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  • 湖北AC高壓220V降24V非隔離BUCK電源芯片技術(shù)支持
    湖北AC高壓220V降24V非隔離BUCK電源芯片技術(shù)支持

    集成了輸出過(guò)壓保護(hù)(OVP) 功能,以減小輸出電壓過(guò)沖,并保護(hù)下游用電設(shè)備免受在輸出故障條件或者突減負(fù)載時(shí)可能出現(xiàn)的高壓尖峰的損壞。OVP 電路通過(guò)監(jiān)測(cè)反饋電壓(VFB) 檢測(cè)過(guò)壓條件。當(dāng)VFB 超過(guò) OVP 閾值 (VOVP) 時(shí),OVP 比較器輸出置高,內(nèi)置高側(cè)和低側(cè)MOSFET 都將關(guān)閉,以避免VOUT 進(jìn)一步升高。一旦VOUT 低于 VOVP,芯片開始再次工作。輸出過(guò)壓保護(hù)功能為非鎖存功能。IC內(nèi)部集成了紋波注入電路來(lái)模擬輸出電壓紋波從而實(shí)現(xiàn)了在低ESR 的陶瓷輸出電容(MLCC) 的低輸出紋波條件下的穩(wěn)定工作。另外,內(nèi)部還集成了一個(gè)斜坡信號(hào)產(chǎn)生電路,以減少開關(guān)抖動(dòng)。內(nèi)部功率MOSFE...

  • 上海低功耗40V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片現(xiàn)貨
    上海低功耗40V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片現(xiàn)貨

    深圳市必易微電子股份有限公司(股票代碼:688045)擁有半導(dǎo)體領(lǐng)域的*****和高效的管理團(tuán)隊(duì),主要從事高性能模擬及數(shù)?;旌霞呻娐返难邪l(fā)和銷售,在杭州、廈門、上海、成都、中山等地設(shè)有研發(fā)中心及分支機(jī)構(gòu)。必易微高度重視知識(shí)產(chǎn)權(quán)的開發(fā)和保護(hù),已擁有多項(xiàng)集成電路和系統(tǒng)應(yīng)用的國(guó)際、國(guó)內(nèi)**。主營(yíng)產(chǎn)品包括AC-DC、DC-DC、驅(qū)動(dòng)IC、線性穩(wěn)壓、保護(hù)芯片、電池管理等,為消費(fèi)電子、工業(yè)、通訊、計(jì)算機(jī)等領(lǐng)域客戶提供完整電源解決方案和系統(tǒng)集成??萍几纳粕?。必易微尊重人才、重用人才,以客戶為中心,始終堅(jiān)持“獨(dú)特創(chuàng)新、易于使用”的公司理念,創(chuàng)新芯領(lǐng)域,**芯發(fā)展,力爭(zhēng)成為全球***的芯片設(shè)計(jì)企業(yè)。低開關(guān)損...

  • 重慶AC高壓220V降48V非隔離BUCK電源芯片加工
    重慶AC高壓220V降48V非隔離BUCK電源芯片加工

    WIFI供電**芯片,精度高,動(dòng)態(tài)優(yōu),功耗低,**精簡(jiǎn)。KP35026是一款高性能低成本PWM控制功率開關(guān),適用于3.3V供電的應(yīng)用場(chǎng)合,外圍電路簡(jiǎn)單、器件個(gè)數(shù)少。同時(shí)IC內(nèi)置高耐壓MOSFET可提高系統(tǒng)浪涌耐受能力。與傳統(tǒng)的PWM控制器不同,KP35026內(nèi)部無(wú)固定時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)MOSFET,系統(tǒng)開關(guān)頻率隨負(fù)載變化可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)調(diào)節(jié)。芯片采用了多模式PWM控制技術(shù)和動(dòng)態(tài)響應(yīng)優(yōu)化電路,有效提升了動(dòng)態(tài)響應(yīng)能力,優(yōu)化了線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率,同時(shí)明顯降低了系統(tǒng)工作中的可聞噪音。同時(shí)產(chǎn)品內(nèi)置高耐壓 MOSFET 可提高系統(tǒng)浪涌耐受能力。重慶AC高壓220V降48V非隔離BUCK電源芯片加工芯片BST 引腳和 ...

  • 吉林大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片
    吉林大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片

    BUCK降壓芯片,小封裝輸出5V100mA,低功耗、高效率、線路簡(jiǎn)單,在某些情況下(如重載或者輸出短路等),系統(tǒng)的電感電流峰值將上升過(guò)于劇烈。為避免電感峰值電流過(guò)大對(duì)系統(tǒng)元器件造成損壞,芯片內(nèi)部設(shè)計(jì)有異常過(guò)流檢測(cè)模塊(AOCP,典型閾值為250mA)。當(dāng)CS電壓高于該閾值時(shí),內(nèi)部功率MOSFET即刻關(guān)斷并保持關(guān)斷狀態(tài)持續(xù)2個(gè)周期。芯片內(nèi)部集成的過(guò)熱保護(hù)電路會(huì)檢測(cè)芯片的芯片結(jié)溫,當(dāng)芯片結(jié)溫超過(guò)155度(典型值)時(shí)系統(tǒng)進(jìn)入到自動(dòng)重啟模式。芯片工作在準(zhǔn)諧振工作模式下,可有 效降低開關(guān)損耗,提高系統(tǒng)效率。吉林大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片KP52220XA采用內(nèi)置電壓誤差積分器的恒定導(dǎo)通時(shí)間控...

