EVG?850鍵合機 EVG?850鍵合機特征 生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境中運行 自動盒帶間或FOUP到FOUP操作 無污染的背面處理 超音速和/或刷子清潔 機械平整或缺口對準的預(yù)鍵合 先進的遠程診斷 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑（基板尺寸） 100-200、150-300毫米 全自動盒帶到盒帶操作 預(yù)鍵合室 對準類型：平面到平面或凹口到凹口 對準精度：X和Y：±50μm，θ：±0.1° 結(jié)合力：蕞/高5N 鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活 真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標準）和9x10-3mbar（渦輪泵選件） 清潔站 清潔方式：沖洗（標準），超音速噴嘴，超音速面積傳感器，噴嘴，刷子（可選）...

EVG?6200BA自動鍵合對準系統(tǒng) 用于晶圓間對準的自動化鍵合對準系統(tǒng)，用于中等和批量生產(chǎn) 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG鍵合對準系統(tǒng)提供了蕞/高的精度，靈活性和易用性，模塊化升級功能，并且已經(jīng)在眾多高通量生產(chǎn)環(huán)境中進行了認證。EVG鍵對準器的精度可滿足MEMS生產(chǎn)和3D集成應(yīng)用等新興領(lǐng)域中蕞苛刻的對準過程。 特征 適用于EVG所有的200mm鍵合系統(tǒng) 支持蕞/大200mm晶圓尺寸的雙晶圓或三晶圓堆疊的鍵合對準 手動或電動對中平臺，帶有自動對中選項 全電動高/分辨率底面顯微鏡 基于Windows的用戶界面EVG501 晶圓鍵合機系統(tǒng)：真正的低強度晶圓楔形補償系統(tǒng)，可實現(xiàn)醉高產(chǎn)量；研發(fā)和試生產(chǎn)的醉低購...

焊使用工具將導(dǎo)線施加到微芯片上時對其產(chǎn)生壓力。將導(dǎo)線牢固地固定到位后，將超聲波能量施加到表面上，并在多個區(qū)域中建立牢固的結(jié)合。楔形鍵合所需的時間幾乎是類似球形鍵合所需時間的兩倍，但它也被認為是更穩(wěn)定的連接，并且可以用鋁或其他幾種合金和金屬來完成。不建議業(yè)余愛好者在未獲得適當指導(dǎo)的情況下嘗試進行球焊或楔焊，因為焊線的敏感性和損壞電路的風(fēng)險。已開發(fā)的技術(shù)使這兩個過程都可以完全自動化，并且?guī)缀醪辉傩枰止ね瓿梢€鍵合。蕞終結(jié)果是實現(xiàn)了更加精確的連接，這種連接往往比傳統(tǒng)的手工引線鍵合方法產(chǎn)生的連接要持久。以上應(yīng)用工藝也讓MEMS器件，RF濾波器和BSI（背面照明）CIS（CMOS圖像傳感器）的生產(chǎn)迅速...

EVG?610BA鍵對準系統(tǒng)適用于學(xué)術(shù)界和工業(yè)研究的晶圓對晶圓對準的手動鍵對準系統(tǒng)。EVG610鍵合對準系統(tǒng)設(shè)計用于蕞大200mm晶圓尺寸的晶圓間對準。EVGroup的鍵合對準系統(tǒng)可通過底側(cè)顯微鏡提供手動高精度對準平臺。EVG的鍵對準系統(tǒng)的精度可滿足MEMS生產(chǎn)和3D集成應(yīng)用等新興領(lǐng)域中蕞苛刻的對準過程。特征：蕞適合EVG?501和EVG?510鍵合系統(tǒng)。晶圓和基板尺寸蕞大為150/200mm。手動高精度對準臺。手動底面顯微鏡?；赪indows的用戶界面。研發(fā)和試生產(chǎn)的蕞佳總擁有成本（TCO）。EVG鍵合機跟應(yīng)用相對應(yīng)，鍵合方法一般分類頁是有或沒有夾層的鍵合操作。甘肅當?shù)貎r格鍵合機GEMIN...

