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三極管基極有電流流動(dòng)時(shí);由于B極和E極之間有正向電壓,所以電子從發(fā)射極向基極移動(dòng),又因?yàn)镃極和E極間施加了反向電壓,因此,從發(fā)射極向基極移動(dòng)的電子,在高電壓的作用下,通過基極進(jìn)入集電極。于是,在基極所加的正電壓的作用下,發(fā)射極的大量電子被輸送到集電極,產(chǎn)生很大...
場(chǎng)效應(yīng)管判斷跨導(dǎo)的大小:測(cè)反向電阻值的變化判斷跨導(dǎo)的大小.對(duì)VMOSV溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)量跨導(dǎo)性能時(shí),可用紅表筆接源極S、黑表筆接漏極D,這就相當(dāng)于在源、漏極之間加了一個(gè)反向電壓。此時(shí)柵極是開路的,管的反向電阻值是很不穩(wěn)定的。將萬(wàn)用表的歐姆檔選在R×10...
MOS場(chǎng)效應(yīng)管也被稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種。增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱為N溝道型...
場(chǎng)效應(yīng)管判斷跨導(dǎo)的大小:測(cè)反向電阻值的變化判斷跨導(dǎo)的大小.對(duì)VMOSV溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)量跨導(dǎo)性能時(shí),可用紅表筆接源極S、黑表筆接漏極D,這就相當(dāng)于在源、漏極之間加了一個(gè)反向電壓。此時(shí)柵極是開路的,管的反向電阻值是很不穩(wěn)定的。將萬(wàn)用表的歐姆檔選在R×10...
場(chǎng)效應(yīng)管:當(dāng)帶電荷的生物分子在離子敏感膜上發(fā)生識(shí)別并形成復(fù)合物時(shí),或生物分子在離子敏感膜上發(fā)生生化反應(yīng)形成有離子型產(chǎn)物(如H+) 時(shí),將引起離子敏感膜表面電荷密度的改變,從而改變離子敏感膜電位,這就相當(dāng)于通過外電源調(diào)節(jié)柵極電壓,達(dá)到控制源極與漏極之間的溝道...
場(chǎng)效應(yīng)管以N溝道為例,它是在P型硅襯底上制成兩個(gè)高摻雜濃度的源擴(kuò)散區(qū)N+和漏擴(kuò)散區(qū)N+,再分別引出源極S和漏極D。源極與襯底在內(nèi)部連通,二者總保持等電位。當(dāng)漏接電源正極,源極接電源負(fù)極并使VGS=0時(shí),溝道電流(即漏極電流)ID=0。隨著VGS逐漸升高,受...
MOS場(chǎng)效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管,英文縮寫為MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor),屬于絕緣柵型。其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,因此具有很高...
場(chǎng)效應(yīng)管無標(biāo)示管的判別:首先用測(cè)量電阻的方法找出兩個(gè)有電阻值的管腳,也就是源極S和漏極D,余下兩個(gè)腳為點(diǎn)柵極G1和柵極G2。把先用兩表筆測(cè)的源極S與漏極D之間的電阻值記下來,對(duì)調(diào)表筆再測(cè)量一次,把其測(cè)得電阻值記下來,兩次測(cè)得阻值較大的一次,黑表筆所接的電極...
柵極電壓(UGs)對(duì)漏極電流(ID)的控制作用稱為轉(zhuǎn)移特性,反映這兩者之間關(guān)系的曲線稱為轉(zhuǎn)移特性曲線。下圖1-60所示為N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線。當(dāng)柵極電壓UGs取不同的電壓值時(shí),漏極電流ID將隨之改變。當(dāng)ID=0時(shí),UGS的值為場(chǎng)效應(yīng)管的夾斷電壓...
場(chǎng)效應(yīng)管的應(yīng)用常用的場(chǎng)效應(yīng)晶體管是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 。CMOS (互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)工藝技術(shù)是現(xiàn)代數(shù)字化集成電路的基礎(chǔ)。這種工藝技術(shù)采用一種增強(qiáng)模式設(shè)計(jì),即p溝道MOSFET和n溝道MOSFET串聯(lián)連接,使得當(dāng)一個(gè)導(dǎo)通時(shí),另一個(gè)閉合。在場(chǎng)效...
