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容量與組織:DDR規(guī)范還涵蓋了內(nèi)存模塊的容量和組織方式。DDR內(nèi)存模塊的容量可以根據(jù)規(guī)范支持不同的大小,如1GB、2GB、4GB等。DDR內(nèi)存模塊通常以多個(gè)內(nèi)存芯片排列組成,其中每個(gè)內(nèi)存芯片被稱為一個(gè)芯粒(die),多個(gè)芯??梢越M成密集的內(nèi)存模塊。電氣特性:DDR規(guī)范還定義了內(nèi)存模塊的電氣特性,包括供電電壓、電流消耗、輸入輸出電平等。這些電氣特性對(duì)于確保DDR內(nèi)存模塊的正常工作和兼容性至關(guān)重要。兼容性:DDR規(guī)范還考慮了兼容性問題,確保DDR內(nèi)存模塊能夠與兼容DDR接口的主板和控制器正常配合。例如,保留向后兼容性,允許支持DDR接口的控制器工作在較低速度的DDR模式下。DDR3一致性測試期間是否會(huì)對(duì)數(shù)據(jù)完整性產(chǎn)生影響?重慶DDR3測試方案商
DDR4: DDR4釆用POD12接口,I/O 口工作電壓為1.2V;時(shí)鐘信號(hào)頻率為800?1600MHz; 數(shù)據(jù)信號(hào)速率為1600?3200Mbps;數(shù)據(jù)命令和控制信號(hào)速率為800?1600Mbps。DDR4的時(shí) 鐘、地址、命令和控制信號(hào)使用Fly-by拓?fù)渥呔€;數(shù)據(jù)和選通信號(hào)依舊使用點(diǎn)對(duì)點(diǎn)或樹形拓 撲,并支持動(dòng)態(tài)ODT功能;也支持Write Leveling功能。
綜上所述,DDR1和DDR2的數(shù)據(jù)和地址等信號(hào)都釆用對(duì)稱的樹形拓?fù)洌籇DR3和DDR4的數(shù)據(jù)信號(hào)也延用點(diǎn)對(duì)點(diǎn)或樹形拓?fù)?。升?jí)到DDR2后,為了改進(jìn)信號(hào)質(zhì)量,在芯片內(nèi)為所有數(shù)據(jù)和選通信號(hào)設(shè)計(jì)了片上終端電阻ODT(OnDieTermination),并為優(yōu)化時(shí)序提供了差分的選通信號(hào)。DDR3速率更快,時(shí)序裕量更小,選通信號(hào)只釆用差分信號(hào)。 北京DDR3測試哪里買DDR3一致性測試是否適用于超頻內(nèi)存模塊?
使用了一個(gè) DDR 的設(shè)計(jì)實(shí)例,來講解如何規(guī)劃并設(shè)計(jì)一個(gè) DDR 存儲(chǔ)系統(tǒng),包括從系統(tǒng)性能分析,資料準(zhǔn)備和整理,仿真模型的驗(yàn)證和使用,布局布線約束規(guī)則的生成和復(fù)用,一直到的 PCB 布線完成,一整套設(shè)計(jì)方法和流程。其目的是幫助讀者掌握 DDR 系統(tǒng)的設(shè)計(jì)思路和方法。隨著技術(shù)的發(fā)展,DDR 技術(shù)本身也有了很大的改變,DDR 和 DDR2 基本上已經(jīng)被市場淘汰,而 DDR3 是目前存儲(chǔ)系統(tǒng)的主流技術(shù)。
并且,隨著設(shè)計(jì)水平的提高和 DDR 技術(shù)的普及,大多數(shù)工程師都已經(jīng)對(duì)如何設(shè)計(jì)一個(gè) DDR 系統(tǒng)不再陌生,基本上按照通用的 DDR 設(shè)計(jì)規(guī)范或者參考案例,在系統(tǒng)不是很復(fù)雜的情況下,都能夠一次成功設(shè)計(jì)出可以「運(yùn)行」的 DDR 系統(tǒng),DDR 系統(tǒng)的布線不再是障礙。但是,隨著 DDR3 通信速率的大幅度提升,又給 DDR3 的設(shè)計(jì)者帶來了另外一個(gè)難題,那就是系統(tǒng)時(shí)序不穩(wěn)定。因此,基于這樣的現(xiàn)狀,在本書的這個(gè)章節(jié)中,著重介紹 DDR 系統(tǒng)體系的發(fā)展變化,以及 DDR3 系統(tǒng)的仿真技術(shù),也就是說,在布線不再是 DDR3 系統(tǒng)設(shè)計(jì)難題的情況下,如何通過布線后仿真,驗(yàn)證并保證 DDR3 系統(tǒng)的穩(wěn)定性是更加值得關(guān)注的問題。