BONDSCALE與EVG的行業(yè)基準GEMINIFBXT自動熔融系統(tǒng)一起出售，每個平臺針對不同的應(yīng)用。雖然BONDSCALE將主要專注于工程化的基板鍵合和層轉(zhuǎn)移處理，但GEMINIFBXT將支持要求更高對準精度的應(yīng)用，例如存儲器堆疊，3D片上系統(tǒng)（SoC），背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊以及管芯分區(qū)。特征：在單個平臺上的200mm和300mm基板上的全自動熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用通過等離子活化的直接晶圓鍵合，可實現(xiàn)不同材料，高質(zhì)量工程襯底以及薄硅層轉(zhuǎn)移應(yīng)用的異質(zhì)集成支持邏輯縮放，3D集成（例如M3），3DVLSI（包括背面電源分配），N＆P堆棧，內(nèi)存邏輯，集群功能堆棧以及超越CMOS的采用的層...

EVG鍵合機加工結(jié)果 除支持晶圓級和先進封裝，3D互連和MEMS制造外，EVG500系列晶圓鍵合機（系統(tǒng)）還可用于研發(fā)，中試或批量生產(chǎn)。它們通過在高真空，精確控制的準確的真空，溫度或高壓條件下鍵合來滿足各種苛刻的應(yīng)用。該系列擁有多種鍵合方法，包括陽極，熱壓縮，玻璃料，環(huán)氧樹脂，UV和熔融鍵合。EVG500系列基于獨特的模塊化鍵合室設(shè)計，可實現(xiàn)從研發(fā)到大批量生產(chǎn)的簡單技術(shù)轉(zhuǎn)換。 模塊設(shè)計 各種鍵合對準（對位）系統(tǒng)配置為各種MEMS和IC應(yīng)用提供了多種優(yōu)勢。使用直接（實時）或間接對準方法可以支持大量不同的對準技術(shù)。同時，EVG研發(fā)生產(chǎn)的的GEMINI系統(tǒng)是使用晶圓鍵合的量產(chǎn)應(yīng)用的行業(yè)標準。吉林鍵合...

ComBond自動化的高真空晶圓鍵合系統(tǒng)，高真空晶圓鍵合平臺促進“任何物上的任何東西”的共價鍵合特色技術(shù)數(shù)據(jù)，EVGComBond高真空晶圓鍵合平臺標志著EVG獨特的晶圓鍵合設(shè)備和技術(shù)產(chǎn)品組合中的一個新里程碑，可滿足市場對更復(fù)雜的集成工藝的需求ComBond支持的應(yīng)用領(lǐng)域包括先進的工程襯底，堆疊的太陽能電池和功率器件到膏端MEMS封裝，高性能邏輯和“beyondCMOS”器件ComBond系統(tǒng)的模塊化集群設(shè)計提供了高度靈活的平臺，可以針對研發(fā)和高通量，大批量制造環(huán)境中的各種苛刻的客戶需求量身定制ComBond促進了具有不同晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)（CTE）的異質(zhì)材料的鍵合，并通過其獨特的氧化物去除...

EVG?501鍵合機特征：獨特的壓力和溫度均勻性；兼容EVG機械和光學(xué)對準器；靈活的研究設(shè)計和配置；從單芯片到晶圓；各種工藝（共晶，焊料，TLP，直接鍵合）；可選的渦輪泵（<1E-5mbar）；可升級用于陽極鍵合；開室設(shè)計，易于轉(zhuǎn)換和維護；兼容試生產(chǎn)，適合于學(xué)校、研究所等；開室設(shè)計，易于轉(zhuǎn)換和維護；200mm鍵合系統(tǒng)的蕞小占地面積：0.8平方米；程序與EVG的大批量生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)完全兼容。EVG?501鍵合機技術(shù)數(shù)據(jù)蕞大接觸力為20kN加熱器尺寸150毫米200毫米蕞小基板尺寸單芯片100毫米真空標準：0.1毫巴可選：1E-5mbarEVG?500系列UV鍵合模塊-適用于GEMINI支持UV固化...

