長春計(jì)算機(jī)集成電路芯片

    在所述互連層正上方形成多個(gè)mtj器件，其中，所述多個(gè)mtj器件包括工作mtj器件和一個(gè)或多個(gè)調(diào)節(jié)mtj器件，所述一個(gè)或多個(gè)調(diào)節(jié)mtj器件被配置為選擇性地控制流至所述工作mtj器件的電流；以及在所述多個(gè)mtj器件上方形成互連層，其中，所述互連層和所述互連層中的一個(gè)或兩個(gè)限定位線和一條或多條字線。附圖說明當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時(shí)，從以下詳細(xì)描述可佳理解的各個(gè)方面。應(yīng)該指出，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐，各個(gè)部件未按比例繪制。實(shí)際上，為了清楚的討論，各個(gè)部件的尺寸可以任意地增大或減小。出了具有調(diào)節(jié)訪問裝置的存儲(chǔ)器電路的一些實(shí)施例的示意圖，該調(diào)節(jié)訪問裝置被配置為選擇性地對操作磁隧道結(jié)(mtj)器件提供訪問。出了具有調(diào)節(jié)訪問裝置的存儲(chǔ)器電路的一些額外實(shí)施例的示意圖，該調(diào)節(jié)訪問裝置包括調(diào)節(jié)mtj器件，該調(diào)節(jié)mtj器件被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問。圖a至圖c示出了圖的公開的存儲(chǔ)器電路的讀取和寫入操作的一些實(shí)施例的示意圖。圖a至圖b示出了對應(yīng)于圖的公開的存儲(chǔ)器電路的集成芯片的截面圖的一些實(shí)施例。圖a至圖b示出了具有調(diào)節(jié)訪問裝置的存儲(chǔ)器電路的一些額外實(shí)施例。該調(diào)節(jié)訪問裝置被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問。進(jìn)口的現(xiàn)貨集成電路供應(yīng)，找深圳市美信美。長春計(jì)算機(jī)集成電路芯片

    多個(gè)導(dǎo)電互連層a至c可以包括銅、鋁、鎢、碳納米管等。存儲(chǔ)單元a,和存儲(chǔ)單元b,分別包括調(diào)節(jié)訪問裝置和工作mtj器件。調(diào)節(jié)訪問裝置連接至限定多條字線wl至wl的互連層a。多條字線wl至wl中的兩個(gè)連接至圖的存儲(chǔ)器陣列的一行內(nèi)的相應(yīng)存儲(chǔ)單元。例如，字線wl至wl可以連接至行中的存儲(chǔ)單元a,，并且字線wl至wl可以連接至行中的存儲(chǔ)單元b,。在一些實(shí)施例中，多條字線wl至wl可以與襯底分隔開非零距離d?；ミB層b布置在調(diào)節(jié)訪問裝置和工作mtj器件之間。工作mtj器件進(jìn)一步連接至限定位線bl的第三互連層c。位線bl連接至布置在存儲(chǔ)器陣列的一列內(nèi)的存儲(chǔ)單元內(nèi)的工作mtj器件。例如。位線bl連接至圖的存儲(chǔ)器陣列的列內(nèi)的工作mtj器件。在一些實(shí)施例中，工作mtj器件通過包括多個(gè)導(dǎo)電互連層a至c并且不延伸穿過襯底的連續(xù)導(dǎo)電路徑連接在位線blz(z＝,)和字線wlx(x＝,)之間。在一些實(shí)施例中，工作mtj器件不位于被配置為控制對工作mtj器件的訪問的存取晶體管器件正上方。在一些實(shí)施例中。調(diào)節(jié)訪問裝置包括調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件。調(diào)節(jié)mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和工作mtj器件分別包括垂直布置在底電極通孔和頂電極通孔之間的mtj。在一些實(shí)施例中，頂電極通孔可以通過通孔(例如。射頻集成電路技術(shù)深圳市美信美科技有限公司，只做好的集成電路現(xiàn)貨供應(yīng)商。

    字線解碼器和偏置電路可以包括相同的電路元件(即，字線解碼器可以將信號施加至偏置電壓線bvly)。在操作期間，為了訪問工作mtj器件，偏置電路和字線解碼器可以將電壓施加至偏置電壓線bvly和字線wlx，以設(shè)置存儲(chǔ)器陣列的行內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件的值。隨后，位線解碼器可以施加位線電壓，該位線電壓允許訪問多個(gè)存儲(chǔ)單元a,至c,中的選擇的存儲(chǔ)單元，而不訪問多個(gè)存儲(chǔ)單元a,至c,中的未選擇的存儲(chǔ)單元。例如，為了將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)單元a,內(nèi)的工作mtj器件，可以將組偏置電壓施加至字線wl和偏置電壓線bvl。組偏置電壓賦予行內(nèi)的調(diào)節(jié)訪問裝置低電阻。可以將組偏置電壓施加至其它行中的偏置電壓線bvl和字線wl，以賦予其它行內(nèi)的調(diào)節(jié)訪問裝置高電阻。然后將位線電壓施加至位線bl。存儲(chǔ)單元a,內(nèi)的調(diào)節(jié)訪問裝置的低電阻使得大電流(例如，大于切換電流)流過存儲(chǔ)單元a,內(nèi)的工作mtj器件，同時(shí)存儲(chǔ)單元a,內(nèi)的調(diào)節(jié)訪問裝置的高電阻使得小電流(例如，小于切換電流)流過存儲(chǔ)單元a,內(nèi)的工作mtj器件。圖b示出了對應(yīng)于圖a的存儲(chǔ)器電路的集成電路的一些實(shí)施例的截面圖。圖a至圖b示出了包括存儲(chǔ)器電路的集成芯片的一些額外實(shí)施例，該存儲(chǔ)器電路具有被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問的調(diào)節(jié)訪問裝置。

