沈陽通訊集成電路器件

    下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本申請的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1示出依據(jù)本申請一實施例的單芯片集成電路封裝結(jié)構(gòu)；圖2示出依據(jù)本申請另一實施例的雙芯片集成電路封裝結(jié)構(gòu)。具體實現(xiàn)方式為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本申請方案，下面將結(jié)合本申請實施例中的附圖，對本申請實施例中的技術(shù)方案進行清楚地描述，顯然，所描述的實施例是本申請一部分的實施例，而不是全部的實施例?；诒旧暾堉械膶嵤├?，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都應(yīng)當屬于本申請保護的范圍。下面結(jié)合本申請實施例的附圖，對本實用新型實施例的技術(shù)方案描述如下。圖1示出依據(jù)本申請一實施例的單芯片集成電路封裝結(jié)構(gòu)101，包括上基板1、元件3及下基板2，上基板1上的上層金屬層4、下層金屬層5以及下層金屬層5上的聯(lián)結(jié)pad6、7、8，下基板2上的上層金屬層9、下層金屬層10以及上層金屬層9上聯(lián)結(jié)pad11、12，下層金屬層10上的聯(lián)結(jié)pad13、14、15、16。上基板1與下基板2聯(lián)結(jié)用的沉金17、18。小型集成電路：邏輯門10個以下或 晶體管100個以下。沈陽通訊集成電路器件

    而自由層的磁取向能夠在相對于固定層的磁取向的平行配置和反平行配置之間切換。平行配置提供低電阻狀態(tài)，低電阻狀態(tài)數(shù)字化地將數(shù)據(jù)存儲為位值(例如，邏輯“”)。反平行配置提供高電阻狀態(tài)，高電阻狀態(tài)數(shù)字化地將數(shù)據(jù)存儲為位值(例如，邏輯“”)。隨著集成芯片的功能增多。對更多的存儲器的需求也增加，從而使得集成芯片設(shè)計者和制造商必須增加可用存儲器的量，同時減小集成芯片的尺寸和功耗。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括：一般經(jīng)營項目是：電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售；國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD。亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于：汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。本公司一直秉承優(yōu)勢服務(wù)，誠信合作的原則，以現(xiàn)代化管理以及優(yōu)勢的渠道價格、良好的信譽與廣大客戶建立了長期友好的合作關(guān)系，為廣大廠商和市場客戶提供優(yōu)勢的產(chǎn)品服務(wù)。為了達到這個目標，在過去的幾十年間，存儲單元組件的尺寸已經(jīng)不斷縮小。mtj器件超越其它存儲器類型的一個優(yōu)勢是mtj器件的mtj可以制成非常小的尺寸。然而，在mram單元中，驅(qū)動晶體管(即。專業(yè)控制集成電路價格集成電路是現(xiàn)代化產(chǎn)業(yè)體系的關(guān)鍵樞紐，關(guān)系中國式現(xiàn)代化進程。

    的實施例總體涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地，涉及集成電路及其形成方法。背景技術(shù)：許多現(xiàn)代電子器件包含配置為存儲數(shù)據(jù)的電子存儲器。電子存儲器可以是易失性存儲器或非易失性存儲器。易失性存儲器在上電時存儲數(shù)據(jù)，而非易失性存儲器能夠在斷開電源時存儲數(shù)據(jù)。磁阻式隨機存取存儲器(mram)是用于下一代非易失性存儲器技術(shù)的一種有前景的候選。技術(shù)實現(xiàn)要素：根據(jù)的一個方面，提供了一種集成芯片，包括：工作磁隧道結(jié)(mtj)器件，連接至位線，其中，所述工作磁隧道結(jié)器件被配置為存儲數(shù)據(jù)狀態(tài)；以及調(diào)節(jié)訪問裝置，連接在所述工作磁隧道結(jié)器件和字線之間，其中，所述調(diào)節(jié)訪問裝置包括被配置為控制提供給所述工作磁隧道結(jié)器件的電流的一個或多個調(diào)節(jié)磁隧道結(jié)器件。根據(jù)的另一個方面，提供了一種集成電路，包括：互連層，布置在襯底上方的介電結(jié)構(gòu)內(nèi)，其中，所述互連層通過所述介電結(jié)構(gòu)與所述襯底分隔開；以及工作mtj器件，布置在所述互連層正上方并且被配置為存儲數(shù)據(jù)狀態(tài)，其中，所述工作mtj器件通過包括多個互連層且不延伸穿過所述襯底的連續(xù)導(dǎo)電路徑電連接在位線和字線之間。根據(jù)的又一個方面，提供了一種形成集成電路的方法。包括：在襯底上方形成互連層。