  • 山東低功耗100V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片現(xiàn)貨
    山東低功耗100V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片現(xiàn)貨

    高效率低功耗30V降壓DCDC電源芯片,30V3A,500kHz同步降壓轉(zhuǎn)換器KP52330X是一款簡(jiǎn)單易用高效率的同步降壓直流/直流轉(zhuǎn)換器,它具有4.5V至30V的寬輸入電壓范圍,能夠驅(qū)動(dòng)高達(dá)3A的負(fù)載電流,非常適合用于12V和24V等常見(jiàn)的輸入電源軌。KP523302輕載下工作在脈沖頻率調(diào)制模式(PFM)以維持高輕載效率;KP523308輕載下工作在強(qiáng)制脈寬調(diào)制模式(FPWM)以實(shí)現(xiàn)全負(fù)載電流下固定的開關(guān)頻率和低輸出紋波。通過(guò)集成MOSFET并采用TSOT23-6封裝,該器件可實(shí)現(xiàn)高功率密度,并且在印刷電路板(PCB)上的占用空間非常小。采用具有內(nèi)部補(bǔ)償?shù)姆逯惦娏髂J娇刂萍軜?gòu),用于維持穩(wěn)定...

  • 中國(guó)臺(tái)灣低功耗40V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片現(xiàn)貨
    中國(guó)臺(tái)灣低功耗40V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片現(xiàn)貨

    18V低功耗DCDC降壓芯片,主要特點(diǎn)?寬輸入電壓范圍:4.5Vto17V?輸出電壓范圍:0.768Vto7V?支持2A持續(xù)輸出電流?電感電流連續(xù)模式下600kHz的開關(guān)頻率?內(nèi)部集成低導(dǎo)通電阻的MOSFET開關(guān)管?低靜態(tài)工作電流:190μA(無(wú)開關(guān)動(dòng)作,典型值)?低關(guān)斷電流:2.5μA(典型值)?采用恒定導(dǎo)通時(shí)間控制實(shí)現(xiàn)超快速的動(dòng)態(tài)響應(yīng)?兩種輕載工作模式:?KP522201A:脈沖頻率調(diào)制模式(PFM)?KP522208A:強(qiáng)制脈寬調(diào)制模式(FPWM)?高參考電壓精度:0.768V±1.5%@25℃?集成完善的保護(hù)功能:?精確的使能控制和可調(diào)欠壓鎖定功能?內(nèi)部1ms軟啟動(dòng)時(shí)間,避免過(guò)沖電壓和...

  • 上海低功耗60V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片樣品
    上海低功耗60V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片樣品

    主要特點(diǎn)?固定12V輸出?集成650V高壓MOSFET和高壓?jiǎn)?dòng)電路?多模式控制、無(wú)異音工作?支持降壓和升降壓拓?fù)?良好的線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率?集成軟啟動(dòng)電路?內(nèi)部保護(hù)功能:?過(guò)載保護(hù)(OLP)?逐周期電流限制(OCP)?輸出過(guò)壓保護(hù)(OVP)?VDD過(guò)壓、欠壓和電壓箝位保護(hù)?封裝類型SOP-8/DIP-7典型應(yīng)用?小家電電源?工業(yè)控制同時(shí)芯片采用了多模式 PWM 控制技術(shù),有效簡(jiǎn)化了外圍電路設(shè)計(jì),提升線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率并消除系統(tǒng)工作中的可聞噪音。此外,芯片內(nèi)部峰值電流檢測(cè)閾值可跟隨實(shí)際負(fù)載情況自動(dòng)調(diào)節(jié),可以有效降低空載情況下的待機(jī)功耗。這款芯片適用于WIFI模塊供電。上海低功耗60V降...

