超聲波局部放電波形

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2023-12-05

分布式局部放電監(jiān)測(cè)系統(tǒng)軟件部分包括設(shè)置(軟件設(shè)置)、信號(hào)采集及分析識(shí)別。軟件設(shè)置內(nèi)容包括通訊地址及端口設(shè)置、各通道增益、采樣時(shí)長(zhǎng)、采集脈沖數(shù)、觸發(fā)位置和電平、濾波器種類和截止頻率、同步相位和頻率、存儲(chǔ)路徑等參數(shù)。其中,觸發(fā)電平設(shè)置可保證穩(wěn)定采集局部放電電流脈沖信號(hào),濾波設(shè)置可有效降低現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境噪音對(duì)監(jiān)測(cè)的影響。信號(hào)采集界面顯示放電脈沖波形、PRPD圖譜及脈沖幅值、放電量大小及脈沖數(shù)等參數(shù),軟件支持實(shí)時(shí)分析及存儲(chǔ)數(shù)據(jù)分析功能。分析識(shí)別界面包括放電脈沖波形、脈沖信號(hào)頻譜、PRPD圖譜及時(shí)頻(Time-Frequency,TF)圖譜的分析。GZPD-4D系列分布式局部放電監(jiān)測(cè)與評(píng)價(jià)系統(tǒng)構(gòu)成。超聲波局部放電波形

超聲波局部放電波形,局部放電

?支持脈沖波形、波形頻譜、PRPD圖譜、TF-Map、3-PARD、放電基本參數(shù)(放電幅值、相位、頻次等)實(shí)時(shí)顯示;?采用濾波電路、數(shù)字濾波器、TF-Map篩選、分組篩選四重抗干擾技術(shù);?系統(tǒng)采集軟件及分析軟件一體化設(shè)計(jì),支持一鍵式安裝;?可調(diào)參數(shù)**小化,便于現(xiàn)場(chǎng)快速設(shè)置及采集,自動(dòng)更新參數(shù)后采集及存儲(chǔ)數(shù)據(jù);?具備低通(LPF)、高通(HPF)及帶通(BPF)多種數(shù)字濾波器及帶寬選擇功能;?具備采集數(shù)據(jù)自動(dòng)保存、信號(hào)回放、趨勢(shì)分析、歷史數(shù)據(jù)查詢等功能;?采用分布式組網(wǎng)技術(shù),支持32個(gè)數(shù)據(jù)采集點(diǎn)同步開(kāi)展監(jiān)測(cè)(可根據(jù)需求擴(kuò)展),可完成15km的高壓電纜耐壓試驗(yàn)時(shí)的局放監(jiān)測(cè);?采用高可靠性、高安全性云服務(wù)器(ECS),支持高網(wǎng)絡(luò)包收發(fā)、海量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)及多客戶端訪問(wèn),技術(shù)人員和**可隨時(shí)提供技術(shù)支持,分布式組網(wǎng)及IP、指令、數(shù)據(jù)傳輸;(如下頁(yè)圖4所示)低壓局部放電在線監(jiān)測(cè)安裝杭州國(guó)洲電力科技有限公司局部放電聯(lián)系方式?

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根據(jù)上述結(jié)果不難看出,3#、6#、9#檢測(cè)單元測(cè)得超聲波信號(hào)幅值分別為0.212mV、0.152mV、0.117mV,其中在3#位置測(cè)得的信號(hào)強(qiáng)度比較大,其次為6#和9#位置。此外,從時(shí)間軸上看,也是3#位置較早出現(xiàn)信號(hào),其次為6#和9#位置,故無(wú)論是根據(jù)信號(hào)強(qiáng)度還是傳播時(shí)差,均可判斷放電發(fā)生在3#位置的左側(cè)。7#位置在另一個(gè)氣室,由于期間的盆式絕緣子會(huì)對(duì)超聲波信號(hào)造成較大的衰減,故基本檢測(cè)不到明顯的信號(hào),進(jìn)一步證明放電應(yīng)發(fā)生在3#位置的左側(cè)。

