高壓閘閥AKT

來源: 發(fā)布時間:2024-05-15

微泰,傳輸閥 (L-MOTION)、L型轉換閥、輸送閥、轉移閥應用于晶圓加工,半導體加工,可替代VAT閘閥。其特點是? 主體材料:鋁或不銹鋼? 緊湊型設計? 使用維修配件工具包易于維護? 應用:半導體系統(tǒng)中小于 450mm 晶圓的傳輸和處理室隔離,傳輸閥 (L-MOTION)、輸送閥、轉移閥規(guī)格如下:閘門密封類型:傳輸閥 (L-MOTION)、左動轉換閥、驅動方式:氣動、法蘭尺寸(內徑) 32×222/46×236/50×336/56×500 、連接方式:焊接波紋管、閘門密封 Viton O 形圈/硫化密封件、閥蓋密封:氟橡膠O型圈、響應時間:≤ 2 sec、工作壓力范圍:1×10-10 mbar to 1200 mbar、開始時的壓差:≤ 30 mbar、開啟時壓差: ≤ 1200 mbar r、泄漏率不銹鋼:< 1×10 -9Mbar?/秒/鋁:< 1×10 -5  mbar ?/秒、維護前可用次數(shù): ≥1,000,000次、閥體溫度≤ 200 °、機構溫度≤ 80 °C、烤爐溫度≤ 200 °C、材料:閥體(不銹鋼304)/驅動器(鋁6061陽極氧化)、安裝位置:任意、操作壓力(N2):4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業(yè)績,上海安宇泰環(huán)保科技有限公司。 用真空閘閥時,應考慮與工藝氣體的兼容性、工作壓力范圍、循環(huán)速度和維護要求等因素。高壓閘閥AKT

閘閥

微泰,控制系統(tǒng)閘閥應用于? Evaporation(蒸發(fā))? Sputtering(濺射)? Diamond growth by MW-PACVD(通過MW-PACVD生長金剛石)? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷對卷)? Coating(涂層)? Etch(蝕刻)? Diffusion(擴散)?CVD(化學氣相沉積)等設備上。可替代VAT閘閥。其特點是? 主體材質:不銹鋼? 緊湊型設計? 帶步進電機的集成壓力控制器? 應用:需要壓力控制和隔離的地方。控制系統(tǒng)閘閥規(guī)格如下:法蘭尺寸(ID):1.5英寸~ 10英寸、材料:閥體(STS304)/機構STS304、STS420、饋通:旋轉饋通、執(zhí)行器:步進電機、氦泄漏率1X10-9 mbar.l/sec、壓力范圍:1×10-8 mbar to 1.4 bar、閘門上的壓差≤1.4bar、維護前可用次數(shù):100,000次、閥體溫度≤ 150 °、控制器≤35°C、安裝位置:任意、接口RS232、RS485、Devicenet、Profibus、EtherCat。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業(yè)績,上海安宇泰環(huán)保科技有限公司。金屬閘閥ALUMINUM GATE VALVE關閉真空閥涉及將閘門移動穿過流路以形成密封。

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微泰,屏蔽閘閥應用于? Evaporation(蒸發(fā))? 濺射? Diamond growth by MW-PACVD? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)? Coating(涂層)? Etch? Diffusion?CVD(化學氣相沉積)等設備上??商娲鶹AT閘閥。其特點是*閥體和阻斷器之間的間隙小于1mm*防止流入的氣體(粉末)進入閥體內部*使用維修配件工具包易于維護*應用:隔離泵,氣流中的高水平工藝。屏蔽閘閥規(guī)格如下:驅動方式:手動或氣動、法蘭尺寸:2.5英寸~ 10英寸、法蘭類型:ISO, JIS, ASA, CF、連接方式:焊接波紋管、閥門密封:氟橡膠O型圈/Kalrez O型環(huán)/EPDM、閥蓋密封:Viton O型圈、響應時間:≤ 2 sec、操作壓力范圍:2.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar,8? ~ 10? : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、開始時的壓差:≤ 30 mbar、閘門的差動壓力:2.5? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 10? ≤ 1200 mbar、泄漏率:< 1×10 -10 Mbar/秒、維護前可用次數(shù):200,000次、閥體溫度≤ 200 °、機構溫度≤ 60 °C、烤爐溫度≤ 150 °C、材料:閥體(不銹鋼304)/驅動器(鋁6061陽極氧化)、安裝位置:任意、操作壓力(N2):4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業(yè)績