  • 上海交流高壓220V轉(zhuǎn)12V供電繼電器非隔離BUCK電源芯片樣品
    上海交流高壓220V轉(zhuǎn)12V供電繼電器非隔離BUCK電源芯片樣品

    220V降壓非隔離固定12V輸出、高性能低成本離線式PWM控制功率開關(guān)KP322X系列是一款高性能低成本PWM控制功率開關(guān),適用于離線式小功率降壓型應(yīng)用場(chǎng)合,外圍電路簡(jiǎn)單、器件個(gè)數(shù)少。同時(shí)產(chǎn)品內(nèi)置高耐壓MOSFET可提高系統(tǒng)浪涌耐受能力。與傳統(tǒng)的PWM控制器不同,KP322X內(nèi)部無(wú)固定時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)MOSFET,系統(tǒng)開關(guān)頻率隨負(fù)載變化可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)調(diào)節(jié)。同時(shí)芯片采用了多模式PWM控制技術(shù),有效簡(jiǎn)化了外圍電路設(shè)計(jì),提升線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率并消除系統(tǒng)工作中的可聞噪音。此外,芯片內(nèi)部峰值電流檢測(cè)閾值可跟隨實(shí)際負(fù)載情況自動(dòng)調(diào)節(jié),可以有效降低空載情況下的待機(jī)功耗。KP322X集成有完備的帶自恢復(fù)功能的保護(hù)功能:...

  • 安徽交流高壓220V轉(zhuǎn)12V供電繼電器非隔離BUCK電源芯片資料
    安徽交流高壓220V轉(zhuǎn)12V供電繼電器非隔離BUCK電源芯片資料

    高效率低功耗30V降壓DCDC電源芯片,30V3A,500kHz同步降壓轉(zhuǎn)換器KP52330X是一款簡(jiǎn)單易用高效率的同步降壓直流/直流轉(zhuǎn)換器,它具有4.5V至30V的寬輸入電壓范圍,能夠驅(qū)動(dòng)高達(dá)3A的負(fù)載電流,非常適合用于12V和24V等常見(jiàn)的輸入電源軌。KP523302輕載下工作在脈沖頻率調(diào)制模式(PFM)以維持高輕載效率;KP523308輕載下工作在強(qiáng)制脈寬調(diào)制模式(FPWM)以實(shí)現(xiàn)全負(fù)載電流下固定的開關(guān)頻率和低輸出紋波。通過(guò)集成MOSFET并采用TSOT23-6封裝,該器件可實(shí)現(xiàn)高功率密度,并且在印刷電路板(PCB)上的占用空間非常小。采用具有內(nèi)部補(bǔ)償?shù)姆逯惦娏髂J娇刂萍軜?gòu),用于維持穩(wěn)定...

  • 吉林AC高壓降5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片現(xiàn)貨
    吉林AC高壓降5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片現(xiàn)貨

    VIN 欠壓鎖定功能(UVLO) 禁止芯片在輸入供電電壓過(guò)低時(shí)工作。UVLO 比較器監(jiān)測(cè)內(nèi)部穩(wěn)壓電源VCC 的輸出電壓大小。當(dāng)VIN 下降到VUVLO(F) 以下時(shí),芯片停止開關(guān)工作,禁止使能。當(dāng)VIN 上升到VUVLO(R) 以上時(shí),如果此時(shí)VEN 也大于VEN(R),則芯片使能,開始軟啟動(dòng)恢復(fù)正常工作。芯片的 VIN UVLO 的上升和下降閾值為固定值,且典型遲滯電壓為400mV。如果實(shí)際應(yīng)用中需要設(shè)置更高的閾值和遲滯電壓,芯片支持在EN 引腳外接分壓電阻實(shí)現(xiàn)VIN UVLO 上升閾值和VIN UVLO 下降閾值自定義設(shè)置,從而避免芯片在開關(guān)機(jī)時(shí)刻由于VIN 的尖峰噪聲和紋波導(dǎo)致芯片反復(fù)重...

  • 遼寧AC高壓220V降48V非隔離BUCK電源芯片樣品
    遼寧AC高壓220V降48V非隔離BUCK電源芯片樣品

    220V降壓非隔離固定12V輸出、高性能低成本離線式PWM控制功率開關(guān)KP322X系列是一款高性能低成本PWM控制功率開關(guān),適用于離線式小功率降壓型應(yīng)用場(chǎng)合,外圍電路簡(jiǎn)單、器件個(gè)數(shù)少。同時(shí)產(chǎn)品內(nèi)置高耐壓MOSFET可提高系統(tǒng)浪涌耐受能力。與傳統(tǒng)的PWM控制器不同,KP322X內(nèi)部無(wú)固定時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)MOSFET,系統(tǒng)開關(guān)頻率隨負(fù)載變化可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)調(diào)節(jié)。同時(shí)芯片采用了多模式PWM控制技術(shù),有效簡(jiǎn)化了外圍電路設(shè)計(jì),提升線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率并消除系統(tǒng)工作中的可聞噪音。此外,芯片內(nèi)部峰值電流檢測(cè)閾值可跟隨實(shí)際負(fù)載情況自動(dòng)調(diào)節(jié),可以有效降低空載情況下的待機(jī)功耗。KP322X集成有完備的帶自恢復(fù)功能的保護(hù)功能:...