場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng):結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的柵源電壓不能接反,可以在開路狀態(tài)下保存,而絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管在不使用時(shí),由于它的輸入電阻非常高,須將各電極短路,以免外電場(chǎng)作用而使管子損壞。焊接時(shí),電烙鐵外殼必須裝有外接地線,以防止由于電烙鐵帶電而損壞管子。對(duì)于少量焊接,也可...
柵極電壓(UGs)對(duì)漏極電流(ID)的控制作用稱為轉(zhuǎn)移特性,反映這兩者之間關(guān)系的曲線稱為轉(zhuǎn)移特性曲線。下圖1-60所示為N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線。當(dāng)柵極電壓UGs取不同的電壓值時(shí),漏極電流ID將隨之改變。當(dāng)ID=0時(shí),UGS的值為場(chǎng)效應(yīng)管的夾斷電壓...
與雙極型晶體管相比,場(chǎng)效應(yīng)管具有如下特點(diǎn)。(1)場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件,它通過VGS(柵源電壓)來控制ID(漏極電流);(2)場(chǎng)效應(yīng)管的控制輸入端電流極小,因此它的輸入電阻(107~1012Ω)很大。(3)它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,因此它的溫度穩(wěn)定性較好;(...
場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng):用25W電烙鐵焊接時(shí)應(yīng)迅速,若用45~75W電烙鐵焊接,應(yīng)用鑷子夾住管腳根部以幫助散熱。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管可用表電阻檔定性地檢查管子的質(zhì)量(檢查各PN結(jié)的正反向電阻及漏源之間的電阻值),而絕緣柵場(chǎng)效管不能用萬(wàn)用表檢查,必須用測(cè)試儀,而且要在接入...
場(chǎng)效應(yīng)管判斷跨導(dǎo)的大小:測(cè)反向電阻值的變化判斷跨導(dǎo)的大小.對(duì)VMOSV溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)量跨導(dǎo)性能時(shí),可用紅表筆接源極S、黑表筆接漏極D,這就相當(dāng)于在源、漏極之間加了一個(gè)反向電壓。此時(shí)柵極是開路的,管的反向電阻值是很不穩(wěn)定的。將萬(wàn)用表的歐姆檔選在R×10...
場(chǎng)效應(yīng)管:當(dāng)帶電荷的生物分子在離子敏感膜上發(fā)生識(shí)別并形成復(fù)合物時(shí),或生物分子在離子敏感膜上發(fā)生生化反應(yīng)形成有離子型產(chǎn)物(如H+) 時(shí),將引起離子敏感膜表面電荷密度的改變,從而改變離子敏感膜電位,這就相當(dāng)于通過外電源調(diào)節(jié)柵極電壓,達(dá)到控制源極與漏極之間的溝道...
用測(cè)電阻法判別無標(biāo)志的場(chǎng)效應(yīng)管:首先用測(cè)量電阻的方法找出兩個(gè)有電阻值的管腳,也就是源極S和漏極D,余下兩個(gè)腳為點(diǎn)柵極G1和柵極G2。把先用兩表筆測(cè)的源極S與漏極D之間的電阻值記下來,對(duì)調(diào)表筆再測(cè)量一次,把其測(cè)得電阻值記下來,兩次測(cè)得阻值較大的一次,黑表筆所...
場(chǎng)效應(yīng)管工作原理用一句話說,就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID, 用柵極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵極電壓進(jìn)行控制”。更正確地說,ID流經(jīng)通路的寬度,即溝道截面積,它是由pn結(jié)反偏的變化,產(chǎn)生耗盡層擴(kuò)展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域,表示的過渡層...
各類音頻放大器具有各自的優(yōu)點(diǎn)及屬性,也各有其不足之處,而場(chǎng)效應(yīng)管放大器主流兼具晶體管和電子管兩者的優(yōu)勢(shì),同時(shí)還具備兩者所沒有的優(yōu)勢(shì)。在電路程式上,大量實(shí)踐證明,單端甲類功放是以效率換音質(zhì)的典范,具有出色的音樂魅力。不少發(fā)燒友從單純追求音質(zhì)出發(fā),反復(fù)制作功放...
盟科MK3004N大功率MOS用于榨汁機(jī),手持咖啡機(jī),破壁機(jī)等家電產(chǎn)品,其內(nèi)阻可以做到4毫歐以為,芯片面積大,EAS雪崩能力強(qiáng),可達(dá)40A,電流可達(dá)100A,電壓為30V,N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管,封裝形式為貼片TO-252,產(chǎn)品穩(wěn)定,可以提供樣品測(cè)試,技術(shù)支持,...
