光纖。具體實(shí)施方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。在本申請(qǐng)的描述中，需要說(shuō)明的是，術(shù)語(yǔ)“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，是為了便于描述本申請(qǐng)和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本申請(qǐng)的限制。此外，術(shù)語(yǔ)“”、“第二”、“第三”用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性。在本申請(qǐng)的描述中，需要說(shuō)明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語(yǔ)“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣...

第二連接件連接第二激光器模組的p面及第三激光器模組的n面。該技術(shù)方案能夠?qū)崿F(xiàn)激光器模組、第二激光器模組及第三激光器模組串聯(lián)，能夠減少激光器的電極引線數(shù)量。在一個(gè)實(shí)施方式中，熱沉基板設(shè)置多個(gè)所述通孔，半導(dǎo)體激光器包括多個(gè)容置于通孔內(nèi)的連接件。該技術(shù)方案能夠在某個(gè)連接件出現(xiàn)導(dǎo)電不良時(shí)，其它連接件可以實(shí)現(xiàn)熱沉基板上、下表面電極層的連接，使得激光器正常工作。在一個(gè)實(shí)施方式中，熱沉基板為陶瓷基板。本申請(qǐng)實(shí)施例的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，本申請(qǐng)實(shí)施例半導(dǎo)體激光器至少包括：熱沉基板，包括相對(duì)設(shè)置的上表面及下表面，熱沉基板設(shè)置有至少一個(gè)通孔，通孔從上表面貫穿至下表面；激光器模組，設(shè)置在熱沉基板的上表...

量子阱和應(yīng)變層量子阱激光器的出現(xiàn)，大功率激光器及其列陣的進(jìn)展，可見光激光器的研制成功，面發(fā)射激光器的實(shí)現(xiàn)、單極性注人半導(dǎo)體激光器的研制等等一系列的重大突破，半導(dǎo)體激光器的應(yīng)用越來(lái)越，半導(dǎo)體激光器已成為激光產(chǎn)業(yè)的主要組成部分，已成為各國(guó)發(fā)展信息、通信、家電產(chǎn)業(yè)及裝備不可缺少的重要基礎(chǔ)器件.半導(dǎo)體激光器在半導(dǎo)體激光打標(biāo)機(jī)中的應(yīng)用：半導(dǎo)體激光器因其使用壽命長(zhǎng)、激光利用效率高、熱能量比YAG激光器小、體積小、性價(jià)比高、用電省等一系列優(yōu)勢(shì)而成為2010年熱賣產(chǎn)品，e網(wǎng)激光生產(chǎn)的國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體激光器的出現(xiàn)，加速了以半導(dǎo)體激光器為主要耗材的半導(dǎo)體激光機(jī)取代YAG激光打標(biāo)機(jī)市場(chǎng)份額的步伐。半導(dǎo)體激光器發(fā)展...

貫穿熱沉基板308的連接件309的兩端分別連接激光器模組310的下電極層311(正電極層)與第二激光器模組305的第二上電極層312(負(fù)電極層)，以實(shí)現(xiàn)激光器模組310與第二激光器模組305的串聯(lián)設(shè)置。通過(guò)這種串聯(lián)設(shè)置，使得只需將激光器模組310的上電極層307(負(fù)極層)與負(fù)電極引線a連接，將第二激光器模組305的第二下電極層303(正極層)與正電極引線b連接即可使得激光器模組310和第二激光器模組305同時(shí)工作。因此，這種設(shè)置方式，能夠減少半導(dǎo)體激光器的電極引線數(shù)量。當(dāng)然，在其它實(shí)施例中，連接件還連接激光器模組的n面及第二激光器模組的p面，以實(shí)現(xiàn)激光器模組與第二激光器模組的串聯(lián)設(shè)置。...

