附圖說(shuō)明圖1所示為實(shí)施例中熔斷器裝置在完成裝配狀態(tài)的外觀示意圖；圖2所示為實(shí)施例中熔斷器裝置的結(jié)構(gòu)分解示意圖；圖3所示為實(shí)施例中安裝蓋和熔斷器的裝配結(jié)構(gòu)示意圖；圖4所示為圖3所示結(jié)構(gòu)的分解示意圖；圖5所示為實(shí)施例中安裝蓋的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6所示為實(shí)施例中熔斷器裝...

熔斷器主要由熔體、外殼和支座3部分組成，其中熔體是控制熔斷特性的關(guān)鍵元件。熔體的材料、尺寸和形狀決定了熔斷特性。熔體材料分為低熔點(diǎn)和高熔點(diǎn)兩類。低熔點(diǎn)材料如鉛和鉛合金，其熔點(diǎn)低容易熔斷，由于其電阻率較大，故制成熔體的截面尺寸較大，熔斷時(shí)產(chǎn)生的金屬蒸氣較...

許多初學(xué)者對(duì)二極管很“熟悉”，提起二極管的特性可以脫口而出它的單向?qū)щ娞匦?，說(shuō)到它在電路中的應(yīng)用反應(yīng)是整流，對(duì)二極管的其他特性和應(yīng)用了解不多，認(rèn)識(shí)上也認(rèn)為掌握了二極管的單向?qū)щ娞匦?，就能分析二極管參與的各種電路，實(shí)際上這樣的想法是錯(cuò)誤的，而且在某種程度上是害了...

對(duì)于常用的硅二極管而言導(dǎo)通后正極與負(fù)極之間的電壓降為。根據(jù)二極管的這一特性，可以很方便地分析由普通二極管構(gòu)成的簡(jiǎn)易直流穩(wěn)壓電路工作原理。3只二極管導(dǎo)通之后，每只二極管的管壓降是，那么3只串聯(lián)之后的直流電壓降是×3=。3．故障檢測(cè)方法檢測(cè)這一電路中的3只二極管為...

下面分別介紹利用萬(wàn)用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力、估測(cè)關(guān)斷增益βoff的方法。判定GTO的電極將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1檔，測(cè)量任意兩腳間的電阻，*當(dāng)黑表筆接G極，紅表筆接K極時(shí)，電阻呈低阻值，對(duì)其它情況電阻值均為無(wú)窮大。由此可迅速判定G、K極，剩...

調(diào)速開(kāi)關(guān),恒溫水床,電熱毯溫控器,恒溫水毯,數(shù)字調(diào)光臺(tái),數(shù)字調(diào)光硅箱,電源箱,組合硅箱,調(diào)光臺(tái),調(diào)光設(shè)備,燈光控制設(shè)備,可控硅元件多用來(lái)做可控整流，逆變，變頻，調(diào)壓，無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)等,調(diào)聲控電路，定時(shí)控制器，感應(yīng)燈，圣誕燈控制器，自動(dòng)門(mén)電路，玩具裝置，電動(dòng)...

晶閘管的種類晶閘管有多種方式分類管理方法。（1）按關(guān)閉、傳導(dǎo)和控制方式分類晶閘管可分為普通晶閘管、晶閘管晶閘管、反向晶閘管、門(mén)極關(guān)斷晶閘管、btg晶閘管、溫控晶閘管和光控晶閘管。（B）在銷和分類的極性晶閘管按其引腳和極性不同可分為二極晶閘管、三極晶閘管和四極晶...

⑿脈沖輸出：六路帶調(diào)制的觸發(fā)脈沖隔離輸出;脈沖寬度：2個(gè)20°寬脈沖列、間隔60°;脈沖調(diào)制頻率10KHZ;各相脈沖不對(duì)稱度：≤°;脈沖電流峰值：>800mA⒀PID動(dòng)態(tài)響應(yīng)時(shí)間≤10ms，超調(diào)量≤1%。⒁有回零保護(hù)、軟起動(dòng)、急停功能。⒂比較大外形尺寸：235...

二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。[4]一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數(shù)量級(jí)，小功率鍺管在μA數(shù)量級(jí)。溫度升高時(shí)，半導(dǎo)體受熱激發(fā)，少數(shù)載流子數(shù)目增加，反向飽和電流也隨之增加。[4]二極管擊穿特性外加反向電壓超過(guò)某一數(shù)值時(shí)，反向...

光控晶閘管又稱光觸發(fā)晶閘管，是利用一定波長(zhǎng)的光照信號(hào)來(lái)代替電信號(hào)對(duì)器件進(jìn)行觸發(fā)。光控晶閘管的伏安特性和普通晶閘管一樣，只是隨著光照信號(hào)變強(qiáng)其正向轉(zhuǎn)折電壓逐漸變低。[1]中文名光控晶閘管外文名LightTriggeredThyristor簡(jiǎn)稱LTT別稱光...

整流橋通常是由兩只或四只整流硅芯片作橋式連接，兩只的為半橋，四只的則稱全橋。外部采用絕緣朔料封裝而成，大功率整流橋在絕緣層外添加鋅金屬殼包封，增強(qiáng)散熱性能。一、整流橋定義整流橋就是將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了，分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封...