    每個系統(tǒng)板具有在雙列直插式存儲模塊之間交錯的冷卻管。當這些系統(tǒng)板相對地放置在一起時，每個系統(tǒng)板上的雙列直插式存儲模塊由在另一個系統(tǒng)板上的冷卻管冷卻。相比于之前的方法，這種方法允許更高密度的雙列直插式存儲模塊，同時仍然提供必要的冷卻。這種方法也是安靜的，并且由此可以靠近辦公室員工放置。這種方法也允許容易的維護，而沒有與液體浸入式冷卻系統(tǒng)相關(guān)的溢出。盡管參考雙列直插式存儲模塊描述了不同實施例，應(yīng)當認識到的是，所公開的技術(shù)可以用于冷卻任何集成電路或類似的一個或多個系統(tǒng)和系統(tǒng)中的一個或多個元素/部件。圖1是系統(tǒng)100的關(guān)系圖，在該系統(tǒng)中可以實施不同實施例。系統(tǒng)100包括計算部件120，所述計算部件包括處理器104和存儲器106。存儲器106包括多個雙列直插式存儲模塊組件108。系統(tǒng)100還包括冷卻回路。所述冷卻回路包括泵110、熱交換器112和儲液器114。泵110將冷卻液體130提供給雙列直插式存儲模塊組件108。由雙列直插式存儲模塊組件108產(chǎn)生的熱量被傳送給液體，加熱液體并且冷卻雙列直插式存儲模塊組件108。泵110將被加熱的液體132從雙列直插式存儲模塊組件108移除。熱交換器112冷卻被加熱的液體132。儲液器114適應(yīng)液體體積的改變。早期的集成電路使用陶瓷扁平封裝，這種封裝很多年來因為可靠性和小尺寸繼續(xù)被軍方使用。

    化學(xué)機械平坦化工藝)以形成互連層b。的截面圖所示，可以在存儲單元a,上方形成存儲單元b,。存儲單元b。可以包括工作mtj器件和調(diào)節(jié)訪問裝置，調(diào)節(jié)訪問裝置具有形成在第三互連層c和第四互連層d之間的調(diào)節(jié)mtj器件和。存儲單元b,可以根據(jù)與關(guān)于圖至圖描述的那些類似的步驟形成。出了形成具有存儲器電路的集成芯片的方法的一些實施例的流程圖，該存儲器電路包括具有調(diào)節(jié)訪問裝置的存儲單元(例如，mram單元)，該調(diào)節(jié)訪問裝置被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問。雖然方法示出和描述為一系列步驟或事件，但是應(yīng)該理解，這些步驟或事件的示出的順序不被解釋為限制意義。例如。一些步驟可以以不同的順序發(fā)生和/或與除了此處示出的和/或描述的一些的其它步驟或事件同時發(fā)生。此外，可能不是所有示出的步驟對于實施此處描述的一個或多個方面或?qū)嵤├际切枰?，并且此處描述的一個或多個步驟可以在一個或多個單獨的步驟和/或階段中實施。在步驟中，在襯底上方形成互連層?；ミB層可以形成在襯底上方的ild層內(nèi)。出了對應(yīng)于步驟的一些實施例的截面圖。在步驟中。在互連層的連續(xù)上表面正上方形成多個底電極通孔。出了對應(yīng)于步驟的一些實施例的截面圖。在步驟中。這些年來，集成電路持續(xù)向更小的外型尺寸發(fā)展，使得每個芯片可以封裝更多的電路。武漢數(shù)字集成電路IC

集成電路芯片現(xiàn)貨商，美信美科技就是牛。沈陽通訊集成電路器件

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