蒸發(fā)閘閥三星半導(dǎo)體

微泰主要產(chǎn)品有1、-手動(dòng)鎖定閥：操作鎖定按鈕關(guān)閉正在抽吸中的切斷閥門切斷現(xiàn)象的源頭：2、特殊閥門：全金屬配件構(gòu)成，由電磁閥+傳感器+D-Sub+角閥組成；3、三位閥：半開功能的壓力控制閥。氣動(dòng)閘閥：?產(chǎn)品范圍：1.5~30英寸?高壓/超高壓都可用?維護(hù)前可用次數(shù)：25萬次?響應(yīng)時(shí)間：0.2秒~3秒；手動(dòng)（鎖定）閘閥?產(chǎn)品范圍：1.5~12英寸?高壓/超高壓都可用?維護(hù)前可用次數(shù)：25萬次；專門用閘閥：產(chǎn)品范圍：1.5~12英寸?高壓/超高壓都可用?維護(hù)前可用次數(shù)：25萬次，響應(yīng)時(shí)間：0.2秒客戶指定的法蘭，可安裝角閥；三位閘閥：產(chǎn)品范圍：2.5~12英寸?高壓/超高壓都可用?維護(hù)前可用次數(shù)：20萬次?響應(yīng)時(shí)間：0.2秒~3秒；有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備使用業(yè)績，可替代HVA閘閥、VAT閘閥。上海安宇泰環(huán)?？萍加邢薰尽７墙饘俨牧细邏洪l閥有陶瓷閥門、玻璃閥門、塑料閥門。蒸發(fā)閘閥三星半導(dǎo)體

半導(dǎo)體主加工設(shè)備腔內(nèi)精確壓力控制的解決方案，真空插板閥品牌—微泰。控制系統(tǒng)閥門是安裝在半導(dǎo)體? Evaporation（蒸發(fā)）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴(kuò)散）?CVD（化學(xué)氣相沉積）等設(shè)備中的主要閥門?？刂葡到y(tǒng)閥門起到調(diào)節(jié)腔內(nèi)壓力的作用，通過控制系統(tǒng)自動(dòng)調(diào)節(jié)閘板的開啟和關(guān)閉。精確控制腔內(nèi)壓力的閥門分為三類：控制系統(tǒng)閘閥、蝶閥、多定位閘閥?？刂葡到y(tǒng)和蝶閥使用步進(jìn)電機(jī)操作，而多定位閘閥、多位置閘閥使用氣動(dòng)控制操作。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備使用業(yè)績。三防閘閥L型轉(zhuǎn)移閥閘閥體內(nèi)設(shè)一個(gè)與介質(zhì)流向成垂直方向的平面閘板，靠這一閘板的升降來開啟或關(guān)閉介質(zhì)的通路。

微泰半導(dǎo)體閘閥的工作原理主要是通過閘板的升降來控制流體的通斷。當(dāng)閘板升起時(shí)，閘閥打開，允許流體通過；當(dāng)閘板降下時(shí)，閘閥關(guān)閉，阻止流體通過。在具體工作中，它利用各種機(jī)構(gòu)和設(shè)計(jì)來實(shí)現(xiàn)精確的控制和可靠的密封，以滿足半導(dǎo)體設(shè)備中對工藝控制的要求。微泰半導(dǎo)體閘閥被廣泛應(yīng)用于 Evaporation（蒸發(fā)）、Sputtering（濺射）、Diamond growth by MW-PACVD（通過 MW-PACVD 生長金剛石）、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）、Coating（涂層）、Etch（蝕刻）、Diffusion（擴(kuò)散）、CVD（化學(xué)氣相沉積）等設(shè)備上，可替代 HVA 閘閥、VA T閘閥。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備使用業(yè)績。該閘閥由上海安宇泰環(huán)保科技有限公司提供。

