MOSFET從截止狀態(tài)到完全導通狀態(tài)，驅動電路所需提供的電荷，是一個用于評估MOSFET的驅動電路驅動能力的主要參數(shù)。 Id，漏極電流，漏極電流通常有幾種不同的描述方式。根據(jù)工作電流的形式有，連續(xù)漏級電流及一定脈寬的脈沖漏極電流(Pulsed drain current)。這個參數(shù)同樣是MOSFET的一個極限參數(shù)，但此較大電流值并不表示在運行過程中漏極電流能夠達到這個值。它表示當殼溫在某一值時，如果MOSFET工作電流為上述較大漏極電流，則結溫會達到較大值。所以這個參數(shù)還跟器件封裝，環(huán)境溫度有關。在一般分布式MOSFET元件中，通常把基極和源極接在一起，故分布式MOSFET通常為三端元件。南通...

功率MOSFET按垂直導電結構的差異，又分為利用V型槽實現(xiàn)垂直導電的VVMOSFET和具有垂直導電雙擴散MOS結構的VDMOSFET（Vertical Double-diffused MOSFET），功率MOSFET為多元集成結構，MOSFET的漏極伏安特性（輸出特性）：截止區(qū)（對應于GTR的截止區(qū)）；飽和區(qū)（對應于GTR的放大區(qū)）；非飽和區(qū)（對應于GTR的飽和區(qū)）。電力MOSFET工作在開關狀態(tài)，即在截止區(qū)和非飽和區(qū)之間來回轉換。電力MOSFET漏源極之間有寄生二極管，漏源極間加反向電壓時器件導通。電力MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù)，對器件并聯(lián)時的均流有利。常見的MOSFET技術有：雙...

MOSFET的應用：數(shù)字科技的進步，如微處理器運算效能不斷提升，帶給深入研發(fā)新一代MOSFET更多的動力，這也使得MOSFET本身的操作速度越來越快，幾乎成為各種半導體主動元件中極快的一種。MOSFET在數(shù)字信號處理上較主要的成功來自CMOS邏輯電路的發(fā)明，這種結構的好處是理論上不會有靜態(tài)的功率損耗，只有在邏輯門（logic gate）的切換動作時才有電流通過。CMOS邏輯門較基本的成員是CMOS反相器（inverter），而所有CMOS邏輯門的基本操作都如同反相器一樣，在邏輯轉換的瞬間同一時間內(nèi)必定只有一種晶體管（NMOS或是PMOS）處在導通的狀態(tài)下，另一種必定是截止狀態(tài)，這使得從電源端到...

場效應晶體管是電壓控制元件，而雙極結型晶體管是電流控制元件。在只允許從取較少電流的情況下，應選用場效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用雙極晶體管。2、有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比雙極晶體管好。3、場效應管是利用多數(shù)載流子導電，所以稱之為單極型器件，而雙極結型晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導電。因此被稱之為雙極型器件。場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上，因此場效應管在大規(guī)模集成電路中得到了 的應用。我們所說的MOSFET，指的是什么？太倉MOSFETMO...

MOSFET的應用廣，隨著MOSFET技術的不斷演進，CMOS技術也已經(jīng)可以符合很多模擬電路的規(guī)格需求。再加上MOSFET因為結構的關系，沒有BJT的一些致命缺點，如熱破壞（thermal runaway）。另外，MOSFET在線性區(qū)的壓控電阻特性亦可在集成電路里用來取代傳統(tǒng)的多晶硅電阻（poly resistor），或是MOS電容本身可以用來取代常用的多晶硅—絕緣體—多晶硅電容（PIP capacitor），甚至在適當?shù)碾娐房刂葡驴梢员憩F(xiàn)出電感（inductor）的特性，這些好處都是BJT很難提供的。也就是說，MOSFET除了扮演原本晶體管的角色外，也可以用來作為模擬電路中大量使用的被動元件...

DMOS是雙重擴散MOSFET（double-Diffused MOSFET）的縮寫，它主要用于高壓，屬于高壓MOS管范疇。以MOSFET實現(xiàn)模擬開關：MOSFET在導通時的通道電阻低，而截止時的電阻近乎無限大，所以適合作為模擬信號的開關（信號的能量不會因為開關的電阻而損失太多）。MOSFET作為開關時，其源極與漏極的分別和其他的應用是不太相同的，因為信號可以從MOSFET柵極以外的任一端進出。對NMOS開關而言，電壓負的一端就是源極，PMOS則正好相反，電壓正的一端是源極。MOSFET開關能傳輸?shù)男盘枙艿狡鋿艠O—源極、柵極—漏極，以及漏極到源極的電壓限制，如果超過了電壓的上限可能會導致MO...

