海南DDR3測試測試流程

來源: 發(fā)布時間:2024-07-28

走線阻抗/耦合檢查

走線阻抗/耦合檢查流程在PowerSI和SPEED2000中都有,流程也是一樣的。本例通過 Allegro Sigrity SI 啟動 Trace Impedance/Coupling Check,自動調用 PowerSI 的流程。下面通過實例來介紹走線阻抗/耦合檢查的方法。

啟動 Allegro Sigrity SI,打開 DDR_Case_C。單擊菜單 AnalyzeTrace Impedance/Coupling Check,在彈出的 SPDLINK Xnet Selection 窗口 中單擊 OK 按鈕。整個.brd 文件將被轉換成.spd文件,并自動在PowerSI軟件界面中打開。 DDR3內存有哪些常見的容量大???海南DDR3測試測試流程

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DDR信號的DC和AC特性要求之后,不知道有什么發(fā)現(xiàn)沒有?對于一般信號而言,DC和AC特性所要求(或限制)的就是信號的電平大小問題。但是在DDR中的AC特性規(guī)范中,我們可以注意一下,其Overshoot和Undershoot指向的位置,到底代表什么含義?有些讀者可能已經(jīng)發(fā)現(xiàn),是沒有辦法從這個指示當中獲得準確的電壓值的。這是因為,在DDR中,信號的AC特性所要求的不再是具體的電壓值,而是一個電源和時間的積分值。影面積所示的大小,而申壓和時間的積分值,就是能量!因此,對于DDR信號而言,其AC特性中所要求的不再是具體的電壓幅值大小,而是能量的大小!這一點是不同于任何一個其他信號體制的,而且能量信號這個特性,會延續(xù)在所有的DDRx系統(tǒng)當中,我們會在DDR2和DDR3的信號體制中,更加深刻地感覺到能量信號對于DDRx系統(tǒng)含義。當然,除了能量的累積不能超過AC規(guī)范外,比較大的電壓值和小的電壓值一樣也不能超過極限,否則,無需能量累積,足夠高的電壓就可以一次擊穿器件。重慶自動化DDR3測試DDR3一致性測試是否可以修復一致性問題?

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至此,DDR3控制器端各信號間的總線關系創(chuàng)建完畢。單擊OK按鈕,在彈出的提示窗 口中選擇Copy,這會將以上總線設置信息作為SystemSI能識別的注釋,連同原始IBIS文件 保存為一個新的IBIS文件。如果不希望生成新的IBIS文件,則也可以選擇Updateo

設置合適的 OnDie Parasitics 和 Package Parasiticso 在本例中。nDie Parasitics 選擇 None, Package Parasitics使用Pin RLC封裝模型。單擊OK按鈕保存并退出控制器端的設置。

On-Die Parasitics在仿真非理想電源地時影響很大,特別是On-Die Capacitor,需要根據(jù) 實際情況正確設定。因為實際的IBIS模型和模板自帶的IBIS模型管腳不同,所以退出控制器 設置窗口后,Controller和PCB模塊間的連接線會顯示紅叉,表明這兩個模塊間連接有問題, 暫時不管,等所有模型設置完成后再重新連接。

DDR 規(guī)范的 DC 和 AC 特性

眾所周知,對于任何一種接口規(guī)范的設計,首先要搞清楚系統(tǒng)中傳輸?shù)氖鞘裁礃拥男盘?,也就是驅動器能發(fā)出什么樣的信號,接收器能接受和判別什么樣的信號,用術語講,就是信號的DC和AC特性要求。

在DDR規(guī)范文件JEDEC79R的TABLE6:ELECTRICALCHARACTERISTICSANDDOOPERATINGCONDITIONS」中對DDR的DC有明確要求:VCC=+2.5v+0.2V,Vref=+1.25V+0.05VVTT=Vref+0.04V.

在我們的實際設計中,除了要精確設計供電電源模塊之外,還需要對整個電源系統(tǒng)進行PI仿真,而這是高速系統(tǒng)設計中另一個需要考慮的問題,在這里我們先不討論它,暫時認為系統(tǒng)能夠提供穩(wěn)定的供電電源。 DDR3一致性測試需要運行多長時間?

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單擊NetCouplingSummary,出現(xiàn)耦合總結表格,包括網(wǎng)絡序號、網(wǎng)絡名稱、比較大干擾源網(wǎng)絡、比較大耦合系數(shù)、比較大耦合系數(shù)所占走線長度百分比、耦合系數(shù)大于0.05的走線 長度百分比、耦合系數(shù)為0.01?0.05的走線長度百分比、總耦合參考值。

單擊Impedance Plot (Collapsed),查看所有網(wǎng)絡的走線阻抗彩圖。注意,在彩圖 上方有一排工具欄,通過下拉按鈕可以選擇查看不同的網(wǎng)絡組,選擇不同的接收端器件,選 擇查看單端線還是差分線。雙擊Plot±的任何線段,對應的走線會以之前定義的顏色(白色) 在Layout窗口中高亮顯示。 DDR3內存的一致性測試是否需要長時間運行?河北DDR3測試執(zhí)行標準

在DDR3一致性測試期間能否繼續(xù)進行其他任務?海南DDR3測試測試流程

LPDDR2 (低功耗 DDR2) : LPDDR2 釆用 HSUL_12 接口,I/O 口工作電壓為 1.2V;時 鐘信號頻率為166?533MHz;數(shù)據(jù)和命令地址(CA)信號速率333?1066Mbps,并分別通過 差分選通信號和時鐘信號的雙沿釆樣;控制信號速率為166?533Mbps,通過時鐘信號上升沿 采樣;一般用于板載(Memory?down)設計,信號通常為點對點或樹形拓撲,沒有ODT功能。

LPDDR3 0氐功耗DDR3) : LPDDR3同樣釆用HSUL_12接口,I/O 口工作電壓為1.2V; 時鐘信號頻率為667?1066MHz;數(shù)據(jù)和命令地址(CA)信號速率為1333?2133Mbps,分別 通過差分選通信號和時鐘信號的雙沿釆樣;控制信號速率為667?1066Mbps,通過時鐘上升 沿釆樣;一般用于板載設計,數(shù)據(jù)信號一般為點對點拓撲,命令地址和控制信號一般也釆用 Fly-by走線,有些情況下可以使用樹形走線;數(shù)據(jù)和選通信號支持ODT功能;也支持使用 Write Leveling功能調整時鐘和選通信號間的延時偏移。 海南DDR3測試測試流程