氮化鋁，共價鍵化合物，化學式為AIN，是原子晶體，屬類金剛石氮化物、六方晶系，纖鋅礦型的晶體結(jié)構(gòu)，無毒，呈白色或灰白色。AlN很高可穩(wěn)定到2200℃。室溫強度高，且強度隨溫度的升高下降較慢。導(dǎo)熱性好，熱膨脹系數(shù)小，是良好的耐熱沖擊材料?？谷廴诮饘偾治g的能力強，是熔鑄純鐵、鋁或鋁合金理想的坩堝材料。氮化鋁還是電絕緣體，介電性能良好，用作電器元件也很有希望。砷化鎵表面的氮化鋁涂層，能保護它在退火時免受離子的注入。氮化鋁還是由六方氮化硼轉(zhuǎn)變?yōu)榱⒎降鸬拇呋瘎?。室溫下與水緩慢反應(yīng).可由鋁粉在氨或氮氣氛中800~1000℃合成，產(chǎn)物為白色到灰藍色粉末?；蛴葾l2O3-C-N2體系在1600~1750℃...

致密度不高的材料熱導(dǎo)率也不會高。為了獲得高致密度的氮化鋁陶瓷，一般采取的方法有：使用超細粉、改善燒結(jié)方式、引入燒結(jié)助劑等方法。因此，氮化鋁粉體粒徑的大小會直接影響到氮化鋁陶瓷燒結(jié)的致密度。超細氮化鋁粉體由于其高的比表面積，會在燒結(jié)的過程中增加燒結(jié)的推動力，加速燒結(jié)的過程。此外，粉體的尺寸變小也就意味著物質(zhì)的擴散距離變短，高溫下有利于液相物質(zhì)的生成，極大地加強了流動傳質(zhì)作用。由于氮化鋁自擴散系數(shù)小，燒結(jié)非常困難。只有使用純度高的超細粉，才可以在燒結(jié)的過程中盡可能地減少氣孔的出現(xiàn)，保持高致密度。因此，據(jù)中國粉體網(wǎng)編輯的了解，工業(yè)上一般要求超細氮化鋁粉體的D50（即顆粒累積分布為50%的粒徑）尺寸盡...

結(jié)晶氮化鋁：無色斜方品系結(jié)晶工業(yè)品為淡黃色或深黃色結(jié)晶。密度2. 398}!cm3。加熱到lUU℃分解釋放出氯化氫。溶于水、無水乙醇、，微溶于鹽酸，其水溶液呈酸性。易潮解，在濕空氣中水解生成氯化氫白色煙霧。由煤，堿石粉經(jīng)沸騰焙燒，再經(jīng)粉碎后與ir}酸反應(yīng).經(jīng)澄清后，把清液濃縮，析出結(jié)晶，固液分離制得。主要用于情密鑄造模殼的硬化劑，木材防腐劑，造紙施膠沉淀劑，石汕1一業(yè)加氫裂化催化劑單體的原料。也用干羊毛的精制、染色。以及飲用水、含高氟水‘工業(yè)水的處理，含油污水凈化。氮化鋁的商品化程度并不高，這也是影響氮化鋁陶瓷進一步發(fā)展的關(guān)鍵因素。上海片狀氮化硼商家氮化鋁粉體制備技術(shù)發(fā)展趨勢：AlN粉體作為一...

AlN屬于共價化合物，自擴散系數(shù)小，燒結(jié)致密化非常困難，通常需要使用稀土金屬氧化物和堿土金屬氧化物作為燒結(jié)助劑來促進燒結(jié)，但仍需要1800℃以上的燒結(jié)溫度。近幾年，出于減少能耗、降低成本以及實現(xiàn)AlN與金屬漿料的共同燒結(jié)等因素考慮，人們開始注意AlN低溫燒結(jié)技術(shù)的研究。所謂低溫燒結(jié)是個相對概念，指的是將AlN的燒結(jié)溫度降低到1600℃至1700℃之間實現(xiàn)致密度高的燒結(jié)。一般認為，AlN表層的氧是在高溫下才開始向其晶格內(nèi)部擴散。因此，低溫燒結(jié)另外一個潛在的有利影響是可以延緩高溫燒結(jié)時表層氧向AlN晶格內(nèi)部擴散，增進后續(xù)熱處理過程中的排氧效果，有利于制備出高熱導(dǎo)率的陶瓷材料。低溫燒結(jié)的關(guān)鍵技術(shù)是選...