MOSFET在生活中是很常見的，MOSFET的柵極材料：MOSFET的臨界電壓（threshold voltage）主要由柵極與通道材料的功函數(shù)（work function）之間的差異來決定，而因為多晶硅本質(zhì)上是半導體，所以可以藉由摻雜不同極性的雜質(zhì)來改變其功函數(shù)。更重要的是，因為多晶硅和底下作為通道的硅之間能隙（bandgap）相同，因此在降低PMOS或是NMOS的臨界電壓時可以藉由直接調(diào)整多晶硅的功函數(shù)來達成需求。反過來說，金屬材料的功函數(shù)并不像半導體那么易于改變，如此一來要降低MOSFET的臨界電壓就變得比較困難。而且如果想要同時降低PMOS和NMOS的臨界電壓，將需要兩種不同的金屬分別...

如何區(qū)分MOSFET是N溝道還是P溝道？場效應晶體管是金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的簡稱，它是現(xiàn)代電子產(chǎn)品的基本組成部分。MOSFET由諸如硅的半導體材料制成，半導體在導體和絕緣體之間具有導電性。為了使半導體成為良好的導體，會在純晶體中引入兩種類型的雜質(zhì)，如果雜質(zhì)是五價的，則所得的半導體為n型。在n型電子中，大多數(shù)電荷載流子。如果雜質(zhì)是三價的，那么所得的半導體是p型的。在p型孔中，大多數(shù)電荷載流子。MOSFET有兩種類型：增強型和耗盡型，這兩種類型都進一步分為：N通道和P通道。MOSFET的重要部位有哪些？無錫低壓N+NMOSFET型號模擬電路有一段時間，MOSFET并非模擬電...

選擇正確的MOSFET的方式：計算導通損耗，MOSFET器件的功率耗損可由Iload2×RDS（ON）計算，由于導通電阻隨溫度變化，因此功率耗損也會隨之按比例變化。對便攜式設計來說，采用較低的電壓比較容易 （較為普遍），而對于工業(yè)設計，可采用較高的電壓。注意RDS（ON）電阻會隨著電流輕微上升。計算系統(tǒng)的散熱要求，設計人員必須考慮兩種不同的情況，即壞情況和真實情況。建議采用針對壞情況的計算結果，因為這 個結果提供更大的安全余量，能確保系統(tǒng)不會失效。在MOSFET的資料表上還有一些需要注意的測量數(shù)據(jù)；比如封裝器件的半導體結與環(huán)境之間的熱阻，以及大的結溫。開關損耗其實也是一個很重要的指標。導通瞬間...

MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管型號和增強型的P溝道MOS管型號，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小，且容易制造。所以開關電源和馬達驅動的應用中，一般都用NMOS。MOS管導通特性：導通的意思是作為開關，相當于開關閉合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導通，適合用于源極接地時的情況（低端驅動），只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vg...

MOSFET需求增長源于物聯(lián)網(wǎng)、3C產(chǎn)品、云端運算及服務器等的快速發(fā)展。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，簡稱包括NMOS、PMOS等。MOSFET的參數(shù)很多，包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但一般使用時關注以下主要參數(shù)：1、IDSS—飽和漏源電流。是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中，柵極電壓UGS=0時的漏源電流。2、UP—夾斷電壓。是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中，使漏源間剛截止時的柵極電壓。3、UT—開啟電壓。是指增強型絕緣柵場效管中，使漏源間剛導通時的柵極電壓。4、gM—跨導。是表示柵源電壓UGS—對漏...

MOSFET的相關知識介紹：Power MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極（S）、漏極（D）和柵極（G）。主要優(yōu)點：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。缺點：擊穿電壓低，工作電流小。IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相結合的產(chǎn)物。它的三個極分別是集電極(C）、發(fā)射極（E）和柵極(G）。特點：擊穿電壓可達1200V，集電極較大飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上，工作頻率可達20kHz。MOSFET的注意事項有哪些？N-CHANNELMOSFET設計制程變異更難掌控現(xiàn)代的半導體制程工序復雜而繁多，任何一道制程都有...

