沈陽(yáng)圓形集成電路公司

    圖至圖中公開的結(jié)構(gòu)不限于這種方法，而且可以作為于該方法的結(jié)構(gòu)而單獨(dú)存在。的截面圖所示，在襯底上方形成互連層a。在一些實(shí)施例中，通過在襯底上方形成層間介電(ild)層來形成互連層a。在一些實(shí)施例中，ild層可以通過一個(gè)或多個(gè)附加介電層與襯底分隔開。圖案化ild層以限定溝槽。在一些實(shí)施例中，可以通過在ild層上方形成圖案化的掩模層(未示出)并且實(shí)施蝕刻工藝來去除ild層的未由圖案化的掩模層覆蓋的各部分來圖案化ild層。在溝槽內(nèi)形成導(dǎo)電材料，以及隨后是平坦化工藝(例如?；瘜W(xué)機(jī)械平坦化工藝)以形成互連層a。在各個(gè)實(shí)施例中，襯底可以是任何類型的半導(dǎo)體主體(例如。硅、sige、soi等)，諸如半導(dǎo)體晶圓和/或晶圓上的一個(gè)或多個(gè)管芯，以及任何與其相關(guān)的其它類型的半導(dǎo)體和/或外延層。在一些實(shí)施例中，ild層可以包括一種或多種介電材料，諸如二氧化硅(sio)、sicoh、氟硅酸鹽玻璃、磷酸鹽玻璃(例如，硼磷硅酸鹽玻璃)等。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電材料可以包括通過沉積工藝(例如，cvd、pvd、pe-cvd、ald等)形成的金屬(例如，鎢、鋁等)。在各個(gè)實(shí)施例中，互連層a可以是互連線層、互連層、第三互連線層或更高金屬互連線層。的截面圖所示。從進(jìn)口情況來看，集成電路行業(yè)已成為我國(guó)進(jìn)口依賴程度較高的行業(yè)之一。沈陽(yáng)圓形集成電路公司

    mram單元)，各存儲(chǔ)單元具有被配置為選擇性地對(duì)工作mtj器件提供訪問的調(diào)節(jié)訪問裝置。雖然關(guān)于方法描述了圖至圖，但是應(yīng)該理解，圖至圖中公開的結(jié)構(gòu)不限于這種方法，而且可以作為于該方法的結(jié)構(gòu)而單獨(dú)存在。的截面圖所示，在襯底上方形成互連層a。在一些實(shí)施例中，通過在襯底上方形成層間介電(ild)層來形成互連層a。在一些實(shí)施例中，ild層可以通過一個(gè)或多個(gè)附加介電層與襯底分隔開。圖案化ild層以限定溝槽。在一些實(shí)施例中，可以通過在ild層上方形成圖案化的掩模層(未示出)并且實(shí)施蝕刻工藝來去除ild層的未由圖案化的掩模層覆蓋的各部分來圖案化ild層。在溝槽內(nèi)形成導(dǎo)電材料，以及隨后是平坦化工藝(例如。化學(xué)機(jī)械平坦化工藝)以形成互連層a。在各個(gè)實(shí)施例中，襯底可以是任何類型的半導(dǎo)體主體(例如，硅、sige、soi等)，諸如半導(dǎo)體晶圓和/或晶圓上的一個(gè)或多個(gè)管芯，以及任何與其相關(guān)的其它類型的半導(dǎo)體和/或外延層。在一些實(shí)施例中，ild層可以包括一種或多種介電材料，諸如二氧化硅(sio)、sicoh、氟硅酸鹽玻璃、磷酸鹽玻璃(例如，硼磷硅酸鹽玻璃)等。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電材料可以包括通過沉積工藝(例如，cvd、pvd、pe-cvd、ald等)形成的金屬(例如，鎢、鋁等)。沈陽(yáng)圓形集成電路公司在摩爾定律的推動(dòng)下，集成電路產(chǎn)品的加工面積成倍縮小，復(fù)雜程度與日俱增，集成電路設(shè)計(jì)的重要性愈發(fā)突出。

    深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營(yíng)范圍包括：一般經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目是：電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售；國(guó)內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營(yíng)推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國(guó)際品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于：汽車、通信、消費(fèi)電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。本公司一直秉承優(yōu)勢(shì)服務(wù)，誠(chéng)信合作的原則，以現(xiàn)代化管理以及優(yōu)勢(shì)的渠道價(jià)格、良好的信譽(yù)與廣大客戶建立了長(zhǎng)期友好的合作關(guān)系，為廣大廠商和市場(chǎng)客戶提供優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品服務(wù)。所述多個(gè)mtj器件包括工作mtj器件和一個(gè)或多個(gè)調(diào)節(jié)mtj器件，所述一個(gè)或多個(gè)調(diào)節(jié)mtj器件被配置為選擇性地控制流至所述工作mtj器件的電流；以及在所述多個(gè)mtj器件上方形成互連層，其中，所述互連層和所述互連層中的一個(gè)或兩個(gè)限定位線和一條或多條字線。附圖說明當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時(shí)，從以下詳細(xì)描述可佳理解的各個(gè)方面。應(yīng)該指出，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐，各個(gè)部件未按比例繪制。實(shí)際上，為了清楚的討論，各個(gè)部件的尺寸可以任意地增大或減小。出了具有調(diào)節(jié)訪問裝置的存儲(chǔ)器電路的一些實(shí)施例的示意圖，該調(diào)節(jié)訪問裝置被配置為選擇性地對(duì)操作磁隧道結(jié)(mtj)器件提供訪問。

