上海 PH132-PCC10A加熱板一級(jí)代理

    本發(fā)明涉及鍋爐加熱技術(shù)領(lǐng)域，主要涉及一種電磁感應(yīng)加熱單元結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)：當(dāng)前電鍋爐通過(guò)電加熱器對(duì)通過(guò)供水管流入的冷水進(jìn)行加熱，加熱的水用于供暖或作為生活用水使用。根據(jù)水的加熱方法鍋爐可分為供熱水鍋爐和蓄熱水鍋爐。該鍋爐因不易發(fā)生、不易泄漏有害氣體、噪音小而普遍使用。近年來(lái)，隨著油價(jià)的上漲，電鍋爐因取暖費(fèi)用低而備受人們關(guān)注。目前國(guó)內(nèi)電阻式、電磁式、電極式等各種電加熱技術(shù)都在鍋爐加熱領(lǐng)域得到了***運(yùn)用。國(guó)內(nèi)低壓電磁加熱技術(shù)應(yīng)用較為普遍，其電磁加熱原理是通過(guò)電子線路板組成部分產(chǎn)生交變磁場(chǎng)，當(dāng)用含鐵質(zhì)容器放置在上面時(shí)，容器表面即切割交變磁力線而在容器底部金屬部分產(chǎn)生交變的電流(即渦流)，渦流使容器底部的鐵原子高速無(wú)規(guī)則運(yùn)動(dòng)，原子相互碰撞、摩擦而產(chǎn)生熱能。從而起到加熱物品的效果。因?yàn)槭氰F制容器自身發(fā)熱，所以熱轉(zhuǎn)化率特別高。但該項(xiàng)技術(shù)大多數(shù)應(yīng)用在家庭電器上，電壓技術(shù)參數(shù)局限于220～380vac，功率等級(jí)*幾十千瓦，無(wú)法實(shí)現(xiàn)大型化從而滿足工業(yè)蒸汽及城市集中采暖等領(lǐng)域使用。現(xiàn)有電鍋爐的加熱裝置是在一個(gè)加熱桶內(nèi)設(shè)置線圈式或串聯(lián)式加熱器后注入冷水進(jìn)行加熱，或者層疊多個(gè)桶并在每個(gè)桶內(nèi)設(shè)置多個(gè)加熱器。當(dāng)物件溫度距目標(biāo)溫度80120°C時(shí)，改為動(dòng)態(tài)功率加熱。上海 PH132-PCC10A加熱板一級(jí)代理

    晶圓加熱裝置的制作方法文檔序號(hào)：30596935發(fā)布日期：2022-07-0120:52閱讀：35來(lái)源：國(guó)知局導(dǎo)航：X技術(shù)>*****>電氣元件制品的制造及其應(yīng)用技術(shù)1.本技術(shù)屬于晶圓加工技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種晶圓加熱裝置。背景技術(shù)：2.目前，常用的晶圓加熱設(shè)備的加熱絲呈螺旋狀從中心向**旋轉(zhuǎn)，加熱絲在熱盤(pán)中的分布不夠均勻，無(wú)法達(dá)到均勻加熱的目的，無(wú)法滿足晶圓的高精度加熱要求，而高精度加熱對(duì)半導(dǎo)體工藝至關(guān)重要。3.另外，在晶圓加熱前需要先行對(duì)晶圓進(jìn)行定位，在先技術(shù)中通常通過(guò)真空吸盤(pán)定位，但現(xiàn)有的真空吸盤(pán)對(duì)晶圓的吸附力通常不夠均勻，晶圓和真空吸盤(pán)間的間隙存在差異，這也會(huì)導(dǎo)致晶圓加熱不均勻，導(dǎo)致無(wú)法滿足晶圓加熱的精度要求。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：4.針對(duì)上述問(wèn)題，本技術(shù)提供了一種晶圓加熱裝置，至少解決了在先技術(shù)中真空吸盤(pán)吸附力不均勻、晶圓加熱不均勻的問(wèn)題。5.本技術(shù)實(shí)施例提供一種晶圓加熱裝置，包括：6.基座；7.真空吸盤(pán)，設(shè)于所述基座上且用于吸附工件，所述真空吸盤(pán)上設(shè)有進(jìn)氣孔與氣路，所述氣路包括若干同心設(shè)置的環(huán)形氣路以及沿若干沿所述真空吸盤(pán)的徑向延伸的徑向氣路，每個(gè)所述徑向氣路與各所述環(huán)形氣路均連通。