微泰半導體主加工設備腔內精確壓力控制的閘閥Heating gate valve,加熱插板閥,加熱閘閥,加熱器的加熱溫度為180-200度(可通過控制器設置溫度)-規(guī)格:適用雙金屬(達到200度時,斷電后溫度下降后重新啟動),應用于去除粉末/氣體設備。微泰,加熱閘閥應用于? Evaporation(蒸發(fā))? Sputtering(濺射)? Diamond growth by MW-PACVD? PECV? PVD? Coating(涂層)? Etch(蝕刻)? Diffusion(擴散)?CVD(化學氣相沉積)等設備上。加熱閘閥規(guī)格如下:驅動方式:手動或氣動、法蘭尺寸:1.5英寸~ 12英寸、法蘭類型:ISO、JIS、ASA、CF、連接方式:焊接波紋管、閥門密封:氟橡膠O型圈/Kalrez O型環(huán)/EPDM、閥蓋密封:氟橡膠O型圈、響應時間:≤ 2 sec、操作壓力范圍:1.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar,8? ~ 12? : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、開始時的壓差:≤ 30 mbar、閘門的差動壓力:1.5? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 12 ≤ 1200 mbar、泄漏率:< 1×10 -10 Mbar/秒、維護前可用次數(shù):200,000次、、安裝位置:任意、操作壓力(N2):4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業(yè)績。閘閥的結構比較簡單,一般由閥體、閥座、閥桿、閘板、閥蓋、密封圈幾部分組成。

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微泰半導體閘閥具有諸多特點:其閥門驅動部分的所有滾子和軸承都經過精心防護處理,形成屏蔽和保護環(huán)(Shield Blocker 和 Protection Ring),通過三重預防方式有效切斷粉末(Powder),從而延長閥門驅動及使用壽命。該閘閥采用的三重預防驅動方式中的 Shield 功能,能夠出色地防止氣體和粉末侵入閥體內部,同時具備三重保護驅動保護環(huán),可延長 GV 壽命的 Shield 方法,并已供應給海外半導體 T 公司、M 公司和 I 公司的 Utility 設備。此外,擋板與閥體之間的距離小于 1mm,能夠強力阻擋內部粉末和氣體的流入,屏蔽擋板采用 1.5t AL 材料制成,充分考慮了其復原力,并通過 Viton 粉末熱壓工藝制成。而三重保護保護環(huán)的主要功能則包括:AL 材料的重量減輕和保護環(huán)內部照明的改善、保護環(huán)內部流速的增加以及三元環(huán)的應用確保了驅動性能的提升。精確控制腔內壓力的閥門分為三類:控制系統(tǒng)閘閥、蝶閥、多定位閘閥。多定位閘閥

閘閥的結構緊湊,閥門剛性好,通道流暢,流阻數(shù)小,密封面采用不銹鋼和硬質合金,使用壽命長。高壓閘閥AKT

微泰半導體主加工設備腔內精確壓力控制的閘閥,氣動多位置閘閥,氣動多定位閘閥,多定位插板閥,Pneumatic Multi Position 其特點是1,全開和關閉位置使用帶有位置發(fā)射器的氣動電磁閥進行控制;2,所有位置控制都由控制器進行操作。1)控制類型-全開:高速閘門全開操作-全閉:高速閘門全閉操作-位置(POS.)控制:將閘門移動到設定的位置值;2)操作時間-完全打開?完全關閉:<2秒(取決于速度控制器設置)-位置(POS。)控制: 0%?100%工作,<MAX18秒(偏差: < ±0.5%)。微泰氣動多位置閘閥,氣動多定位閘閥,多定位插板閥,Pneumatic Multi Position,有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業(yè)績。高壓閘閥AKT