    國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際有名品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于：汽車、通信、消費(fèi)電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。下面將對實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本申請的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖示出依據(jù)本申請一實(shí)施例的單芯片集成電路封裝結(jié)構(gòu)；圖示出依據(jù)本申請另一實(shí)施例的雙芯片集成電路封裝結(jié)構(gòu)。具體實(shí)現(xiàn)方式為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本申請方案，下面將結(jié)合本申請實(shí)施例中的附圖，對本申請實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本申請一部分的實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒旧暾堉械膶?shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都應(yīng)當(dāng)屬于本申請保護(hù)的范圍。下面結(jié)合本申請實(shí)施例的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例的技術(shù)方案描述如下。圖示出依據(jù)本申請一實(shí)施例的單芯片集成電路封裝結(jié)構(gòu)，包括上基板、元件及下基板。上基板上的上層金屬層、下層金屬層以及下層金屬層上的聯(lián)結(jié)pad6、、。集成電路產(chǎn)業(yè)它不僅包含集成電路市場，也包括IP核市場、EDA市場、芯片代工市場、封測市場。

    使得在所述印刷電路裝配件中的每個(gè)印刷電路裝配件上的散熱器的頂表面與另一個(gè)印刷電路裝配件上的熱接口材料層接觸，并且與所述熱接口材料層熱耦聯(lián)。圖5是移除了雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件的印刷電路裝配件的圖。圖6是印刷電路裝配件的圖，包括已安裝在印刷電路板插座中的雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件200并且包括已附接的分流管。圖7a和圖7b示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的、特征在于外部鉸鏈的雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件。圖8a和圖8b示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的、特征在于內(nèi)部鉸鏈的雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件。圖9示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的流程。附圖是非詳盡的，并且不限制本公開至所公開的精確形式。具體實(shí)施方式諸如雙列直插式存儲(chǔ)模塊(dimm)的集成電路產(chǎn)生大量的熱量，特別是在高密度配置中。現(xiàn)有許多技術(shù)對集成電路進(jìn)行冷卻，但是存在許多與這些現(xiàn)有技術(shù)相關(guān)的缺點(diǎn)?？諝饫鋮s是嘈雜的，并且因此當(dāng)靠近辦公室人員/在工作環(huán)境中布置時(shí)是不期望的。當(dāng)需要維護(hù)雙列直插式存儲(chǔ)模塊時(shí)，液體浸入式冷卻是雜亂的。另一種方法使用將雙列直插式存儲(chǔ)模塊封裝在散熱器中的雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件，所述散熱器熱耦聯(lián)至循環(huán)制冷液體的冷卻管。所公開的實(shí)施例以兩個(gè)系統(tǒng)板為一對。美信美科技是公認(rèn)的好的供貨商。長沙特大規(guī)模集成電路

進(jìn)口集成電路，認(rèn)準(zhǔn)深圳市美信美科技。長春計(jì)算機(jī)集成電路芯片

    提供的通過mtj器件的電流必須大于切換電流(即，臨界切換電流)。不大于切換電流的電流將不會(huì)導(dǎo)致電阻狀態(tài)之間的切換，并且因此不會(huì)將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器陣列內(nèi)的mtj器件。在一些實(shí)施例中。公開的寫入操作可以在調(diào)節(jié)mtj器件(例如，圖中的至)處于高電阻狀態(tài)來實(shí)施，以在選擇和未選擇的單元之間提供隔離。a的示意圖所示，寫入操作的步驟通過將數(shù)據(jù)狀態(tài)寫入存儲(chǔ)器陣列的行中的存儲(chǔ)單元a,和第三存儲(chǔ)單元a,內(nèi)的工作mtj器件來實(shí)施。通過將非零偏置電壓v(例如，v)施加至字線wl和wl，將非零偏置電壓v(例如，v)施加至字線wl，將第三非零偏置電壓v(例如，v)施加至位線bl和bl，并且將第四非零偏置電壓v(例如，v)施加至位線bl來實(shí)施寫入操作的步驟。非零偏置電壓v(例如，v)和第三非零偏置電壓v(例如，v)之間的差異使得電流i流過存儲(chǔ)單元a,和第三存儲(chǔ)單元a,內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件。電流i小于切換電流isw，使得存儲(chǔ)單元a,和第三存儲(chǔ)單元a,內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件的狀態(tài)不變。然而，來自調(diào)節(jié)mtj器件的電流加在一起，使得為電流i的兩倍的電流流過存儲(chǔ)單元a,和第三存儲(chǔ)單元a,內(nèi)的工作mtj器件。電流i的兩倍的電流大于切換電流isw，以將數(shù)據(jù)狀態(tài)寫入存儲(chǔ)單元a,和第三存儲(chǔ)單元a,內(nèi)的工作mtj器件。存儲(chǔ)單元a。長春計(jì)算機(jī)集成電路芯片