沈陽圓形集成電路公司

    圖至圖中公開的結構不限于這種方法，而且可以作為于該方法的結構而單獨存在。的截面圖所示，在襯底上方形成互連層a。在一些實施例中，通過在襯底上方形成層間介電(ild)層來形成互連層a。在一些實施例中，ild層可以通過一個或多個附加介電層與襯底分隔開。圖案化ild層以限定溝槽。在一些實施例中，可以通過在ild層上方形成圖案化的掩模層(未示出)并且實施蝕刻工藝來去除ild層的未由圖案化的掩模層覆蓋的各部分來圖案化ild層。在溝槽內形成導電材料，以及隨后是平坦化工藝(例如?；瘜W機械平坦化工藝)以形成互連層a。在各個實施例中，襯底可以是任何類型的半導體主體(例如。硅、sige、soi等)，諸如半導體晶圓和/或晶圓上的一個或多個管芯，以及任何與其相關的其它類型的半導體和/或外延層。在一些實施例中，ild層可以包括一種或多種介電材料，諸如二氧化硅(sio)、sicoh、氟硅酸鹽玻璃、磷酸鹽玻璃(例如，硼磷硅酸鹽玻璃)等。在一些實施例中，導電材料可以包括通過沉積工藝(例如，cvd、pvd、pe-cvd、ald等)形成的金屬(例如，鎢、鋁等)。在各個實施例中，互連層a可以是互連線層、互連層、第三互連線層或更高金屬互連線層。的截面圖所示。從進口情況來看，集成電路行業(yè)已成為我國進口依賴程度較高的行業(yè)之一。沈陽圓形集成電路公司

    mram單元)，各存儲單元具有被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問的調節(jié)訪問裝置。雖然關于方法描述了圖至圖，但是應該理解，圖至圖中公開的結構不限于這種方法，而且可以作為于該方法的結構而單獨存在。的截面圖所示，在襯底上方形成互連層a。在一些實施例中，通過在襯底上方形成層間介電(ild)層來形成互連層a。在一些實施例中，ild層可以通過一個或多個附加介電層與襯底分隔開。圖案化ild層以限定溝槽。在一些實施例中，可以通過在ild層上方形成圖案化的掩模層(未示出)并且實施蝕刻工藝來去除ild層的未由圖案化的掩模層覆蓋的各部分來圖案化ild層。在溝槽內形成導電材料，以及隨后是平坦化工藝(例如。化學機械平坦化工藝)以形成互連層a。在各個實施例中，襯底可以是任何類型的半導體主體(例如，硅、sige、soi等)，諸如半導體晶圓和/或晶圓上的一個或多個管芯，以及任何與其相關的其它類型的半導體和/或外延層。在一些實施例中，ild層可以包括一種或多種介電材料，諸如二氧化硅(sio)、sicoh、氟硅酸鹽玻璃、磷酸鹽玻璃(例如，硼磷硅酸鹽玻璃)等。在一些實施例中，導電材料可以包括通過沉積工藝(例如，cvd、pvd、pe-cvd、ald等)形成的金屬(例如，鎢、鋁等)。沈陽圓形集成電路公司在摩爾定律的推動下，集成電路產品的加工面積成倍縮小，復雜程度與日俱增，集成電路設計的重要性愈發(fā)突出。

    深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經營范圍包括：一般經營項目是：電子產品及其配件的技術開發(fā)與銷售；國內貿易等。本公司主營推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際品牌集成電路。產品廣泛應用于：汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領域。本公司一直秉承優(yōu)勢服務，誠信合作的原則，以現(xiàn)代化管理以及優(yōu)勢的渠道價格、良好的信譽與廣大客戶建立了長期友好的合作關系，為廣大廠商和市場客戶提供優(yōu)勢的產品服務。所述多個mtj器件包括工作mtj器件和一個或多個調節(jié)mtj器件，所述一個或多個調節(jié)mtj器件被配置為選擇性地控制流至所述工作mtj器件的電流；以及在所述多個mtj器件上方形成互連層，其中，所述互連層和所述互連層中的一個或兩個限定位線和一條或多條字線。附圖說明當結合附圖進行閱讀時，從以下詳細描述可佳理解的各個方面。應該指出，根據(jù)工業(yè)中的標準實踐，各個部件未按比例繪制。實際上，為了清楚的討論，各個部件的尺寸可以任意地增大或減小。出了具有調節(jié)訪問裝置的存儲器電路的一些實施例的示意圖，該調節(jié)訪問裝置被配置為選擇性地對操作磁隧道結(mtj)器件提供訪問。

