整流橋模塊作為一種功率元器件，廣泛應用于各種電源設備。其內部主要是由四個二極管組成的橋路來實現把輸入的交流電壓轉化為輸出的直流電壓。在整流橋模塊的每個工作周期內，同一時間只有兩個二極管進行工作，通過二極管的單向導通功能，把交流電轉換成單向的直流脈動...

所有人都知道IGBT的標準定義，但是很少有人詳細地、系統地從這句話抽絲剝繭，一層一層地分析為什么定義里說IGBT是由BJT和MOS組成的，它們之間有什么區(qū)別和聯系，在應用的時候，什么時候能選擇IGBT、什么時候選擇BJT、什么時候又選擇MOSFET...

在工作中還應注意管殼溫度不超過相應電流下的允許值。2、使用可控硅之前，應該用萬用表檢查可控硅是否良好。發(fā)現有短路或斷路現象時，應立即更換。3、嚴禁用兆歐表（即搖表）檢查元件的絕緣情況。4、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器，并且保證所規(guī)定的冷卻條件。...

具有門極輸入阻抗高、驅動功率小、電流關斷能力強、開關速度快、開關損耗小等優(yōu)點。隨著下游應用發(fā)展越來越快，MOSFET的電流能力顯然已經不能滿足市場需求。為了在保留MOSFET優(yōu)點的前提下降低器件的導通電阻，人們曾經嘗試通過提高MOSFET襯底的摻雜...

其整流出的三個電壓半波在時間上依次相差120度疊加，整流輸出波形不過0點，并且在一個周期中有三個寬度為120度的整流半波。因此它的濾波電容器的容量可以比單相半波整流和單相全波整流時的電容量都小。關鍵字：整流電路二極管晶閘管整流電路的工作原理，整流電...

可控硅一經觸發(fā)導通后，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1，而是經過BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠大于Ib1，足以保持BG1的持續(xù)導通。此時觸發(fā)信號即使消失，可控硅仍保持導通狀態(tài)只有斷開電源Ea或...

本實用新型將整流橋和系統其他功能芯片集成封裝，節(jié)約系統多芯片封裝成本，并有助于系統小型化。綜上所述，本實用新型提供一種合封整流橋的封裝結構及電源模組，包括：塑封體，設置于所述塑封體邊緣的火線管腳、零線管腳、高壓供電管腳、信號地管腳、漏極管腳、采樣管...

整流橋模塊的作用是什么：整流橋模塊的功能，是將由交流配電單元提供的交流電，變換成48V或者24V直流電輸出到直流配電單元。采用諧振電壓型雙環(huán)控制的諧振開關電源技術，具有穩(wěn)壓精度高、動態(tài)響應快的特點。整流模塊內置MCU，全智能控制，可實現單機或多機并聯運行。模塊...

可控硅可控硅簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點。在自動控制系統中，可作為大功率驅動器件，實現用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動系統中得到了的應用?？煽毓璺謫蜗蚩煽毓韬碗p向...

怎樣選用晶閘管常用晶體閘流管主要有單向晶閘管、雙向晶閘管、可關斷晶閘管等，應根據電路需要合理選用。(1)單向晶閘管單向晶閘管的特點是電流只能從陽極A流向陰極k，主要應用于直流電源或魚流脈動電壓的控制、交流電源整流、直流電源逆變等場合。單向晶閘管可分...

1957年又開發(fā)了全球用于功率轉換和控制的可控硅整流器（SCR）。由于它們具有體積小、重量輕、效率高、壽命長的優(yōu)勢，尤其是SCR能以微小的電流控制較大的功率，令半導體電力電子器件成功從弱電控制領域進入了強電控制領域、大功率控制領域。在整流器的應用上...

1]維持電流I：是指晶閘管維持導通所必需的小電流，一般為幾十到幾百毫安。IH與結溫有關，結溫越高，則I越小。擎住電流I：是晶閘管剛從斷態(tài)轉入通態(tài)并移除觸發(fā)信號后，能維持導通所需的小電流。對同一晶閘管來說，通常I約為I的2～4倍。[1]浪涌電流I：浪...

可控硅的主要參數有：1、額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、正向阻斷峰值電壓VPF在控制極開路未加觸發(fā)信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅承...

所述負載連接于所述第三電容的兩端；所述第二采樣電阻的一端連接所述合封整流橋的封裝結構的采樣管腳，另一端接地。為實現上述目的及其他相關目的，本實用新型還提供一種電源模組，所述電源模組至少包括：上述合封整流橋的封裝結構，第四電容，變壓器，二極管，第五電...

本發(fā)明實施例還提供了一種半導體功率模塊，如圖15所示，半導體功率模塊50配置有上述igbt芯片51，還包括驅動集成塊52和檢測電阻40。具體地，如圖16所示，igbt芯片51設置在dcb板60上，驅動集成塊52的out端口通過模塊引線端子521與i...

