所帶有并且被電子吸收的能量。實際物理要求動能必須是正值，因此，光頻率必須大于或等于極限頻率，光電效應(yīng)才能發(fā)生。
不同變比電流互感器。這種型號的電流互感器具有同一個鐵心和一次繞組，而二次繞組則分為兩個匝數(shù)不同、各自獨自的繞組，以滿足同一負荷電流情況下不同變比、不同準確度等級的需要，例如在同一負荷情況下，為了保證電能計量準確，要求變比較小一些（以滿足負荷電流在一次額定值的2/3左右），準確度等級高一些（如1K1.1K2為200/5.0.2級）；而用電設(shè)備的繼電保護，考慮到故障電流的保護系數(shù)較大，則要求變比較大一些，準確度等級可以稍低一點（如2K1.2K2為300/5.1級）。 Beamline Fac。需要具有<100nrad RMS機械指向穩(wěn)定性的鏡架。
(3)非接觸測頭以及各種掃描探針顯微鏡。航空航天行業(yè)對此已經(jīng)提出迫切要求，這是今后坐標測量機發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)。目前接觸式測頭已完全被國外所壟斷，非接觸測頭還沒有發(fā)展成熟，我們有參與競爭的機遇。以前較多采用的激光三角法原理受到很多限制，難以有突破性進展，但可在原理創(chuàng)新上下功夫。應(yīng)該突破0.1～0.5μm分辨率。(5)新器件，新材料。過去，科研評價體系存在偏重于整機和系統(tǒng)，忽視材料和器件的趨向。新的突破點可能出現(xiàn)在新光源、新型高頻探測器。目前探測器的響應(yīng)頻率只有10的9次方，而光頻高達10的14次方，目前干涉儀實際上是起著混頻器的作用，適應(yīng)探測器的不足(如果探測器的響應(yīng)果真能超過光頻，干涉儀也就沒有用了)。如果探測器的性能得到顯著提高，對于通訊也是很大的突破。除基頻外，還確定了其第二次和第四次諧波。三維輪廓激光干涉儀色散共焦
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擴散型半導體應(yīng)變片這種應(yīng)變片是將P型雜質(zhì)擴散到一個高電阻N型硅基底上，形成一層極薄的P型導電層，然后用超聲波或熱壓焊法焊接引線而制成（圖2）。它的優(yōu)點是穩(wěn)定性好，機械滯后和蠕變小，電阻溫度系數(shù)也比一般體型半導體應(yīng)變片小一個數(shù)量級。缺點是由于存在P-N結(jié)，當溫度升高時，絕緣電阻大為下降。半導體應(yīng)變片是將單晶硅錠切片、研磨、腐蝕壓焊引線，結(jié)尾粘貼在鋅酚醛樹脂或聚酰亞胺的襯底上制成的。是一種利用半導體單晶硅的壓阻效應(yīng)制成的一種敏感元件。新型固態(tài)壓阻式傳感器中的敏感元件硅梁和硅杯等就是用擴散法制成的。江蘇電子激光干涉儀
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