微泰，屏蔽閘閥應(yīng)用于? Evaporation（蒸發(fā)）? 濺射? Diamond growth by MW-PACVD? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)? Coating（涂層）? Etch? Diffusion?CVD（化學(xué)氣相沉積）等設(shè)備上。可替代VAT閘閥。其特點(diǎn)是*閥體和阻斷器之間的間隙小于1mm*防止流入的氣體（粉末）進(jìn)入閥體內(nèi)部*使用維修配件工具包易于維護(hù)*應(yīng)用:隔離泵，氣流中的高水平工藝。屏蔽閘閥規(guī)格如下：驅(qū)動(dòng)方式：手動(dòng)或氣動(dòng)、法蘭尺寸：2.5英寸~ 10英寸、法蘭類型：ISO, JIS, ASA, CF、連接方式：焊接波紋管、閥門密封：氟橡膠O型圈/Kalrez O型環(huán)/EPDM、閥蓋密封：Viton O型圈、響應(yīng)時(shí)間：≤ 2 sec、操作壓力范圍：2.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8? ~ 10? : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、開始時(shí)的壓差：≤ 30 mbar、閘門的差動(dòng)壓力：2.5? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 10? ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、維護(hù)前可用次數(shù)：200,000次、閥體溫度≤ 200 °、機(jī)構(gòu)溫度≤ 60 °C、烤爐溫度≤ 150 °C、材料：閥體(不銹鋼304)/驅(qū)動(dòng)器(鋁6061陽極氧化)、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備使用業(yè)績?yōu)榱吮苊庠陬w粒敏感應(yīng)用中產(chǎn)生顆粒，滑動(dòng)閘門機(jī)構(gòu)的設(shè)計(jì)旨在避免閥殼處的摩擦。

微泰轉(zhuǎn)移閥是安裝在半導(dǎo)體PVDCVD設(shè)備工藝模塊和工藝室之間的閥門系統(tǒng)。它充當(dāng)將位于工藝模塊中的晶圓轉(zhuǎn)移到工藝室的溝槽。此外，它極大限度地減少了由于閘板打開和關(guān)閉造成的真空壓力變化，使腔室內(nèi)的真空壓力得以維持。負(fù)責(zé)門控半導(dǎo)體晶圓轉(zhuǎn)移的轉(zhuǎn)移閥分為兩種類型:I型和L型。一、I型轉(zhuǎn)移閥。I型轉(zhuǎn)移閥產(chǎn)品由鋁或不銹鋼制成，用于傳輸晶圓小于450毫米的半導(dǎo)體系統(tǒng)和隔離工藝室。本型的特點(diǎn)是葉片在垂直方向上快速移動(dòng)，確保完美的腔室壓力維持。它采用具有LM導(dǎo)向系統(tǒng)和單連桿的內(nèi)部機(jī)構(gòu)，保證高耐用性和長壽命。二、L型轉(zhuǎn)移閥。L型轉(zhuǎn)移閥產(chǎn)品由鋁或不銹鋼制造，其特點(diǎn)是設(shè)計(jì)緊湊，易于維護(hù)。L型轉(zhuǎn)移閥的特點(diǎn)是閘門在兩個(gè)階段從垂直到水平方向移動(dòng)，確保完美的腔室壓力維護(hù)。它的內(nèi)部機(jī)構(gòu)，包括一個(gè)LM導(dǎo)向系統(tǒng)和滯留彈簧和楔形營地結(jié)構(gòu)，保證了高耐用性和長壽命，同時(shí)提供穩(wěn)定和精確的運(yùn)動(dòng)。I型和L型轉(zhuǎn)移閥在在閘門開啟和關(guān)閉過程中極大限度地減少了振動(dòng)，并且對溫度變化非常穩(wěn)定，確保了較長的使用壽命。此外，即使長時(shí)間使用柵極，它們產(chǎn)生的顆粒也很少，從而避免了晶圓缺陷或主器件的污染。微泰不斷創(chuàng)新，在開發(fā)先進(jìn)的壓力控制和控制閥制造專業(yè)從事真空閘閥不懈努力。微泰，高壓閘閥應(yīng)用于? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）?CVD（化學(xué)氣相沉積）等設(shè)備上。閘閥法蘭閘閥

真空閘閥的設(shè)計(jì)具有獨(dú)特的特征。它們具有堅(jiān)固的結(jié)構(gòu)，通常使用不銹鋼或鋁等材料來抵抗真空條件。蒸發(fā)閘閥三星半導(dǎo)體

微泰半導(dǎo)體主加工設(shè)備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥，插板閥，氣動(dòng)（鎖定）閘閥和手動(dòng)（鎖定）閘閥-按產(chǎn)品尺寸和法蘭類型排列-ID為1.5英寸至30英寸，ISO、CF&JIS和ASA法蘭等-現(xiàn)有手動(dòng)閘閥的鎖定功能（Exist Manual GV of Locking Function）。微泰氣動(dòng)（鎖定）閘閥和手動(dòng)（鎖定）閘閥應(yīng)用于? Evaporation（蒸發(fā)）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴(kuò)散）?CVD（化學(xué)氣相沉積）等設(shè)備上。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備使用業(yè)績。蒸發(fā)閘閥三星半導(dǎo)體