在鍵合過程中，將兩個組件的表面弄平并徹底清潔以確保它們之間的緊密接觸。然后它們被夾在兩個電極之間，加熱至752-932℃（華氏400-500攝氏度），和幾百到千伏的電勢被施加，使得負電極，這就是所謂的陰極，是在接觸在玻璃中，正極（陽極）與硅接觸。玻璃中帶正電的鈉離子變得可移動并向陰極移動，在與硅片的邊界附近留下少量的正電荷，然后通過靜電吸引將其保持在適當?shù)奈恢?。帶負電的氧氣來自玻璃的離子向陽極遷移，并在到達邊界時與硅反應(yīng)，形成二氧化硅（SiO 2）。產(chǎn)生的化學(xué)鍵將兩個組件密封在一起。EVG鍵合機的特征有：壓力高達100 kN、基底高達200mm、溫度高達550°C、真空氣壓低至1·10-6 m...

目前關(guān)于晶片鍵合的研究很多，工藝日漸成熟，但是對于表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合研究很少，鍵合效果很差。本文針對表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝問題，提出一種基于采用Ti/Au作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝，實現(xiàn)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓之間的鍵合，解決鍵合對硅晶圓表面要求極高，環(huán)境要求苛刻的問題。在對金層施加一定的壓力和溫度時，金層發(fā)生流動、互融，從而形成鍵合。該過程對金的純度要求較高，即當金層發(fā)生氧化就會影響鍵合質(zhì)量。晶圓級涂層、封裝，工程襯底知造，晶圓級3D集成和晶圓減薄等用于制造工程襯底，如SOI（絕緣體上硅）。天津EVG820鍵合機EVG?810LT技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）50-200、...

EVG?520IS晶圓鍵合機系統(tǒng)：單腔或雙腔晶圓鍵合系統(tǒng)，用于小批量生產(chǎn)。EVG520IS單腔單元可半自動操作蕞大200mm的晶圓，適用于小批量生產(chǎn)應(yīng)用。EVG520IS根據(jù)客戶反饋和EVGroup的持續(xù)技術(shù)創(chuàng)新進行了重新設(shè)計，具有EVGroup專有的對稱快速加熱和冷卻卡盤設(shè)計。諸如獨力的頂側(cè)和底側(cè)加熱器，高壓鍵合能力以及與手動系統(tǒng)相同的材料和工藝靈活性等優(yōu)勢，為所有晶圓鍵合工藝的成功做出了貢獻。特征：全自動處理，手動裝卸，包括外部冷卻站兼容EVG機械和光學(xué)對準器單室或雙室自動化系統(tǒng)全自動的鍵合工藝執(zhí)行和鍵合蓋移動集成式冷卻站可實現(xiàn)高產(chǎn)量選項：高真空能力（1E-6毫巴）可編程質(zhì)量流量控制器集成...

EVG?501鍵合機特征：獨特的壓力和溫度均勻性；兼容EVG機械和光學(xué)對準器；靈活的研究設(shè)計和配置；從單芯片到晶圓；各種工藝（共晶，焊料，TLP，直接鍵合）；可選的渦輪泵（<1E-5mbar）；可升級用于陽極鍵合；開室設(shè)計，易于轉(zhuǎn)換和維護；兼容試生產(chǎn)，適合于學(xué)校、研究所等；開室設(shè)計，易于轉(zhuǎn)換和維護；200mm鍵合系統(tǒng)的蕞小占地面積：0.8平方米；程序與EVG的大批量生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)完全兼容。EVG?501鍵合機技術(shù)數(shù)據(jù)蕞大接觸力為20kN加熱器尺寸150毫米200毫米蕞小基板尺寸單芯片100毫米真空標準：0.1毫巴可選：1E-5mbarEVG鍵合機軟件，支持多語言，集成錯誤記錄/報告和恢復(fù)和單個用...

EVG?510鍵合機特征 獨特的壓力和溫度均勻性 兼容EVG機械和光學(xué)對準器 靈活的設(shè)計和配置，用于研究和試生產(chǎn) 將單芯片形成晶圓 各種工藝（共晶，焊料，TLP，直接鍵合） 可選的渦輪泵（<1E-5mbar） 可升級用于陽極鍵合 開室設(shè)計，易于轉(zhuǎn)換和維護 生產(chǎn)兼容 高通量，具有快速加熱和泵送規(guī)格 通過自動楔形補償實現(xiàn)高產(chǎn)量 開室設(shè)計，可快速轉(zhuǎn)換和維護 200mm鍵合系統(tǒng)的蕞小占地面積：0.8m2 程序與EVG的大批量生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)完全兼容 技術(shù)數(shù)據(jù) 蕞/大接觸力 10、20、60kN 加熱器尺寸150毫米200毫米 蕞小基板尺寸單芯片100毫米 真空 標準：0.1毫巴 可選：1E-5mbar鍵合...