MOSFET參數(shù)：Vgs，柵源極較大驅動電壓，這也是MOSFET的一個極限參數(shù)，表示MOSFET所能承受的較大驅動電壓，一旦驅動電壓超過這個極限值，即使在極短的時間內(nèi)也會對柵極氧化層產(chǎn)生長久性傷害。一般來說，只要驅動電壓不超過極限，就不會有問題。但是，某些特殊場合，因為寄生參數(shù)的存在，會對Vgs電壓產(chǎn)生不可預料的影響，需要格外注意。SOA，安全工作區(qū)，每種MOSFET都會給出其安全工作區(qū)域，不同雙極型晶體管，功率MOSFET不會表現(xiàn)出二次擊穿，因此安全運行區(qū)域只簡單從導致結溫達到較大允許值時的耗散功率定義。MOSFET的特點有哪些？南通低壓N+PMOSFET失效分析功率MOSFET的工作原理截...

NPN型的MOSFET是怎么導通的呢？首先，在柵極加正電壓，這樣就會排斥襯底——P型硅中的正電荷，同時吸引負電荷，這樣在漏極與源極之間形成一層負電荷區(qū)域，這時再火上澆油在漏極加上正電壓，源極加上負電壓。至于怎么分辨MOSFET的電路符號是N溝道還是P溝道。溝道的正負，就是襯底中通道的正負。電路符號中的箭頭表示的是電子的流向?？梢钥吹絅溝道的電路符號中的箭頭是指向柵極的，襯底下堆積的就是一層負電子，而這層負電子從漏極和源極的角度看，就是一條電子從源極通往漏極的溝，所以這個溝就叫做negative溝道，簡稱N溝道。MOSFET較常見的設計是以一條直線表示通道，兩條和通道垂直的線表示源極與漏極。深圳...

MOSFET在生活中是比較常見的，MOSFET的相關介紹說明：MOSFET在國內(nèi)的命名法，第1種命名方法是使用“中國半導體器件型號命名法”的第3、第4和第5部分來命名，其中的第3部分用字母CS表示場效應管，第4部分用阿拉伯數(shù)字表示器件序號，第5部分用漢語拼音字母表示規(guī)格號。例如CS2B、CS14A、CS45G等。第二種命名方法與雙極型三極管相同，第1位用數(shù)字表明電極數(shù)；第二位用字母表明極性（其中D是N溝道，C是P溝道）；第三位用字母表明類型（其中J表明結型場效應管，O表明絕緣柵場效應管）。一個完整的MOSFET結構需要一個提供多數(shù)載流子的源極以及接受這些多數(shù)載流子的漏極。深圳低壓N+PMOSF...

功率MOSFET的設計過程中采取措施使其中的寄生晶體管盡量不起作用。在不同代功率MOSFET中其措施各有不同，但總的原則是使漏極下的橫向電阻RB 盡量小。因為只有在漏極N區(qū)下的橫向電阻流過足夠電流為這個N區(qū)建立正偏的條件時，寄生的雙極性晶閘管才開始發(fā)難。然而在嚴峻的動態(tài)條件下，因du/dt 通過相應電容引起的橫向電流有可能足夠大。此時這個寄生的雙極性晶體管就會起動，有可能給MOSFET帶來損壞。所以考慮瞬態(tài)性能時對功率MOSFET器件內(nèi)部的各個電容（它是dv/dt的通道）都必須予以注意。瞬態(tài)情況是和線路情況密切相關的，這方面在應用中應給予足夠重視。對器件要有深入了解，才能有利于理解和分析相應的...

MOSFET的應用：數(shù)字科技的進步，如微處理器運算效能不斷提升，帶給深入研發(fā)新一代MOSFET更多的動力，這也使得MOSFET本身的操作速度越來越快，幾乎成為各種半導體主動元件中極快的一種。MOSFET在數(shù)字信號處理上較主要的成功來自CMOS邏輯電路的發(fā)明，這種結構的好處是理論上不會有靜態(tài)的功率損耗，只有在邏輯門（logic gate）的切換動作時才有電流通過。CMOS邏輯門較基本的成員是CMOS反相器（inverter），而所有CMOS邏輯門的基本操作都如同反相器一樣，在邏輯轉換的瞬間同一時間內(nèi)必定只有一種晶體管（NMOS或是PMOS）處在導通的狀態(tài)下，另一種必定是截止狀態(tài)，這使得從電源端到...