  • 福建交流高壓220V轉(zhuǎn)12V供電繼電器非隔離BUCK電源芯片型號(hào)
    福建交流高壓220V轉(zhuǎn)12V供電繼電器非隔離BUCK電源芯片型號(hào)

    給藍(lán)牙模塊供電,220V降壓3.3V,輸出可調(diào),電路簡(jiǎn)單。芯片內(nèi)部峰值電流檢測(cè)閾值可跟隨實(shí)際負(fù)載情況自動(dòng)調(diào)節(jié),可以有效降低空載情況下的待機(jī)功耗。KP35062集成有完備的帶自恢復(fù)功能的保護(hù)功能:VDD欠壓保護(hù)、逐周期電流限制、輸出過(guò)壓保護(hù)、過(guò)熱保護(hù)、過(guò)載保護(hù)等。主要特點(diǎn)?集成500V高壓MOSFET和高壓?jiǎn)?dòng)電路?集成續(xù)流二極管?多模式控制、無(wú)異音工作?支持降壓和升降壓拓?fù)?支持**壓輸入(>20V)?空載功耗低于100mW?支持比較高30kHz開關(guān)頻率?良好的線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率?集成軟啟動(dòng)電路?內(nèi)部保護(hù)功能:?過(guò)載保護(hù)(OLP)?逐周期電流限制(OCP)?輸出過(guò)壓保護(hù)(OVP)?過(guò)溫保護(hù)...

  • 廣東AC高壓220V降48V非隔離BUCK電源芯片定制
    廣東AC高壓220V降48V非隔離BUCK電源芯片定制

    降壓非隔離電源芯片220V轉(zhuǎn)5V,KP320X集成有完備的帶自恢復(fù)功能的保護(hù)功能:VDD欠壓保護(hù)(UVLO)、逐周期電流限制(OCP)、輸出過(guò)壓保護(hù)(OVP)、FB異常保護(hù)、過(guò)載保護(hù)(OLP)和過(guò)熱保護(hù)等(OTP)。主要特點(diǎn)?固定5V輸出?集成650V高壓MOSFET和高壓?jiǎn)?dòng)電路?多模式控制、無(wú)異音工作?支持降壓和升降壓拓?fù)?待機(jī)功耗低于100mW?良好的線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率?集成軟啟動(dòng)電路?內(nèi)部保護(hù)功能:?過(guò)載保護(hù)(OLP)?逐周期電流限制(OCP)?輸出過(guò)壓保護(hù)(OVP)?FB異常保護(hù)?異常過(guò)流保護(hù)(AOCP)?過(guò)熱保護(hù)(OTP)?封裝類型SOP-8低開關(guān)損耗的特 點(diǎn), 適合于降壓型拓...

  • 重慶AC高壓220V降48V非隔離BUCK電源芯片
    重慶AC高壓220V降48V非隔離BUCK電源芯片

    另外為了優(yōu)化芯片的 EMI 性能和保證芯片的可靠穩(wěn)定運(yùn)行,在使用陶瓷電容作為輸入電容 CIN 外,推薦另外再添加一個(gè) 0.1μF 的陶瓷電容(0603/0402 封裝) 盡可能近地放置在芯片的VIN 和 GND 引腳旁。需要注意的是,雖然陶瓷電容具有優(yōu)良的高頻性能和穩(wěn)定的使用壽命,但是在某些輸入電壓熱插拔的使用場(chǎng)景下,實(shí)際VIN 引腳上的電壓可能會(huì)由于陶瓷電容的低ESR 特性出現(xiàn)振蕩,**惡劣時(shí)甚至?xí)袷幍? 倍的 VIN 電壓,從而過(guò)壓擊穿芯片。此時(shí),推薦在輸入電壓端額外并聯(lián)加入一顆具有較大ESR 的電解電容或者在輸入電壓端添加一顆TVS 二極管以限制輸入過(guò)壓的情況。芯片采用了多模式 PWM...

  • 四川交流高壓220V轉(zhuǎn)3.3V供電WIFI非隔離BUCK電源芯片定制
    四川交流高壓220V轉(zhuǎn)3.3V供電WIFI非隔離BUCK電源芯片定制

    40V降壓DCDC低功耗電源芯片,主要特點(diǎn)?用于條件嚴(yán)苛的工業(yè)應(yīng)用?輸入電壓范圍:6V~40V?1A持續(xù)輸出電流?100%比較大占空比可實(shí)現(xiàn)**壓降?支持預(yù)偏置輸出軟啟動(dòng)?輸出過(guò)壓/欠壓保護(hù)?輸入過(guò)壓保護(hù)/欠壓鎖定?過(guò)溫保護(hù)?±1%輸出電壓精度?方案小巧且易于使用?集成270mΩP型高側(cè)MOSFET?集成135mΩN型低側(cè)MOSFET?內(nèi)置補(bǔ)償電路?內(nèi)置軟啟動(dòng)電路?固定5V輸出(KP521405,KP521405A)?固定3.3V輸出(KP521403,KP521403A)?為家電應(yīng)用優(yōu)化設(shè)計(jì)?可實(shí)現(xiàn)單層PCB布局?低開關(guān)速率減輕EMI問(wèn)題典型應(yīng)用?白電,小家電?電動(dòng)工具?智能照明?通用寬輸入...