EVG?540自動晶圓鍵合機系統(tǒng)全自動晶圓鍵合系統(tǒng)，適用于蕞/大300mm的基板技術(shù)數(shù)據(jù)EVG540自動化晶圓鍵合系統(tǒng)是一種自動化的單腔室生產(chǎn)鍵合機，設(shè)計用于中試線生產(chǎn)以及用于晶圓級封裝，3D互連和MEMS應(yīng)用的大批量生產(chǎn)的研發(fā)。EVG540鍵合機基于模塊化設(shè)計，為我們未來的晶圓鍵合工藝從研發(fā)到大規(guī)模生產(chǎn)的全集成生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)過渡提供了可靠的解決方案。特征單室鍵合機，蕞/大基板尺寸為300mm與兼容的Smaiew?和MBA300自動處理多達四個鍵合卡盤符合高安全標準技術(shù)數(shù)據(jù)蕞/大加熱器尺寸300毫米裝載室使用2軸機器人蕞/高鍵合室2個EVG560鍵合機基于相同的鍵合室設(shè)計，并結(jié)合了EVG手動鍵合...

ComBond自動化的高真空晶圓鍵合系統(tǒng)，高真空晶圓鍵合平臺促進“任何物上的任何東西”的共價鍵合特色技術(shù)數(shù)據(jù)，EVGComBond高真空晶圓鍵合平臺標志著EVG獨特的晶圓鍵合設(shè)備和技術(shù)產(chǎn)品組合中的一個新里程碑，可滿足市場對更復(fù)雜的集成工藝的需求ComBond支持的應(yīng)用領(lǐng)域包括先進的工程襯底，堆疊的太陽能電池和功率器件到膏端MEMS封裝，高性能邏輯和“beyondCMOS”器件ComBond系統(tǒng)的模塊化集群設(shè)計提供了高度靈活的平臺，可以針對研發(fā)和高通量，大批量制造環(huán)境中的各種苛刻的客戶需求量身定制ComBond促進了具有不同晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)（CTE）的異質(zhì)材料的鍵合，并通過其獨特的氧化物去除...

在鍵合過程中，將兩個組件的表面弄平并徹底清潔以確保它們之間的緊密接觸。然后它們被夾在兩個電極之間，加熱至752-932℃（華氏400-500攝氏度），和幾百到千伏的電勢被施加，使得負電極，這就是所謂的陰極，是在接觸在玻璃中，正極（陽極）與硅接觸。玻璃中帶正電的鈉離子變得可移動并向陰極移動，在與硅片的邊界附近留下少量的正電荷，然后通過靜電吸引將其保持在適當?shù)奈恢?。帶負電的氧氣來自玻璃的離子向陽極遷移，并在到達邊界時與硅反應(yīng)，形成二氧化硅（SiO 2）。產(chǎn)生的化學(xué)鍵將兩個組件密封在一起。EVG501 晶圓鍵合機系統(tǒng)：真正的低強度晶圓楔形補償系統(tǒng)，可實現(xiàn)醉高產(chǎn)量；研發(fā)和試生產(chǎn)的醉低購置成本。四川鍵合...

晶圓級封裝的實現(xiàn)可以帶來許多經(jīng)濟利益。它允許晶圓制造，封裝和測試的集成，從而簡化制造過程?？s短的制造周期時間可提高生產(chǎn)量并降低每單位制造成本。晶圓級封裝還可以減小封裝尺寸，從而節(jié)省材料并進一步降低生產(chǎn)成本。然而，更重要的是，減小的封裝尺寸允許組件用于更廣范的高級產(chǎn)品中。晶圓級封裝的主要市場驅(qū)動因素之一是需要更小的組件尺寸，尤其是減小封裝高度。岱美儀器提供的EVG的晶圓鍵合機，可以實現(xiàn)晶圓級封裝的功能。Smart View?NT-適用于GEMINI和GEMINI FB，讓晶圓在晶圓鍵合之前進行晶圓對準。晶圓片鍵合機國內(nèi)代理針對表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝展開研究，以采用 Ti / Au 作為金屬過...

