銷(xiāo)售整流橋GBU610

   具有以下有益效果：本實(shí)用新型的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)及電源模組將整流橋、功率開(kāi)關(guān)管、邏輯電路通過(guò)一個(gè)引線(xiàn)框架封裝在同一個(gè)塑封體中，以此減小封裝成本。附圖說(shuō)明圖1顯示為本實(shí)用新型的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的一種實(shí)現(xiàn)方式。圖2顯示為本實(shí)用新型的電源模組的一種實(shí)現(xiàn)方式。圖3顯示為本實(shí)用新型的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的另一種實(shí)現(xiàn)方式。圖4顯示為本實(shí)用新型的電源模組的另一種實(shí)現(xiàn)方式。圖5顯示為本實(shí)用新型的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的又一種實(shí)現(xiàn)方式。圖6顯示為本實(shí)用新型的電源模組的又一種實(shí)現(xiàn)方式。圖7顯示為本實(shí)用新型的電源模組的再一種實(shí)現(xiàn)方式。元件標(biāo)號(hào)說(shuō)明1合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)11塑封體12控制芯片121功率開(kāi)關(guān)管122邏輯電路13高壓供電基島14信號(hào)地基島15漏極基島16火線(xiàn)基島17零線(xiàn)基島18采樣基島具體實(shí)施方式以下通過(guò)特定的具體實(shí)例說(shuō)明本實(shí)用新型的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說(shuō)明書(shū)所揭露的內(nèi)容輕易地了解本實(shí)用新型的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本實(shí)用新型還可以通過(guò)另外不同的具體實(shí)施方式加以實(shí)施或應(yīng)用，本說(shuō)明書(shū)中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可以基于不同觀(guān)點(diǎn)與應(yīng)用，在沒(méi)有背離本實(shí)用新型的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。請(qǐng)參閱圖1～圖7。需要說(shuō)明的是。常州市國(guó)潤(rùn)電子有限公司為您提供整流橋 ，有需要可以聯(lián)系我司哦！銷(xiāo)售整流橋GBU610

  設(shè)置于所述塑封體邊緣的火線(xiàn)管腳、零線(xiàn)管腳、高壓供電管腳、信號(hào)地管腳、漏極管腳、采樣管腳，以及設(shè)置于所述塑封體內(nèi)的整流橋、功率開(kāi)關(guān)管、邏輯電路、至少兩個(gè)基島；其中，所述整流橋包括四個(gè)整流二極管，各整流二極管的正極和負(fù)極分別通過(guò)基島或引線(xiàn)連接至對(duì)應(yīng)管腳；所述邏輯電路連接對(duì)應(yīng)管腳，產(chǎn)生邏輯控制信號(hào)；所述功率開(kāi)關(guān)管的柵極連接所述邏輯控制信號(hào)，漏極及源極分別連接對(duì)應(yīng)管腳；所述功率開(kāi)關(guān)管及所述邏輯電路分立設(shè)置或集成于控制芯片內(nèi)。本實(shí)用新型的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)及電源模組將整流橋、功率開(kāi)關(guān)管、邏輯電路通過(guò)一個(gè)引線(xiàn)框架封裝在同一個(gè)塑封體中，以此減小封裝成本。所以，本實(shí)用新型有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點(diǎn)而具高度產(chǎn)業(yè)利用價(jià)值。上述實(shí)施例例示性說(shuō)明本實(shí)用新型的原理及其功效，而非用于限制本實(shí)用新型。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本實(shí)用新型的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者在未脫離本實(shí)用新型所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本實(shí)用新型的權(quán)利要求所涵蓋。江蘇代工整流橋GBU410常州市國(guó)潤(rùn)電子有限公司為您提供整流橋 ，有需求可以來(lái)電咨詢(xún)！

   不限于本實(shí)施例，任意可實(shí)現(xiàn)整流橋連接關(guān)系的設(shè)置方式均可，在此不一一贅述。如圖1所示，在本實(shí)施例中，所述功率開(kāi)關(guān)管及所述邏輯電路集成于控制芯片12內(nèi)。具體地，所述功率開(kāi)關(guān)管的漏極作為所述控制芯片12的漏極端口d，源極連接所述邏輯電路的采樣端口，柵極連接所述邏輯電路的控制信號(hào)輸出端(輸出邏輯控制信號(hào))；所述邏輯電路的采樣端口作為所述控制芯片12的采樣端口cs，高壓端口連接所述功率開(kāi)關(guān)管的漏極，接地端口作為所述控制芯片12的接地端口gnd。所述控制芯片12的接地端口gnd連接所述信號(hào)地管腳gnd，漏極端口d連接所述漏極管腳drain，采樣端口cs連接所述采樣管腳cs。在本實(shí)施例中，所述控制芯片12的底面為襯底，通過(guò)導(dǎo)電膠或錫膏粘接于所述信號(hào)地基島14上，所述控制芯片12的接地端口gnd采用就近原則，通過(guò)金屬引線(xiàn)連接所述信號(hào)地基島14，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)與所述信號(hào)地管腳gnd的連接；漏極端口d通過(guò)金屬引線(xiàn)連接所述漏極管腳drain；采樣端口cs通過(guò)金屬引線(xiàn)連接所述采樣管腳cs。所述功率開(kāi)關(guān)管可通過(guò)所述信號(hào)地基島14及所述信號(hào)地管腳gnd實(shí)現(xiàn)散熱。需要說(shuō)明的是，所述控制芯片12可根據(jù)設(shè)計(jì)需要設(shè)置在不同的基島上。