BG1、BG2受到反向電壓作用將處于截止狀態(tài)。這時，即使輸入觸發(fā)信號，可控硅也不能工作。反過來，E接成正向，而觸動發(fā)信號是負的，可控硅也不能導通。另外，如果不加觸發(fā)信號，而正向陽極電壓大到超過一定值時，可控硅也會導通，但已屬于非正常工作情況了?？煽?..

MOSFET存在導通電阻高的缺點，但IGBT克服了這一缺點，在高壓時IGBT仍具有較低的導通電阻?？偟膩碚f，MOSFET優(yōu)點是高頻特性好，可以工作頻率可以達到幾百kHz、上MHz，缺點是導通電阻大在高壓大電流場合功耗較大；而IGBT在低頻及較大功率...

所述負載為led燈串，所述led燈串的正極連接所述高壓供電管腳hv，負極連接所述漏極管腳drain。如圖2所示，所述一采樣電阻rcs1的一端連接所述合封整流橋的封裝結構1的采樣管腳cs，另一端接地。本實施例的電源模組為非隔離場合的小功率led驅動電...

所述一整流二極管及所述第二整流二極管的負極粘接于所述高壓供電基島上，正極分別連接所述火線管腳及所述零線管腳；所述第三整流二極管及第四整流二極管的正極粘接于所述信號地基島上，負極連接分別連接所述火線管腳及所述零線管腳。可選地，所述至少兩個基島包括火線...

1.選擇晶閘管的類型晶閘管有多種類型,應根據應用電路的具體要求合理選用。若用于交直流電壓控制、可控整流、交流調壓、逆變電源、開關電源保護電路等,可選用普通晶閘管。若用于交流開關、交流調壓、交流電動機線性調速、燈具線性調光及固態(tài)繼電器、固態(tài)接觸器等電...

■首先，我們可以把從陰極向上數的第1、二、三層看面是一只NPN型號晶體管，而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。這樣就可畫出圖表-27（C）的等效電路圖來分析。當在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea，又在控制極G和陰...

而是為了保護IGBT脆弱的反向耐壓而特別設置的，又稱為FWD（續(xù)流二極管）。二者內部結構不同MOSFET的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。IGBT的三個極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。IGBT是通過在MOSFET的漏...

白熾燈和節(jié)能燈在使用一段時間之后都會產生熱量，這個熱量正好是蟲子喜歡的，就容易吸引蟲子過來。這無疑會對燈表面帶來很多的污染物，而且，蟲子的排泄物還會使得室內變得很臟。但是，LED燈是冷光源，不會吸引蟲子過來的，這樣，就不會產生蟲子的排泄物。所以說，...

影響串聯運行電壓分配不均勻的因素主要有以下幾個：1、靜態(tài)伏安特性對靜態(tài)均壓的影響。不同元件的伏安特性差異較大，串聯使用時會使電壓分配不均衡。同時，半導體器件的伏安特性容易受溫度的影響，不同的結溫也會使均壓性能受到影響。[1]2、關斷電荷和開通時間等...

本文主要是關于二極管壓降的相關介紹，并著重對二極管壓降的原理及其應用進行了詳盡的闡述。二極管工作原理晶體二極管為一個由p型半導體和n型半導體形成的pn結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于pn結兩邊載流子濃度差引...

大多數的整流全橋上均標注有“+”、“一”、“～”符號(其中“+”為整流后輸出電壓的正極，“一”為輸出電壓的負極，兩個“～”為交流電壓輸入端)，很容易確定出各電極。檢測時，可通過分別測量“+”極與兩個“～”極、“一”極與兩個“～”之間各整流二極管的正...

可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductormodule)。早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。中文名可控硅模塊外文名semicondu...

可控硅模塊作為電路中非常重要的一個基礎元件，它也有好壞之分，其好壞的合適與否都直接關系到運行質量的好壞，所以，在選購可控硅模塊前學會如何判斷可控硅的好壞是非常重要的，選擇好的可控硅模塊，可以保證運行的質量和性能。其實，判斷可控硅模塊是否完好也并不難，需要從四個...

[4]二極管發(fā)光二極管發(fā)光二極管是一種將電能直接轉換成光能的半導體固體顯示器件，簡稱LED(LightEmittingDiode)。和普通二發(fā)光二極管極管相似，發(fā)光二極管也是由一個PN結構成。發(fā)光二極管的PN結封裝在透明塑料殼內，外形有方形、矩形和...

圖簡單地給出了晶閘管開通和關斷過程的電壓與電流波形。圖中開通過程描述的是晶閘管門極在坐標原點時刻開始受到理想階躍觸發(fā)電流觸發(fā)的情況；而關斷過程描述的是對已導通的晶閘管，在外電路所施加的電壓在某一時刻突然由正向變?yōu)榉聪虻那闆r（如圖中點劃線波形）。開通...