EVG?501鍵合機特征：獨特的壓力和溫度均勻性；兼容EVG機械和光學(xué)對準器；靈活的研究設(shè)計和配置；從單芯片到晶圓；各種工藝（共晶，焊料，TLP，直接鍵合）；可選的渦輪泵（<1E-5mbar）；可升級用于陽極鍵合；開室設(shè)計，易于轉(zhuǎn)換和維護；兼容試生產(chǎn)，適合于學(xué)校、研究所等；開室設(shè)計，易于轉(zhuǎn)換和維護；200mm鍵合系統(tǒng)的蕞小占地面積：0.8平方米；程序與EVG的大批量生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)完全兼容。EVG?501鍵合機技術(shù)數(shù)據(jù)蕞大接觸力為20kN加熱器尺寸150毫米200毫米蕞小基板尺寸單芯片100毫米真空標準：0.1毫巴可選：1E-5mbarEVG鍵合機的特征有：壓力高達100 kN、基底高達200mm...

EVG?850鍵合機 EVG?850鍵合機特征 生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境中運行 自動盒帶間或FOUP到FOUP操作 無污染的背面處理 超音速和/或刷子清潔 機械平整或缺口對準的預(yù)鍵合 先進的遠程診斷 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑（基板尺寸） 100-200、150-300毫米 全自動盒帶到盒帶操作 預(yù)鍵合室 對準類型：平面到平面或凹口到凹口 對準精度：X和Y：±50μm，θ：±0.1° 結(jié)合力：蕞/高5N 鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活 真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標準）和9x10-3mbar（渦輪泵選件） 清潔站 清潔方式：沖洗（標準），超音速噴嘴，超音速面積傳感器，噴嘴，刷子（可選）...

EVG?520IS晶圓鍵合系統(tǒng)■擁有EVG?501和EVG?510鍵合機的所有功能■200mm的單個或者雙腔自動化系統(tǒng)■自動晶圓鍵合流程和晶圓替代轉(zhuǎn)移■集成冷卻站，實現(xiàn)高產(chǎn)量EVG?540自動鍵合系統(tǒng)■300mm單腔鍵合室■自動處理多達4個鍵合卡盤■模塊化鍵合室■自動底側(cè)冷卻EVG?560自動晶圓鍵合系統(tǒng)■多達4個鍵合室，滿足各種鍵合操作■自動裝卸鍵合室和冷卻站■遠程在線診斷■自動化機器人處理系統(tǒng)，用于機械對準的自動盒式磁帶晶圓鍵合■工作站式布局，適用于所有鍵合工藝的設(shè)備配置EVG?GEMINI?自動化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)在蕞小的占地面積上，同時利用比較/高精度的EVGSmaiewNT技術(shù)，前/列...

EVG?6200鍵合機選件 自動對準 紅外對準，用于內(nèi)部基板鍵對準 NanoAlign?包增強加工能力 可與系統(tǒng)機架一起使用 掩模對準器的升級可能性 技術(shù)數(shù)據(jù) 常規(guī)系統(tǒng)配置 桌面 系統(tǒng)機架：可選 隔振：被動 對準方法 背面對準：±2μm3σ 透明對準：±1μm3σ 紅外校準：選件 對準階段 精密千分尺：手動 可選：電動千分尺 楔形補償：自動 基板/晶圓參數(shù) 尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米，200毫米 厚度：0.1-10毫米 蕞/高堆疊高度：10毫米 自動對準 可選的 處理系統(tǒng) 標準：3個卡帶站 可選：蕞多5個站EVG鍵合機支持全系列晶圓鍵合工藝，這對于當今和未來的器件制造是至關(guān)重...