MSA FACTORYPA8015-CC-PCC200V加熱板價(jià)格化解了傳統(tǒng)加熱板的構(gòu)造的缺點(diǎn)，提高了采用的穩(wěn)定性，增加了加熱板的壽命。

    第四加熱區(qū)域、第五加熱區(qū)域、第六加熱區(qū)域和第七加熱區(qū)域設(shè)置于第二加熱區(qū)域和第三加熱區(qū)域外圓周；每個(gè)加熱區(qū)域上均設(shè)置有若干弧形凹槽，且每個(gè)加熱區(qū)域內(nèi)的弧形凹槽均與相鄰的弧形凹槽連接，使每個(gè)加熱區(qū)域內(nèi)的弧形凹槽形成串聯(lián)；每個(gè)加熱區(qū)域內(nèi)均設(shè)置有一根加熱絲，加熱絲嵌于弧形凹槽內(nèi)；底板與加熱盤(pán)扣合；若干墊柱設(shè)置于加熱盤(pán)上。其中，加熱盤(pán)上還設(shè)有限位柱，限位柱用于限定晶圓在加熱盤(pán)上的位置。其中，底板上均設(shè)置有溫度傳感器。其中，底板上設(shè)置有過(guò)溫保護(hù)器。其中，墊柱為peek材料，高度為。其中，加熱器外圓周上還套設(shè)有隔熱環(huán)。三、本發(fā)明的有益效果與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的晶圓加熱器具通過(guò)七個(gè)加熱區(qū)域，且每個(gè)加熱區(qū)域?yàn)?*加熱單元的設(shè)計(jì)，使整個(gè)加熱盤(pán)能夠均勻的發(fā)熱，達(dá)到了對(duì)晶圓均勻加熱的效果，通過(guò)隔熱環(huán)的設(shè)計(jì)，有效的加熱區(qū)域內(nèi)的熱量過(guò)快的散發(fā)，提高了保溫效果，同時(shí)隔熱環(huán)還可以有效的避免燙傷周圍人員，提高了安全性能。附圖說(shuō)明圖1為本發(fā)明的晶圓加熱器的圖；圖2為本發(fā)明的晶圓加熱器的背面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明的晶圓加熱器的正面結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明的晶圓加熱器的加熱盤(pán)的背面結(jié)構(gòu)示意圖；圖中：1為加熱盤(pán)；2為底板；3為墊柱。

    設(shè)計(jì)不同的熱流密度；防止工質(zhì)進(jìn)入過(guò)渡沸騰區(qū)，從而導(dǎo)致傳熱惡化，壁溫過(guò)熱。由于采用豎管加熱，筒體上部的含汽率遠(yuǎn)高于下部，筒體上部容易產(chǎn)生傳熱惡化，所以必須減少筒體上部的熱流密度，故此在水冷線圈7設(shè)計(jì)時(shí)采用下密上稀的結(jié)構(gòu)，確保在同樣長(zhǎng)度內(nèi)，底部的線圈匝數(shù)多，熱流密度大；頂部的線圈匝數(shù)少，熱流密度小。這樣通過(guò)分區(qū)段計(jì)算，從理論上上降低了筒體壁溫高的可能性，**提高了設(shè)備的安全性和使用壽命。圖4為本發(fā)明實(shí)施例用于蒸汽爐加熱的汽水流程示意圖。其中鍋筒下方通過(guò)下降管連接水平連通管，水平連通管分別與汽水引進(jìn)管5和輔助加熱水套汽水引入管6相連，鍋筒中的飽和水從下降管，經(jīng)底部聯(lián)通管分別流向中心加熱筒體2和外側(cè)輔助加熱水套，在中心加熱筒體2和外側(cè)輔助加熱水套內(nèi)通過(guò)電磁感應(yīng)加熱后，變成汽水混合物，通過(guò)頂部匯總，流經(jīng)汽水引出管進(jìn)入鍋筒，一部分蒸汽經(jīng)分離后，從鍋筒頂部引出，完成一個(gè)汽水循環(huán)。當(dāng)設(shè)計(jì)大噸位鍋爐時(shí)，可以用多個(gè)加熱單元組裝設(shè)計(jì)，由于采用外側(cè)水套屏蔽了電磁感應(yīng)場(chǎng)向周邊擴(kuò)散，所以每個(gè)單元之間的距離沒(méi)有要求，可以緊挨著；只需考慮未封閉端距離周邊至少500mm以上的距離即可。實(shí)際未封閉端均是向下布置。薄膜的沉積方法根據(jù)其用途的不同而不同，厚度通常小于1um。