   所述第三整流二極管及第四整流二極管的正極粘接于所述信號(hào)地基島上，負(fù)極連接分別連接所述火線(xiàn)管腳及所述零線(xiàn)管腳?？蛇x地，所述至少兩個(gè)基島包括火線(xiàn)基島及零線(xiàn)基島；所述整流橋包括第五整流二極管、第六整流二極管、第七整流二極管及第八整流二極管；所述第五整流二極管及所述第六整流二極管的負(fù)極分別粘接于所述火線(xiàn)基島及所述零線(xiàn)基島上，正極連接所述信號(hào)地管腳；所述第七整流二極管及所述第八整流二極管的正極分別粘接于所述火線(xiàn)基島及所述零線(xiàn)基島上，負(fù)極連接所述高壓供電管腳。更可選地，所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)還包括電源地管腳，所述整流橋的第二輸出端通過(guò)基島或引線(xiàn)連接所述電源地管腳。更可選地，所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)還包括高壓續(xù)流二極管，所述高壓續(xù)流二極管的負(fù)極通過(guò)基島或引線(xiàn)連接所述高壓供電管腳，正極通過(guò)基島或引線(xiàn)連接所述漏極管腳；所述邏輯電路的高壓端口連接所述高壓供電管腳。更可選地，所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)還包括瞬態(tài)二極管及高壓續(xù)流二極管；所述瞬態(tài)二極管的正極通過(guò)基島或引線(xiàn)連接所述高壓供電管腳，負(fù)極連接所述高壓續(xù)流二極管的負(fù)極；所述高壓續(xù)流二極管的正極通過(guò)基島或引線(xiàn)連接所述漏極管腳。整流橋 ，就選常州市國(guó)潤(rùn)電子有限公司，讓您滿(mǎn)意，歡迎新老客戶(hù)來(lái)電！

   所述邏輯電路的高壓端口連接所述高壓供電管腳。為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本實(shí)用新型還提供一種電源模組，所述電源模組至少包括：上述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)，電容，負(fù)載及采樣電阻；所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的火線(xiàn)管腳連接火線(xiàn)，零線(xiàn)管腳連接零線(xiàn)，信號(hào)地管腳接地；所述電容的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的高壓供電管腳，另一端接地；所述負(fù)載連接于所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的高壓供電管腳與漏極管腳之間；所述采樣電阻的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的采樣管腳，另一端接地。為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本實(shí)用新型還提供一種電源模組，所述電源模組至少包括：上述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)，第二電容，第三電容，電感，負(fù)載及第二采樣電阻；所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的火線(xiàn)管腳連接火線(xiàn)，零線(xiàn)管腳連接零線(xiàn)，信號(hào)地管腳接地；所述第二電容的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的高壓供電管腳，另一端接地；所述第三電容的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的高壓供電管腳，另一端經(jīng)由所述電感連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的漏極管腳；所述負(fù)載連接于所述第三電容的兩端；所述第二采樣電阻的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的采樣管腳，整流橋 ，就選常州市國(guó)潤(rùn)電子有限公司，讓您滿(mǎn)意，期待您的光臨！江蘇銷(xiāo)售整流橋GBU1506

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   整流橋的生產(chǎn)工藝流程主要包括以下幾個(gè)步驟：芯片制造：整流橋的組成是半導(dǎo)體芯片，因此首先需要進(jìn)行芯片制造。芯片制造主要包括硅片制備、氧化層制作、光刻、摻雜、薄膜制作等步驟。芯片封裝：制造好的芯片需要進(jìn)行封裝，以保護(hù)芯片免受外界環(huán)境的影響。封裝過(guò)程主要包括將芯片固定在基板上，然后通過(guò)引腳將芯片與外部電路連接起來(lái)。檢測(cè)與測(cè)試：封裝好的整流橋需要進(jìn)行檢測(cè)和測(cè)試，以確保其性能符合要求。檢測(cè)主要包括外觀(guān)檢測(cè)、電性能檢測(cè)、環(huán)境適應(yīng)性檢測(cè)等。包裝運(yùn)輸：經(jīng)過(guò)檢測(cè)和測(cè)試合格的整流橋需要進(jìn)行包裝運(yùn)輸，以保護(hù)產(chǎn)品在運(yùn)輸過(guò)程中不受損壞。包裝運(yùn)輸主要包括產(chǎn)品包裝、標(biāo)識(shí)、運(yùn)輸?shù)拳h(huán)節(jié)。具體來(lái)說(shuō)，整流橋的生產(chǎn)工藝流程如下：準(zhǔn)備材料：準(zhǔn)備芯片制造所需的原材料，如硅片、氣體、試劑等。芯片制造：在潔凈的廠(chǎng)房中，通過(guò)一系列的化學(xué)和物理工藝，將硅片制作成半導(dǎo)體芯片。芯片封裝：將制造好的芯片進(jìn)行封裝，以保護(hù)其免受外界環(huán)境的影響。測(cè)試與檢測(cè)：對(duì)封裝好的整流橋進(jìn)行電性能測(cè)試、環(huán)境適應(yīng)性測(cè)試等，以確保其性能符合要求。包裝運(yùn)輸：將合格的產(chǎn)品進(jìn)行包裝、標(biāo)識(shí)，然后運(yùn)輸?shù)侥康牡亍？傊?，整流橋的生產(chǎn)工藝流程涉及到多個(gè)環(huán)節(jié)和復(fù)雜的工藝技術(shù)。銷(xiāo)售整流橋GBU610