當(dāng)GATE和BACKGATE之間的電壓差小于閾值電壓時，不會形成channel。當(dāng)電壓差超過閾值電壓時，channel就出現(xiàn)了。MOS電容：（A）未偏置（VBG=0V），（B）反轉(zhuǎn)（VBG=3V），（C）積累（VBG=-3V）。 當(dāng)MOS電容的GATE相對...

場效應(yīng)晶體管可以由各種半導(dǎo)體制成，其中硅是目前常見的。大多數(shù)場效應(yīng)晶體管是使用傳統(tǒng)的批量半導(dǎo)體加工技術(shù)并由單晶半導(dǎo)體晶片作為有源區(qū)或溝道制造而成。特殊的基體材料包括非晶硅、多晶硅、其他非晶半導(dǎo)體以及薄膜晶體管、有機(jī)半導(dǎo)體基有機(jī)晶體管(OFET)。有機(jī)晶體管的柵...

場效應(yīng)晶體管可以由各種半導(dǎo)體制成，其中硅是目前常見的。大多數(shù)場效應(yīng)晶體管是使用傳統(tǒng)的批量半導(dǎo)體加工技術(shù)并由單晶半導(dǎo)體晶片作為有源區(qū)或溝道制造而成。特殊的基體材料包括非晶硅、多晶硅、其他非晶半導(dǎo)體以及薄膜晶體管、有機(jī)半導(dǎo)體基有機(jī)晶體管(OFET)。有機(jī)晶體管的柵...

當(dāng)GATE和BACKGATE之間的電壓差小于閾值電壓時，不會形成channel。當(dāng)電壓差超過閾值電壓時，channel就出現(xiàn)了。MOS電容：（A）未偏置（VBG=0V），（B）反轉(zhuǎn)（VBG=3V），（C）積累（VBG=-3V）。 當(dāng)MOS電容的GATE相對...

場效應(yīng)管的好壞測量不僅適用于電子電路的設(shè)計和維護(hù),還在其他領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用。例如,在通信領(lǐng)域中，對場效應(yīng)管的好壞測量可以用于評估無線電設(shè)備的性能和穩(wěn)定性。在工業(yè)控制領(lǐng)域中，對場效應(yīng)管的好壞測量可以用于判斷電機(jī)驅(qū)動電路的工作狀態(tài)。此外，場效應(yīng)管的好壞測量方法也可...

場效應(yīng)管是場效應(yīng)晶體管（FieldEffectTransistor,FET）的簡稱。它屬于電壓型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)?、受溫度影響小等，特別適用于高靈敏度和低噪聲的電路，現(xiàn)已成為普通晶體管的強(qiáng)大...

場效應(yīng)管具有許多出色的性能特點。首先，其輸入電阻極高，可達(dá)數(shù)百兆歐甚至更高。這意味著它對輸入信號的電流要求極小，從而減少了信號源的負(fù)擔(dān)。其次，場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)很低。在對噪聲敏感的應(yīng)用中，如高精度測量儀器和通信設(shè)備，這一特點使其成為理想的選擇。再者，場效應(yīng)...

面說說三極管的飽和情況.像上面那樣的圖,因為受到電阻 Rc的限制(Rc是固定值,那么最大電流為U/Rc,其中U為電源電壓),集電極電流是不能無限增加下去的.當(dāng)基極電流的增大,不能使集電極電流繼續(xù)增大 時,三極管就進(jìn)入了飽和狀態(tài).一般判斷三極管是否飽和的準(zhǔn)則是：...

場效應(yīng)管的參數(shù)對于其性能和應(yīng)用有著重要的影響。其中，重要的參數(shù)之一是跨導(dǎo)。跨導(dǎo)表示場效應(yīng)管柵極電壓對漏極電流的控制能力，單位為西門子（S）。跨導(dǎo)越大，場效應(yīng)管對電流的控制能力越強(qiáng)。此外，場效應(yīng)管的漏極電流、漏源擊穿電壓、柵源擊穿電壓等參數(shù)也需要在設(shè)計電路時進(jìn)行...

場效應(yīng)管的發(fā)展可以追溯到上世紀(jì)中葉。早期的研究為其后續(xù)的廣泛應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。在發(fā)展過程中，技術(shù)不斷改進(jìn)和創(chuàng)新。從初的簡單結(jié)構(gòu)到如今的高性能、高集成度的器件，場效應(yīng)管經(jīng)歷了多次重大突破。例如，早期的場效應(yīng)管性能有限，應(yīng)用范圍相對較窄。隨著半導(dǎo)體工藝的進(jìn)步，尺寸不...