氮化鋁化鋁陶瓷是以氮化鋁（AlN）為主晶相的陶瓷，氮化鋁晶體以四面體為結(jié)構(gòu)單元共價鍵化合物，具有纖鋅礦型結(jié)構(gòu)，屬六方晶系?；瘜W組成Al（65.81%）、N（34.19%），比重3.261g/cm3，白色或灰白色，單晶無色透明，常壓下的升華分解溫度為2450°C，為一種高溫耐熱材料。熱膨脹系數(shù)（4.0-6.0）*10-6/℃。多晶氮化鋁熱導(dǎo)率達260W/（m.k），比氧化鋁高5-8倍，所以耐熱沖擊好，能耐2200℃的高溫。此外，氮化鋁具有不受鋁液和其它熔融金屬及砷化鎵侵蝕的特性，特別是對熔融鋁液具有極好的耐侵蝕性。氮化鋁陶瓷有很多優(yōu)良特性，但是其難加工屬性限制了氮化鋁陶瓷的發(fā)揮。氮化鋁陶瓷用普通...

氮化鋁粉體的制備工藝主要有直接氮化法和碳熱還原法，此外還有自蔓延合成法、高能球磨法、原位自反應(yīng)合成法、等離子化學合成法及化學氣相沉淀法等。直接氮化法：直接氮化法就是在高溫的氮氣氣氛中，鋁粉直接與氮氣化合生成氮化鋁粉體，其化學反應(yīng)式為2Al(s)+N2(g)→2AlN(s)，反應(yīng)溫度在800℃-1200℃。其優(yōu)點是工藝簡單，成本較低，適合工業(yè)大規(guī)模生產(chǎn)。其缺點是鋁粉表面有氮化物產(chǎn)生，導(dǎo)致氮氣不能滲透，轉(zhuǎn)化率低；反應(yīng)速度快，反應(yīng)過程難以控制；反應(yīng)釋放出的熱量會導(dǎo)致粉體產(chǎn)生自燒結(jié)而形成團聚，從而使得粉體顆粒粗化，后期需要球磨粉碎，會摻入雜質(zhì)。氮化鋁還是由六方氮化硼轉(zhuǎn)變?yōu)榱⒎降鸬拇呋瘎?。杭州電絕緣...

影響氮化鋁陶瓷熱導(dǎo)率的因素：影響氮化鋁陶瓷熱導(dǎo)率的主要因素有晶格的氧含量、致密度、顯微結(jié)構(gòu)、粉體純度等。氧含量及雜質(zhì)：對于氮化鋁陶瓷來說，由于它對氧的親和作用強烈，氧雜質(zhì)易于在燒結(jié)過程中擴散進入AlN晶格，與多種缺陷直接相關(guān)，是影響氮化鋁熱導(dǎo)率的很主要根源。在聲子-缺陷的散射中，起主要作用的是雜質(zhì)氧和氧化鋁的存在，由于氮化鋁易于水解和氧化，表面形成一層氧化鋁膜，氧化鋁溶入氮化鋁晶格中產(chǎn)生鋁空位。使得氮化鋁晶格出現(xiàn)非諧性，影響聲子散射，從而使氮化鋁陶瓷熱導(dǎo)率急劇降低。氮化鋁還是由六方氮化硼轉(zhuǎn)變?yōu)榱⒎降鸬拇呋瘎＝鹑A多孔氮化鋁銷售公司氮化鋁粉體的成型工藝有多種，傳統(tǒng)的成型工藝諸如模壓，熱壓，等...