圖1為本技術(shù)實(shí)施方式的整體結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本技術(shù)實(shí)施方式的局部結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本技術(shù)實(shí)施方式中噴氣頭的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本技術(shù)實(shí)施方式中塑料卡扣的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中：1-調(diào)節(jié)架；2-吹氣組件；3-第二吹氣組件；4-第二噴氣頭；5-驅(qū)動(dòng)組件；6-限位環(huán)；201-旋轉(zhuǎn)接頭；202-鵝頸管；203-噴氣頭；204-出氣孔；205-固定組件；206-導(dǎo)向桿；207-固定塊；208-球頭萬(wàn)向節(jié)；209-塑料卡扣；501-傳動(dòng)齒輪；502-電滑環(huán)；503-環(huán)形齒輪。具體實(shí)施方式以下由特定的具體實(shí)施例說(shuō)明本技術(shù)的實(shí)施方式，熟悉此技術(shù)的人士可由本說(shuō)明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本技術(shù)的其他優(yōu)點(diǎn)及功效，顯...

光纖。具體實(shí)施方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。在本申請(qǐng)的描述中，需要說(shuō)明的是，術(shù)語(yǔ)“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，是為了便于描述本申請(qǐng)和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本申請(qǐng)的限制。此外，術(shù)語(yǔ)“”、“第二”、“第三”用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性。在本申請(qǐng)的描述中，需要說(shuō)明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語(yǔ)“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣...

為了方便描述本申請(qǐng)合簡(jiǎn)化描述，而不是指示或者暗示所指的裝置或者元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本申請(qǐng)的限制。此外，本申請(qǐng)的說(shuō)明書和權(quán)利要求書及上述附圖中的術(shù)語(yǔ)“”、“第二”、“第三”“第四”等(如果存在)是用于區(qū)別類似的對(duì)象，而不必用于描述特定的順序或先后次序。應(yīng)該理解這樣使用的數(shù)據(jù)在適當(dāng)情況下可以互換，以便這里描述的本申請(qǐng)的實(shí)施例例如能夠以除了在這里圖示或描述的那些以外的順序?qū)嵤?。此外，術(shù)語(yǔ)“包括”和“具有”以及他們的任何變形，意圖在于覆蓋不排他的包含。本申請(qǐng)首先提出一種半導(dǎo)體激光器，如圖2所示，圖2是本申請(qǐng)半導(dǎo)體激光器實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施例半導(dǎo)...

激光巴條的三倍以上(激光巴條的熱膨脹系數(shù)在℃附近)，導(dǎo)致不良可靠性與壽命短的問(wèn)題，若使用銅鎢金屬塊，可達(dá)成匹配的熱膨脹系數(shù)，但銅鎢的熱導(dǎo)及導(dǎo)電性遠(yuǎn)不及銅，導(dǎo)致激光器運(yùn)作時(shí)的散熱問(wèn)題，進(jìn)而引起一系列導(dǎo)電性缺陷，一樣可靠度不佳。目前新的封裝方式，是把激光巴條共金黏合陶瓷材料的熱沉基板上，陶瓷熱沉基板輕薄、散熱佳，且熱膨脹系數(shù)與激光半導(dǎo)體匹配，因此目前的堆疊激光巴條都采用此種陶瓷結(jié)構(gòu)，但陶瓷材料為絕緣體，組裝激光巴條時(shí)需要將激光器電極層與電極引線連接。如圖1所示，激光器101一般由多個(gè)巴條102及多個(gè)熱沉基板103堆疊而成，具體地，巴條102的上表面(n面)設(shè)置有上電極層104，下表面設(shè)置有...

