河北DDR3測(cè)試保養(yǎng)

至此，DDR3控制器端各信號(hào)間的總線關(guān)系創(chuàng)建完畢。單擊OK按鈕，在彈出的提示窗 口中選擇Copy,這會(huì)將以上總線設(shè)置信息作為SystemSI能識(shí)別的注釋?zhuān)B同原始IBIS文件 保存為一個(gè)新的IBIS文件。如果不希望生成新的IBIS文件，則也可以選擇Updateo

設(shè)置合適的 OnDie Parasitics 和 Package Parasiticso 在本例中。nDie Parasitics 選擇 None, Package Parasitics使用Pin RLC封裝模型。單擊OK按鈕保存并退出控制器端的設(shè)置。

On-Die Parasitics在仿真非理想電源地時(shí)影響很大，特別是On-Die Capacitor,需要根據(jù) 實(shí)際情況正確設(shè)定。因?yàn)閷?shí)際的IBIS模型和模板自帶的IBIS模型管腳不同，所以退出控制器 設(shè)置窗口后，Controller和PCB模塊間的連接線會(huì)顯示紅叉，表明這兩個(gè)模塊間連接有問(wèn)題， 暫時(shí)不管，等所有模型設(shè)置完成后再重新連接。 DDR3一致性測(cè)試期間是否會(huì)對(duì)數(shù)據(jù)完整性產(chǎn)生影響？河北DDR3測(cè)試保養(yǎng)

DDR 系統(tǒng)概述

DDR 全名為 Double Data Rate SDRAM ，簡(jiǎn)稱(chēng)為 DDR。DDR 本質(zhì)上不需要提高時(shí)鐘頻率就能加倍提高 SDRAM 的速度，它允許在時(shí)鐘的上升沿和下降沿讀/寫(xiě)數(shù)據(jù)，因而其數(shù)據(jù)速率是標(biāo)準(zhǔn) SDRAM 的兩倍，至于地址與控制信號(hào)與傳統(tǒng) SDRAM 相同，仍在時(shí)鐘上升沿進(jìn)行數(shù)據(jù)判決。  DDR 與 SDRAM 的對(duì)比DDR 是一個(gè)總線系統(tǒng)，總線包括地址線、數(shù)據(jù)信號(hào)線以及時(shí)鐘、控制線等。其中數(shù)據(jù)信號(hào)線可以隨著系統(tǒng)吞吐量的帶寬而調(diào)整，但是必須以字節(jié)為單位進(jìn)行調(diào)整，例如，可以是 8 位、16 位、24 位或者 32 位帶寬等。 所示的是 DDR 總線的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，地址和控制總線是單向信號(hào)，只能從控制器傳向存儲(chǔ)芯片，而數(shù)據(jù)信號(hào)則是雙向總線。

DDR 總線的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)DDR 的地址信號(hào)線除了用來(lái)尋址以外，還被用做控制命令的一部分，因此，地址線和控制信號(hào)統(tǒng)稱(chēng)為地址/控制總線。DDR 中的命令狀態(tài)真值表?？梢钥吹?，DDR 控制器對(duì)存儲(chǔ)系統(tǒng)的操作，就是通過(guò)控制信號(hào)的狀態(tài)和地址信號(hào)的組合來(lái)完成的。 DDR 系統(tǒng)命令狀態(tài)真值表 河北DDR3測(cè)試保養(yǎng)DDR3內(nèi)存的一致性測(cè)試是否會(huì)降低內(nèi)存模塊的壽命？

 如果模型文件放在其他目錄下，則可以選擇菜單Analyze-Model Browser..,在界面里面單擊 Set Search Path按鈕，然后在彈出的界面里添加模型文件所在的目錄。

選擇菜單Analyze —Model Assignment..,在彈出的模型設(shè)置界面中找到U100 (Controller)來(lái)設(shè)置模型。

在模型設(shè)置界面中選中U100后，單擊Find Model...按鈕，在彈出來(lái)的界面中刪除 工具自認(rèn)的模型名BGA1295-40,將其用“*”取代，再單擊空白處或按下Tab鍵，在列岀的 模型文件中選中。

