四川高密度光催化活性評價系統(tǒng)

光催化的作用和特性是什么？光催化的作用：抗細菌性:殺滅大腸桿菌、金黃色葡萄球菌、肺炎克雷伯氏菌、綠膿桿菌、病毒等?？諝鈨艋?分解空氣中有機化合物及有毒物質(zhì):苯、甲醛、氨、TVOC等。除臭:去除垃圾臭、生活臭等惡臭。防霉防藻:防止發(fā)霉、防止藻類的產(chǎn)生,防止水垢的附著。防污自潔:分解油污、自清潔。光催化的特性：安全性：作為食品藥品添加劑，經(jīng)過美國FDA認證，使用非常安全。持久性：由于光觸媒只是提供了反應的場所，它本身并不參與化學反應，所以它的作用效果是持久的。光源的選擇對光催化太陽模擬器的設(shè)計起到關(guān)鍵的作用。四川高密度光催化活性評價系統(tǒng)

什么是光催化作用？光催化是在一定波長光照條件下，半導體材料發(fā)生光生載流子的分離，然后光生電子和空穴在與離子或分子結(jié)合生成具有氧化性或還原性的活性自由基，這種活性自由基能將有機物大分子降解為二氧化碳或其他小分子有機物以及水，在反應過程中這種半導體材料也就是光催化劑本身不發(fā)生變化。這種半導體光催化劑在光催化反應過程中起的作用就是光催化作用。上?？ň悄芸萍加邢薰臼?014年由經(jīng)驗豐富的留美技術(shù)團隊創(chuàng)立的，公司專注于太陽光模擬設(shè)備系統(tǒng)及其他特種光源系統(tǒng)的研發(fā)，生產(chǎn)和銷售。公司擁有從光源、鎮(zhèn)流器、套燈，控制軟件，到光學系統(tǒng)設(shè)計、再到安裝調(diào)試測試等整套的、自主國產(chǎn)化的太陽光模擬系統(tǒng)解決方案。福建氫能源光催化led燈光催化氙燈光源是一種通過氙氣放電發(fā)光的電光源。

光催化氙燈光源具有哪些特點？應用領(lǐng)域有哪些？特點：1.采用專業(yè)進口電源，紋波更低、更加穩(wěn)定可靠，有效延長光源使用壽命；2.非金屬燈箱，程度避免實驗室電氣使用安全風險；3.結(jié)構(gòu)緊湊，體積小，對實驗空間的需求減小；4.軸向吸風式散熱結(jié)構(gòu)，保證燈箱的有效散熱。應用領(lǐng)域：1.光催化分解水制氫/氧光催化全分解水光催化CO2還原；2.光降解氣體污染物(如VOCs、甲醛、氮氧化物、硫氧化物等)；3.光降解液體污染物(如染料、苯及苯系物等。

光催化技術(shù)是一項高效清潔、環(huán)保節(jié)能的一項污染處理技術(shù)。其基本原理是當能量大于半導體光催化劑禁帶寬度的光照射時，進入半導體氧化物層的光導致電子從價帶(VB)向?qū)?CB)移動，電子躍遷到導帶，形成導帶電子，同時在價帶產(chǎn)生空穴，在半導體氧化物的表面形成高活性的電子－空穴對。激發(fā)電子與氧分子反應形成超氧陰離子，·O2－與H+迅速反應，然后產(chǎn)生羥基自由基，空穴可以使附著在催化劑表面的氫氧根和水分生成高活性的羥基自由基。羥基自由基的氧化電位極高，所以氧化能力極強，與廢水中污染物快速發(fā)生鏈式化學反應，降解和轉(zhuǎn)化污染物為無害物質(zhì)。光催化反應，就是在光的作用下進行的化學反應。

光催化太陽模擬器的特點：光催化太陽模擬器是一種模擬太陽光照射的設(shè)備，符合IEC60904-9，JIS8904-9和ASTME927-10。關(guān)于光譜匹配度，輻射空間均勻性和時間不穩(wěn)定性的要求。LED光路與溫控技術(shù)，設(shè)備運行穩(wěn)定可靠。采用進口大功率LED芯片，配備創(chuàng)新研發(fā)的光學組件，輻照穩(wěn)定，壽命更長。單獨光譜控制，在350nm～1150nm光譜范圍內(nèi)，根據(jù)IEC60904-9標準分為6個光譜段，每個光譜段均可單獨調(diào)節(jié)控制。可適應各種規(guī)格的太陽能電池測試需求。7寸LCD觸摸屏控制，圖形化界面操作，操作快捷方便。具有10000小時的LED壽命，不再需要更換昂貴且危險的燈泡。光催化濾光片是一種衰減光強度、改變光譜組成或限定振動面的光學零件。福建氫能源光催化led燈

光催化氧化可在室溫下將水、空氣和土壤中有機污染物完全氧化成無毒無害的物質(zhì)。四川高密度光催化活性評價系統(tǒng)

光催化是光化學和催化科學的交叉點，一般是指在催化劑參與下的光化學反應。半導體材料之所以具有光催化特性，是由它的能帶結(jié)構(gòu)所決定。半導體的晶粒內(nèi)含有能帶結(jié)構(gòu)，其能帶結(jié)構(gòu)通常由一個充滿電子的低能價帶（valent-band，VB）和一個空的高能導帶（conductionband，CB）構(gòu)成，價帶和導帶之間由禁帶分開，該區(qū)域的大小稱為禁帶寬度，其能差為帶隙能，半導體的帶隙能一般為0.2~3.0eV。當用能量等于或大于帶隙能的光照射催化劑時，價帶上的電子被激發(fā)，越過禁帶進入導帶，同時在價帶上產(chǎn)生相應的空穴，即生成電子/空穴對。由于半導體能帶的不連續(xù)性，電子和空穴的壽命較長，在電場作用下或通過擴散的方式運動，與吸附在催化劑粒子表面上的物質(zhì)發(fā)生氧化還原反應，或者被表面晶格缺陷俘獲?？昭ê碗娮釉诖呋瘎﹥?nèi)部或表面也可能直接復合。四川高密度光催化活性評價系統(tǒng)