砷化鎵）比間接帶隙半導(dǎo)體材料如Si有高得多的輻射躍遷幾率，發(fā)光效率也高得多。半導(dǎo)體復(fù)合發(fā)光達(dá)到受激發(fā)射（即產(chǎn)生激光）的必要條件是：①粒子數(shù)反轉(zhuǎn)分布分別從P型側(cè)和n型側(cè)注入到有源區(qū)的載流子密度十分高時(shí)，占據(jù)導(dǎo)帶電子態(tài)的電子數(shù)超過(guò)占據(jù)價(jià)帶電子態(tài)的電子數(shù)，就形成了粒子數(shù)反轉(zhuǎn)分布。②光的諧振腔在半導(dǎo)體激光器中，諧振腔由其兩端的鏡面組成，稱為法布里一珀羅腔。③高增益用以補(bǔ)償光損耗。諧振腔的光損耗主要是從反射面向外發(fā)射的損耗和介質(zhì)的光吸收。半導(dǎo)體激光器是依靠注入載流子工作的，發(fā)射激光必須具備三個(gè)基本條件：（1）要產(chǎn)生足夠的粒子數(shù)反轉(zhuǎn)分布，即高能態(tài)粒子數(shù)足夠的大于處于低能態(tài)的粒子數(shù)；（2）有一個(gè)合適的諧...

貫穿熱沉基板308的連接件309的兩端分別連接激光器模組310的下電極層311(正電極層)與第二激光器模組305的第二上電極層312(負(fù)電極層)，以實(shí)現(xiàn)激光器模組310與第二激光器模組305的串聯(lián)設(shè)置。通過(guò)這種串聯(lián)設(shè)置，使得只需將激光器模組310的上電極層307(負(fù)極層)與負(fù)電極引線a連接，將第二激光器模組305的第二下電極層303(正極層)與正電極引線b連接即可使得激光器模組310和第二激光器模組305同時(shí)工作。因此，這種設(shè)置方式，能夠減少半導(dǎo)體激光器的電極引線數(shù)量。當(dāng)然，在其它實(shí)施例中，連接件還連接激光器模組的n面及第二激光器模組的p面，以實(shí)現(xiàn)激光器模組與第二激光器模組的串聯(lián)設(shè)置。...

半導(dǎo)體激光器301與上述實(shí)施例半導(dǎo)體激光器201的區(qū)別在于：本實(shí)施例半導(dǎo)體激光器301進(jìn)一步包括第二熱沉基板302，第二激光器模組304位于熱沉基板308的下表面與第二熱沉基板302的上表面之間。具體地，第二激光器模組305的第二下電極層303位于第二激光器模組305的第二巴條304與第二熱沉基板302的上表面之間。本實(shí)施例通過(guò)設(shè)置第二熱沉基板302，能夠增加對(duì)第二激光器模組305的散熱。本實(shí)施例的第二熱沉基板302與熱沉基板308相同，這里不贅述。當(dāng)然，在其它實(shí)施例中，還可以在激光器模組的上電極層上設(shè)置熱沉基板?？蛇x地，本實(shí)施例的連接件309連接激光器模組310的p面及第二激光器模組...

具有較窄能隙材料的一個(gè)薄層，因此注人的載流子被限制在該區(qū)域內(nèi)（有源區(qū)），因而注人較少的電流就可以實(shí)現(xiàn)載流子數(shù)的反轉(zhuǎn)。在半導(dǎo)體激光器件中，比較成熟、性能較好、應(yīng)用較廣的是具有雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)的電注人式GaAs二極管激光器。隨著異質(zhì)結(jié)激光器的研究發(fā)展，人們想到如果將超薄膜（<20nm）的半導(dǎo)體層作為激光器的激括層，以致于能夠產(chǎn)生量子效應(yīng)，結(jié)果會(huì)是怎么樣?再加之由于MBE,MOCVD技術(shù)的成就。于是，在1978年出現(xiàn)了世界上只半導(dǎo)體量子阱激光器（QWL），它大幅度地提高了半導(dǎo)體激光器的各種性能.后來(lái)，又由于MOCVD,MBE生長(zhǎng)技術(shù)的成熟，能生長(zhǎng)出高質(zhì)量超精細(xì)薄層材料，之后，便成功地研制出了性能更...