    的實施例總體涉及半導體領域，更具體地，涉及集成電路及其形成方法。背景技術：許多現(xiàn)代電子器件包含配置為存儲數(shù)據(jù)的電子存儲器。電子存儲器可以是易失性存儲器或非易失性存儲器。易失性存儲器在上電時存儲數(shù)據(jù)，而非易失性存儲器能夠在斷開電源時存儲數(shù)據(jù)。磁阻式隨機存取存儲器(mram)是用于下一代非易失性存儲器技術的一種有前景的候選。技術實現(xiàn)要素：根據(jù)的一個方面，提供了一種集成芯片，包括：工作磁隧道結(mtj)器件，連接至位線，其中，所述工作磁隧道結器件被配置為存儲數(shù)據(jù)狀態(tài)；以及調節(jié)訪問裝置，連接在所述工作磁隧道結器件和字線之間，其中，所述調節(jié)訪問裝置包括被配置為控制提供給所述工作磁隧道結器件的電流的一個或多個調節(jié)磁隧道結器件。根據(jù)的另一個方面，提供了一種集成電路，包括：互連層，布置在襯底上方的介電結構內，其中，所述互連層通過所述介電結構與所述襯底分隔開；以及工作mtj器件，布置在所述互連層正上方并且被配置為存儲數(shù)據(jù)狀態(tài)，其中，所述工作mtj器件通過包括多個互連層且不延伸穿過所述襯底的連續(xù)導電路徑電連接在位線和字線之間。根據(jù)的又一個方面，提供了一種形成集成電路的方法。包括：在襯底上方形成互連層。未來，隨著國家產業(yè)政策扶持等宏觀政策貫徹落實，國內集成電路產業(yè)將逐步發(fā)展壯大。

    凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際品牌集成電路。產品廣泛應用于：汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領域。本公司一直秉承優(yōu)勢服務，誠信合作的原則，以現(xiàn)代化管理以及優(yōu)勢的渠道價格、良好的信譽與廣大客戶建立了長期友好的合作關系，為廣大廠商和市場客戶提供優(yōu)勢的產品服務。mram單元)的尺寸，因為該尺寸不再取決于驅動晶體管的尺寸。出了具有調節(jié)訪問裝置的存儲器電路的一些實施例的示意圖，該調節(jié)訪問裝置被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問。存儲器電路包括具有多個存儲單元a,至b,的存儲器陣列。多個存儲單元a,至b,以行和/或列布置在存儲器陣列內。例如，行存儲單元包括存儲單元a,和a,，而列存儲單元包括存儲單元a,和b,。在一些實施例中，多個存儲單元a,至b,可以包括多個mram單元。多個存儲單元a,至b,(例如，mram單元)分別包括連接至調節(jié)訪問裝置的工作mtj器件。工作mtj器件包括磁隧道結(mtj)，磁隧道結(mtj)具有通過介電遂穿阻擋層a與自由層a分隔開的固定層a。固定層a具有固定的磁向，而自由層a具有可以在操作期間(通過隧道磁阻(tmr)效應)改變?yōu)橄鄬τ诠潭▽觓的磁向平行(即，“p”狀態(tài))或反向平行(即，“ap”狀態(tài))的磁向。集成電路哪家好？深圳美信美好！沈陽超大規(guī)模集成電路公司

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    在一些這樣的實施例中。存儲器陣列內的存儲單元可以在相同的互連層上彼此橫向鄰近布置。應當理解，圖a至圖b所示的集成芯片和可以實現(xiàn)圖的存儲器陣列的集成芯片的兩個非限制性實施例，并且可以在可選實施例中使用其它實施方式。在一些實施例中，調節(jié)訪問裝置內的調節(jié)mtj器件可以具有相同的尺寸。在其它實施例中，調節(jié)訪問裝置內的調節(jié)mtj器件可以具有彼此不同的尺寸和/或與工作mtj器件不同的尺寸。例如，圖a示出了具有調節(jié)訪問裝置的存儲器電路的一些額外實施例的示意圖，該調節(jié)訪問裝置包括具有不同尺寸的調節(jié)器件。存儲器電路包括多個存儲單元a。至c,，每個存儲單元分別包括被配置為存儲數(shù)據(jù)的工作mtj器件和被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問的調節(jié)訪問裝置。調節(jié)訪問裝置包括連接至mtj器件的同一層的調節(jié)mtj器件和調節(jié)mtj器件。調節(jié)mtj器件連接在字線(例如，wl)和工作mtj器件之間，而調節(jié)mtj器件連接在字線(例如，wl)和工作mtj器件之間。工作mtj器件進一步連接至位線(例如，bl)。圖b示出了對應于圖a的存儲器電路的集成電路的一些實施例的截面圖。如截面圖所示，調節(jié)mtj器件具有尺寸(例如。寬度w)，并且調節(jié)mtj器件具有與尺寸不同的尺寸(例如，寬度w)。沈陽圓形集成電路公司