機械連接法的特點是采取合理的結(jié)構(gòu)設(shè)計將AlN基板與金屬連接在一起，主要有熱套連接和螺栓連接兩種。機械連接方法具有工藝簡單，可行性好等特點，但它常常會產(chǎn)生應(yīng)力集中，并且不適用于高溫環(huán)境。厚膜法是通過絲網(wǎng)印刷在AlN基板表面涂刷一層導(dǎo)體漿料，經(jīng)燒結(jié)形成引線接點及電路。厚膜導(dǎo)體漿料一般由導(dǎo)電金屬粉末（Au、Ag、Cu等，粒度為1-5μm）、玻璃粘結(jié)劑和有機載體（包括表面活性劑、有機溶劑和增稠劑等）經(jīng)混合球磨而成。其中導(dǎo)電金屬粉末決定了漿料成膜后的電學性能和機械性能，玻璃粘結(jié)劑的作用是粘結(jié)導(dǎo)電金屬粉末與基體材料并決定了兩者之的粘結(jié)強度，有機載體作為溶劑將金屬粉末與粘結(jié)劑混合在一起。氮化鋁還是由六方氮化...

氮化鋁陶瓷具有優(yōu)良的熱、電、力學性能，所以它的應(yīng)用范圍比較廣?？梢灾瞥傻X陶瓷基片，熱導(dǎo)率高，膨脹系數(shù)低，強度高，耐高溫，耐化學腐蝕，電阻率高，介電耗損小，是理想的大規(guī)模集成電路散熱基板和封裝材料。氮化鋁陶瓷硬度高，超過氧化鋁陶瓷，也可用于磨損嚴重的部位。利用氮化鋁陶瓷耐熱耐熔體侵蝕和熱震性，可制作GaAs晶體坩堝、Al蒸發(fā)皿、磁流體發(fā)電裝置及高溫透平機耐蝕部件，利用其光學性能可作紅外線窗口。氮化鋁薄膜可制成高頻壓電元件、超大規(guī)模集成電路基片等。氮化鋁耐熱、耐熔融金屬的侵蝕，對酸穩(wěn)定，但在堿性溶液中易被侵蝕。氮化鋁新生表面暴露在濕空氣中會反應(yīng)生成極薄的氧化膜。利用此特性，可用作鋁、銅、銀、鉛...

氮化鋁陶瓷的運用：氮化鋁陶瓷基板：氮化鋁陶瓷基板熱導(dǎo)率高，膨脹系數(shù)低，強度高，耐高溫，耐化學腐蝕，電阻率高，介電損耗小，是理想的大規(guī)模集成電路散熱基板和封裝材料。氮化鋁陶瓷零件：氮化鋁 (AlN) 具有高導(dǎo)熱性、高耐磨性和耐腐蝕性，是半導(dǎo)體和醫(yī)療行業(yè)很理想的材料。典型應(yīng)用包括：加熱器、靜電卡盤、基座、夾環(huán)、蓋板和 MRI 設(shè)備。氮化鋁陶瓷使用須知：氮化鋁陶瓷在700°C的空氣中會發(fā)生表面氧化，即使在室溫下，也檢測到5-10nm的表面氧化層。這將有助于保護材料本體，但它也將降低材料表面的導(dǎo)熱率。在惰性氣氛中，該氧化層可在高達1350°C 的溫度下保護材料本體，當在高于此溫度時本體將會發(fā)生大量氧化...

氧雜質(zhì)對熱導(dǎo)率的影響：AIN極易發(fā)生水解和氧化，使氮化鋁表面發(fā)生氧化，導(dǎo)致氧固溶入AIN晶格中形成鋁空位缺陷，這樣就會導(dǎo)致聲子散射增加，平均自由程降低，熱導(dǎo)率也隨之降低。因此，為了提高熱導(dǎo)率，加入合適的燒結(jié)助劑來除去晶格中的氧雜質(zhì)是一種有效的辦法。氮化鋁陶瓷的燒結(jié)的關(guān)鍵控制要素：AlN是共價化合物，原子的自擴散系數(shù)小，鍵能強，導(dǎo)致很難燒結(jié)致密，其熔點高達3000℃以上，燒結(jié)溫度更是高達1900℃以上，如此高的燒結(jié)溫度嚴重制約了氮化鋁在工業(yè)上的實際應(yīng)用。此外，AlN表層的氧雜質(zhì)是在高溫下才開始向其晶格內(nèi)部擴散的，因此低溫燒結(jié)還有另外一個作用，即延緩燒結(jié)時表層的氧雜質(zhì)向AlN晶格內(nèi)部擴散，減少晶格...