量子阱和應(yīng)變層量子阱激光器的出現(xiàn)，大功率激光器及其列陣的進(jìn)展，可見光激光器的研制成功，面發(fā)射激光器的實(shí)現(xiàn)、單極性注人半導(dǎo)體激光器的研制等等一系列的重大突破，半導(dǎo)體激光器的應(yīng)用越來(lái)越，半導(dǎo)體激光器已成為激光產(chǎn)業(yè)的主要組成部分，已成為各國(guó)發(fā)展信息、通信、家電產(chǎn)業(yè)及裝備不可缺少的重要基礎(chǔ)器件.半導(dǎo)體激光器在半導(dǎo)體激光打標(biāo)機(jī)中的應(yīng)用：半導(dǎo)體激光器因其使用壽命長(zhǎng)、激光利用效率高、熱能量比YAG激光器小、體積小、性價(jià)比高、用電省等一系列優(yōu)勢(shì)而成為2010年熱賣產(chǎn)品，e網(wǎng)激光生產(chǎn)的國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體激光器的出現(xiàn)，加速了以半導(dǎo)體激光器為主要耗材的半導(dǎo)體激光機(jī)取代YAG激光打標(biāo)機(jī)市場(chǎng)份額的步伐。半導(dǎo)體激光器發(fā)展...

下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本申請(qǐng)的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1是半導(dǎo)體激光器一結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本申請(qǐng)半導(dǎo)體激光器實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本申請(qǐng)半導(dǎo)體激光器第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本申請(qǐng)半導(dǎo)體激光器第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本申請(qǐng)半導(dǎo)體激光器第四實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是本申請(qǐng)半導(dǎo)體激光器第五實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7是本申請(qǐng)半導(dǎo)體激光器第六實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖8是本申請(qǐng)半導(dǎo)體激光器第七實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本申請(qǐng)...

可根據(jù)所切割的材料來(lái)選擇合適的保護(hù)氣體。吹氣組件2和第二吹氣組件3的出氣口自激光焊接頭的下方自上而下順次設(shè)置，且吹氣組件2的出氣口和第二吹氣組件3的出氣口在水平方向上形成有間隙。即在工作時(shí)，吹氣組件2的出氣口和第二吹氣組件3的出氣口之間存在一定的間隙，因此在對(duì)向的吹氣時(shí)，不會(huì)出現(xiàn)相互干涉的問(wèn)題，吹氣組件2只用作吹除焊煙，因此吹氣組件2可直接吹出高流速空氣來(lái)將焊煙吹散，而第二吹氣組件3因在焊接時(shí)需要在吹除工件表面雜物的同時(shí)，也需要滿足焊接時(shí)對(duì)焊接處進(jìn)行保護(hù)的要求，因此第二吹氣組件3所吹除的氣體需要根據(jù)所需要焊接的材料進(jìn)行選擇。吹氣組件2包括套設(shè)在激光焊接頭上的旋轉(zhuǎn)接頭201、固定在調(diào)節(jié)架...

本發(fā)明涉及激光技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體激光器。背景技術(shù)：半導(dǎo)體激光器所發(fā)出的光在垂直于p-n結(jié)方向(通稱快軸)具有較大發(fā)散角和較窄的發(fā)光區(qū)，快軸發(fā)散角通常為30°～60°，厚度通常小于1μm；平行于p-n結(jié)方向(通稱慢軸)具有較小發(fā)散角及較大的發(fā)光區(qū)，慢軸發(fā)散角通常為8°～12°，發(fā)光條的寬度通常在100～200μm。如何提高大的發(fā)光條寬度的半導(dǎo)體激光器芯片cos發(fā)出的光耦合進(jìn)入直徑和na(數(shù)值孔徑)較小的光纖內(nèi)的耦合效率，一直是一個(gè)難題。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：鑒于上述問(wèn)題，本申請(qǐng)?zhí)岢隽艘环N半導(dǎo)體激光器，以便解決或者部分解決上述問(wèn)題。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用了如下技術(shù)方案：本發(fā)明公開一...

