電容大的二極管插入損耗高（如圖所示，特性曲線負值變化較大），從而限制了可使用的頻率范圍。例如，在Thunderbolt（帶寬為10Gbps，相當于5GHz的頻率）的情況下，電容?。?.1pF至0.3pF）的ESD保護二極管插入損耗小，幾乎不會影...

SR18D3BL、SR24D3BL、SR12D3BL三個型號的區(qū)別主要在于電壓等級的不同。同時，它們都具有低電容和快速響應速度的特點，能夠有效保護電子設備免受ESD損害。因此，在選擇ESD保護二極管時，需要根據(jù)具體應用場景來選擇合適的型號，以達到保...

TVS二極管（ESD保護二極管）的主要電氣特性：正常工作狀態(tài)（無ESD事件）的主要特性由于ESD保護二極管反向連接，正常工作時，其兩端電壓低于反向擊穿電壓（V(BR)）。因此，ESD保護二極管正常工作時不導通。此時，pn結(jié)形成耗盡層，二極管起電容...

當pn結(jié)反向偏置時，耗盡層延伸穿過pn結(jié)。電場造成耗盡層內(nèi)p型區(qū)價帶與n型區(qū)導帶之間的間隙減小。因此，由于量子隧穿效應，電子從p型區(qū)價帶隧穿到n型區(qū)導帶。齊納擊穿是電子隧穿耗盡區(qū)導致反向電流突然增加的現(xiàn)象。當pn反向偏置時，少量電子通過pn結(jié)。這...

保護二極管是一種齊納二極管。齊納二極管不僅可以用作保護二極管，還可以用作穩(wěn)壓器。保護二極管專門用于保護電路免受ESD和其他瞬變脈沖的影響。相比之下，用于穩(wěn)壓的齊納二極管擊穿模式下保持導通。保護二極管用作浪涌保護電壓鉗。這類二極管在電路施加電壓過大...

在現(xiàn)代電子設備中，為了進一步提高ESD防護能力，通常會將ESD保護二極管與GCNMOS（Gate-Controlled NMOS）結(jié)合使用。這種組合可以形成更加完善的ESD防護網(wǎng)絡，提高電路的抗靜電放電能力。為了滿足高密度安裝需求，ESD保護二...

ESD保護二極管是一種用于抑制靜電感應和瞬時過壓的半導體器件，在電路中起到了關鍵的保護作用。它能夠防止由于雷擊、靜電放電或電弧引起的電子元器件損壞，廣泛應用于計算機系統(tǒng)、通信設備以及工業(yè)控制設備等。這種器件具有體積小、重量輕、性能穩(wěn)定等特點，是現(xiàn)...

總電容由二極管結(jié)電容和封裝中的寄生電容組成。其中很大一部分是結(jié)電容。反向偏置時，二極管因pn結(jié)（p:p型半導體，n:n型半導體）形成耗盡層產(chǎn)生電容。與電容相反，耗盡層起阻擋層的作用，只有少數(shù)載流子通過。降低半導體區(qū)摻雜濃度會增加耗盡層寬度。因...

***比較大額定值指任何條件下，即使瞬間也不得超過的比較高值。如果施加的應力超過規(guī)定的額定值，器件可能會長久損壞。不得超過任何***比較大額定值。因此，應注意電源電壓波動、電子器件電氣特性變化、電路調(diào)整過程中應力可能高于比較大額定值、環(huán)境溫度變化、...

當pn結(jié)反向偏置時，耗盡層延伸穿過pn結(jié)。電場造成耗盡層內(nèi)p型區(qū)價帶與n型區(qū)導帶之間的間隙減小。因此，由于量子隧穿效應，電子從p型區(qū)價帶隧穿到n型區(qū)導帶。齊納擊穿是電子隧穿耗盡區(qū)導致反向電流突然增加的現(xiàn)象。當pn反向偏置時，少量電子通過pn結(jié)。這...

高擊穿電壓二極管摻雜濃度低，因此形成寬耗盡層（禁帶）。相反，低擊穿電壓二極管摻雜濃度高，所以它們形成窄耗盡層（禁帶）。二極管耗盡層寬時，不太可能發(fā)生電子隧穿（齊納擊穿），主要為雪崩擊穿。高摻雜濃度二極管耗盡層窄，更容易發(fā)生齊納擊穿。隨著溫度上升，禁...

ESD保護二極管是一種用于抑制靜電感應和瞬時過壓的半導體器件，在電路中起到了關鍵的保護作用。它能夠防止由于雷擊、靜電放電或電弧引起的電子元器件損壞，廣泛應用于計算機系統(tǒng)、通信設備以及工業(yè)控制設備等。這種器件具有體積小、重量輕、性能穩(wěn)定等特點，是現(xiàn)...

等效電路及優(yōu)點：正常工作期間ESD保護二極管通常放在信號線與GND之間。因此，這些二極管在穩(wěn)態(tài)下充當電容器。由于它們的電容和信號線的電阻組成低通濾波器（LPF），因此ESD保護二極管會造成插入損耗（I(L)），降低信號質(zhì)量，取決其速度（特別是USB 3....

在電子設備中，ESD保護二極管通常被放置在容易受到靜電放電沖擊的部位，如集成電路的接口處。當帶有電荷的物體（如人類）靠近或接觸這些接口時，ESD電流會釋放在PCB上，對電路造成損害。而ESD保護二極管則能將這部分電流引向地面，從而保護系統(tǒng)免受損害...

低電容二極管1和二極管2（電容分別為C1和C2）和高電容二極管3（電容為C3）。二極管1和二極管2的pn結(jié)面積 小，反向擊穿電壓（VBR）高，而二極管3的pn結(jié)面積大，并且有足夠大的反向擊穿電壓（VBR）。加到陽極的ESD電流沿正向流過二極管1...