在AlN陶瓷的燒結(jié)工藝中，燒結(jié)氣氛的選擇也十分關(guān)鍵的。一般的AlN陶瓷燒結(jié)氣氛有3種：還原型氣氛、弱還原型氣氛和中性氣氛。還原性氣氛一般為CO，弱還原性氣氛一般為H2，中性氣氛一般為N2。在還原氣氛中，AlN陶瓷的燒結(jié)時間及保溫時間不宜過長，燒結(jié)溫度不宜過高，以免AlN被還原。在中性氣氛中不會出現(xiàn)上述情況。所以一般選擇在氮氣中燒結(jié)，這樣可以獲得性能更好的AlN陶瓷。目前，國內(nèi)氮化鋁材料的研究制造水平相比國外還有不小差距，研究基本停留在各大科研院所高校、真正能夠獨自產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)的機構(gòu)極少。未來需把精力投入到幾種方法的綜合利用或新型陶瓷燒結(jié)技術(shù)研發(fā)上，減小生產(chǎn)成本，使得AlN陶瓷產(chǎn)品的種類豐富，外形...

AlN陶瓷金屬化的方法主要有：薄膜金屬化（如Ti/Pd/Au）、厚膜金屬化（低溫金屬化、高溫金屬化）、化學鍍金屬化（如Ni）、直接覆銅法（DBC）及激光金屬化。薄膜金屬化法采用濺射鍍膜等真空鍍膜法使膜材料和基板結(jié)合在一起，通常在多層結(jié)構(gòu)基板中，基板內(nèi)部金屬和表層金屬不盡相同，陶瓷基板相接觸的薄膜金屬應(yīng)該具有反應(yīng)性好、與基板結(jié)合力強的特性，表面金屬層多選擇電導(dǎo)率高、不易氧化的金屬。由于是氣相沉積，原則上任何金屬都可以成膜，任何基板都可以金屬化，而且沉積的金屬層均勻，結(jié)合強度高。但薄膜金屬化需要后續(xù)圖形化工藝實現(xiàn)金屬引線的圖形制備，成本較高。氮化鋁是纖鋅礦型的晶體結(jié)構(gòu)，無毒，呈白色或灰白色。金華片...

氮化鋁陶瓷基片（AlN）是新型功能電子陶瓷材料，是以氮化鋁粉作為原料，采用流延工藝，經(jīng)高溫燒結(jié)而制成的陶瓷基片。氮化鋁陶瓷基板具有氮化鋁材料的各種優(yōu)異特性，符合封裝電子基片應(yīng)具備的性質(zhì)，能高效地散除大型集成電路的熱量，是高密度，大功率，多芯片組件等半導(dǎo)體器件和大功率，高亮度的LED基板及封裝材料的關(guān)鍵材料，被認為是很理想的基板材料。較廣應(yīng)用于功率晶體管模塊基板、激光二極管安裝基板、半導(dǎo)體制冷器件、大功率集成電路，以及作為高導(dǎo)熱基板材料在IC封裝中使用。氮化鋁陶瓷具有高熱導(dǎo)率、好的抗熱沖擊性、高溫下依然擁有良好的力學性能。大連陶瓷氮化硼生產(chǎn)商氮化鋁陶瓷微觀結(jié)構(gòu)對熱導(dǎo)率的影響：在實際應(yīng)用中，常在A...

AlN陶瓷基片一般采用無壓燒結(jié)，該燒結(jié)方法是一種很普通的燒結(jié)，雖然工藝簡單、成本較低、可制備形狀復(fù)雜，但燒結(jié)溫度一般偏高，再不添加燒結(jié)助劑的情況下，一般無法制備高性能陶瓷基片。傳統(tǒng)燒結(jié)方式一般通過外部熱源對AlN坯體進行加熱，熱傳導(dǎo)不均且速度較慢，將影響燒結(jié)質(zhì)量。微波燒結(jié)通過坯體吸收微波能量從而進行自身加熱，加熱過程是在整個材料內(nèi)部同時進行，升溫速度快，溫度分散均勻，防止AlN陶瓷晶粒的過度生長。這種快速燒結(jié)技術(shù)能充分發(fā)揮亞微米級和納米級粉末的性能，具有很強的發(fā)展前景。放電等離子燒結(jié)技術(shù)主要利用放電脈沖壓力、脈沖能和焦耳熱產(chǎn)生瞬間高溫場實現(xiàn)快速燒結(jié)。放電等離子燒結(jié)技術(shù)的主要特點是升溫速度快，燒...

