長春集成電路

    字線解碼器和偏置電路可以包括相同的電路元件(即，字線解碼器可以將信號施加至偏置電壓線bvly)。在操作期間，為了訪問工作mtj器件，偏置電路和字線解碼器可以將電壓施加至偏置電壓線bvly和字線wlx，以設置存儲器陣列的行內的調節(jié)mtj器件的值。隨后，位線解碼器可以施加位線電壓，該位線電壓允許訪問多個存儲單元a,至c,中的選擇的存儲單元，而不訪問多個存儲單元a,至c,中的未選擇的存儲單元。例如，為了將數(shù)據(jù)寫入存儲單元a,內的工作mtj器件，可以將組偏置電壓施加至字線wl和偏置電壓線bvl。組偏置電壓賦予行內的調節(jié)訪問裝置低電阻。可以將組偏置電壓施加至其它行中的偏置電壓線bvl和字線wl，以賦予其它行內的調節(jié)訪問裝置高電阻。然后將位線電壓施加至位線bl。存儲單元a,內的調節(jié)訪問裝置的低電阻使得大電流(例如，大于切換電流)流過存儲單元a,內的工作mtj器件，同時存儲單元a,內的調節(jié)訪問裝置的高電阻使得小電流(例如，小于切換電流)流過存儲單元a,內的工作mtj器件。圖b示出了對應于圖a的存儲器電路的集成電路的一些實施例的截面圖。圖a至圖b示出了包括存儲器電路的集成芯片的一些額外實施例，該存儲器電路具有被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問的調節(jié)訪問裝置。集成電路芯片現(xiàn)貨商，美信美科技就是牛。長春集成電路

    而自由層的磁取向能夠在相對于固定層的磁取向的平行配置和反平行配置之間切換。平行配置提供低電阻狀態(tài)，低電阻狀態(tài)數(shù)字化地將數(shù)據(jù)存儲為位值(例如，邏輯“”)。反平行配置提供高電阻狀態(tài)，高電阻狀態(tài)數(shù)字化地將數(shù)據(jù)存儲為位值(例如，邏輯“”)。隨著集成芯片的功能增多。對更多的存儲器的需求也增加，從而使得集成芯片設計者和制造商必須增加可用存儲器的量，同時減小集成芯片的尺寸和功耗。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括：一般經(jīng)營項目是：電子產(chǎn)品及其配件的技術開發(fā)與銷售；國內貿易等。本公司主營推廣銷售AD。亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應用于：汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領域。本公司一直秉承優(yōu)勢服務，誠信合作的原則，以現(xiàn)代化管理以及優(yōu)勢的渠道價格、良好的信譽與廣大客戶建立了長期友好的合作關系，為廣大廠商和市場客戶提供優(yōu)勢的產(chǎn)品服務。為了達到這個目標，在過去的幾十年間，存儲單元組件的尺寸已經(jīng)不斷縮小。mtj器件超越其它存儲器類型的一個優(yōu)勢是mtj器件的mtj可以制成非常小的尺寸。然而，在mram單元中，驅動晶體管(即。東莞特大規(guī)模集成電路企業(yè)深圳有哪家集成電路現(xiàn)貨商？深圳美信美科技有限公司。

    調節(jié)訪問裝置包括調節(jié)mtj器件和調節(jié)mtj器件。調節(jié)mtj器件、調節(jié)mtj器件和工作mtj器件分別包括垂直布置在底電極通孔和頂電極通孔之間的mtj。在一些實施例中，頂電極通孔可以通過通孔(例如，銅通孔)連接至上面的互連層。在一些實施例中，底電極通孔和頂電極通孔可以包括金屬，諸如氮化鈦(tin)、氮化鉭(tan)、鈦(ti)、鉭(ta)等。在一些實施例中，互連層b從調節(jié)mtj器件正上方連續(xù)延伸至調節(jié)mtj器件正上方。調節(jié)mtj器件、調節(jié)mtj器件和工作mtj器件分別包括由介電遂穿阻擋層分隔開的自由層和固定層。自由層具有被配置為響應于電信號(例如，電流)而改變的磁矩。固定層具有固定的磁取向，該磁取向被配置為用作參考磁方向和/或減少對自由層的磁沖擊。在一些實施例中，mtj中的一個或多個可以包括附加層。例如，在一些實施例中，mtj中的一個或多個可以包括位于底電極通孔和固定層之間的反鐵磁層。在其它實施例中，mtj中的一個或多個可以包括以各種方式布置的附加固定層(例如，附加固定層、附加固定層等)和/或附加自由層(例如，附加自由層、附加自由層等)以改進mtj的性能。圖b示出了對應于圖的存儲器陣列的集成芯片的一些可選實施例的截面圖。集成芯片包括布置在襯底上方的介電結構。