常見的MOSFET技術：雙柵極MOSFET，雙柵極（dual-gate）MOSFET通常用在射頻（Radio Frequency,RF）集成電路中，這種MOSFET的兩個柵極都可以控制電流大小。在射頻電路的應用上，雙柵極MOSFET的第二個柵極大多數(shù)用來做增益、混頻器或是頻率轉換的控制。耗盡型MOSFET，一般而言，耗盡型（depletion mode）MOSFET比前述的增強型（enhancement mode）MOSFET少見。耗盡型MOSFET在制造過程中改變摻雜到通道的雜質(zhì)濃度，使得這種MOSFET的柵極就算沒有加電壓，通道仍然存在。如果想要關閉通道，則必須在柵極施加負電壓。耗盡型MO...

理解MOSFET的幾個常用參數(shù)VDS，即漏源電壓，這是MOSFET的一個極限參數(shù)，表示MOSFET漏極與源極之間能夠承受的較大電壓值。需要注意的是，這個參數(shù)是跟結溫相關的，通常結溫越高，該值較大。RDS(on)，漏源導通電阻，它表示MOSFET在某一條件下導通時，漏源極之間的導通電阻。這個參數(shù)與MOSFET結溫，驅動電壓Vgs相關。在一定范圍內(nèi)，結溫越高，Rds越大;驅動電壓越高，Rds越小。Qg，柵極電荷，是在驅動信號作用下，柵極電壓從0V上升至終止電壓(如15V)所需的充電電荷。也就是MOSFET從截止狀態(tài)到完全導通狀態(tài)，驅動電路所需提供的電荷，是一個用于評估MOSFET的驅動電路驅動能力...

MOSFET知識介紹：Eoss，輸出容能量，表示輸出電容Coss在MOSFET存儲的能量大小。由于MOSFET的輸出電容Coss有非常明顯的非線性特性，隨Vds電壓的變化而變化。所以如果datasheet提供了這個參數(shù)，對于評估MOSFET的開關損耗很有幫助。并非所有的MOSFET手冊中都會提供這個參數(shù)，事實上大部分datasheet并不提供。Body Diode di/dt 體二極管的電流變化率，它反應了MOSFET體二極管的反向恢復特性。因為二極管是雙極型器件，它受到電荷存儲的影響，當二極管反向偏置時，PN結儲存的電荷必須清理。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N...

MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場效應晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應來控制半導體（S）的場效應晶體管。功率場效應晶體管也分為結型和絕緣柵型,但通常主要指絕緣柵型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,簡稱功率MOSFET（Power MOSFET）。結型功率場效應晶體管一般稱作靜電感應晶體管（Static Induction Transistor——SIT）。其特點是用柵極電壓來控制漏極電流，驅動電路簡單，...

DC/DC開關控制器的MOSFET選擇是一個復雜的過程。只考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以內(nèi)，必須在低柵極電荷和低導通電阻之間取得平衡。在多負載電源系統(tǒng)中，這種情況會變得更加復雜。選擇FET時需要考慮的因素包括額定電壓、環(huán)境溫度、開關頻率、控制器驅動能力和散熱組件面積。關鍵問題是，如果功耗過高且散熱不足，則FET可能會過熱起火。我們可以利用封裝/散熱組件ThetaJA或者熱敏電阻、FET功耗和環(huán)境溫度估算某個FET的結溫。雙柵極MOSFET通常用在射頻集成電路，這種MOSFET的兩個柵極都可以控制電流大小。無錫MOSFET設計...

功率MOSFET：通常一個市售的功率晶體管都包含了數(shù)千個這樣的單元。主條目：功率晶體管。功率MOSFET和MOSFET元件在結構上就有著明顯的差異。一般集成電路里的MOSFET都是平面式（planar）的結構，晶體管內(nèi)的各端點都離芯片表面只有幾個微米的距離。而所有的功率元件都是垂直式（vertical）的結構，讓元件可以同時承受高電壓與高電流的工作環(huán)境。一個功率MOSFET能耐受的電壓是雜質(zhì)摻雜濃度與N型磊晶層（epitaxial layer）厚度的函數(shù)，而能通過的電流則和元件的通道寬度有關，通道越寬則能容納越多電流。對于一個平面結構的MOSFET而言，能承受的電流以及崩潰電壓的多寡都和其通道...

MOSFET在導通時的通道電阻低，而截止時的電阻近乎無限大，所以適合作為模擬信號的開關（信號的能量不會因為開關的電阻而損失太多）。MOSFET作為開關時，其源極與漏極的分別和其他的應用是不太相同的，因為信號可以從MOSFET柵極以外的任一端進出。對NMOS開關而言，電壓 負的一端就是源極，PMOS則正好相反，電壓 正的一端是源極。MOSFET開關能傳輸?shù)男盘枙艿狡鋿艠O—源極、柵極—漏極，以及漏極到源極的電壓限制，如果超過了電壓的上限可能會導致MOSFET燒毀。MOSFET開關的應用范圍很廣，舉凡需要用到取樣持有電路（sample-and-hold circuits）或是截波電路（choppe...