低壓MOS場效應(yīng)管MK31015P采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計，以提供低柵電荷的優(yōu)良RDS(ON)。它可以用于各種各樣的應(yīng)用。一般特征：VDS=-30V,ID=-50A,RDS(ON)<20mΩ@10VRdson高密度電池設(shè)計充分表征雪崩電壓和電流穩(wěn)定性好，均勻性...

MOS三個極怎么識別判斷2、寄生二極管我們看到D極和S極之間存在著一個二極管，這個二極管叫寄生二極管。MOS的寄生二極管怎么來的呢? 在網(wǎng)上查了一番資料才知道，它是由生產(chǎn)工藝造成的，大功率MOS管漏極從硅片底部引出，就會有這個寄生二極管。小功率MOS管例如...

場效應(yīng)管的分類多種多樣，其中包括結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET）。JFET結(jié)構(gòu)相對簡單，但性能方面略遜于MOSFET。MOSFET則憑借其優(yōu)越的性能，成為了現(xiàn)代電子電路中的主流。例如，在計算機(jī)主板的電源電路中，MOSFET...

場效應(yīng)管 按材質(zhì)分可分成結(jié)型管和絕緣柵型管，絕緣柵型又分成耗盡型和增強(qiáng)型，一般主板上大都是絕緣柵型管簡稱ＭＯＳ管，并且大都使用增強(qiáng)型的Ｎ溝道，其次是增強(qiáng)型的Ｐ溝道，結(jié)型管和耗盡型管幾乎不須。 主板上用的場效應(yīng)管的屬性：1、工作條件：Ｄ極要有供電，Ｇ極...

場效應(yīng)管是電壓控制元件。而三極管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場效應(yīng)管。而在信號源電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應(yīng)用三極管。場效應(yīng)管靠多子導(dǎo)電，管中運動的只是一種極性的載流子；三極管既用多子，又利用少子。由于多子濃...

場效應(yīng)管非常重要的一個作用是作開關(guān)作用，作開關(guān)時候多數(shù)應(yīng)用于各類電子負(fù)載控制、開關(guān)電源開關(guān)管，MOS管非常明顯的特性是開關(guān)特性好，對于NMOS來說，Vgs大于一定的值就會導(dǎo)通，適合用于源極接地時的情況，也就是所謂的低端驅(qū)動，只要柵極電壓達(dá)到4V或10V就可...

P溝道結(jié)型場效應(yīng)管除偏置電壓的極性和載流子的類型與N溝道結(jié)型場效應(yīng)管不同外，其工作原理完全相同。絕緣柵型場效應(yīng)管（MOS管）中，目前常用的是以二氧化硅SiO2作為金屬鋁柵極和半導(dǎo)體之間的絕緣層，簡稱MOS管。 它有N溝道和P溝道兩類，而每一類又分增強(qiáng)型和耗...

場效應(yīng)管使用時應(yīng)注意:（1）器件出廠時通常裝在黑色的導(dǎo)電泡沫塑料袋中，切勿自行隨便拿個塑料袋裝。也可用細(xì)銅線把各個引腳連接在一起，或用錫紙包裝。（2）取出的器件不能在塑料板上滑動，應(yīng)用金屬盤來盛放待用器件。（3）焊接用的電烙鐵必須良好接地。（4）在焊接前應(yīng)把電...

場效應(yīng)管的主要作用有以下幾個方面：1.放大作用：場效應(yīng)管可以放大電流和電壓信號。當(dāng)在柵極-源極之間施加一個小的變化電壓時，可以引起漏極-源極之間的大電流變化，從而放大輸入信號。這使得場效應(yīng)管可以用于放大器電路中，如音頻放大器、功率放大器等。2.開關(guān)作用：場效應(yīng)...

下面用數(shù)字萬用表檢測主板中的場效應(yīng)管，具體方法如下。 1、觀察場效應(yīng)管，看待測場效應(yīng)管是否損壞，有無燒焦或引腳斷裂等情況。如果有，則場效應(yīng)管損壞。 2、如果待測場效應(yīng)管的外觀沒有問題，接著將場效應(yīng)管從主板中卸下，并清潔場效應(yīng)管的引腳，去除引腳上的污物...

