吉林DDR一致性測(cè)試聯(lián)系方式

以上只是 一 些進(jìn)行DDR讀/寫(xiě)信號(hào)分離的常用方法，根據(jù)不同的信號(hào)情況可以做選 擇。對(duì)于DDR信號(hào)的 一 致性測(cè)試來(lái)說(shuō)，用戶還可以選擇另外的方法，比如根據(jù)建立/保持 時(shí)間的不同進(jìn)行分離或者基于CA信號(hào)突發(fā)時(shí)延的方法(CA高接下來(lái)對(duì)應(yīng)讀操作，CA低 接下來(lái)對(duì)應(yīng)寫(xiě)操作)等，甚至未來(lái)有可能采用一些機(jī)器學(xué)習(xí)(Machine Learning)的方法對(duì) 讀/寫(xiě)信號(hào)進(jìn)行判別。讀時(shí)序和寫(xiě)時(shí)序波形分離出來(lái)以后，就可以方便地進(jìn)行波形參數(shù)或者 眼圖模板的測(cè)量。

克勞德高速數(shù)字信號(hào)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室 DDR 設(shè)計(jì)和測(cè)試解決方案；吉林DDR一致性測(cè)試聯(lián)系方式

DDR時(shí)鐘總線的一致性測(cè)試

DDR總線參考時(shí)鐘或時(shí)鐘總線的測(cè)試變得越來(lái)越復(fù)雜，主要測(cè)試內(nèi)容可以分為兩方面：波形參數(shù)和抖動(dòng)。波形參數(shù)主要包括：Overshoot（過(guò)沖）；Undershoot（下沖）；SlewRate（斜率）；RiseTime（上升時(shí)間）和FallTime（下降時(shí)間）；高低時(shí)間；DutyCycle（占空比失真）等，測(cè)試較簡(jiǎn)單，在此不再贅述。抖動(dòng)測(cè)試則越來(lái)越復(fù)雜，以前一般只是測(cè)試Cycle-CycleJitter（周期到周期抖動(dòng)），但是當(dāng)速率超過(guò)533MT/S的DDR2&3時(shí)，測(cè)試內(nèi)容相當(dāng)多，不可忽略。表7-15是DDR2667的規(guī)范參數(shù)。對(duì)這些抖動(dòng)參數(shù)的測(cè)試需要用軟件實(shí)現(xiàn)，比如Agilent的N5413ADDR2時(shí)鐘表征工具。測(cè)試建議用系統(tǒng)帶寬4GHz以上的差分探頭和示波器，測(cè)試點(diǎn)在DIMM上靠近DRAM芯片的位置，被測(cè)系統(tǒng)建議運(yùn)行MemoryTest類的總線加壓軟件。 數(shù)字信號(hào)DDR一致性測(cè)試推薦貨源DDR3和 DDR4設(shè)計(jì)分成幾個(gè)方面：仿真、有源信號(hào)驗(yàn)證和功能測(cè)試。用于電氣物理層、協(xié)議層和功能測(cè)試解決方案。

DDR-致性測(cè)試探測(cè)和夾具

DDR的信號(hào)速率都比較高，要進(jìn)行可靠的測(cè)量，通常推薦的探頭連接方式是使用焊接式 探頭。還有許多很難在PCB板上找到相應(yīng)的測(cè)試焊盤(pán)的情況（比如釆用盲埋孔或雙面BGA 焊接的情況），所以Agilent還提供了不同種類的BGA探頭，通過(guò)對(duì)板子做重新焊接將BGA 的Adapter焊接在DDR的memory chip和PCB板中間，并將信號(hào)引出。DDR3的 BGA探頭的焊接例子。

DDR是需要進(jìn)行信號(hào)完整性測(cè)試的總線中復(fù)雜的總線，不僅走線多、探測(cè)困難，而且 時(shí)序復(fù)雜，各種操作交織在一起。本文分別從時(shí)鐘、地址、命令、數(shù)據(jù)總線方面介紹信號(hào)完 整性一致性測(cè)試的一些要點(diǎn)和方法，也介紹了自動(dòng)化測(cè)試軟件和測(cè)試夾具,但是真正測(cè)試DDR 總線仍然是一件比較有挑戰(zhàn)的事情。