氮化鋁是氮和鋁的化合物，化學式為AIN,六方晶系。顏色淡藍或綠色。莫氏硬度5。理論密度3.26g/cm2。升華分解溫度2450C,導(dǎo)熱系數(shù)高（0.072cal/(cm·C))膨脹系數(shù)6.09×10~/C,抗熱震性能好，能耐2200~20℃的急冷急熱。AIN在800C可能被氧化，因而作耐火材料時需加注意，但在1300C左右具有較好的抗氧化性能。溫度更高，因氧化物保護層開裂破壞，氧化加速。AIN不易被液體銅、鋁、鉛潤濕。它與AI2O2非常相容，在1600C下可形成y一氧氮化鋁（y-AION)。y-AION即Sialon(塞隆）,化學式3AIN·7ALO2。7-AION的機械性質(zhì)與AIN相近，而抗化...

氮化鋁具有高熱導(dǎo)率、良好的電絕緣性、低介電常數(shù)、無毒等性能，應(yīng)用前景十分廣闊，特別是隨著大功率和超大規(guī)模集成電路的發(fā)展，集成電路和基片間散熱的重要性也越來越明顯。因此，基片必須要具有高的導(dǎo)熱率和電阻率。為滿足這一要求，國內(nèi)外研究學者開發(fā)出了一系列高性能的陶瓷基片材料，其中主要包括：Al2O3、BeO、AlN、BN、Si3N4、SiC，其中氮化鋁是綜合性能很優(yōu)良的新型先進陶瓷材料，被認為是新一代高集成度半導(dǎo)體基片和電子器件的理想封裝材料。燒結(jié)過程是氮化鋁陶瓷制備的一個重要階段，直接影響陶瓷的顯微結(jié)構(gòu)如晶粒尺寸與分布、氣孔率和晶界體積分數(shù)等。因此燒結(jié)技術(shù)成為制備高質(zhì)量氮化鋁陶瓷的關(guān)鍵技術(shù)。氮化鋁陶...

氮化鋁陶瓷是一種高技術(shù)新型陶瓷。氮化鋁基板具有極高的熱導(dǎo)率，無毒、耐腐蝕、耐高溫，熱化學穩(wěn)定性好等特點,是大規(guī)模集成電路，半導(dǎo)體模塊電路和大功率器件的理想封裝材料、散熱材料、電路元件及互連線承載體。也是提高高分子材料熱導(dǎo)率和力學性能的很佳添加料，氮化鋁陶瓷還可用作熔煉有色金屬和半導(dǎo)體材料砷化鎵的坩堝、熱電偶的保護管、高溫絕緣件、微波介電材料、耐高溫、耐腐蝕結(jié)構(gòu)陶瓷及透明氮化鋁微波陶瓷制品，用作高導(dǎo)熱陶瓷生產(chǎn)原料及樹脂填料等。氮化鋁是電絕緣體，介電性能良好。砷化鎵表面的氮化鋁涂層，能保護它在退火時免受離子的注入。氮化鋁可用作高導(dǎo)熱陶瓷生產(chǎn)原料、AlN陶瓷基片原料、樹脂填料等。氮化鋁是一種綜合性能...

氮化鋁陶瓷是一種綜合性能優(yōu)良的新型陶瓷材料，具有優(yōu)良的熱傳導(dǎo)性，可靠的電絕緣性，低的介電常數(shù)和介電損耗，無毒以及與硅相匹配的熱膨脹系數(shù)等一系列優(yōu)良特性，被認為是新一代高集成度半導(dǎo)體基片和電子器件的理想封裝材料。另外，氮化鋁陶瓷可用作熔煉有色金屬和半導(dǎo)體材料砷化鎵的坩堝、蒸發(fā)舟、熱電偶的保護管、高溫絕緣件，同時可作為耐高溫耐腐蝕結(jié)構(gòu)陶瓷、透明氮化鋁陶瓷制品，因而成為一種具有較廣應(yīng)用前景的無機材料。陶瓷的透明度，一般指能讓一定的電磁頻率范圍內(nèi)的電磁波通過，如紅外頻譜區(qū)域中的電磁波若能穿透陶瓷片，則該陶瓷片為紅外透明陶瓷。純凈的AlN陶瓷為無色透明晶體，具有優(yōu)異的光學性能，可以用作制造電子光學器件裝...