場效應(yīng)管的可靠性也是一個重要的考慮因素。在惡劣的工作環(huán)境下，場效應(yīng)管可能會受到各種因素的影響，如溫度變化、濕度、電磁干擾等。為了提高場效應(yīng)管的可靠性，可以采用一些保護(hù)措施，如過壓保護(hù)、過流保護(hù)、靜電保護(hù)等。此外，在選擇場效應(yīng)管時，也需要選擇質(zhì)量可靠、信譽良好的...

場效應(yīng)管測試儀儀器主要用以功率場效應(yīng)管和IGBT的質(zhì)量檢驗、參數(shù)的配對及其它電子電子元件的耐壓測試之用。儀器分N溝導(dǎo)型測試儀和P溝導(dǎo)型測試儀兩種。耐壓測試儀方法特性：是按照IEC、ISO、BS、UL、JIS等國內(nèi)、國際的安全基準(zhǔn)而設(shè)計，是交流安全通用測試...

場效應(yīng)管與雙極性晶體管的比較場效應(yīng)管是電壓控制器件，柵極基本不取電流，而晶體管是電流控制器件，基極必須取一定的電流。因此，在信號源額定電流極小的情況，應(yīng)選用場效應(yīng)管。場效應(yīng)管是多子導(dǎo)電，而晶體管的兩種載流子均參與導(dǎo)電。由于少子的濃度對溫度、輻射等外界條件很...

場效應(yīng)管（FieldEffectTransistor，簡稱FET）是一種基于電場效應(yīng)的半導(dǎo)體器件，用于放大和電流。與三極管相比，場效應(yīng)管具有更高的輸入阻抗、更低的功耗和更好的高頻特性。場效應(yīng)管有三種常見的類型：MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管）、JFET...

基于上述線性穩(wěn)壓電路的線性穩(wěn)壓電源雖然電路結(jié)構(gòu)簡單、工作可靠，但它存在著效率低(只有30%-50%)、體積大、銅鐵消耗量大，工作溫度高及調(diào)整范圍小等缺點。為線性型穩(wěn)壓電源功耗較大的缺點，研制了開關(guān)型穩(wěn)壓電源。開關(guān)穩(wěn)壓器的轉(zhuǎn)換率可達(dá)60%~85%以上，而且可以省...

在實際應(yīng)用中，選擇合適的穩(wěn)壓電路需要考慮多個因素。首先是輸出電壓的精度要求。如果對電壓精度要求非常高，那么線性穩(wěn)壓電路可能是更好的選擇；如果對效率和體積有較高要求，開關(guān)穩(wěn)壓電路則更為合適。其次是輸入電壓的范圍。不同的穩(wěn)壓電路對輸入電壓的適應(yīng)能力不同，需要根據(jù)實...

穩(wěn)壓二極管的伏安特性曲線的正向特性和普通二極管差不多，反向特性是在反向電壓低于反向擊穿電壓時，反向電阻很大，反向漏電流極小。但是，當(dāng)反向電壓臨近反向電壓的臨界值時，反向電流驟然增大，稱為擊穿，在這一臨界擊穿點上，反向電阻驟然降至很小值。盡管電流在很大的范圍內(nèi)變...

由一個2.5V的精密基準(zhǔn)電壓源、一個電壓比較器和一輸出開關(guān)管等組成，參考端的輸出電壓與精密基準(zhǔn)電壓源Vref相比較，當(dāng)參考端電壓超過2.5V時，TL431立即導(dǎo)通。這是431用得的電路，輸出電壓Vout=(1+R1/R2)Vref。選擇不同的R1和R2的值可以...

通過分流來衰減放大管射極電壓的“穩(wěn)定”，也許這個圖并不能讓你一下子看出它是“并聯(lián)”的，但細(xì)心一看，確實如此。不過，大家在此還要注意一下：此處的穩(wěn)壓管，是利用它的非線性區(qū)工作的，因此，如果認(rèn)為它是一個電源，它也是一個非線性電源。為了便于大家理解，回頭我們找一個理...

mengkedz也就是穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)定電壓VZ與流過穩(wěn)壓二極管中的電流IZ的乘積，對于具體的穩(wěn)壓二極管，其穩(wěn)定電壓VZ是額定的，因此功耗也可以由的功耗也可由工作電流IZM（Mamum zener current）來表示，很多數(shù)據(jù)手冊中也是給出這個值。當(dāng)回路電流...