常見的信號(hào)質(zhì)量包括閾值電平、Overshoot、Undershoot、Slew Rate> tDVAC等,DDRx 信號(hào)質(zhì)量的每個(gè)參數(shù)JEDEC都給出了明確的規(guī)范。比如DDR3要求Overshoot和Undershoot 分別為0.4V,也就是說信號(hào)幅值P?P值應(yīng)該在-0.4-1.9V,但在實(shí)際應(yīng)用中由于不適合信號(hào) 端接使DDR信號(hào)質(zhì)量變差,通過仿真就可以找出合適端接,使信號(hào)質(zhì)量滿足JEDEC規(guī)范。 下面以DDR3 1066Mbps信號(hào)為例,通過一個(gè)實(shí)際案例說明DDR3信號(hào)質(zhì)量仿真。
在本案例中客戶反映實(shí)測CLK信號(hào)質(zhì)量不好。CLK信號(hào)從CUP (U100)出來經(jīng)過4片 DDR3 (U101、U102、U103、U104),在靠近控制芯片接收端顆粒(近的顆粒)的信號(hào)很 差,系統(tǒng)工作不到DDR3 1066Mbpso在對(duì)時(shí)鐘信號(hào)做了終端上拉匹配后,可以正常工作。 DDR3內(nèi)存的一致性測試是否需要長時(shí)間運(yùn)行?
高速DDRx總線系統(tǒng)設(shè)計(jì)
首先簡要介紹DDRx的發(fā)展歷程,通過幾代DDR的性能及信號(hào)完整性相關(guān)參數(shù)的 對(duì)比,使我們對(duì)DDRx總線有了比較所有的認(rèn)識(shí)。隨后介紹DDRx接口使用的SSTL電平, 以及新一代DDR4使用的POD電平,這能幫助我們?cè)诮窈蟮脑O(shè)計(jì)中更好地理解端接匹配、拓 撲等相關(guān)問題。接下來回顧一下源同步時(shí)鐘系統(tǒng),并推導(dǎo)源同步時(shí)鐘系統(tǒng)的時(shí)序計(jì)算方法。 結(jié)果使用Cadence的系統(tǒng)仿真工具SystemSI,通過實(shí)例進(jìn)行DDRx的信號(hào)完整性仿真和時(shí)序 分析。 是否可以在運(yùn)行操作系統(tǒng)時(shí)執(zhí)行DDR3一致性測試?北京DDR3測試哪里買
DDR3一致性測試和DDR3速度測試之間有什么區(qū)別?重慶DDR3測試方案商
時(shí)序要求:DDR系統(tǒng)中的內(nèi)存控制器需要遵循DDR規(guī)范中定義的時(shí)序要求來管理和控制內(nèi)存模塊的操作。時(shí)序要求包括初始時(shí)序、數(shù)據(jù)傳輸時(shí)序、刷新時(shí)序等,確保內(nèi)存模塊能夠按照規(guī)范工作,并實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的數(shù)據(jù)傳輸和操作。容量與組織:DDR系統(tǒng)中的內(nèi)存模塊可以有不同的容量和組織方式。內(nèi)存模塊的容量可以根據(jù)規(guī)范支持不同的大小,如1GB、2GB、4GB等。內(nèi)存模塊通常由多個(gè)內(nèi)存芯片組成,每個(gè)內(nèi)存芯片被稱為一個(gè)芯粒(die),多個(gè)芯粒可以組成密集的內(nèi)存模塊。兼容性:DDR技術(shù)考慮了兼容性問題,以確保DDR內(nèi)存模塊能夠與兼容DDR接口的主板和控制器正常配合。例如,保留向后兼容性,允許支持DDR接口的控制器在較低速度的DDR模式下工作。重慶DDR3測試方案商