保護二極管:保護二極管用作浪涌保護電壓鉗。這類二極管在電路施加電壓過大時導通。穩(wěn)壓二極管:當小電流（I(Z)）從陰極（K）流到陽極（A）時，二極管兩端的電壓可用作恒壓源（V(Z)）。可用功率受二極管允許功耗及安裝板允許功耗的限制。TVS二極...

ESD保護二極管電容為0.12pF至100pF。浪涌保護齊納二極管具有寬結(jié)，以便吸收大量浪涌能量。這類二極管的總電容為100pF至600pF，適用于雷電感應和開關浪涌的保護。表1.2顯示ESD保護二極管和浪涌保護齊納二極管適用于不同類型過壓浪涌脈沖...

ESD保護二極管在醫(yī)療監(jiān)護儀、手術器械、診斷設備等醫(yī)療設備中有廣泛應用。醫(yī)療設備中的電子部件同樣需要保護，以防止靜電放電對設備性能和患者安全造成影響。在這些領域，設備對可靠性和穩(wěn)定性的要求極高。ESD保護二極管能夠確保設備在極端環(huán)境下不受靜電放電的...

低鉗位電壓（V(C)）和***峰值電壓：采用IEC 61000-4-2規(guī)定ESD波形時，高低鉗位電壓（V(C)）ESD保護二極管的波形效果。這些波形采集于受保護器件（DUP）輸入端。具有低V(C )的ESD保護二極管在30ns和60ns處鉗位電壓...

ESD保護二極管吸收不同極性ESD脈沖工作原理：單向和雙向ESD保護二極管可吸收正負ESD脈沖。TVS二極管（ESD保護二極管）的選型指南，選擇正確的ESD保護二極管，請注意第3節(jié)介紹的主要電氣特性。保持被保護信號的質(zhì)量 。信號線電壓 根據(jù)被保護信號...

低電容二極管1和二極管2（電容分別為C1和C2）和高電容二極管3（電容為C3）。二極管1和二極管2的pn結(jié)面積 小，反向擊穿電壓（VBR）高，而二極管3的pn結(jié)面積大，并且有足夠大的反向擊穿電壓（VBR）。加到陽極的ESD電流沿正向流過二極管1...

TVS二極管（ESD保護二極管）布局注意事項：ESD保護二極管位置影響ESD保護性能。ESD保護二極管靠近ESD進入點。在來自連接器的電路板走線分支成ESD保護二極管和DUP的兩條線路后，使與ESD 保護二極管（包括GND）串聯(lián)的走線電感降至比較低。不要...

指接觸放電ESD容限，即通過與受保護器件直接接觸放電。ESD容限是根據(jù)國際電工委員會（IEC）IEC 61000-4-2標準規(guī)定的方法和ESD波形測量的。規(guī)定的VESD值是測試波形的峰值。指空氣放電ESD容限，即被測器件（EUT）與放電槍之間通過...

高擊穿電壓二極管摻雜濃度低，因此形成寬耗盡層（禁帶）。相反，低擊穿電壓二極管摻雜濃度高，所以它們形成窄耗盡層（禁帶）。二極管耗盡層寬時，不太可能發(fā)生電子隧穿（齊納擊穿），主要為雪崩擊穿。高摻雜濃度二極管耗盡層窄，更容易發(fā)生齊納擊穿。隨著溫度上升，...

ESD保護二極管適用于各種電子設備，包括半導體工業(yè)、集成電路、分立器件、計算機電路、通訊設備和雷達設備等。半導體工業(yè)與集成電路：在芯片生產(chǎn)、組裝和運輸過程中，ESD保護二極管能夠有效防止靜電對芯片的損害。通訊設備與雷達設備：在天線罩的金屬屏蔽層中使...

ESD保護二極管是一種基于PN結(jié)的半導體器件，其工作原理是在正常工作條件下呈現(xiàn)高阻抗狀態(tài)，而在靜電放電事件中，能夠迅速導通并將電荷釋放到地線，從而保護電子設備免受靜電放電的損害。當外部接口電壓超過ESD二極管的擊穿電壓時，二極管開始起作用，將電流分...

選擇保證ESD性能高于系統(tǒng)ESD抗擾度要求的ESD保護二極管。但請注意，ESD保護二極管的ESD性能通常與其總電容成正比。選擇電氣額定值高于峰值脈沖功率和峰值脈沖電流要求的ESD保護二極管。ESD保護二極管靠近ESD進入點。ESD保護二極管靠近E...

在發(fā)生ESD沖擊時，ESD電流同時流入ESD保護二極管和受保護器件（DUP）。這種情況下，減少流入受保護器件的電流（即增加分流到ESD保護二極管的電流）是十分重要的。目前，ESD保護二極管數(shù)據(jù)表含有動態(tài)電阻（R(DYN)）。R(DYN)是反向?qū)?..

ESD保護二極管動態(tài)電阻與流入受保護器件的電流： 如何計算ESD保護二極管的動態(tài)電阻（R(DYN)），以及ESD電擊時浪涌電流的流向。如果ESD保護二極管阻抗（即動態(tài)電阻）低，則大部分浪涌電流可通過ESD保護二極管分流到地（GND），從而減少流...

在電子設備中，ESD保護二極管通常被放置在容易受到靜電放電沖擊的部位，如集成電路的接口處。當帶有電荷的物體（如人類）靠近或接觸這些接口時，ESD電流會釋放在PCB上，對電路造成損害。而ESD保護二極管則能將這部分電流引向地面，從而保護系統(tǒng)免受損害...