光催化材料,一般是指某類半導(dǎo)體材料。它們在吸收太陽光或照明光源中的能量后,能夠以其他的形式將能量釋放,形成具有強(qiáng)氧化性或強(qiáng)還原性的自由基,把空氣或水中游離的有害物質(zhì)及有機(jī)物分解成無害的二氧化碳和水。光催化材料可以促進(jìn)化學(xué)反應(yīng),具有催化的功能,而本身在光的照射下自身不起變化。環(huán)境污染和能源短缺是目前人類面臨的挑戰(zhàn),可見光催化既可以直接利用低密度的太陽光降解和礦化水和空氣中的各種污染物,又可以將低密度的太陽光能轉(zhuǎn)化為高密度的化學(xué)能、電能,光催化在環(huán)境凈化和新能源開發(fā)方面具有巨大的潛力。光催化氙燈光源是常用的實(shí)驗(yàn)設(shè)備。四川高穩(wěn)定性光催化金鹵燈
光催化濾波片具有什么產(chǎn)品特點(diǎn)?基材選取耐高溫石英光學(xué)玻璃基材,鋼化光學(xué)玻璃基材等進(jìn)口鍍膜設(shè)備制造,波長溫度漂移小截止高,高透過耐用的硬質(zhì)膜層耐高溫,用于光催化光源,氙燈光源,太陽模擬光源等。氙燈光源能源由于是借助光的能量促使水分子分解反應(yīng),因此后來將這一現(xiàn)象中的氧化鈦稱作光觸媒。這種現(xiàn)象相當(dāng)于將光能轉(zhuǎn)變?yōu)榛瘜W(xué)能,以當(dāng)時(shí)正值石油危機(jī)的背景,世人對尋找新能源的期待甚為殷切,因此這一技術(shù)作為從水中提取氫的劃時(shí)代方法受到了矚目,但由于很難在短時(shí)間內(nèi)提取大量的氫氣,所以利用于新能源的開發(fā)終究無法實(shí)現(xiàn),因此在轟動(dòng)一時(shí)后迅速降溫。高均勻性光催化太陽光模擬項(xiàng)目光催化氙燈光源采用分體式電源和燈箱。
光催化氙燈光源是一種利用氙氣放電發(fā)光的電光源。由于燈中的放電材料是惰性氣體氙氣,因此激發(fā)電位和電離電位之間的差異很小。氙燈輻射光譜的能量分布接近太陽光,色溫約為6000K。連續(xù)光譜部分的氙燈光譜分布幾乎與燈光輸入功率的變化無關(guān),光譜能量的分布在使用壽命期間幾乎不變。由于氙燈光源的特殊性,其目前的應(yīng)用領(lǐng)域主要集中在實(shí)驗(yàn)設(shè)備上。例如,各種光催化實(shí)驗(yàn)都離不開氙燈作為光源的使用;還有一個(gè)模擬太陽能可見光的加速實(shí)驗(yàn),加速實(shí)驗(yàn)?zāi)M太陽紫外光等,都需要用氙燈作為光源??茖W(xué)實(shí)驗(yàn)設(shè)備似乎離不開這種氙燈發(fā)出的光源。
光催化的應(yīng)用:光催化水分解法將水轉(zhuǎn)化為氫氣?;剂系氖褂谜谝鸫罅康目諝馕廴疚?,例如氮氧化物、硫氧化物和碳氧化物。因此,使用陽光作為可再生能源變得越來越有趣。為了繼續(xù)探索光催化氫的生產(chǎn)效率,研究普遍的二氧化鈦(TiO2)的光催化氫生產(chǎn)效率受到限制,并進(jìn)一步負(fù)載了不同量的氧化鎳(NiO)。根據(jù)獲得的結(jié)果,可以排除添加NiO導(dǎo)致顯著利用光譜的可見部分的可能性。在紫外線范圍內(nèi)的有效光催化劑是基于摻雜有La并負(fù)載有助催化劑氧化鎳的鉭酸鈉(NaTaO3)。鉭鉭酸鈉晶體的表面開有所謂的納米臺階,這是摻雜鑭的結(jié)果。邊緣上存在促進(jìn)氫氣逸出的NiO顆粒,氧氣從凹槽中逸出。光催化氙燈光源具有過熱保護(hù)功能。
光催化氙燈光源的發(fā)光原理:光催化氙燈光源是在石英管內(nèi),以多種化學(xué)氣體充填,其中大部份為氙氣(Xenon)與碘化物等惰性氣體,然后再透過增壓器(Ballast)將車上12伏特的直流電壓瞬間增壓至23000伏特的電流,經(jīng)過高壓震幅激發(fā)石英管內(nèi)的氙氣電子游離,在兩電極之間產(chǎn)生光源,這就是所謂的氣體放電。一般光催化鹵素?zé)舻亩喟l(fā)出1000LM度,而在光催化氙燈則是3200LM度,對于經(jīng)常晚上開車的人來說,安全系數(shù)有效的提高,疲勞度也有效的下降!鹵素?zé)粢话憔褪?0W-100W的功率,而氙燈則是35W,使用更節(jié)能。光催化,也稱光觸媒,是光+ 催化劑的合成詞。浙江高密度光催化金鹵燈
相應(yīng)于熱化學(xué),光催化有機(jī)合成反應(yīng)的特點(diǎn)有哪些?四川高穩(wěn)定性光催化金鹵燈
光催化是光化學(xué)和催化科學(xué)的交叉點(diǎn),一般是指在催化劑參與下的光化學(xué)反應(yīng)。半導(dǎo)體材料之所以具有光催化特性,是由它的能帶結(jié)構(gòu)所決定。半導(dǎo)體的晶粒內(nèi)含有能帶結(jié)構(gòu),其能帶結(jié)構(gòu)通常由一個(gè)充滿電子的低能價(jià)帶(valent-band,VB)和一個(gè)空的高能導(dǎo)帶(conductionband,CB)構(gòu)成,價(jià)帶和導(dǎo)帶之間由禁帶分開,該區(qū)域的大小稱為禁帶寬度,其能差為帶隙能,半導(dǎo)體的帶隙能一般為0.2~3.0eV。當(dāng)用能量等于或大于帶隙能的光照射催化劑時(shí),價(jià)帶上的電子被激發(fā),越過禁帶進(jìn)入導(dǎo)帶,同時(shí)在價(jià)帶上產(chǎn)生相應(yīng)的空穴,即生成電子/空穴對。由于半導(dǎo)體能帶的不連續(xù)性,電子和空穴的壽命較長,在電場作用下或通過擴(kuò)散的方式運(yùn)動(dòng),與吸附在催化劑粒子表面上的物質(zhì)發(fā)生氧化還原反應(yīng),或者被表面晶格缺陷俘獲??昭ê碗娮釉诖呋瘎﹥?nèi)部或表面也可能直接復(fù)合。四川高穩(wěn)定性光催化金鹵燈
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