    集成電路還包括連接在調節(jié)mtj器件和工作mtj器件之間的偏置電壓線，偏置電壓線連接至偏置電路，偏置電路被配置為選擇性地將偏置電壓施加至偏置電壓線。在又一些其它實施例中，涉及一種形成集成電路的方法。該方法包括在襯底上方形成互連層；在互連層正上方形成多個mtj器件，多個mtj器件包括工作mtj器件和一個或多個調節(jié)mtj器件，調節(jié)mtj器件被配置為選擇性地控制流至工作mtj器件的電流；以及在多個mtj器件上方形成互連層，互連層和互連層中的一個或兩個限定位線和一條或多條字線。在一些實施例中，一個或多個調節(jié)mtj器件分別包括固定層、自由層和設置在固定層和自由層之間的介電阻擋層。在一些實施例中，該方法還包括同時形成工作mtj器件和一個或多個調節(jié)mtj器件。上面概述了若干實施例的特征，使得本領域人員可以更好地理解的方面。本領域人員應該理解，它們可以容易地使用作為基礎來設計或修改用于實施與本文所介紹實施例相同的目的和/或實現(xiàn)相同優(yōu)勢的其它工藝和結構。本領域技術人員也應該意識到?？孔V集成電路，深圳美信美科技只做原裝現(xiàn)貨。

    在互連層a的上表面上方形成多個底電極通孔。多個底電極通孔由介電層圍繞。在一些實施例中，介電層可以沉積在互連層a上方，并且然后選擇性地被圖案化以限定底電極通孔開口。然后通過在底電極通孔開口內的沉積工藝形成多個底電極通孔。在各個實施例中，介電層可以包括碳化硅、富硅氧化物、teos(正硅酸乙酯)等的一種或多種。在各個實施例中，多個底電極通孔可以包括導電材料，諸如鈦、氮化鈦、鉭等。在多個底電極通孔上方形成多個mtj器件、和。多個mtj器件、和分別包括mtj，mtj具有通過介電遂穿阻擋層與自由層分隔開的固定層。在一些實施例中，固定層可以形成為接觸底電極通孔。在其它實施例中。自由層可以形成為接觸底電極通孔。多個mtj器件、和中的一個包括被配置為存儲數(shù)據(jù)狀態(tài)的工作mtj器件。多個mtj器件、和中的一個或多個包括設置在調節(jié)訪問裝置內的調節(jié)mtj器件和，調節(jié)訪問裝置被配置為控制(即，調節(jié))提供給相關的工作mtj器件的電流。在一些實施例中，可以同時形成多個mtj器件、和。例如，在一些實施例中，可以通過在介電層和多個底電極通孔上方沉積磁固定膜。在磁固定膜上方形成介電阻擋膜，并且在介電阻擋膜上方形成磁自由膜來形成多個mtj器件、和。深圳美信美科技有限公司是集成電路實力供貨商。長春中規(guī)模集成電路技術

集成電路作為全球信息產(chǎn)業(yè)的基礎與關鍵，被譽為“現(xiàn)代工業(yè)的糧食”。長春集成電路

    在一些實施例中，固定層可以包括鈷(co)、鐵(fe)、硼(b)、鎳(ni)、釕(ru)、銥(ir)、鉑(pt)等。在一些實施例中，介電遂穿阻擋層可以包括氧化鎂(mgo)、氧化鋁(alo)等。在一些實施例中，自由層可以包括鈷(co)、鐵(fe)、硼(b)等。在操作期間。字線解碼器被配置為選擇性地將信號施加至連接至存儲器陣列的一條或多條字線wl至wl，并且位線解碼器被配置成選擇性地將信號施加至連接至存儲器陣列的一條或多條位線bl至bl。通過選擇性地將信號施加至一條或多條字線wl至wl和一條或多條位線bl至bl，可以在相互排斥的情況下選擇性地訪問多個工作mtj器件中的不同工作mtj器件。例如，圖a至圖b示出了圖的存儲器電路的寫入操作的一些實施例的示意圖和。示意圖和所示的寫入操作是實施寫入操作的方法的非限制性實例。在其它實施例中，可以可選地使用實施寫入操作的其它方法。圖a至圖b中示出的寫入操作在步驟(圖a所示)期間將數(shù)據(jù)狀態(tài)寫入至存儲器陣列的一行中的一個或多個存儲單元，并且在隨后的步驟(圖b所示)期間將數(shù)據(jù)狀態(tài)寫入至存儲器陣列的該行中的一個或多個存儲單元，以使用兩步工藝將數(shù)據(jù)寫入至存儲器陣列的整個行。應該理解，為了將數(shù)據(jù)寫入mtj器件。長春集成電路