按照存儲(chǔ)信息方式的不同，隨機(jī)存儲(chǔ)器又分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM(Static RAM)和 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM(Dynamic RAM)。SRAM運(yùn)行速度較快、時(shí)延小、控制簡(jiǎn)單，但是 SRAM每比特的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需要多個(gè)晶體管，不容易實(shí)現(xiàn)大的存儲(chǔ)容量，主要用于一些對(duì)時(shí) 延和速度有要求但又不需要太大容量的場(chǎng)合，如一些CPU芯片內(nèi)置的緩存等。DRAM的 時(shí)延比SRAM大，而且需要定期的刷新，控制電路相對(duì)復(fù)雜。但是由于DRAM每比特?cái)?shù)據(jù)存儲(chǔ)只需要一個(gè)晶體管，因此具有集成度高、功耗低、容量大、成本低等特點(diǎn)，目前已經(jīng)成為大 容量RAM的主流，典型的如現(xiàn)在的PC、服務(wù)器、嵌入式系統(tǒng)上用的大容量?jī)?nèi)存都是DRAM。DDR4 和 LPDDR4 發(fā)射機(jī)一致性測(cè)試應(yīng)用軟件的技術(shù)指標(biāo)。

如果PCB的設(shè)計(jì)密度不高，用戶有可能在DDR顆粒的引腳附近找到PCB過(guò)孔，這時(shí)可以用焊接或點(diǎn)測(cè)探頭在過(guò)孔上進(jìn)行信號(hào)測(cè)量。DDR總線信號(hào)質(zhì)量測(cè)試時(shí)經(jīng)常需要至少同時(shí)連接CLK、DQS、DQ等信號(hào)，且自動(dòng)測(cè)試軟件需要運(yùn)行一段時(shí)間，由于使用點(diǎn)測(cè)探頭人手很難長(zhǎng)時(shí)間同時(shí)保持幾路信號(hào)連接的可靠性，所以通常會(huì)使用焊接探頭測(cè)試。有時(shí)為了方便，也可以把CLK和DQS焊接上，DQ根據(jù)需要用點(diǎn)測(cè)探頭進(jìn)行測(cè)試。有些用戶會(huì)通過(guò)細(xì)銅線把信號(hào)引出再連接示波器探頭，但是因?yàn)镈DR的信號(hào)速率很高，即使是一段1cm左右的沒(méi)有匹配的銅線也會(huì)嚴(yán)重影響信號(hào)的質(zhì)量，因此不建議使用沒(méi)有匹配的銅線引出信號(hào)。有些示波器廠商的焊接探頭可以提供稍長(zhǎng)一些的經(jīng)過(guò)匹配的焊接線，可以嘗試一下這種焊接探頭。圖5.13所示就是一種用焊接探頭在過(guò)孔上進(jìn)行DDR信號(hào)測(cè)試的例子。DDR、DDR2、DDR3、DDR4都有什么區(qū)別？吉林DDR一致性測(cè)試聯(lián)系方式

DDR2/3/4 和 LPDDR2/3 的協(xié)議一致性測(cè)試和分析工具箱。吉林DDR一致性測(cè)試聯(lián)系方式

克勞德高速數(shù)字信號(hào)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室

一個(gè)實(shí)際的DDR4總線上的讀時(shí)序和寫(xiě)時(shí)序。從兩張圖我們可 以看到，在實(shí)際的DDR總線上，讀時(shí)序、寫(xiě)時(shí)序是同時(shí)存在的。而且對(duì)于讀或者寫(xiě)時(shí)序來(lái) 說(shuō)，DQS(數(shù)據(jù)鎖存信號(hào))相對(duì)于DQ(數(shù)據(jù)信號(hào))的位置也是不一樣的。對(duì)于測(cè)試來(lái)說(shuō)，如果 沒(méi)有軟件的輔助，就需要人為分別捕獲不同位置的波形，并自己判斷每組Burst是讀操作還 是寫(xiě)操作，再依據(jù)不同的讀/寫(xiě)規(guī)范進(jìn)行相應(yīng)參數(shù)的測(cè)試，因此測(cè)量效率很低，而且無(wú)法進(jìn)行 大量的測(cè)量統(tǒng)計(jì)。 吉林DDR一致性測(cè)試聯(lián)系方式

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