  • 四川AC高壓降5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片價(jià)格
    四川AC高壓降5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片價(jià)格

    高效率低功耗30V降壓DCDC電源芯片,30V3A,500kHz同步降壓轉(zhuǎn)換器KP52330X是一款簡(jiǎn)單易用高效率的同步降壓直流/直流轉(zhuǎn)換器,它具有4.5V至30V的寬輸入電壓范圍,能夠驅(qū)動(dòng)高達(dá)3A的負(fù)載電流,非常適合用于12V和24V等常見(jiàn)的輸入電源軌。KP523302輕載下工作在脈沖頻率調(diào)制模式(PFM)以維持高輕載效率;KP523308輕載下工作在強(qiáng)制脈寬調(diào)制模式(FPWM)以實(shí)現(xiàn)全負(fù)載電流下固定的開關(guān)頻率和低輸出紋波。通過(guò)集成MOSFET并采用TSOT23-6封裝,該器件可實(shí)現(xiàn)高功率密度,并且在印刷電路板(PCB)上的占用空間非常小。采用具有內(nèi)部補(bǔ)償?shù)姆逯惦娏髂J娇刂萍軜?gòu),用于維持穩(wěn)定...

  • 低功耗18V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片樣品
    低功耗18V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片樣品

    40V低功耗降壓DCDC電源芯片,40V,1A易用高性能同步降壓轉(zhuǎn)換器KP52140X(A)是一款簡(jiǎn)單易用的同步降壓直流/直流轉(zhuǎn)換器,能夠驅(qū)動(dòng)高達(dá)1A的負(fù)載電流。它具有6V至40V的寬輸入范圍,因此適用于工業(yè)領(lǐng)域中非穩(wěn)壓電源的電源調(diào)節(jié)。KP52140X(A)內(nèi)部集成低導(dǎo)通電阻的P型高側(cè)MOSFET和N型低側(cè)MOSFET,省掉了外部自舉電容和肖特基二極管。在內(nèi)部實(shí)現(xiàn)了軟啟動(dòng)和補(bǔ)償電路減少了**元器件的數(shù)量,固定5V或3.3V的輸出方式可進(jìn)一步減少**元器件數(shù)量,從而輕松實(shí)現(xiàn)單層PCB布局。KP52140X(A)典型開關(guān)頻率為100kHz,采用低開關(guān)速率設(shè)計(jì)適用于有EMI要求的應(yīng)用場(chǎng)合。KP521...

  • 浙江AC高壓降15V供電非隔離BUCK電源芯片原廠
    浙江AC高壓降15V供電非隔離BUCK電源芯片原廠

    同步降壓變換器的輸出級(jí)主要由電感和電容組成,通過(guò)內(nèi)部集成的功率MOSFET管的開關(guān)切換,將能量存儲(chǔ)并傳遞給負(fù)載,并形成二階低通濾波器平滑開關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓,得到穩(wěn)定的輸出直流電壓。本節(jié)基于設(shè)計(jì)實(shí)例主要描述詳細(xì)的設(shè)計(jì)過(guò)程。芯片可以通過(guò)使用外部分壓電阻連接到FB引腳來(lái)設(shè)置不同的輸出電壓。輸出電壓與外部分壓電阻的公式如下:????????+×=FB(B)FB(T)REFOUTRR1VV其中VREF=0.768V推薦從分壓下電阻RFB(B)開始設(shè)計(jì)。過(guò)大的RFB(B)會(huì)導(dǎo)致FB引腳更容易收到外界噪聲干擾,而過(guò)小的RFB(B)會(huì)增大分壓電阻的功率損耗。綜合考慮二者,推薦選擇RFB(B)=10kΩ~50kΩ。則...

  • 重慶AC高壓降12V供電非隔離BUCK電源芯片加工
    重慶AC高壓降12V供電非隔離BUCK電源芯片加工

    芯片在輕載條件下工作在FPWM 模式,從而允許低側(cè)MOSFET 通過(guò)反向電流。在FPWM 模式下,如果輸出端由于意外被連接到外部電源上,芯片可能工作在反向升壓模式,產(chǎn)生很高的反向電流以至損壞芯片。芯片 內(nèi)部集成低側(cè)MOSFET 電流檢測(cè)電路,當(dāng)檢測(cè)到低側(cè)MOSFET反向電流大于反向限流閾值(NOC) 時(shí),立即關(guān)閉低側(cè)MOSFET,然后打開高側(cè)MOSFET 將輸出電感的能量泄放出去。此功能可以限制反向電流保持在NOC 閾值以上,從而保護(hù)低側(cè)MOSFET。另外,NOC 限流在**小關(guān)斷時(shí)間內(nèi)不生效。這款芯片是一種簡(jiǎn)單易用、高效集成的同步降壓轉(zhuǎn)換器。重慶AC高壓降12V供電非隔離BUCK電源芯片加工...