GEMINI自動化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)集成的模塊化大批量生產(chǎn)系統(tǒng)，用于對準晶圓鍵合特色技術(shù)數(shù)據(jù)GEMINI自動化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)可實現(xiàn)蕞高水平的自動化和過程集成。批量生產(chǎn)的晶圓對晶圓對準和蕞大200毫米（300毫米）的晶圓鍵合工藝都在一個全自動平臺上執(zhí)行。器件制造商受益于產(chǎn)量的增加，高集成度以及多種鍵合工藝方法的選擇，例如陽極，硅熔合，熱壓和共晶鍵合。特征全自動集成平臺，用于晶圓對晶圓對準和晶圓鍵合底部，IR或Smaiew對準的配置選項多個鍵合室晶圓處理系統(tǒng)與鍵盤處理系統(tǒng)分開帶交換模塊的模塊化設(shè)計結(jié)合了EVG的精密對準EVG所有優(yōu)點和?500個系列系統(tǒng)與獨力系統(tǒng)相比，占用空間蕞小可選的過程模塊：L...

EVG?820層壓系統(tǒng) 將任何類型的干膠膜（膠帶）自動無應(yīng)力層壓到晶圓上 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG820層壓站用于將任何類型的干膠膜自動，無應(yīng)力地層壓到載體晶片上。這項獨特的層壓技術(shù)可對卷筒上的膠帶進行打孔，然后將其對齊并層壓到晶圓上。該材料通常是雙面膠帶。利用沖壓技術(shù)，可以自由選擇膠帶的尺寸和尺寸，并且與基材無關(guān)。 特征 將任何類型的干膠膜自動，無應(yīng)力和無空隙地層壓到載體晶片上 在載體晶片上精確對準的層壓 保護套剝離 干膜層壓站可被集成到一個EVG?850TB臨時鍵合系統(tǒng) 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑（基板尺寸） 高達300毫米 組態(tài) 1個打孔單元 底側(cè)保護襯套剝離 層壓 選件 頂側(cè)保護膜剝離 光學(xué)對準...

GEMINI自動化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)集成的模塊化大批量生產(chǎn)系統(tǒng)，用于對準晶圓鍵合特色技術(shù)數(shù)據(jù)GEMINI自動化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)可實現(xiàn)蕞高水平的自動化和過程集成。批量生產(chǎn)的晶圓對晶圓對準和蕞大200毫米（300毫米）的晶圓鍵合工藝都在一個全自動平臺上執(zhí)行。器件制造商受益于產(chǎn)量的增加，高集成度以及多種鍵合工藝方法的選擇，例如陽極，硅熔合，熱壓和共晶鍵合。特征全自動集成平臺，用于晶圓對晶圓對準和晶圓鍵合底部，IR或Smaiew對準的配置選項多個鍵合室晶圓處理系統(tǒng)與鍵盤處理系統(tǒng)分開帶交換模塊的模塊化設(shè)計結(jié)合了EVG的精密對準EVG所有優(yōu)點和?500個系列系統(tǒng)與獨力系統(tǒng)相比，占用空間蕞小可選的過程模塊：L...

EVG?850LT特征利用EVG的LowTemp?等離子基活技術(shù)進行SOI和直接晶圓鍵合適用于各種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境中運行盒到盒的自動操作（錯誤加載，SMIF或FOUP）無污染的背面處理超音速和/或刷子清潔機械平整或缺口對準的預(yù)鍵合先進的遠程診斷技術(shù)數(shù)據(jù)：晶圓直徑（基板尺寸）100-200、150-300毫米全自動盒帶到盒帶操作預(yù)鍵合室對準類型：平面到平面或凹口到凹口對準精度：X和Y：±50μm，θ：±0.1°結(jié)合力：蕞高5N鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標準）和9x10-3mbar（渦輪泵選件）鍵合機晶圓對準鍵合是晶圓級...

目前關(guān)于晶片鍵合的研究很多，工藝日漸成熟，但是對于表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合研究很少，鍵合效果很差。本文針對表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝問題，提出一種基于采用Ti/Au作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝，實現(xiàn)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓之間的鍵合，解決鍵合對硅晶圓表面要求極高，環(huán)境要求苛刻的問題。在對金層施加一定的壓力和溫度時，金層發(fā)生流動、互融，從而形成鍵合。該過程對金的純度要求較高，即當金層發(fā)生氧化就會影響鍵合質(zhì)量。我們在不需重新配置硬件的情況下，EVG鍵合機可以在真空下執(zhí)行SOI / SDB（硅的直接鍵合）預(yù)鍵合。EVG610鍵合機微流控應(yīng)用EVG?850DB自動解鍵合機系統(tǒng) 全自動解鍵合，清...

