化學(xué)氣相沉積閘閥手動(dòng)閥

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-06-25

微泰半導(dǎo)體主加工設(shè)備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥,氣動(dòng)多位置閘閥,氣動(dòng)多定位閘閥,多定位插板閥,Pneumatic Multi Position 其特點(diǎn)是1,全開和關(guān)閉位置使用帶有位置發(fā)射器的氣動(dòng)電磁閥進(jìn)行控制;2,所有位置控制都由控制器進(jìn)行操作。1)控制類型-全開:高速閘門全開操作-全閉:高速閘門全閉操作-位置(POS.)控制:將閘門移動(dòng)到設(shè)定的位置值;2)操作時(shí)間-完全打開?完全關(guān)閉:<2秒(取決于速度控制器設(shè)置)-位置(POS。)控制: 0%?100%工作,<MAX18秒(偏差: < ±0.5%)。微泰氣動(dòng)多位置閘閥,氣動(dòng)多定位閘閥,多定位插板閥,Pneumatic Multi Position,有中國(guó)臺(tái)灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來(lái)西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備使用業(yè)績(jī)。真空閘閥是真空系統(tǒng)中用于控制氣體進(jìn)出真空室的機(jī)械裝置。化學(xué)氣相沉積閘閥手動(dòng)閥

閘閥

微泰半導(dǎo)體主加工設(shè)備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥,有氣動(dòng)多位置閘閥(氣動(dòng)多定位閘閥、多定位插板閥、Pneumatic Multi Position)、氣動(dòng)(鎖定)閘閥和手動(dòng)(鎖定)閘閥,蝶閥,Butterfly Valve,步進(jìn)電機(jī)插板閥Stepper Motor Gate Valve,加熱插板閥(加熱閘閥Heating gate valve),鋁閘閥(AL Gate Valve),三重防護(hù)閘閥,應(yīng)用于? Evaporation(蒸發(fā))? Sputtering(濺射)? Diamond growth by MW-PACVD(通過(guò)MW-PACVD生長(zhǎng)金剛石)? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷對(duì)卷)? Coating(涂層)? Etch(蝕刻)? Diffusion(擴(kuò)散)?CVD(化學(xué)氣相沉積)等設(shè)備上。有中國(guó)臺(tái)灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來(lái)西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備使用業(yè)績(jī)。化學(xué)氣相沉積閘閥英菲尼亞半導(dǎo)體這些真空閥可以手動(dòng)、氣動(dòng)或電子方式驅(qū)動(dòng),從而可以根據(jù)具體應(yīng)用進(jìn)行多功能控制。

化學(xué)氣相沉積閘閥手動(dòng)閥,閘閥

微泰,超高壓閘閥應(yīng)用于? Evaporation? Sputtering(濺射)? Diamond growth by MW-PACVD(通過(guò)MW-PACVD生長(zhǎng)金剛石)? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷對(duì)卷)? Coating(涂層)? 蝕刻? Diffusion?CVD等設(shè)備上。期特點(diǎn)是*陶瓷球機(jī)構(gòu)產(chǎn)生的低顆粒*使用維修配件工具包易于維護(hù)*應(yīng)用:研發(fā)和工業(yè)中的UHV隔離。高壓閘閥規(guī)格如下:驅(qū)動(dòng)方式:手動(dòng)或氣動(dòng)、法蘭尺寸:1.5英寸~ 12英寸、法蘭類型:CF、連接方式:焊接波紋管(AM350或STS316L)、閥門密封:氟橡膠O型圈/Kalrez O型環(huán)/EPDM、閥蓋密封:銅墊圈、響應(yīng)時(shí)間:≤ 2 sec、操作壓力范圍:1.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar,8? ~ 14? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar 、開始時(shí)的壓差:≤ 30 mbar、閘門的差動(dòng)壓力:1.5? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 14? ≤ 1200 mbar、泄漏率:< 1×10 -10 Mbar/秒、初次維護(hù)前可用次數(shù):200,000次、閥體溫度≤ 200 °、CTemperature for Actuator≤ 150 °C、烤爐溫度≤ 200 °C、材料:閥體(不銹鋼304或316L)/驅(qū)動(dòng)器(鋁6061陽(yáng)極氧化)、安裝位置:任意、操作壓力(N2):4 ~ 7 bar。有中國(guó)臺(tái)灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來(lái)西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備使用業(yè)績(jī)。