    EvaporationDeposition）采用電阻加熱或感應(yīng)加熱或者電子束等加熱法將原料蒸發(fā)淀積到基片上的一種常用的成膜方法。蒸發(fā)原料的分子（或原子）的平均自由程長(zhǎng)（10-4Pa以下，達(dá)幾十米），所以在真空中幾乎不與其他分子碰撞可直接到達(dá)基片。到達(dá)基片的原料分子不具有表面移動(dòng)的能量，立即凝結(jié)在基片的表面，所以，在具有臺(tái)階的表面上以真空蒸發(fā)法淀積薄膜時(shí)，一般，表面被覆性（覆蓋程度）是不理想的。但若可將Crambo真空抽至超高真空（<10–8torr），并且控制電流，使得欲鍍物以一顆一顆原子蒸鍍上去即成所謂分子束磊晶生長(zhǎng)（MBE：MolecularBeamEpitaxy）。（3）濺鍍（SputteringDeposition）所謂濺射是用高速粒子（如氬離子等）撞擊固體表面，將固體表面的4004的50mm晶圓和Core2Duo的300mm晶圓原子撞擊出來(lái)，利用這一現(xiàn)象來(lái)形成薄膜的技術(shù)即讓等離子體中的離子加速，撞擊原料靶材，將撞擊出的靶材原子淀積到對(duì)面的基片表面形成薄膜。濺射法與真空蒸發(fā)法相比有以下的特點(diǎn)：臺(tái)階部分的被覆性好，可形成大面積的均質(zhì)薄膜，形成的薄膜，可獲得和化合物靶材同一成分的薄膜，可獲得絕緣薄膜和高熔點(diǎn)材料的薄膜，形成的薄膜和下層材料具有良好的密接性能。因而。固定到環(huán)形或圓形的熱環(huán)5的加熱片不僅可以安定加熱片的間距。PA4025-WP-PCC20A加熱板代理

而當(dāng)使用多層加熱桶時(shí)，則由于加熱桶體積變大、結(jié)構(gòu)變得復(fù)雜，因此生產(chǎn)成本增加。上海 PH132-PCC10A加熱板一級(jí)代理

    ***溫度檢測(cè)模塊和第二檢測(cè)模塊均采用型號(hào)為pt1000的鉑熱電阻；***加熱模塊包括***功率繼電器和***加熱絲；第二加熱模塊包括第二功率繼電器和第二加熱絲；在本實(shí)施中，晶圓加熱處于溫度穩(wěn)定階段，并且將控制模塊的溫度穩(wěn)定階段的精度值設(shè)置為℃，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可根據(jù)實(shí)際需求設(shè)置該階段的精度值。為了更好地解釋本發(fā)明，假設(shè)***溫度檢測(cè)模塊檢測(cè)到的溫度值為℃，第二溫度檢測(cè)模塊檢測(cè)到的溫度值為℃，控制模塊接收到上述兩個(gè)溫度值后，通過(guò)下述公式得到差值：差值＝|℃℃|＝℃控制模塊將上述計(jì)算得到的差值與精度值進(jìn)行比較，在本實(shí)施中，差值為℃，大于精度值℃；控制模塊通過(guò)增大第二功率繼電器的輸出功率，提高第二加熱絲的工作功率，直到***溫度檢測(cè)模塊檢測(cè)到的溫度值和第二溫度檢測(cè)模塊檢測(cè)到的溫度值之間的差值小于℃；當(dāng)然本領(lǐng)域普通技術(shù)人員也可以通過(guò)減小***加熱絲的工作功率，使得***溫度檢測(cè)模塊檢測(cè)到的溫度值和第二溫度檢測(cè)模塊檢測(cè)到的溫度值之間的差值小于℃。通過(guò)對(duì)熱盤(pán)進(jìn)行分區(qū)化的溫度管理，使得熱盤(pán)溫度均勻，滿足了高精度晶圓的加工需求。實(shí)施例2：本實(shí)施與實(shí)施例1的不同點(diǎn)是晶圓加熱處于加熱升溫階段，在該階段控制模塊的精度值設(shè)置為℃。上海 PH132-PCC10A加熱板一級(jí)代理

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