三激光器模組403包括第三巴條405、第三上電極層406及第三下電極層407，第三上電極層406位于第二熱沉基板408的下表面與第三巴條405之間；第三下電極層407位于第三巴條405與第三熱沉基板402的上表面之間；其中，第二下電極層409與第三上電極層406通過(guò)第二連接件404連接。可選地，本實(shí)施例的連接件414連接激光器模組415的p面及第二激光器模組413的n面，第二連接件404連接第二激光器模組413的p面及第三激光器模組403的n面。具體地，激光器模組415的巴條410的上表面為半導(dǎo)體n面，巴條410的下表面為半導(dǎo)體p面，第二激光器模組413的第二巴條411的上表面為半導(dǎo)體...

封裝外殼包括底板2和管壁5。半導(dǎo)體激光器芯片cos1和快軸準(zhǔn)直透鏡3設(shè)置在底板2上；底板2選用高導(dǎo)熱率的材料，比如銅。圓形通孔開設(shè)在管壁5上。在一個(gè)實(shí)施例中，管壁5通過(guò)焊接的方式與底板2連接。綜上，本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體激光器，該半導(dǎo)體激光器包括：半導(dǎo)體激光器芯片cos、快軸準(zhǔn)直透鏡、光束整形機(jī)構(gòu)和光纖輸入端結(jié)構(gòu)；光束整形機(jī)構(gòu)包括：套筒，以及設(shè)置在套筒內(nèi)的慢軸準(zhǔn)直透鏡、自聚焦透鏡和限位環(huán)；光纖輸入端結(jié)構(gòu)包括：陶瓷插針和穿設(shè)在陶瓷插針內(nèi)的光纖；陶瓷插針的一端安裝于套筒內(nèi)，限位環(huán)位于陶瓷插針和自聚焦透鏡中間，實(shí)現(xiàn)自聚焦透鏡和光纖的光學(xué)定位；半導(dǎo)體激光器芯片cos依次通過(guò)快軸準(zhǔn)直透鏡、慢軸準(zhǔn)直...

降低結(jié)溫，多數(shù)半導(dǎo)體激光器的驅(qū)動(dòng)電流限制在20mA左右。但是，半導(dǎo)體激光器的光輸出會(huì)隨電流的增大而增加，很多功率型半導(dǎo)體激光器的驅(qū)動(dòng)電流可以達(dá)到70mA、100mA甚至1A級(jí)，需要改進(jìn)封裝結(jié)構(gòu)，全新的半導(dǎo)體激光器封裝設(shè)計(jì)理念和低熱阻封裝結(jié)構(gòu)及技術(shù)，改善熱特性。例如，采用大面積芯片倒裝結(jié)構(gòu)，選用導(dǎo)熱性能好的銀膠，增大金屬支架的表面積，焊料凸點(diǎn)的硅載體直接裝在熱沉上等方法。此外，在應(yīng)用設(shè)計(jì)中，PCB線路板等的熱設(shè)計(jì)、導(dǎo)熱性能也十分重要。進(jìn)入21世紀(jì)后，半導(dǎo)體激光器的高效化、超高亮度化、全色化不斷發(fā)展創(chuàng)新，紅、橙半導(dǎo)體激光器光效已達(dá)到100Im/W，綠半導(dǎo)體激光器為50lm/W，單只半導(dǎo)體激...