氮化鋁陶瓷低溫燒結(jié)助劑的選擇：在燒結(jié)過程中通過添加一些低熔點的燒結(jié)助劑，可以在氮化鋁燒結(jié)過程中產(chǎn)生液相，促進氮化鋁胚體的致密燒結(jié)。此外，一些燒結(jié)助劑除了能夠產(chǎn)生液相促進燒結(jié)，還能夠與氮化鋁晶格中的氧雜質(zhì)反應(yīng)，起到去除氧雜質(zhì)凈化晶格的作用，從而提高AlN陶瓷的熱導(dǎo)性能。然而，燒結(jié)助劑不能盲目的添加，添加的量也要適宜，否則可能會產(chǎn)生不利的作用，燒結(jié)助劑會引入第二相，第二相的分布控制對熱導(dǎo)率影響較大。經(jīng)研究，在選擇氮化鋁陶瓷低溫燒結(jié)助劑時應(yīng)參照以下幾點：添加劑熔點較低，能夠在較低的燒結(jié)溫度下形成液相，通過液相促進燒結(jié)；添加劑能夠與Al2O3反應(yīng)，去除氧雜質(zhì)，凈化AlN晶格，進而提高熱導(dǎo)率；添加劑不與...

提高氮化鋁陶瓷熱導(dǎo)率的途徑：提高氮化鋁粉末的純度，理想的氮化鋁粉料應(yīng)含適量的氧。除氧以外，其他雜質(zhì)元素如Si、Mn和Fe等，也能進入氮化鋁晶格，造成缺陷，降低氮化鋁的熱導(dǎo)率。雜質(zhì)進入晶格后，使晶格發(fā)生局部畸變，由此產(chǎn)生應(yīng)力作用，引起位錯、層錯等缺陷，增大聲子散射，故應(yīng)該提高氮化鋁的粉末的純度。改進氮化鋁粉末合成方法，制備出粒徑在1μm以下，含氧量1%的高純粉末，是制備高導(dǎo)熱氮化鋁陶瓷的前提。此外，對含燒結(jié)助劑的氮化鋁粉末，引入適量的碳，在制備氮化鋁陶瓷的燒結(jié)過程中，于致密化之前，先對氮化鋁粉末表面的氧化物進行還原碳化，也能使氮化鋁陶瓷的熱導(dǎo)率提高。凝膠流延成型和注凝成型，成為氮化鋁陶瓷的主要生...

氮化鋁陶瓷室溫比較強度高，且不易受溫度變化影響，同時具有比較高的熱導(dǎo)系數(shù)和比較低的熱膨脹系數(shù)，是一種優(yōu)良的耐熱沖材料及熱交換材料，作為熱交換材料，可望應(yīng)用于燃氣輪機的熱交換器上。由于氮化鋁具有與鋁、鈣等金屬不潤濕等特性，所以可以用其作坩堝、保護管、澆注模具等。將氮化鋁陶瓷作為金屬熔池可以用在浸入式熱電偶保護管中，由于它不粘附熔融金屬，在800~1000℃的熔池中可以連續(xù)使用大約3000個小時以上并且不會被侵蝕破壞。此外，由于氮化鋁材料對熔鹽砷化鎵等材料性能穩(wěn)定，那么將坩堝替代玻璃進行砷化鎵半導(dǎo)體的合成，能夠完全消除硅的污染而得到高純度的砷化鎵。氮化鋁一般難以燒結(jié)致密，使用添加劑可以在較低溫度產(chǎn)...

目前AlN基片較常用的燒結(jié)工藝一般有5種，即熱壓燒結(jié)、無壓燒結(jié)、放電等離子燒結(jié)(SPS)、微波燒結(jié)和自蔓延燒結(jié)。熱壓燒結(jié)是在加熱粉體的同時進行加壓，利用通電產(chǎn)生的焦耳熱和加壓造成的塑性變形來促進燒結(jié)過程的進行。相對于無壓燒結(jié)來說，熱壓燒結(jié)的燒結(jié)溫度要低得多，而且燒結(jié)體致密，氣孔率低，但其加熱、冷卻所需時間較長，且只能制備形狀不太復(fù)雜的樣品。熱壓燒結(jié)是目前制備高熱導(dǎo)率致密化AlN陶瓷的主要工藝。由于AlN具有很強的共價性，故其在常壓燒結(jié)時需要的燒結(jié)溫度很高。在常壓燒結(jié)條件下，添加了Y2O3的AlN粉能產(chǎn)生液相燒結(jié)的溫度為1600℃以上，且燒結(jié)溫度要受AlN粒度、添加劑種類及添加劑的含量等因素的影...