當MOSFET的尺寸縮的非常小、柵極氧化層也變得非常薄時，例如編輯此文時 制程可以把氧化層縮到一納米左右的厚度，一種過去沒有發(fā)現(xiàn)的現(xiàn)象也隨之產(chǎn)生，這種現(xiàn)象稱為“多晶硅耗盡”。當MOSFET的反轉層形成時，有多晶硅耗盡現(xiàn)象的MOSFET柵極多晶硅靠近氧化層處，會出現(xiàn)一個耗盡層（depletion layer），影響MOSFET導通的特性。要解決這種問題，金屬柵極是 的方案?？尚械牟牧习ㄣg（Tantalum）、鎢、氮化鉭（Tantalum Nitride），或是氮化鈦（Titalium Nitride）。這些金屬柵極通常和高介電常數(shù)物質(zhì)形成的氧化層一起構成MOS電容。另外一種解決方案是將多晶硅完...

MOSFET在生活中是比較常見的，MOSFET的相關介紹說明：MOSFET在國內(nèi)的命名法，第1種命名方法是使用“中國半導體器件型號命名法”的第3、第4和第5部分來命名，其中的第3部分用字母CS表示場效應管，第4部分用阿拉伯數(shù)字表示器件序號，第5部分用漢語拼音字母表示規(guī)格號。例如CS2B、CS14A、CS45G等。第二種命名方法與雙極型三極管相同，第1位用數(shù)字表明電極數(shù)；第二位用字母表明極性（其中D是N溝道，C是P溝道）；第三位用字母表明類型（其中J表明結型場效應管，O表明絕緣柵場效應管）。MOSFET計算系統(tǒng)的散熱要求，可以選擇柵極電荷QG比較小的功率MOSFET。深圳N-CHANNELMOS...

場效應晶體管是電壓控制元件，而雙極結型晶體管是電流控制元件。在只允許從取較少電流的情況下，應選用場效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用雙極晶體管。2、有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比雙極晶體管好。3、場效應管是利用多數(shù)載流子導電，所以稱之為單極型器件，而雙極結型晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導電。因此被稱之為雙極型器件。場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上，因此場效應管在大規(guī)模集成電路中得到了 的應用。采用MOSFET實現(xiàn)模擬電路不但可以滿足規(guī)格上的需求，還...

場效應晶體管是電壓控制元件，而雙極結型晶體管是電流控制元件。在只允許從取較少電流的情況下，應選用場效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用雙極晶體管。2、有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比雙極晶體管好。3、場效應管是利用多數(shù)載流子導電，所以稱之為單極型器件，而雙極結型晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導電。因此被稱之為雙極型器件。場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上，因此場效應管在大規(guī)模集成電路中得到了 的應用。理論上MOSFET的柵極應該盡可能選擇電性良好的導體。西...

MOSFET應用優(yōu)勢：場效應晶體管是電壓控制元件，而雙極結型晶體管是電流控制元件。在只允許從取較少電流的情況下，應選用場效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用雙極晶體管。有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比雙極晶體管好。場效應管是利用多數(shù)載流子導電，所以稱之為單極型器件，而雙極結型晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導電。因此被稱之為雙極型器件。為何要把MOSFET的尺寸縮??？上海高壓MOSFET廠家MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MO...

上海光宇睿芯微電子有限公司座落于上海浦東張江高科技園區(qū)內(nèi)對這個NMOS而言，真正用來作為通道、讓載流子通過的只有MOS電容正下方半導體的表面區(qū)域。當一個正電壓施加在柵極上，帶負電的電子就會被吸引至表面，形成通道，讓N型半導體的多數(shù)載流子—電子可以從源極流向漏極。如果這個電壓被移除，或是放上一個負電壓，那么通道就無法形成，載流子也無法在源極與漏極之間流動。假設操作的對象換成PMOS，那么源極與漏極為P型、基體則是N型。在PMOS的柵極上施加負電壓，則半導體上的空穴會被吸引到表面形成通道，半導體的多數(shù)載流子—空穴則可以從源極流向漏極。假設這個負電壓被移除，或是加上正電壓，那么通道無法形成，一樣無法...