3、懸浮放電例如靜電屏蔽和其它浮動(dòng)部件。由松動(dòng)或浮動(dòng)部件產(chǎn)生的放電可能性很大,通常易于檢測(cè),放電趨向于反復(fù),其放電電荷在nC到gC間轉(zhuǎn)變。4、氣隙放電絕緣子制造時(shí)造成的內(nèi)部空隙和實(shí)驗(yàn)閃絡(luò)引起的表面痕跡,還包括或是因電極的表面粗糙或是來(lái)自制造時(shí)嵌入的金屬微粒。此外因環(huán)氧樹(shù)脂與金屬電極的收縮系數(shù)不同,也會(huì)形成氣泡或空隙。這些GIS的絕緣缺陷類型極有可能會(huì)在GIS中產(chǎn)生局部放電,在絕緣體中的局部放電甚至?xí)g絕緣材料,進(jìn)一步發(fā)展成為樹(shù)枝,并***導(dǎo)致絕緣擊穿。5、盆式絕緣子沿面放電當(dāng)GIS長(zhǎng)期運(yùn)行中在盆式絕緣子的表面難免會(huì)沉積一些塵埃,會(huì)改變盆式絕緣子的電場(chǎng)分布,從而在物體表面產(chǎn)生爬電(污閃)現(xiàn)象;而長(zhǎng)時(shí)間的污閃會(huì)加速盆式絕緣子的老化。杭州國(guó)洲電力科技有限公司局部放電監(jiān)測(cè)銷(xiāo)售電話?

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2.11Q/GDW11304.5電力設(shè)備帶電檢測(cè)儀器技術(shù)規(guī)范第5部分:高頻法局部放電帶電檢測(cè)儀;2.12Q/GDW11304.8電力設(shè)備帶電檢測(cè)儀器技術(shù)規(guī)范第8部分:特高頻法局部放電帶電檢測(cè)儀;2.13Q/GDW11304.9電力設(shè)備帶電檢測(cè)儀器技術(shù)規(guī)范第9部分:超聲法局部放電帶電檢測(cè)儀;2.14Q/GDW11304.16電力設(shè)備帶電檢測(cè)儀器技術(shù)規(guī)范第16部分:暫態(tài)地電壓法帶電檢測(cè)儀;2.15Q/CSG11401氣體絕緣金屬封閉開(kāi)關(guān)設(shè)備(GIS)局部放電特高頻檢測(cè)技術(shù)規(guī)范;2.16Q/CSG201010kV~35kV高壓開(kāi)關(guān)柜局部放電帶電測(cè)試裝置技術(shù)規(guī)范;2.17Q/CSG11006數(shù)字化變電站技術(shù)規(guī)范;2.18Q/CSG10010輸變電設(shè)備狀態(tài)診斷標(biāo)準(zhǔn);2.19IEC60270High-voltagetesttechniques–Partialdischargemeasurements;2.20IEC62478High-voltagetesttechniques–MeasurementofPDbyUHFandAEmethods;2.21IEEEGuidefortheDetectionandLocationofAcousticEmissionsformPDinOil-ImmersedPowerTransformersandReactors;2.22CIGREWorkingGroupD1.27Guidelinesforpartialdischargedetectionusingconventional(IEC60270)andunconventionalmethods。局部放電有哪些危害?超高頻局部放電技術(shù)方案

GZPD-2300系列分布式GIS耐壓同步局部放電監(jiān)測(cè)與定位系統(tǒng)。超聲波局部放電波形

圖1:通道完好性自檢示意圖(射頻開(kāi)關(guān)單元和信號(hào)處理單元二合一,與傳感器單元無(wú)線連接)①檢測(cè)通道完好性的自檢:通過(guò)依次向各檢測(cè)通道(含噪聲檢測(cè)通道)發(fā)出特高頻信號(hào)注入GIS/GIL內(nèi)部,并檢查相鄰的其他檢測(cè)通道是否正常接收到該信號(hào),自動(dòng)完成對(duì)所有檢測(cè)通道是否正常工作的檢驗(yàn);②具有自檢功能的校驗(yàn):遠(yuǎn)程控制本系統(tǒng)主機(jī)內(nèi)置的校驗(yàn)信號(hào)源,通過(guò)指定的檢測(cè)通道向被檢測(cè)的GIS/GIL內(nèi)部注入等效放電脈沖,本系統(tǒng)相鄰的檢測(cè)通道能有效地檢測(cè)到注入的信號(hào)。超聲波局部放電波形