AlN陶瓷金屬化的方法主要有：厚膜金屬化法是在陶瓷基板上通過絲網(wǎng)印刷形成封接用金屬層、導(dǎo)體（電路布線）及電阻等，通過燒結(jié)形成釬焊金屬層、電路及引線接點等。厚膜金屬化的步驟一般包括：圖案設(shè)計，原圖、漿料的制備，絲網(wǎng)印刷，干燥與燒結(jié)。厚膜法的優(yōu)點是導(dǎo)電性能好，工藝簡單，適用于自動化和多品種小批量生產(chǎn)，但結(jié)合強度不高，且受溫度影響大，高溫時結(jié)合強度很低。直接覆銅法利用高溫熔融擴散工藝將陶瓷基板與高純無氧銅覆接到一起，所形成的金屬層具有導(dǎo)熱性好、附著強度高、機械性能優(yōu)良、便于刻蝕、絕緣性及熱循環(huán)能力高的優(yōu)點，但是后續(xù)也需要圖形化工藝，同時對AlN進行表面熱處理時形成的氧化物層會降低AlN基板的熱導(dǎo)率。...

氮化鋁陶瓷的制備技術(shù)：注射成型被國際上譽為“當今很熱門的零部件成形技術(shù)”。陶瓷注射成型是將聚合物注射成型方法與陶瓷制備工藝相結(jié)合而發(fā)展起來的一種制備復(fù)雜形狀的陶瓷零部件的新興工藝。相對于傳統(tǒng)成型工藝，它的優(yōu)點主要包括：機械化和自動化程度高、生產(chǎn)效率高、成型周期短、坯體強度高；成型的陶瓷產(chǎn)品具有極高的尺寸精度和表面光潔度；成型產(chǎn)品燒結(jié)體性能優(yōu)越且一致性較好；可近凈尺寸成型各種復(fù)雜形狀，很少甚至無需進行機械加工后處理。需要注意的是，由注射成型得到的制品，其脫脂是一個尤為重要的階段，因為絕大多數(shù)的缺陷都在脫脂階段形成，如裂紋、氣孔、變形、鼓泡等情況，并且在脫脂過程中產(chǎn)生的缺陷無法通過后期的燒結(jié)來彌補...

氮化鋁陶瓷微觀結(jié)構(gòu)對熱導(dǎo)率的影響：在實際應(yīng)用中，常在AlN中加入各種燒結(jié)助劑來降低AlN陶瓷的燒結(jié)溫度，與此同時在氮化鋁晶格中也引入了第二相，致使熱傳導(dǎo)過程中聲子發(fā)生散射導(dǎo)致熱導(dǎo)率下降。添加燒結(jié)助劑引入的第二相會出現(xiàn)幾種情況：從分布形式來看，可分為孤島狀和連續(xù)分布在晶界處；從分布位置來看，可分為分布在晶界三角處和晶界其他處。連續(xù)分布的晶?？蔀槁曌犹峁┝烁苯拥耐ǖ溃苯咏佑|AlN晶粒比孤立分布的AlN晶粒具有更高的熱導(dǎo)率，所以第二相是連續(xù)分布的更好；分布于晶界三角處的AlN陶瓷在熱傳導(dǎo)過程中產(chǎn)生的干擾散射較少，而且能夠使AlN晶粒間保持接觸，故而第二相分布在晶界三角處更好。此外，晶界相若分布不...