    的實(shí)施例總體涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地，涉及集成電路及其形成方法。背景技術(shù)：許多現(xiàn)代電子器件包含配置為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的電子存儲(chǔ)器。電子存儲(chǔ)器可以是易失性存儲(chǔ)器或非易失性存儲(chǔ)器。易失性存儲(chǔ)器在上電時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，而非易失性存儲(chǔ)器能夠在斷開電源時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(mram)是用于下一代非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的一種有前景的候選。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：根據(jù)的一個(gè)方面，提供了一種集成芯片，包括：工作磁隧道結(jié)(mtj)器件，連接至位線，其中，所述工作磁隧道結(jié)器件被配置為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)狀態(tài)；以及調(diào)節(jié)訪問裝置，連接在所述工作磁隧道結(jié)器件和字線之間，其中，所述調(diào)節(jié)訪問裝置包括被配置為控制提供給所述工作磁隧道結(jié)器件的電流的一個(gè)或多個(gè)調(diào)節(jié)磁隧道結(jié)器件。根據(jù)的另一個(gè)方面，提供了一種集成電路，包括：互連層，布置在襯底上方的介電結(jié)構(gòu)內(nèi)，其中，所述互連層通過所述介電結(jié)構(gòu)與所述襯底分隔開；以及工作mtj器件，布置在所述互連層正上方并且被配置為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)狀態(tài)，其中，所述工作mtj器件通過包括多個(gè)互連層且不延伸穿過所述襯底的連續(xù)導(dǎo)電路徑電連接在位線和字線之間。根據(jù)的又一個(gè)方面，提供了一種形成集成電路的方法。包括：在襯底上方形成互連層。未來，隨著國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策扶持等宏觀政策貫徹落實(shí)，國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)將逐步發(fā)展壯大。

    凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國(guó)際品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于：汽車、通信、消費(fèi)電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。本公司一直秉承優(yōu)勢(shì)服務(wù)，誠(chéng)信合作的原則，以現(xiàn)代化管理以及優(yōu)勢(shì)的渠道價(jià)格、良好的信譽(yù)與廣大客戶建立了長(zhǎng)期友好的合作關(guān)系，為廣大廠商和市場(chǎng)客戶提供優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品服務(wù)。mram單元)的尺寸，因?yàn)樵摮叽绮辉偃Q于驅(qū)動(dòng)晶體管的尺寸。出了具有調(diào)節(jié)訪問裝置的存儲(chǔ)器電路的一些實(shí)施例的示意圖，該調(diào)節(jié)訪問裝置被配置為選擇性地對(duì)工作mtj器件提供訪問。存儲(chǔ)器電路包括具有多個(gè)存儲(chǔ)單元a,至b,的存儲(chǔ)器陣列。多個(gè)存儲(chǔ)單元a,至b,以行和/或列布置在存儲(chǔ)器陣列內(nèi)。例如，行存儲(chǔ)單元包括存儲(chǔ)單元a,和a,，而列存儲(chǔ)單元包括存儲(chǔ)單元a,和b,。在一些實(shí)施例中，多個(gè)存儲(chǔ)單元a,至b,可以包括多個(gè)mram單元。多個(gè)存儲(chǔ)單元a,至b,(例如，mram單元)分別包括連接至調(diào)節(jié)訪問裝置的工作mtj器件。工作mtj器件包括磁隧道結(jié)(mtj)，磁隧道結(jié)(mtj)具有通過介電遂穿阻擋層a與自由層a分隔開的固定層a。固定層a具有固定的磁向，而自由層a具有可以在操作期間(通過隧道磁阻(tmr)效應(yīng))改變?yōu)橄鄬?duì)于固定層a的磁向平行(即，“p”狀態(tài))或反向平行(即，“ap”狀態(tài))的磁向。集成電路哪家好？深圳美信美好！沈陽(yáng)超大規(guī)模集成電路公司

深圳美信美集成電路測(cè)試好。沈陽(yáng)圓形集成電路公司

    在一些這樣的實(shí)施例中。存儲(chǔ)器陣列內(nèi)的存儲(chǔ)單元可以在相同的互連層上彼此橫向鄰近布置。應(yīng)當(dāng)理解，圖a至圖b所示的集成芯片和可以實(shí)現(xiàn)圖的存儲(chǔ)器陣列的集成芯片的兩個(gè)非限制性實(shí)施例，并且可以在可選實(shí)施例中使用其它實(shí)施方式。在一些實(shí)施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件可以具有相同的尺寸。在其它實(shí)施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件可以具有彼此不同的尺寸和/或與工作mtj器件不同的尺寸。例如，圖a示出了具有調(diào)節(jié)訪問裝置的存儲(chǔ)器電路的一些額外實(shí)施例的示意圖，該調(diào)節(jié)訪問裝置包括具有不同尺寸的調(diào)節(jié)器件。存儲(chǔ)器電路包括多個(gè)存儲(chǔ)單元a。至c,，每個(gè)存儲(chǔ)單元分別包括被配置為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的工作mtj器件和被配置為選擇性地對(duì)工作mtj器件提供訪問的調(diào)節(jié)訪問裝置。調(diào)節(jié)訪問裝置包括連接至mtj器件的同一層的調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件。調(diào)節(jié)mtj器件連接在字線(例如，wl)和工作mtj器件之間，而調(diào)節(jié)mtj器件連接在字線(例如，wl)和工作mtj器件之間。工作mtj器件進(jìn)一步連接至位線(例如，bl)。圖b示出了對(duì)應(yīng)于圖a的存儲(chǔ)器電路的集成電路的一些實(shí)施例的截面圖。如截面圖所示，調(diào)節(jié)mtj器件具有尺寸(例如。寬度w)，并且調(diào)節(jié)mtj器件具有與尺寸不同的尺寸(例如，寬度w)。沈陽(yáng)圓形集成電路公司