其他應(yīng)用包括高速打印、自由空間光通信、固體激光泵浦源、激光指示，及各種醫(yī)療應(yīng)用等。20世紀(jì)60年代初期的半導(dǎo)體激光器是同質(zhì)結(jié)型激光器，它是在一種材料上制作的pn結(jié)二極管在正向大電流注人下，電子不斷地向p區(qū)注人，空穴不斷地向n區(qū)注人.于是，在原來(lái)的pn結(jié)耗盡區(qū)內(nèi)實(shí)現(xiàn)了載流子分布的反轉(zhuǎn)，由于電子的遷移速度比空穴的遷移速度快，在有源區(qū)發(fā)生輻射、復(fù)合，發(fā)射出熒光，在一定的條件下發(fā)生激光，這是一種只能以脈沖形式工作的半導(dǎo)體激光器。半導(dǎo)體激光器半導(dǎo)體激光器發(fā)展的第二階段是異質(zhì)結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體激光器，它是由兩種不同帶隙的半導(dǎo)體材料薄層，如GaAs,GaAlAs所組成，先出現(xiàn)的是單異質(zhì)結(jié)構(gòu)激光器（1969年...

激光器的結(jié)構(gòu)基本上就是把普通雙異質(zhì)結(jié)（DH）激光器的有源層厚度做成數(shù)十nm以下的一種激光器，通常把勢(shì)壘較厚以致于相鄰勢(shì)阱中電子波函數(shù)不發(fā)生交迭的周期結(jié)構(gòu)稱為多量子阱（MQW).量子阱激光器單個(gè)輸出功率現(xiàn)已大于1W，承受的功率密度已達(dá)10MW/cm3以上）而為了得到更大的輸出功率，通?？梢园言S多單個(gè)半導(dǎo)體激光器組合在一起形成半導(dǎo)體激光器列陣。因此，量子阱激光器當(dāng)采用陣列式集成結(jié)構(gòu)時(shí)，輸出功率則可達(dá)到l00w以上.高功率半導(dǎo)體激光器（特別是陣列器件）飛速發(fā)展，已經(jīng)推出的產(chǎn)品有連續(xù)輸出功率5W,10W,20W和30W的激光器陣列.脈沖工作的半導(dǎo)體激光器峰值輸出功率50W、120W和1500W...

半導(dǎo)體激光器原理析讀來(lái)源：未知2014-10-14作者：陳睿[摘要]半導(dǎo)體激光器是用半導(dǎo)體材料作為工作物質(zhì)的激光器，常用工作物質(zhì)有砷化鎵（GaAs）、硫化鎘（CdS）、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等。下面小編給大家介紹一下半導(dǎo)體激光器原理?！救A強(qiáng)安防網(wǎng)訊】半導(dǎo)體激光器是用半導(dǎo)體材料作為工作物質(zhì)的激光器，常用工作物質(zhì)有砷化鎵（GaAs）、硫化鎘（CdS）、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等。下面小編給大家介紹一下半導(dǎo)體激光器原理。半導(dǎo)體激光器通過(guò)一定的激勵(lì)方式，在半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶（導(dǎo)帶與價(jià)帶）之間，或者半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶與雜質(zhì)（受主或施主）能級(jí)之間，實(shí)現(xiàn)非平衡載流子的粒子數(shù)反轉(zhuǎn)，當(dāng)...

以及獲得單模、單頻、窄線寬和發(fā)展各種不同激光波長(zhǎng)的器件進(jìn)行的。半導(dǎo)體激光器20世紀(jì)90年代出現(xiàn)并特別值得一提的是面發(fā)射激光器（SEL），早在1977年，人們就提出了所謂的面發(fā)射激光器，并于1979年做出了個(gè)器件，1987年做出了用光泵浦的780nm的面發(fā)射激光器.1998年GaInAIP/GaA。面發(fā)射激光器在室溫下達(dá)到亞毫安的網(wǎng)電流，8mW的輸出功率和11%的轉(zhuǎn)換效率[2）前面談到的半導(dǎo)體激光器，從腔體結(jié)構(gòu)上來(lái)說(shuō)，不論是F一P(法布里一泊羅）腔或是DBR（分布布拉格反射式）腔，激光輸出都是在水平方向，統(tǒng)稱為水平腔結(jié)構(gòu).它們都是沿著襯底片的平行方向出光的.而面發(fā)射激光器卻是在芯片上...