微泰半導(dǎo)體主加工設(shè)備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥,蝶閥,Butterfly Valve產(chǎn)品范圍:DN40 ~ 50 -壓力控制-使用步進(jìn)電機(jī)- Product Range : DN40 ~ 50- Pressure Controlled- Using Stepper Motor,- Compatible with VAT Butterfly Control Valve, series61.2 - Application Process : PVD, CVD, Etching, Diffusion-使用步進(jìn)電機(jī)和控制器執(zhí)行驅(qū)動(dòng)。-通過(guò)步進(jìn)電機(jī)/控制器精確定位,確保精確的壓力控制。-兼容VAT蝶閥控制器,系列61.2,-應(yīng)用工藝: PVD,CVD,蝕刻,擴(kuò)散。微泰蝶閥Butterfly Valve有中國(guó)臺(tái)灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來(lái)西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備使用業(yè)績(jī)。閘閥多應(yīng)用于石油、天然氣等輸送管線上,在半導(dǎo)體加工工程設(shè)備上也多用閘閥。

化學(xué)氣相沉積閘閥手動(dòng)閥,閘閥

微泰半導(dǎo)體閘閥的特點(diǎn):已向中國(guó)臺(tái)灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來(lái)西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備,設(shè)備廠批量供貨,已得到品質(zhì)認(rèn)可,已完成對(duì)半導(dǎo)體Utility設(shè)備和批量生產(chǎn)設(shè)備的驗(yàn)證。1,采用陶瓷球機(jī)構(gòu),抗沖擊和震動(dòng),保證使用25萬(wàn)次,檢修方便,較低維護(hù)成本。2,無(wú)Particle(顆粒)產(chǎn)生,采用陶瓷球無(wú)腐蝕和顆粒產(chǎn)。3,屏蔽保護(hù):屏蔽式保護(hù)功能,閘閥閥體與擋板之間的距離小于1mm,可防止粉末侵入閥內(nèi),壽命為半永久性。4,保護(hù)環(huán):Protecrion Ring通過(guò)流速上升設(shè)計(jì)防止粉末凝固,并通過(guò)打磨(研磨)工藝防止粉末堆積。微泰半導(dǎo)體閘閥應(yīng)用于? Evaporation(蒸發(fā))? Sputtering(濺射)? Diamond growth by MW-PACVD(通過(guò)MW-PACVD生長(zhǎng)金剛石)? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷對(duì)卷)? Coating(涂層)? Etch(蝕刻)? Diffusion(擴(kuò)散)?CVD(化學(xué)氣相沉積)等設(shè)備上??商娲鶫VA閘閥、VAT閘閥。上海安宇泰環(huán)??萍加邢薰?。閘閥不易產(chǎn)生水錘現(xiàn)象。原因是關(guān)閉時(shí)間長(zhǎng)。全真空可嵌入閘閥HV GATE VALVE

真空閘閥的密封裝置確保關(guān)閉時(shí)的高真空完整性,防止泄漏并維持腔室內(nèi)的真空壓力。化學(xué)氣相沉積閘閥手動(dòng)閥

微泰半導(dǎo)體閘閥與其他類型閘閥相比,具有以下一些優(yōu)勢(shì):1. 高精度控制:能更精確地調(diào)節(jié)流體流量。2. 適應(yīng)半導(dǎo)體環(huán)境:對(duì)溫度、真空等條件有更好的適應(yīng)性。3. 低顆粒產(chǎn)生:減少對(duì)晶圓等的污染。4. 長(zhǎng)壽命和可靠性:確保穩(wěn)定運(yùn)行,減少維護(hù)成本。5. 多功能應(yīng)用:可適用于多種半導(dǎo)體工藝設(shè)備。微泰半導(dǎo)體閘閥被廣泛應(yīng)用于 Evaporation(蒸發(fā))、Sputtering(濺射)、Diamond growth by MW-PACVD(通過(guò) MW-PACVD 生長(zhǎng)金剛石)、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷對(duì)卷)、Coating(涂層)、Etch(蝕刻)、Diffusion(擴(kuò)散)、CVD(化學(xué)氣相沉積)等設(shè)備上,可替代 HVA 閘閥、VA T閘閥。該閘閥由上海安宇泰環(huán)??萍加邢薰咎峁;瘜W(xué)氣相沉積閘閥手動(dòng)閥