晶閘管模塊基本的用途是可控整流。二極管整流電路中用晶閘管代替二極管，就可以形成可控整流電路。在正弦交流電壓U2的正半周內(nèi)，如果vs的控制極不輸入觸發(fā)脈沖UG，vs仍不能接通。只有當(dāng)U2處于正半周時(shí)，當(dāng)觸發(fā)脈沖UG施加到控制極時(shí)，晶閘管才接通?，F(xiàn)在，繪制其波形(...

確定了不同型號(hào)的產(chǎn)品所應(yīng)該配備的散熱器型號(hào)，推薦采用廠家配套的散熱器和風(fēng)機(jī)，用戶自備時(shí)按以下原則選?。?、軸流風(fēng)機(jī)的風(fēng)速應(yīng)大于6m/s；2、必須能保證模塊正常工作時(shí)散熱底板溫度不大于80℃；3、模塊負(fù)載較輕時(shí)，可減小散熱器的大小或采用自然冷卻；4、采用...

晶閘管是一種開(kāi)關(guān)元件，顧名思義他的名字里面有一個(gè)閘字也就是門(mén)，開(kāi)關(guān)的意思，他的應(yīng)用在各種電路，以及電子設(shè)備中。晶閘管是典型的小電流控制大電流的設(shè)備，他通過(guò)一個(gè)電流很小的脈沖觸發(fā)晶閘管處于導(dǎo)通狀態(tài)此時(shí)他的電阻變得很小相當(dāng)于一跟導(dǎo)線。晶閘管（Thyristor）是...

小分?jǐn)嚯娏餍》謹(jǐn)嚯娏魍ǔＲ步凶觥邦~定小分?jǐn)嚯娏鳌?，該值?duì)于后備熔斷器必須定義，從該電流開(kāi)始，熔斷器能夠切斷故障電流。功率損耗高壓熔斷器的功率損耗是根據(jù)其額定電流而定的。使用高壓熔斷器保護(hù)時(shí)，工作電流一般只是額定電流的二分之一，根據(jù)物理學(xué)原理，實(shí)際的功率損耗小于...

但在中MOSFET及IGBT主流器件市場(chǎng)上，90％主要依賴進(jìn)口，基本被國(guó)外歐美、日本企業(yè)壟斷。國(guó)外企業(yè)如英飛凌、ABB、三菱等廠商研發(fā)的IGBT器件產(chǎn)品規(guī)格涵蓋電壓600V-6500V，電流2A-3600A，已形成完善的IGBT產(chǎn)品系列。英飛凌、三菱、...

必須迅速、果斷、準(zhǔn)確，但在合到底時(shí)，不能用力過(guò)猛，以防損壞支持絕緣子及其他設(shè)備。除此之外：高壓跌落式熔斷器在日常運(yùn)行中還存在熔斷件的電流特性不穩(wěn)定，隨著運(yùn)行環(huán)境、溫度的變化，造成配合失誤、越級(jí)跳閘等現(xiàn)象；熔管質(zhì)量差，發(fā)生變形起層而導(dǎo)致誤跌落；長(zhǎng)期使用易...

不過(guò)據(jù)觀察我國(guó)的一些LED信號(hào)燈中綠色發(fā)藍(lán)，紅色的為深紅，從這個(gè)現(xiàn)象來(lái)看我們對(duì)LED的光譜特性進(jìn)行專門(mén)研究是非常必要而且很有意義的。發(fā)光二極管主要分類編輯發(fā)光二極管還可分為普通單色發(fā)光二極管、高亮度發(fā)光二極管、超高亮度發(fā)光二極管、變色發(fā)光二極管、閃爍發(fā)...

而單向可控硅經(jīng)觸發(fā)后只能從其中陽(yáng)極向陰極單方行為向?qū)?，所以采用可控硅有單雙向關(guān)系之分。電子生產(chǎn)中常用的SCR，單向MCR-100，雙向TLC336等雙向可控硅按象限來(lái)分，又分為四象三端雙向可控硅、三象限雙向可控硅;按包裝:一般分為半塑料包裝、外絕緣全塑料包裝...

其產(chǎn)品***應(yīng)用于大功率直流開(kāi)關(guān)、大功率中頻感應(yīng)加熱電源、超聲波電源、激光電源、雷達(dá)調(diào)制器及直流電動(dòng)車(chē)輛調(diào)速等領(lǐng)域。逆導(dǎo)晶閘管以往的城市電車(chē)和地鐵機(jī)車(chē)為了便于調(diào)速采用直流供電，用直流開(kāi)關(guān)動(dòng)作增加或減小電路電阻，改變電路電流來(lái)控制車(chē)輛的速度。但它有不能平滑起動(dòng)和...

