本發(fā)明涉及鍋爐加熱技術領域,主要涉及一種電磁感應加熱單元結構。背景技術:當前電鍋爐通過電加熱器對通過供水管流入的冷水進行加熱,加熱的水用于供暖或作為生活用水使用。根據(jù)水的加熱方法鍋爐可分為供熱水鍋爐和蓄熱水鍋爐。該鍋爐因不易發(fā)生、不易泄漏有害氣體、噪音小而普遍使用。近年來,隨著油價的上漲,電鍋爐因取暖費用低而備受人們關注。目前國內電阻式、電磁式、電極式等各種電加熱技術都在鍋爐加熱領域得到了***運用。國內低壓電磁加熱技術應用較為普遍,其電磁加熱原理是通過電子線路板組成部分產(chǎn)生交變磁場,當用含鐵質容器放置在上面時,容器表面即切割交變磁力線而在容器底部金屬部分產(chǎn)生交變的電流(即渦流),渦流使容器底部的鐵原子高速無規(guī)則運動,原子相互碰撞、摩擦而產(chǎn)生熱能。從而起到加熱物品的效果。因為是鐵制容器自身發(fā)熱,所以熱轉化率特別高。但該項技術大多數(shù)應用在家庭電器上,電壓技術參數(shù)局限于220~380vac,功率等級*幾十千瓦,無法實現(xiàn)大型化從而滿足工業(yè)蒸汽及城市集中采暖等領域使用?,F(xiàn)有電鍋爐的加熱裝置是在一個加熱桶內設置線圈式或串聯(lián)式加熱器后注入冷水進行加熱,或者層疊多個桶并在每個桶內設置多個加熱器。當物件溫度距目標溫度80120°C時,改為動態(tài)功率加熱。上海 PH132-PCC10A加熱板一級代理
晶圓加熱裝置的制作方法文檔序號:30596935發(fā)布日期:2022-07-0120:52閱讀:35來源:國知局導航:X技術>*****>電氣元件制品的制造及其應用技術1.本技術屬于晶圓加工技術領域,尤其涉及一種晶圓加熱裝置。背景技術:2.目前,常用的晶圓加熱設備的加熱絲呈螺旋狀從中心向**旋轉,加熱絲在熱盤中的分布不夠均勻,無法達到均勻加熱的目的,無法滿足晶圓的高精度加熱要求,而高精度加熱對半導體工藝至關重要。3.另外,在晶圓加熱前需要先行對晶圓進行定位,在先技術中通常通過真空吸盤定位,但現(xiàn)有的真空吸盤對晶圓的吸附力通常不夠均勻,晶圓和真空吸盤間的間隙存在差異,這也會導致晶圓加熱不均勻,導致無法滿足晶圓加熱的精度要求。技術實現(xiàn)要素:4.針對上述問題,本技術提供了一種晶圓加熱裝置,至少解決了在先技術中真空吸盤吸附力不均勻、晶圓加熱不均勻的問題。5.本技術實施例提供一種晶圓加熱裝置,包括:6.基座;7.真空吸盤,設于所述基座上且用于吸附工件,所述真空吸盤上設有進氣孔與氣路,所述氣路包括若干同心設置的環(huán)形氣路以及沿若干沿所述真空吸盤的徑向延伸的徑向氣路,每個所述徑向氣路與各所述環(huán)形氣路均連通。
MSA FACTORYPA8015-CC-PCC200V加熱板價格化解了傳統(tǒng)加熱板的構造的缺點,提高了采用的穩(wěn)定性,增加了加熱板的壽命。
第四加熱區(qū)域、第五加熱區(qū)域、第六加熱區(qū)域和第七加熱區(qū)域設置于第二加熱區(qū)域和第三加熱區(qū)域外圓周;每個加熱區(qū)域上均設置有若干弧形凹槽,且每個加熱區(qū)域內的弧形凹槽均與相鄰的弧形凹槽連接,使每個加熱區(qū)域內的弧形凹槽形成串聯(lián);每個加熱區(qū)域內均設置有一根加熱絲,加熱絲嵌于弧形凹槽內;底板與加熱盤扣合;若干墊柱設置于加熱盤上。其中,加熱盤上還設有限位柱,限位柱用于限定晶圓在加熱盤上的位置。其中,底板上均設置有溫度傳感器。其中,底板上設置有過溫保護器。其中,墊柱為peek材料,高度為。其中,加熱器外圓周上還套設有隔熱環(huán)。三、本發(fā)明的有益效果與現(xiàn)有技術相比,本發(fā)明的晶圓加熱器具通過七個加熱區(qū)域,且每個加熱區(qū)域為**加熱單元的設計,使整個加熱盤能夠均勻的發(fā)熱,達到了對晶圓均勻加熱的效果,通過隔熱環(huán)的設計,有效的加熱區(qū)域內的熱量過快的散發(fā),提高了保溫效果,同時隔熱環(huán)還可以有效的避免燙傷周圍人員,提高了安全性能。附圖說明圖1為本發(fā)明的晶圓加熱器的圖;圖2為本發(fā)明的晶圓加熱器的背面結構示意圖;圖3為本發(fā)明的晶圓加熱器的正面結構示意圖;圖4為本發(fā)明的晶圓加熱器的加熱盤的背面結構示意圖;圖中:1為加熱盤;2為底板;3為墊柱。