連接件可以連接激光器模組的n面及第二激光器模組的n面，以實(shí)現(xiàn)激光器模組與第二激光器模組的并聯(lián)設(shè)置。本申請(qǐng)進(jìn)一步提出第五實(shí)施例的半導(dǎo)體激光器，如圖6所示，本實(shí)施例半導(dǎo)體激光器601與上述實(shí)施例半導(dǎo)體激光器401的區(qū)別在于：本實(shí)施例的連接件607連接激光器模組608的p面及第二激光器模組609的p面，第二連接件610連接第二激光器模組609的n面及第三激光器模組611的p面。具體地，激光器模組608的巴條602的上表面為半導(dǎo)體n面，巴條602的下表面為半導(dǎo)體p面，第二激光器模組609的第二巴條603的上表面為半導(dǎo)體p面，第二巴條603的下表面為半導(dǎo)體n面，第三激光器模組611第三巴條604...

人們可以通過(guò)改變光反饋、光電反饋、光注入、注入電流等等因素實(shí)現(xiàn)對(duì)偏振態(tài)的控制，在光開關(guān)和光邏輯器件領(lǐng)域獲得新的進(jìn)展。20世紀(jì)90年代末，面發(fā)射激光器和垂直腔面發(fā)射激光器得到了迅速的發(fā)展，且已考慮了在超并行光電子學(xué)中的多種應(yīng)用。980mn、850nm和780nm的器件在光學(xué)系統(tǒng)中已經(jīng)實(shí)用化.垂直腔面發(fā)射激光器已用于千兆位以太網(wǎng)的高速網(wǎng)絡(luò)。為了滿足21世紀(jì)信息傳輸寬帶化、信息處理高速化、信息存儲(chǔ)大容量以及裝備小型、高精度化等需要，半導(dǎo)體激光器的發(fā)展趨勢(shì)主要在高速寬帶LD、大功率ID，短波長(zhǎng)LD，盆子線和量子點(diǎn)激光器、中紅外LD等方面.在這些方面取得了一系列重大的成果。半導(dǎo)體激光器其他資...

第二連接件連接第二激光器模組的p面及第三激光器模組的n面。該技術(shù)方案能夠?qū)崿F(xiàn)激光器模組、第二激光器模組及第三激光器模組串聯(lián)，能夠減少激光器的電極引線數(shù)量。在一個(gè)實(shí)施方式中，熱沉基板設(shè)置多個(gè)所述通孔，半導(dǎo)體激光器包括多個(gè)容置于通孔內(nèi)的連接件。該技術(shù)方案能夠在某個(gè)連接件出現(xiàn)導(dǎo)電不良時(shí)，其它連接件可以實(shí)現(xiàn)熱沉基板上、下表面電極層的連接，使得激光器正常工作。在一個(gè)實(shí)施方式中，熱沉基板為陶瓷基板。本申請(qǐng)實(shí)施例的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，本申請(qǐng)實(shí)施例半導(dǎo)體激光器至少包括：熱沉基板，包括相對(duì)設(shè)置的上表面及下表面，熱沉基板設(shè)置有至少一個(gè)通孔，通孔從上表面貫穿至下表面；激光器模組，設(shè)置在熱沉基板的上表...

這些器件的發(fā)展特征是：?jiǎn)晤l窄線寬、高速率、可調(diào)諧以及短波長(zhǎng)化和光電單片集成化等。半導(dǎo)體激光器高功率1983年，波長(zhǎng)800nm的單個(gè)LD輸出功率已超過(guò)100mW，到了1989年，，而1cm線陣LD已達(dá)到76W輸出，轉(zhuǎn)換效率達(dá)39%。1992年，美國(guó)人又把指標(biāo)提高到一個(gè)新水平：1cm線陣LD連續(xù)波輸出功率達(dá)121W，轉(zhuǎn)換效率為45%。輸出功率為120W、1500W、3kW等諸多高功率LD均已面世。高效率、高功率LD及其列陣的迅速發(fā)展也為全固化激光器，亦即半導(dǎo)體激光泵浦（LDP）的固體激光器的迅猛發(fā)展提供了強(qiáng)有力的條件。為適應(yīng)EDFA和EDFL等需要，波長(zhǎng)980nm的大功率LD也有很大發(fā)展。...