  • 四川非隔離BUCK電源芯片代理
    四川非隔離BUCK電源芯片代理

    BUCK降壓芯片,小封裝輸出5V100mA,低功耗、高效率、線路簡(jiǎn)單,在某些情況下(如重載或者輸出短路等),系統(tǒng)的電感電流峰值將上升過(guò)于劇烈。為避免電感峰值電流過(guò)大對(duì)系統(tǒng)元器件造成損壞,芯片內(nèi)部設(shè)計(jì)有異常過(guò)流檢測(cè)模塊(AOCP,典型閾值為250mA)。當(dāng)CS電壓高于該閾值時(shí),內(nèi)部功率MOSFET即刻關(guān)斷并保持關(guān)斷狀態(tài)持續(xù)2個(gè)周期。芯片內(nèi)部集成的過(guò)熱保護(hù)電路會(huì)檢測(cè)芯片的芯片結(jié)溫,當(dāng)芯片結(jié)溫超過(guò)155度(典型值)時(shí)系統(tǒng)進(jìn)入到自動(dòng)重啟模式??烧{(diào)輸出電壓,比較高輸出電流限制的特 點(diǎn),適用于非隔離型AC-DC。四川非隔離BUCK電源芯片代理220V轉(zhuǎn)5V電源芯片高壓BUCK電路,給MCU提供穩(wěn)定的5V電...

  • 江蘇低功耗100V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片定制
    江蘇低功耗100V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片定制

    芯片內(nèi)部峰值電流檢測(cè)閾值可跟隨實(shí)際負(fù)載情況自動(dòng)調(diào)節(jié),可以有效降低空載情況下的待機(jī)功耗。KP35064集成有完備的帶自恢復(fù)功能的保護(hù)功能:VDD欠壓保護(hù)、逐周期電流限制、輸出過(guò)壓保護(hù)、過(guò)熱保護(hù)、過(guò)載保護(hù)和VDD過(guò)壓保護(hù)等。主要特點(diǎn)?集成500V高壓MOSFET和高壓?jiǎn)?dòng)電路?集成續(xù)流二極管?多模式控制、無(wú)異音工作?支持降壓和升降壓拓?fù)?支持**壓輸入(>20V)?空載功耗低于100mW?支持比較高30kHz開關(guān)頻率?良好的線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率?集成軟啟動(dòng)電路?內(nèi)部保護(hù)功能:?過(guò)載保護(hù)(OLP)?逐周期電流限制(OCP)?輸出過(guò)壓保護(hù)(OVP)?過(guò)溫保護(hù)(OTP)?封裝類型SOP-8在實(shí)際 工作...

  • 上海AC高壓降5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片定制
    上海AC高壓降5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片定制

    PCB設(shè)計(jì)對(duì)芯片的穩(wěn)定可靠工作至關(guān)重要,請(qǐng)遵循以下指南設(shè)計(jì)以獲得比較好的電路工作性能:1.輸入陶瓷電容盡可能靠近VIN和GND引腳放置。2.功率回路CIN→L→COUT→GND的走線應(yīng)該盡可能短和寬以減小回路壓降,提高轉(zhuǎn)換效率。3.SW節(jié)點(diǎn)的電壓波形為高頻方波,適當(dāng)減小SW節(jié)點(diǎn)的鋪銅可以改善EMI性能,另一方面適當(dāng)增大SW節(jié)點(diǎn)的鋪銅可以優(yōu)化散熱性能,可根據(jù)實(shí)際情況適當(dāng)折衷考慮。4.FB引腳的走線盡可能遠(yuǎn)離噪聲源,比如SW節(jié)點(diǎn)和BST節(jié)點(diǎn)。5.輸出電壓VOUT的采樣點(diǎn)靠近輸出電容末端放置,且分壓采樣電阻靠近FB引腳放置。6.VIN和GND的走線和鋪銅盡可能寬以幫助散熱。在多層板的PCB設(shè)計(jì)中,推...

  • 重慶低功耗150V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片技術(shù)支持
    重慶低功耗150V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片技術(shù)支持

    在輕載條件下,系統(tǒng)工作在斷續(xù)模式下。故實(shí)際輸入功率取決于電感電流峰值大小。為了降低系統(tǒng)損耗,隨著負(fù)載的降低會(huì)自動(dòng)降低峰值電流基準(zhǔn)以滿足**待機(jī)的要求。內(nèi)集成有4ms(典型值)周期的軟啟動(dòng)功能,當(dāng)芯片***次啟動(dòng)時(shí)過(guò)流保護(hù)閾值逐漸增加,而且每次系統(tǒng)的重新啟動(dòng)都會(huì)伴隨著一次軟啟動(dòng)過(guò)程。當(dāng)過(guò)流或短路情況發(fā)生時(shí),輸出電壓和VDD將降低,如果在128ms(典型值)的時(shí)間內(nèi)每次振蕩器的周期里高壓MOSFET都被開通,則芯片識(shí)別此情況為過(guò)流或短路故障已發(fā)生,并停止開關(guān)動(dòng)作之后進(jìn)入自動(dòng)重啟模式(如下描述)。這款芯片適用于MUC供電,線路簡(jiǎn)單。重慶低功耗150V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片技術(shù)支持18V低...