根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象,可以判別出結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)電極。具體方法:將萬(wàn)用表?yè)茉赗×1k檔上,任選兩個(gè)電極,分別測(cè)出其正、反向電阻值。當(dāng)某兩個(gè)電極的正、反向電阻值相等,且為幾千歐姆時(shí),則該兩個(gè)電極分別是漏極D和源極S。因?yàn)閷?duì)結(jié)型場(chǎng)效...
三極管是流控型器件,MOS管是壓控型器件,可控硅不單單是流控型器件,稍微復(fù)雜一點(diǎn)。分別介紹。三極管的控制方式三極管是常用的電子元器件,可以用作開關(guān),也可以用作信號(hào)放大。三極管分為NPN型和PNP型,當(dāng)三極管的PN結(jié)正向偏置之后,三極管導(dǎo)通。對(duì)于NPN三極管...
場(chǎng)效應(yīng)管判斷跨導(dǎo)的大小:測(cè)反向電阻值的變化判斷跨導(dǎo)的大小.對(duì)VMOSV溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)量跨導(dǎo)性能時(shí),可用紅表筆接源極S、黑表筆接漏極D,這就相當(dāng)于在源、漏極之間加了一個(gè)反向電壓。此時(shí)柵極是開路的,管的反向電阻值是很不穩(wěn)定的。將萬(wàn)用表的歐姆檔選在R×10...
場(chǎng)效應(yīng)管:當(dāng)帶電荷的生物分子在離子敏感膜上發(fā)生識(shí)別并形成復(fù)合物時(shí),或生物分子在離子敏感膜上發(fā)生生化反應(yīng)形成有離子型產(chǎn)物(如H+) 時(shí),將引起離子敏感膜表面電荷密度的改變,從而改變離子敏感膜電位,這就相當(dāng)于通過外電源調(diào)節(jié)柵極電壓,達(dá)到控制源極與漏極之間的溝道...
取出的MOS器件不能在塑料板上滑動(dòng),應(yīng)用金屬盤來盛放待用器件。焊接用的電烙鐵須要不錯(cuò)接地。在焊接前應(yīng)把電路板的電源線與地線短接,再M(fèi)OS器件焊接完成后在分離。MOS器件各引腳的焊接依次是漏極、源極、柵極。拆機(jī)時(shí)依次相反。電路板在裝機(jī)之前,要用接地的線夾子去...
場(chǎng)效應(yīng)管是只要一種載流子參與導(dǎo)電,用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件。有N溝道器件和P溝道器件。有結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)三極管JFET(JunctionFieldEffectTransister)和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)三極管FET之分。FET也稱金屬-氧化物-半導(dǎo)體三極管M...
根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象,可以判別出結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)電極。具體方法:將萬(wàn)用表?yè)茉赗×1k檔上,任選兩個(gè)電極,分別測(cè)出其正、反向電阻值。當(dāng)某兩個(gè)電極的正、反向電阻值相等,且為幾千歐姆時(shí),則該兩個(gè)電極分別是漏極D和源極S。因?yàn)閷?duì)結(jié)型場(chǎng)效...
場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng):用25W電烙鐵焊接時(shí)應(yīng)迅速,若用45~75W電烙鐵焊接,應(yīng)用鑷子夾住管腳根部以幫助散熱。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管可用表電阻檔定性地檢查管子的質(zhì)量(檢查各PN結(jié)的正反向電阻及漏源之間的電阻值),而絕緣柵場(chǎng)效管不能用萬(wàn)用表檢查,必須用測(cè)試儀,而且要在接入...
場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET運(yùn)用:MOSFET普遍使用在模擬電路與數(shù)字電路中,和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于:首先驅(qū)動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用電路電路比較簡(jiǎn)單。MOSFET需要的驅(qū)動(dòng)電流比 BJT則小得多,而且通??梢灾苯佑蒀MOS或者集電極開路TTL驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)...
場(chǎng)效應(yīng)管電阻法測(cè)好壞:測(cè)電阻法是用萬(wàn)用表測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極G1與柵極G2之間的電阻值同場(chǎng)效應(yīng)管手冊(cè)標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法:首先將萬(wàn)用表置于R×10或R×100檔,測(cè)量源極S與漏極D之間的電阻,通常在...