設計不同的熱流密度;防止工質進入過渡沸騰區(qū),從而導致傳熱惡化,壁溫過熱。由于采用豎管加熱,筒體上部的含汽率遠高于下部,筒體上部容易產(chǎn)生傳熱惡化,所以必須減少筒體上部的熱流密度,故此在水冷線圈7設計時采用下密上稀的結構,確保在同樣長度內,底部的線圈匝數(shù)多,熱流密度大;頂部的線圈匝數(shù)少,熱流密度小。這樣通過分區(qū)段計算,從理論上上降低了筒體壁溫高的可能性,**提高了設備的安全性和使用壽命。圖4為本發(fā)明實施例用于蒸汽爐加熱的汽水流程示意圖。其中鍋筒下方通過下降管連接水平連通管,水平連通管分別與汽水引進管5和輔助加熱水套汽水引入管6相連,鍋筒中的飽和水從下降管,經(jīng)底部聯(lián)通管分別流向中心加熱筒體2和外側輔助加熱水套,在中心加熱筒體2和外側輔助加熱水套內通過電磁感應加熱后,變成汽水混合物,通過頂部匯總,流經(jīng)汽水引出管進入鍋筒,一部分蒸汽經(jīng)分離后,從鍋筒頂部引出,完成一個汽水循環(huán)。當設計大噸位鍋爐時,可以用多個加熱單元組裝設計,由于采用外側水套屏蔽了電磁感應場向周邊擴散,所以每個單元之間的距離沒有要求,可以緊挨著;只需考慮未封閉端距離周邊至少500mm以上的距離即可。實際未封閉端均是向下布置。薄膜的沉積方法根據(jù)其用途的不同而不同,厚度通常小于1um。
EvaporationDeposition)采用電阻加熱或感應加熱或者電子束等加熱法將原料蒸發(fā)淀積到基片上的一種常用的成膜方法。蒸發(fā)原料的分子(或原子)的平均自由程長(10-4Pa以下,達幾十米),所以在真空中幾乎不與其他分子碰撞可直接到達基片。到達基片的原料分子不具有表面移動的能量,立即凝結在基片的表面,所以,在具有臺階的表面上以真空蒸發(fā)法淀積薄膜時,一般,表面被覆性(覆蓋程度)是不理想的。但若可將Crambo真空抽至超高真空(<10–8torr),并且控制電流,使得欲鍍物以一顆一顆原子蒸鍍上去即成所謂分子束磊晶生長(MBE:MolecularBeamEpitaxy)。(3)濺鍍(SputteringDeposition)所謂濺射是用高速粒子(如氬離子等)撞擊固體表面,將固體表面的4004的50mm晶圓和Core2Duo的300mm晶圓原子撞擊出來,利用這一現(xiàn)象來形成薄膜的技術即讓等離子體中的離子加速,撞擊原料靶材,將撞擊出的靶材原子淀積到對面的基片表面形成薄膜。濺射法與真空蒸發(fā)法相比有以下的特點:臺階部分的被覆性好,可形成大面積的均質薄膜,形成的薄膜,可獲得和化合物靶材同一成分的薄膜,可獲得絕緣薄膜和高熔點材料的薄膜,形成的薄膜和下層材料具有良好的密接性能。因而。固定到環(huán)形或圓形的熱環(huán)5的加熱片不僅可以安定加熱片的間距。PA4025-WP-PCC20A加熱板代理
而當使用多層加熱桶時,則由于加熱桶體積變大、結構變得復雜,因此生產(chǎn)成本增加。上海 PH132-PCC10A加熱板一級代理
***溫度檢測模塊和第二檢測模塊均采用型號為pt1000的鉑熱電阻;***加熱模塊包括***功率繼電器和***加熱絲;第二加熱模塊包括第二功率繼電器和第二加熱絲;在本實施中,晶圓加熱處于溫度穩(wěn)定階段,并且將控制模塊的溫度穩(wěn)定階段的精度值設置為℃,本領域普通技術人員可根據(jù)實際需求設置該階段的精度值。為了更好地解釋本發(fā)明,假設***溫度檢測模塊檢測到的溫度值為℃,第二溫度檢測模塊檢測到的溫度值為℃,控制模塊接收到上述兩個溫度值后,通過下述公式得到差值:差值=|℃℃|=℃控制模塊將上述計算得到的差值與精度值進行比較,在本實施中,差值為℃,大于精度值℃;控制模塊通過增大第二功率繼電器的輸出功率,提高第二加熱絲的工作功率,直到***溫度檢測模塊檢測到的溫度值和第二溫度檢測模塊檢測到的溫度值之間的差值小于℃;當然本領域普通技術人員也可以通過減小***加熱絲的工作功率,使得***溫度檢測模塊檢測到的溫度值和第二溫度檢測模塊檢測到的溫度值之間的差值小于℃。通過對熱盤進行分區(qū)化的溫度管理,使得熱盤溫度均勻,滿足了高精度晶圓的加工需求。實施例2:本實施與實施例1的不同點是晶圓加熱處于加熱升溫階段,在該階段控制模塊的精度值設置為℃。上海 PH132-PCC10A加熱板一級代理
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