砷化鎵）比間接帶隙半導(dǎo)體材料如Si有高得多的輻射躍遷幾率，發(fā)光效率也高得多。半導(dǎo)體復(fù)合發(fā)光達(dá)到受激發(fā)射（即產(chǎn)生激光）的必要條件是：①粒子數(shù)反轉(zhuǎn)分布分別從P型側(cè)和n型側(cè)注入到有源區(qū)的載流子密度十分高時(shí)，占據(jù)導(dǎo)帶電子態(tài)的電子數(shù)超過(guò)占據(jù)價(jià)帶電子態(tài)的電子數(shù)，就形成了粒子數(shù)反轉(zhuǎn)分布。②光的諧振腔在半導(dǎo)體激光器中，諧振腔由其兩端的鏡面組成，稱為法布里一珀羅腔。③高增益用以補(bǔ)償光損耗。諧振腔的光損耗主要是從反射面向外發(fā)射的損耗和介質(zhì)的光吸收。半導(dǎo)體激光器是依靠注入載流子工作的，發(fā)射激光必須具備三個(gè)基本條件：（1）要產(chǎn)生足夠的粒子數(shù)反轉(zhuǎn)分布，即高能態(tài)粒子數(shù)足夠的大于處于低能態(tài)的粒子數(shù)；（2）有一個(gè)合適的諧...

每當(dāng)其撞擊一級(jí)階梯時(shí)，就會(huì)放射出紅外光子。這些紅外光子在包含電子瀑布的半導(dǎo)體共振器內(nèi)前后反射，從而激發(fā)出其他光子。這一放大過(guò)程將產(chǎn)生出很高的輸出能量。——超寬帶激光器可在6~8微米紅外波長(zhǎng)范圍產(chǎn)生。Gmachl指出：“從理論上講，波長(zhǎng)范圍可以更寬或更窄。選擇6~8微米范圍波長(zhǎng)發(fā)射激光，目的是更令人信服地演示我們的想法。未來(lái)，我們可以根據(jù)諸如光纖應(yīng)用等具體應(yīng)用的特定需求量身定制激光器?！卑雽?dǎo)體激光器編輯半導(dǎo)體激光器的常用參數(shù)可分為：波長(zhǎng)、閾值電流Ith、工作電流Iop、垂直發(fā)散角θ⊥、水平發(fā)散角θ∥、監(jiān)控電流Im。（1）波長(zhǎng)：即激光管工作波長(zhǎng)，可作光電開關(guān)用的激光管波長(zhǎng)有635nm、...

貫穿熱沉基板308的連接件309的兩端分別連接激光器模組310的下電極層311(正電極層)與第二激光器模組305的第二上電極層312(負(fù)電極層)，以實(shí)現(xiàn)激光器模組310與第二激光器模組305的串聯(lián)設(shè)置。通過(guò)這種串聯(lián)設(shè)置，使得只需將激光器模組310的上電極層307(負(fù)極層)與負(fù)電極引線a連接，將第二激光器模組305的第二下電極層303(正極層)與正電極引線b連接即可使得激光器模組310和第二激光器模組305同時(shí)工作。因此，這種設(shè)置方式，能夠減少半導(dǎo)體激光器的電極引線數(shù)量。當(dāng)然，在其它實(shí)施例中，連接件還連接激光器模組的n面及第二激光器模組的p面，以實(shí)現(xiàn)激光器模組與第二激光器模組的串聯(lián)設(shè)置。...