氮化鋁粉體的制備工藝：原位自反應(yīng)合成法：原位自反應(yīng)合成法的原理與直接氮化法的原理基本類同，以鋁及其它金屬形成的合金為原料，合金中其它金屬先在高溫下熔出，與氮氣發(fā)生反應(yīng)生成金屬氮化物，繼而金屬Al取代氮化物的金屬，生產(chǎn)AlN。其優(yōu)點是工藝簡單、原料豐富、反應(yīng)溫度低，合成粉體的氧雜質(zhì)含量低。其缺點是金屬雜質(zhì)難以分離，導(dǎo)致其絕緣性能較低。等離子化學合成法：等離子化學合成法是使用直流電弧等離子發(fā)生器或高頻等離子發(fā)生器，將Al粉輸送到等離子火焰區(qū)內(nèi)，在火焰高溫區(qū)內(nèi)，粉末立即融化揮發(fā)，與氮離子迅速化合而成為AlN粉體。其優(yōu)點是團聚少、粒徑小。其缺點是該方法為非定態(tài)反應(yīng)，只能小批量處理，難于實現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)，...

氧雜質(zhì)對熱導(dǎo)率的影響：AIN極易發(fā)生水解和氧化，使氮化鋁表面發(fā)生氧化，導(dǎo)致氧固溶入AIN晶格中形成鋁空位缺陷，這樣就會導(dǎo)致聲子散射增加，平均自由程降低，熱導(dǎo)率也隨之降低。因此，為了提高熱導(dǎo)率，加入合適的燒結(jié)助劑來除去晶格中的氧雜質(zhì)是一種有效的辦法。氮化鋁陶瓷的燒結(jié)的關(guān)鍵控制要素：AlN是共價化合物，原子的自擴散系數(shù)小，鍵能強，導(dǎo)致很難燒結(jié)致密，其熔點高達3000℃以上，燒結(jié)溫度更是高達1900℃以上，如此高的燒結(jié)溫度嚴重制約了氮化鋁在工業(yè)上的實際應(yīng)用。此外，AlN表層的氧雜質(zhì)是在高溫下才開始向其晶格內(nèi)部擴散的，因此低溫燒結(jié)還有另外一個作用，即延緩燒結(jié)時表層的氧雜質(zhì)向AlN晶格內(nèi)部擴散，減少晶格...

由于具有優(yōu)良的熱、電、力學性能。氮化鋁陶瓷引起了國內(nèi)外研究者的較廣關(guān)注，隨著現(xiàn)代科學技術(shù)的飛速發(fā)展，對所用材料的性能提出了更高的要求。氮化鋁陶瓷也必將在許多領(lǐng)域得到更為較廣的應(yīng)用！雖然多年來通過許多研究者的不懈努力，在粉末的制備、成形、燒結(jié)等方面的研究均取得了長足進展。但就截止2013年4月而言，氮化鋁的商品化程度并不高，這也是影響氮化鋁陶瓷進一步發(fā)展的關(guān)鍵因素。為了促進氮化鋁研究和應(yīng)用的進一步發(fā)展，必須做好下面兩個研究工作。研究低成本的粉末制備工藝和方法！制約氮化鋁商品化的主要因素就是價格問題。若能以較低的成本制備出氮化鋁粉末，將會提高其商品化程度！高溫自蔓延法和低溫碳熱還原合成工藝是很有發(fā)...

AlN陶瓷基片一般采用無壓燒結(jié)，該燒結(jié)方法是一種很普通的燒結(jié)，雖然工藝簡單、成本較低、可制備形狀復(fù)雜，但燒結(jié)溫度一般偏高，再不添加燒結(jié)助劑的情況下，一般無法制備高性能陶瓷基片。傳統(tǒng)燒結(jié)方式一般通過外部熱源對AlN坯體進行加熱，熱傳導(dǎo)不均且速度較慢，將影響燒結(jié)質(zhì)量。微波燒結(jié)通過坯體吸收微波能量從而進行自身加熱，加熱過程是在整個材料內(nèi)部同時進行，升溫速度快，溫度分散均勻，防止AlN陶瓷晶粒的過度生長。這種快速燒結(jié)技術(shù)能充分發(fā)揮亞微米級和納米級粉末的性能，具有很強的發(fā)展前景。放電等離子燒結(jié)技術(shù)主要利用放電脈沖壓力、脈沖能和焦耳熱產(chǎn)生瞬間高溫場實現(xiàn)快速燒結(jié)。放電等離子燒結(jié)技術(shù)的主要特點是升溫速度快，燒...