單擊Load按鈕，加載模型。

加載模型后，選擇文件下的Controller器件模型，然后單擊Assign 按鈕，將這個(gè)器件模型賦置給U100器件。

重復(fù)步驟6至步驟9,設(shè)置Memory器件U101、U102、U103和U104的模型為 模型文件中的Generic器件。

在所要仿真的時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)中含有上拉電阻(R515和R518),在模型賦置界面中找到 這兩個(gè)電阻，其Device Type都是R0402 47R,可以選中R0402 47R對(duì)這類(lèi)模型統(tǒng)一進(jìn)行設(shè)置, 

(12) 選中R0402 47R后,選擇Create ESpice Model...按鈕,在彈出的界面中單擊OK按 鈕，在界面中設(shè)置電阻模型后，單擊OK按鈕賦上電阻模型。

同步驟11、步驟12,將上拉電源處的電容(C583)賦置的電容模型。

上拉電源或下拉到地的電壓值可以在菜單中選擇LogicIdentify DC Nets..來(lái)設(shè)置。 什么是DDR3一致性測(cè)試？

為了改善地址信號(hào)多負(fù)載多層級(jí)樹(shù)形拓?fù)湓斐傻男盘?hào)完整性問(wèn)題，DDR3/4的地址、控制、命令和時(shí)鐘信號(hào)釆用了Fly-by的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)種優(yōu)化了負(fù)載樁線的菊花鏈拓?fù)?。另外，在主板加?nèi)存條的系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，DDR2的地址命令和控制信號(hào)一般需要在主板上加匹配電阻，而DDR3則將終端匹配電阻設(shè)計(jì)在內(nèi)存條上，在主板上不需要額外電阻，這樣可以方便主板布線，也可以使匹配電阻更靠近接收端。為了解決使用Fly-by拓?fù)鋵绗F(xiàn)的時(shí)鐘信號(hào)和選通信號(hào)“等長(zhǎng)”問(wèn)題,DDR3/4采用了WriteLeveling技術(shù)進(jìn)行時(shí)序補(bǔ)償，這在一定程度上降低了布線難度，特別是弱化了字節(jié)間的等長(zhǎng)要求。不同于以往DDRx使用的SSTL電平接口，新一代DDR4釆用了POD電平接口，它能夠有效降低單位比特功耗。DDR4內(nèi)存也不再使用SlewRateDerating技術(shù)，降低了傳統(tǒng)時(shí)序計(jì)算的復(fù)雜度。DDR3一致性測(cè)試期間是否會(huì)影響計(jì)算機(jī)性能？河北DDR3測(cè)試保養(yǎng)

如何監(jiān)控DDR3內(nèi)存模塊的溫度進(jìn)行一致性測(cè)試？河北DDR3測(cè)試保養(yǎng)

使用SystemSI進(jìn)行DDR3信號(hào)仿真和時(shí)序分析實(shí)例

SystemSI是Cadence Allegro的一款系統(tǒng)級(jí)信號(hào)完整性仿真工具，它集成了 Sigrity強(qiáng)大的 電路板、封裝等互連模型及電源分布網(wǎng)絡(luò)模型的提取功能。目前SystemSI提供并行總線分析 和串行通道分析兩大主要功能模塊，本章介紹其中的并行總線分析模塊，本書(shū)第5章介紹串 行通道分析模塊。

SystemSI并行總線分析(Parallel Bus Analysis)模塊支持IBIS和HSPICE晶體管模型， 支持傳輸線模型、S參數(shù)模型和通用SPICE模型，支持非理想電源地的仿真分析。它擁有強(qiáng) 大的眼圖、信號(hào)質(zhì)量、信號(hào)延時(shí)測(cè)量功能和詳盡的時(shí)序分析能力，并配以完整的測(cè)量分析報(bào) 告供閱讀和存檔。下面我們結(jié)合一個(gè)具體的DDR3仿真實(shí)例，介紹SystemSI的仿真和時(shí)序分 析方法。本實(shí)例中的關(guān)鍵器件包括CPU、4個(gè)DDR3 SDRAM芯片和電源模塊， 河北DDR3測(cè)試保養(yǎng)