納米硅材料一般認為，當硅材料的尺寸在1nm至數(shù)十納米時，可以被稱為“納米硅”材料，包括硅納米顆粒(SiQuantumDots)、硅納米線(SiNanowire)、硅納米管(SiNanotube)和硅納米帶(SiNanobelt)等。納米硅是當前國際上硅材料研究的一個熱點，由于其優(yōu)異的光電特性、無毒性，以及和現(xiàn)有硅集成電路工藝良好的兼容性，未來納米硅可以應用在集成電路、生物成像、鋰離子電池、太陽能光伏、發(fā)光器件、探測器等領(lǐng)域。不同結(jié)構(gòu)的硅納米材料，其制備方法、性質(zhì)和應用都不相同。(1)硅納米顆粒:又稱硅量子點。硅納米顆粒是主要的納米硅結(jié)構(gòu)之一，它有兩種存在形式，一種是存在的硅納米顆粒...

納米硅百分之七十八是以水性聚氨酯作為基料，添加了納米級的無機硅類礦物材料，納米無機硅礦物材料是直徑小于5納米的晶體硅顆粒，納米硅粉具有純度高、粒徑小、分布均勻、無毒、無味、防火、活性好等特點?？箟耗湍?、延展性強：混凝土在C30的基礎上，能有效承載20噸以上重型車。把他涂刷在任何軟質(zhì)材體上，彎曲360度無任何涂面損傷。6.附著力強：納米硅粉具有純度高、粒徑小、分布均勻、活性好等特點，可以和水泥、木材、金屬、樹膠地材等多種材質(zhì)完美結(jié)合，成型后不起皮、不脫落、超耐磨。7.施工周期：水作分散劑，使得材料體系粘度與樹脂分子量無關(guān)，且比固含量相同的溶劑型材料溶液粘度低，易于多種材質(zhì)完美結(jié)合，成...

納米硅硅納米線:硅納米線可以作為納電子器件的結(jié)構(gòu)單元，也可以用于制作太陽電池、化學和生物傳感器等器件。硅納米線可以利用物理蒸發(fā)、物理濺射、物理刻蝕、化學氣相沉積、化學腐蝕(化學刻蝕)和溶液法等多種技術(shù)制備，其中化學氣相沉積和化學腐蝕是主要采用的技術(shù)方法。利用CVD制備硅納米線時，一般利用SiH4和SiCl4,等硅源氣體在高溫下分解，然后在置有Fe/Co/Ni/Au等金屬催化劑的硅片上形成;通過控制SiH4等硅源氣體的濃度和流量、反應溫度、反應時間和金屬催化劑的顆粒大小等因素，可以控制硅納米線的直徑和長度，其生長機理是氣一固一液(VSL)生長模型?；瘜W腐蝕(刻蝕)則是將硅片放置在含有...

硅納米管:納米硅管也可以作為納電子器件的結(jié)構(gòu)單元，其載流子遷移率遠高于硅納米線。與硅納米線相比，硅納米管具有更大的比表面積。同時載流子還具有彈道輸運特性，因此在微電子器件、鋰離子負極材料等領(lǐng)域具有很大的應用潛力。由于硅屬于金剛石結(jié)構(gòu)，與碳的層狀結(jié)構(gòu)不同，很難形成管狀結(jié)構(gòu)，因此硅納米管的制備相對比較困難，通常需要借助于模板(Template)技術(shù)。常用的模板技術(shù)有兩種，一種是利用具有納米孔洞的Al2O3,模板，通過SiH4的熱分解，借助局域化的Au等金屬催化劑，在模板孔洞內(nèi)壁沉積硅材料，去除模板制備成納米硅管；另一種是利用Zn0等納米線作為“軟模板"，在制備Zn0納米線后，通過化學合...

納米硅磨石地坪：通過改變富硅量、退火條件等，控制氧化硅中硅納米晶的尺寸及密度。文獻認為出現(xiàn)硅納米晶的臨界溫度是1000oC，而我們通過試驗確定出現(xiàn)納米晶的臨界退火溫度為900oC。經(jīng)900oC退火富硅量約為30%富硅氧化硅的高分辨電鏡象?？梢郧宄杓{米晶。(2)觀察到Au/（Ge/SiO2）超晶格/p-Si結(jié)構(gòu)的電致發(fā)光。四周期Ge/SiO2超晶格的高分辨電鏡圖。其中亮線為SiO2，厚度為，Ge層厚為。(3)在硅襯底上用磁控濺射技術(shù)生長了納米SiO2/Si/SiO2雙勢壘(NDB)單勢阱三明治結(jié)構(gòu),實現(xiàn)Au/NDB/p-Si結(jié)構(gòu)的可見電致發(fā)光。發(fā)現(xiàn)電致發(fā)光的峰位、強度隨納米硅層厚度...