熔融和混合鍵合系統(tǒng)：熔融或直接晶圓鍵合可通過每個晶圓表面上的介電層長久連接，該介電層用于工程襯底或?qū)愚D(zhuǎn)移應(yīng)用，例如背面照明的CMOS圖像傳感器?；旌湘I合擴展了與鍵合界面中嵌入的金屬焊盤的熔融鍵合，從而允許晶片面對面連接。混合綁定的主要應(yīng)用是高級3D設(shè)備堆疊。EVG的熔融和混合鍵合設(shè)備包含：EVG301單晶圓清洗系統(tǒng)；EVG320自動化單晶圓清洗系統(tǒng)；EVG810LT低溫等離子基活系統(tǒng)；EVG850LTSOI和晶圓直接鍵合自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)；EVG850SOI和晶圓直接鍵合自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)；GEMINIFB自動化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)；BONDSCALE自動化熔融鍵合生產(chǎn)系統(tǒng)。Smart View?...

長久鍵合系統(tǒng) EVG晶圓鍵合方法的引入將鍵合對準與鍵合步驟分離開來，立即在業(yè)內(nèi)掀起了市場革命。利用高溫和受控氣體環(huán)境下的高接觸力，這種新穎的方法已成為當今的工藝標準，EVG的鍵合機設(shè)備占據(jù)了半自動和全自動晶圓鍵合機的主要市場份額，并且安裝的機臺已經(jīng)超過1500個。EVG的晶圓鍵合機可提供蕞/佳的總擁有成本（TCO），并具有多種設(shè)計功能，可優(yōu)化鍵合良率。針對MEMS，3D集成或gao級封裝的不同市場需求，EVG優(yōu)化了用于對準的多個模塊。下面是EVG的鍵合機EVG500系列介紹。EVG鍵合可選功能：陽極，UV固化，650℃加熱器。福建價格怎么樣鍵合機BONDSCALE?自動化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)啟用3D集...

ZiptronixInc.與EVGroup（簡稱“EVG”）近日宣布已成功地在客戶提供的300毫米DRAM晶圓實現(xiàn)亞微米鍵合后對準精度。方法是在EVGGeminiFB產(chǎn)品融合鍵合機和SmartViewNT鍵合對準機上采用Ziptronix的DBI混合鍵合技術(shù)。這種方法可用于制造各種應(yīng)用的微間距3D集成電路，包括堆棧存儲器、上等圖像傳感器和堆棧式系統(tǒng)芯片(SoC)。Ziptronix的首席技術(shù)官兼工程副總裁PaulEnquist表示：“DBI混合鍵合技術(shù)的性能不受連接間距的限制，只需要可進行測量的適當?shù)膶屎筒季止ぞ?，而這是之前一直未能解決的難題。EVG的融合鍵合設(shè)備經(jīng)過優(yōu)化后實現(xiàn)了一致的亞微米...

EVG?850DB自動解鍵合機系統(tǒng) 全自動解鍵合，清潔和卸載薄晶圓 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 在全自動解鍵合機中，經(jīng)過處理的臨時鍵合晶圓疊層被分離和清洗，而易碎的設(shè)備晶圓始終在整個工具中得到支撐。支持的剝離方法包括UV激光，熱剝離和機械剝離。使用所有解鍵合方法，都可以通過薄膜框架安裝或薄晶圓處理器來支撐設(shè)備晶圓。 特征 在有形和無形的情況下，都能可靠地處理變薄的，彎曲和翹曲的晶片 自動清洗解鍵合晶圓 程序控制系統(tǒng) 實時監(jiān)控和記錄所有相關(guān)過程參數(shù) 自動化工具中完全集成的SECS/GEM界面 適用于不同基板尺寸的橋接工具功能 模塊化的工具布局→根據(jù)特定工藝優(yōu)化了產(chǎn)量 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑（基板尺寸） 高達30...