  • 江蘇大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片庫(kù)存
    江蘇大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片庫(kù)存

    VIN 欠壓鎖定功能(UVLO) 禁止芯片在輸入供電電壓過(guò)低時(shí)工作。UVLO 比較器監(jiān)測(cè)內(nèi)部穩(wěn)壓電源VCC 的輸出電壓大小。當(dāng)VIN 下降到VUVLO(F) 以下時(shí),芯片停止開關(guān)工作,禁止使能。當(dāng)VIN 上升到VUVLO(R) 以上時(shí),如果此時(shí)VEN 也大于VEN(R),則芯片使能,開始軟啟動(dòng)恢復(fù)正常工作。芯片的 VIN UVLO 的上升和下降閾值為固定值,且典型遲滯電壓為400mV。如果實(shí)際應(yīng)用中需要設(shè)置更高的閾值和遲滯電壓,芯片支持在EN 引腳外接分壓電阻實(shí)現(xiàn)VIN UVLO 上升閾值和VIN UVLO 下降閾值自定義設(shè)置,從而避免芯片在開關(guān)機(jī)時(shí)刻由于VIN 的尖峰噪聲和紋波導(dǎo)致芯片反復(fù)重...

  • 湖北AC高壓降12V供電非隔離BUCK電源芯片定制
    湖北AC高壓降12V供電非隔離BUCK電源芯片定制

    EN 引腳有一個(gè)內(nèi)部上拉電流源,從而允許用戶保持EN 引腳懸空來(lái)使能芯片。另外根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需要,EN 引腳可以接在外部邏輯控制接口上以實(shí)現(xiàn)芯片的使能控制。EN 引腳內(nèi)部集成了一個(gè)5V 的穩(wěn)壓二極管(典型的擊穿電壓為6.9V) 以保護(hù)內(nèi)部電路受到過(guò)壓風(fēng)險(xiǎn)。在將EN 引腳外接到高于6V的電壓比如VIN 電壓時(shí),串聯(lián)加入上拉電阻(不小于100kΩ) 以限制EN 引腳的輸入電流,防止損壞齊納二極管。芯片內(nèi)部集成了紋波注入電路來(lái)模擬輸出電壓紋波從而實(shí)現(xiàn)了在低ESR 的陶瓷輸出電容(MLCC) 的低輸出紋波條件下的穩(wěn)定工作。另外,內(nèi)部還集成了一個(gè)斜坡信號(hào)產(chǎn)生電路,以減少開關(guān)抖動(dòng)。該系列產(chǎn)品支持離線式非隔 ...

  • 湖南AC高壓220V降30V非隔離BUCK電源芯片現(xiàn)貨
    湖南AC高壓220V降30V非隔離BUCK電源芯片現(xiàn)貨

    高性能、低成本離線式PWM控制開關(guān)KP3501A是一款非隔離型、高集成度且低成本的PWM功率開關(guān),適用于降壓型電路。KP3501A采用高壓?jiǎn)尉A工藝,在同一片晶圓上集成有500V高壓MOSFET和采用開關(guān)式峰值電流模式控制的控制器。在全電壓輸入的范圍內(nèi)可以保證高精度的5V默認(rèn)輸出。在芯片內(nèi)部,芯片內(nèi)部**小Toff時(shí)間固定為20μs且?guī)в卸额l功能,在保證輸出功率的條件下優(yōu)化了EMI效果。同時(shí),芯片設(shè)計(jì)有輕重載模式,可輕松獲得低于50mW的待機(jī)功耗。KP3501A集成有完備的保護(hù)功能:VDD欠壓保護(hù)、逐周期電流限制、異常過(guò)流保護(hù)、過(guò)熱保護(hù)、過(guò)載保護(hù)和短路保護(hù)等。主要特點(diǎn)?高精度5V默認(rèn)輸出?集成...

