加密型U盤除了可以對存儲的內容進行加密之外，也可以當作普通U盤使用。大體有兩種類型：一種是硬件加密，如指紋識別加密U盤，這種U盤價格較高，針對特殊部門的用戶，一般來說，采用硬件加密方式的安全性更好；另一種是軟件加密，軟件加密可以在U盤中專門劃分一個隱藏分區(qū)（加密分區(qū)）來存放要加密的文件，也可以不劃分區(qū)只對單個文件加密，沒有密碼就不能打開加密分區(qū)或加密的單個文件，從而起到保密的作用。 啟動型U盤的出現(xiàn)更使人們對這種便攜產品刮目相看。顧名思義，啟動型U盤加入了引導系統(tǒng)的功能，彌補了加密型及無驅型U盤不可啟動系統(tǒng)的缺陷。正是這種產品的出現(xiàn)，加速了軟驅被淘汰的進程。要進行系統(tǒng)引導，U盤必須模擬一種USB外設來實現(xiàn)。即插即用，且其存儲容量遠超過軟盤，極便于攜帶。江蘇正規(guī)U盤品質保障
如現(xiàn)在市場上的可啟動型U盤主要是靠模擬USB_HDD方式來實現(xiàn)系統(tǒng)引導的。通過模擬USB_HDD方式引導系統(tǒng)有一個好處：在系統(tǒng)啟動之后，U盤就被認作一個硬盤，用戶可以限度地使用U盤的空間。這也將U盤大容量的特點體現(xiàn)得十分充分。這種具備多重啟動功能的U盤除了可用于臺式機之外，也可以廣地應用在具備外置USB軟驅的筆記本電腦上，有了這種U盤，筆記本也就可以徹底淘汰掉軟驅甚至光驅了。市場上有啟動型U盤供選購，但比普通的無驅型U盤要貴，用戶其實可以將普通的無驅型U盤制作成啟動型U盤，一般有兩種方法： 從網上下載USboot制作工具，幾分鐘即可制作成功，只是啟動后是純DOS界面。廣西優(yōu)勢U盤品質保障閃存盤才會啟動，而所需的電力也由USB連接供給。
現(xiàn)在的U盤都支持USB2.0標準，然而因為NAND閃存技術上的限制，它們的讀寫速度還無法達到標準所支持的高傳輸速度480Mb/s?？斓拈W存盤已使用了雙通道的控制器，但是比起硬盤，或是USB2.0能提供的大傳輸速率來說，仍然差上一截。高的傳輸速率大約為20~40 MB/s，而一般的文件傳輸速度大約為10 MB/s。 U盤的組成很簡單，主要由外殼+機芯組成。機芯：機芯包括一塊PCB+USB主控芯片+晶振+貼片電阻、電容+USB接口+貼片LED（不是所有的U盤都有）+FLASH（閃存）芯片。
但是2004年12月7日，朗科獲得美國國家專利局正式授權的閃存盤基礎發(fā)明專利，美國專利號US6829672。這一專利權的獲得，終結束了這場爭奪。中國朗科公司才是U盤的全球發(fā)明者。美國時間2006年2月10日，朗科委托美國摩根路易斯律師事務所向美國德克薩斯州東區(qū)聯(lián)邦法院遞交訴狀，控告美國PNY公司侵犯了朗科的美國專利。2008年2月，朗科與PNY達成庭外和解。朗科向PNY簽訂專利許可協(xié)議，PNY向朗科公司繳納專利許可費用1000萬美元。這是中國企業(yè)初次在美國本土收到巨額專利許可費用，也進一步證明了朗科是U盤的全球發(fā)明者。全稱USB閃存驅動器，英文名“ USB flash disk”。
U盤閃存就如同其名字一樣，寫入前刪除數據進行初始化。具體說就是從所有浮動柵中導出電子。即將有所數據歸“1”。寫入時只有數據為0時才進行寫入，數據為1時則什么也不做。寫入0時，向柵電極和漏極施加高電壓，增加在源極和漏極之間傳導的電子能量。這樣一來，電子就會突破氧化膜絕緣體，進入浮動柵。讀取數據時，向柵電極施加一定的電壓，電流大為1，電流小則定為0。浮動柵沒有電子的狀態(tài)（數據為1）下，在柵電極施加電壓的狀態(tài)時向漏極施加電壓，源極和漏極之間由于大量電子的移動，就會產生電流。而在浮動柵有電子的狀態(tài)（數據為0）下，溝道中傳導的電子就會減少。因為施加在柵電極的電壓被浮動柵電子吸收后，很難對溝道產生影響。閃存U盤有許多優(yōu)點：占空間小，通常操作速度較快(USB1.1、2.0、3.0標準)，能存儲較多數據。中國香港推薦的U盤操作
U盤是USB(universal serial bus)盤的簡稱，據諧音也稱“優(yōu)盤”。江蘇正規(guī)U盤品質保障
U盤外殼：按材料分類，有ABS塑料、竹木、金屬、皮套、硅膠、PVC軟件等；按風格分類，有卡片、筆型、迷你、卡通、商務、仿真等；按功能分類，有加密、殺毒、防水、智能等。 計算機把二進制數字信號轉為復合二進制數字信號（加入分配、核對、堆棧等指令），讀寫到USB芯片適配接口，通過芯片處理信號分配給EEPROM存儲芯片的相應地址存儲二進制數據，實現(xiàn)數據的存儲。EEPROM數據存儲器，其控制原理是電壓控制柵晶體管的電壓高低值，柵晶體管的結電容可長時間保存電壓值，斷電后能保存數據的原因主要就是在原有的晶體管上加入了浮動柵和選擇柵。在源極和漏極之間電流單向傳導的半導體上形成貯存電子的浮動柵。浮動柵包裹著一層硅氧化膜絕緣體。它的上面是在源極和漏極之間控制傳輸電流的選擇/控制柵。數據是0或1取決于在硅底板上形成的浮動柵中是否有電子。有電子為0，無電子為1。江蘇正規(guī)U盤品質保障
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