晶閘管陽(yáng)極與陰極間表現(xiàn)出很大的電阻，處于截止?fàn)顟B(tài)(稱為正向阻斷狀態(tài))，簡(jiǎn)稱斷態(tài)。當(dāng)陽(yáng)極電壓上升到某一數(shù)值時(shí)，晶閘管突然由阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)化為導(dǎo)通狀態(tài)，簡(jiǎn)稱通態(tài)。陽(yáng)極這時(shí)的電壓稱為斷態(tài)不重復(fù)峰值電壓(UDSM)，或稱正向轉(zhuǎn)折電壓(UBO)。導(dǎo)通后，元件中流過(guò)較大的電流...

2）直流側(cè)產(chǎn)生的過(guò)電壓如切斷回路的電感較大或者切斷時(shí)的電流值較大，都會(huì)產(chǎn)生比較大的過(guò)電壓。這種情況常出現(xiàn)于切除負(fù)載、正在導(dǎo)通的晶閘管開(kāi)路或是快速熔斷器熔體燒斷等原因引起電流突變等場(chǎng)合。（3）換相沖擊電壓包括換相過(guò)電壓和換相振蕩過(guò)電壓。換相過(guò)電壓是由于晶...

晶閘管智能模塊指的是一種特殊的模板，采用了采用全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路。中文名晶閘管智能模塊特點(diǎn)三相交流模塊輸出對(duì)稱性好等優(yōu)點(diǎn)功耗低，效率高等適用溫度-25℃～+45℃目錄1模塊特點(diǎn)2模塊規(guī)格3注意事項(xiàng)4模塊參數(shù)晶閘管智能模塊模塊特點(diǎn)編輯（1）本產(chǎn)品均采用全數(shù)字...

為了實(shí)現(xiàn)所述***導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11與銅底板3的固定連接，所述銅底板3上涂覆有硅凝膠，所述硅凝膠對(duì)所述***導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11進(jìn)行包覆固定。從而，所述銅底板3通過(guò)所述硅凝膠實(shí)現(xiàn)對(duì)位于其上的***導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、...

本實(shí)用新型涉及電控設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種新型熔斷器底座。背景技術(shù)：熔斷器是指當(dāng)控制電流的電流值超過(guò)設(shè)定值時(shí)，由于過(guò)大的電流使其產(chǎn)生大量的熱量，本身產(chǎn)生的大熱量導(dǎo)致連接電路的熔體熔斷，實(shí)現(xiàn)當(dāng)電流過(guò)大而斷開(kāi)電路的一種電器，運(yùn)用這種原理制成的一種自我保護(hù)...

一般用途熔斷器的分?jǐn)嚯娏鞣秶笍倪^(guò)載電流大于額定電流～2倍起，到大分?jǐn)嚯娏鞯姆秶?。這種熔斷器主要用于保護(hù)電力變壓器和一般電氣設(shè)備。后備熔斷器的分?jǐn)嚯娏鞣秶笍倪^(guò)載電流大于額定電流4～7倍起分?jǐn)嚯娏鞯姆秶?。這種熔斷器常與接觸器串聯(lián)使用，在過(guò)載電流小于額定電流4～...

采用電子線路進(jìn)行保護(hù)等。目前常用的是在回路中接入吸收能量的元件，使能量得以消散，常稱之為吸收回路或緩沖電路。（4）阻容吸收回路通常過(guò)電壓均具有相對(duì)較高的頻率，因此我們常用電容可以作為企業(yè)吸收作用元件，為防止出現(xiàn)振蕩，常加阻尼電阻，構(gòu)成阻容吸收回路。阻容吸收回路...

熔體熔斷所需用的時(shí)間就較長(zhǎng)，甚至如果熱量積累的速度小于熱擴(kuò)散的速度，熔斷器溫度就不會(huì)上升到熔點(diǎn)，熔斷器甚至不會(huì)熔斷。所以，在一定過(guò)載電流范圍內(nèi)，當(dāng)電流恢復(fù)正常時(shí)，熔斷器不會(huì)熔斷，可繼續(xù)使用。因此，每一熔體都有一小熔化電流。相應(yīng)于不同的溫度，小熔化電流也不同。雖...

否則將遭至徹底損壞。當(dāng)晶閘管中流過(guò)大于額定值的電流時(shí)，熱量來(lái)不及散發(fā)，使得結(jié)溫迅速升高，終將導(dǎo)致結(jié)層被燒壞。產(chǎn)生過(guò)電流的原因是多種多樣的，例如，變流裝置本身晶閘管損壞，觸發(fā)電路發(fā)生故障，控制系統(tǒng)發(fā)生故障等，以及交流電源電壓過(guò)高、過(guò)低或缺相，負(fù)載過(guò)載或短路，相鄰...

它由電源變壓器、電源穩(wěn)壓電路、三相同步電路及處理模塊、數(shù)字調(diào)節(jié)器、數(shù)字觸發(fā)器、六路相互隔離的脈沖輸出電路、開(kāi)關(guān)量輸入、故障及報(bào)警輸出電路、模擬量處理及A/D轉(zhuǎn)換電路、按鍵參數(shù)設(shè)定及LED指示電路等部分組成。三相晶閘管觸發(fā)板技術(shù)參數(shù)⑴主電路閥側(cè)額定工作線電壓：≤...