  • 上海交流高壓220V轉(zhuǎn)3.3V供電藍(lán)牙非隔離BUCK電源芯片資料
    上海交流高壓220V轉(zhuǎn)3.3V供電藍(lán)牙非隔離BUCK電源芯片資料

    EN 引腳有一個(gè)內(nèi)部上拉電流源,從而允許用戶保持EN 引腳懸空來(lái)使能芯片。另外根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需要,EN 引腳可以接在外部邏輯控制接口上以實(shí)現(xiàn)芯片的使能控制。EN 引腳內(nèi)部集成了一個(gè)5V 的穩(wěn)壓二極管(典型的擊穿電壓為6.9V) 以保護(hù)內(nèi)部電路受到過(guò)壓風(fēng)險(xiǎn)。在將EN 引腳外接到高于6V的電壓比如VIN 電壓時(shí),串聯(lián)加入上拉電阻(不小于100kΩ) 以限制EN 引腳的輸入電流,防止損壞齊納二極管。芯片內(nèi)部集成了紋波注入電路來(lái)模擬輸出電壓紋波從而實(shí)現(xiàn)了在低ESR 的陶瓷輸出電容(MLCC) 的低輸出紋波條件下的穩(wěn)定工作。另外,內(nèi)部還集成了一個(gè)斜坡信號(hào)產(chǎn)生電路,以減少開關(guān)抖動(dòng)。。內(nèi)置開關(guān)頻率限制 (16...

  • 中國(guó)香港低功耗60V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片代理
    中國(guó)香港低功耗60V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片代理

    BUCK降壓芯片,小封裝輸出5V100mA,低功耗、高效率、線路簡(jiǎn)單,在某些情況下(如重載或者輸出短路等),系統(tǒng)的電感電流峰值將上升過(guò)于劇烈。為避免電感峰值電流過(guò)大對(duì)系統(tǒng)元器件造成損壞,芯片內(nèi)部設(shè)計(jì)有異常過(guò)流檢測(cè)模塊(AOCP,典型閾值為250mA)。當(dāng)CS電壓高于該閾值時(shí),內(nèi)部功率MOSFET即刻關(guān)斷并保持關(guān)斷狀態(tài)持續(xù)2個(gè)周期。芯片內(nèi)部集成的過(guò)熱保護(hù)電路會(huì)檢測(cè)芯片的芯片結(jié)溫,當(dāng)芯片結(jié)溫超過(guò)155度(典型值)時(shí)系統(tǒng)進(jìn)入到自動(dòng)重啟模式。芯片采用準(zhǔn)諧 振開關(guān)技術(shù),可獲得優(yōu)越的EMI 性能和較高的系統(tǒng) 效率。中國(guó)香港低功耗60V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片代理輸出電壓可調(diào),高壓交流220V非隔...

  • 山東AC高壓220V降24V非隔離BUCK電源芯片型號(hào)
    山東AC高壓220V降24V非隔離BUCK電源芯片型號(hào)

    BUCK降壓芯片,小封裝輸出5V100mA,低功耗、高效率、線路簡(jiǎn)單,在某些情況下(如重載或者輸出短路等),系統(tǒng)的電感電流峰值將上升過(guò)于劇烈。為避免電感峰值電流過(guò)大對(duì)系統(tǒng)元器件造成損壞,芯片內(nèi)部設(shè)計(jì)有異常過(guò)流檢測(cè)模塊(AOCP,典型閾值為250mA)。當(dāng)CS電壓高于該閾值時(shí),內(nèi)部功率MOSFET即刻關(guān)斷并保持關(guān)斷狀態(tài)持續(xù)2個(gè)周期。芯片內(nèi)部集成的過(guò)熱保護(hù)電路會(huì)檢測(cè)芯片的芯片結(jié)溫,當(dāng)芯片結(jié)溫超過(guò)155度(典型值)時(shí)系統(tǒng)進(jìn)入到自動(dòng)重啟模式。系列是一款高性能低成本 PWM 控制功 率開關(guān),適用于離線式小功率降壓型應(yīng)用場(chǎng)合,**電路簡(jiǎn)單、器件個(gè)數(shù)少。山東AC高壓220V降24V非隔離BUCK電源芯片型號(hào)...

  • 遼寧低功耗40V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片價(jià)格
    遼寧低功耗40V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片價(jià)格

    同步降壓變換器的輸出級(jí)主要由電感和電容組成,通過(guò)內(nèi)部集成的功率MOSFET管的開關(guān)切換,將能量存儲(chǔ)并傳遞給負(fù)載,并形成二階低通濾波器平滑開關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓,得到穩(wěn)定的輸出直流電壓。本節(jié)基于設(shè)計(jì)實(shí)例主要描述詳細(xì)的設(shè)計(jì)過(guò)程。芯片可以通過(guò)使用外部分壓電阻連接到FB引腳來(lái)設(shè)置不同的輸出電壓。輸出電壓與外部分壓電阻的公式如下:????????+×=FB(B)FB(T)REFOUTRR1VV其中VREF=0.768V推薦從分壓下電阻RFB(B)開始設(shè)計(jì)。過(guò)大的RFB(B)會(huì)導(dǎo)致FB引腳更容易收到外界噪聲干擾,而過(guò)小的RFB(B)會(huì)增大分壓電阻的功率損耗。綜合考慮二者,推薦選擇RFB(B)=10kΩ~50kΩ。則...

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