應(yīng)用整流橋到電路中，主要考慮它的大工作電流和大反向電壓。針對(duì)整流橋不同冷卻方式的選擇和對(duì)其散熱過程的詳細(xì)分析，來闡述元器件廠家提供的元器件熱阻(Rja和Rjc)的具體含義，并在此基礎(chǔ)上提出一種在技術(shù)上可行、使用上操作性強(qiáng)的測(cè)量整流橋殼溫的方法，為電源產(chǎn)品合理應(yīng)...

整流橋模塊的原理2整流橋模塊的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)3整流橋模塊的優(yōu)點(diǎn)4整流橋模塊的分類展開1整流橋模塊的原理其內(nèi)部主要是由四個(gè)二極管組成的橋路來實(shí)現(xiàn)把輸入的交流電壓轉(zhuǎn)化為輸出的直流電壓。在整流橋的每個(gè)工作周期內(nèi)，同一時(shí)間只有兩個(gè)二極管進(jìn)行工作，通過二極管的單向?qū)üδ?，?..

4．可關(guān)斷晶閘管可關(guān)斷晶閘管亦稱門控晶閘管。其主要特點(diǎn)是，當(dāng)門極加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)時(shí)晶閘管能自行關(guān)斷。它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點(diǎn)，以具有自關(guān)斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開關(guān)器件。它的容量及使用壽命均超過巨型晶體管。目前，大功率可關(guān)斷晶閘管已...

所謂限幅電路就是限制電路中某一點(diǎn)的信號(hào)幅度大小，讓信號(hào)幅度大到一定程度時(shí)，不讓信號(hào)的幅度再增大，當(dāng)信號(hào)的幅度沒有達(dá)到限制的幅度時(shí)，限幅電路不工作，具有這種功能的電路稱為限幅電路，利用二極管來完成這一功能的電路稱為二極管限幅電路。如圖9-44所示是二極管限幅電路...

術(shù)語“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不...

1.選擇晶閘管的類型晶閘管有多種類型,應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求合理選用。若用于交直流電壓控制、可控整流、交流調(diào)壓、逆變電源、開關(guān)電源保護(hù)電路等,可選用普通晶閘管。若用于交流開關(guān)、交流調(diào)壓、交流電動(dòng)機(jī)線性調(diào)速、燈具線性調(diào)光及固態(tài)繼電器、固態(tài)接觸器等電...

二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。[4]一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數(shù)量級(jí)，小功率鍺管在μA數(shù)量級(jí)。溫度升高時(shí)，半導(dǎo)體受熱激發(fā)，少數(shù)載流子數(shù)目增加，反向飽和電流也隨之增加。[4]二極管擊穿特性外加反向電壓超過某一數(shù)值時(shí)，反向...

⑿脈沖輸出：六路帶調(diào)制的觸發(fā)脈沖隔離輸出;脈沖寬度：2個(gè)20°寬脈沖列、間隔60°;脈沖調(diào)制頻率10KHZ;各相脈沖不對(duì)稱度：≤°;脈沖電流峰值：>800mA⒀PID動(dòng)態(tài)響應(yīng)時(shí)間≤10ms，超調(diào)量≤1%。⒁有回零保護(hù)、軟起動(dòng)、急停功能。⒂比較大外形尺寸：235...

熔體才能夠在一定時(shí)間內(nèi)熔化，根據(jù)對(duì)熔斷器的要求，熔體的額定電流應(yīng)小于小熔化電流，縮斷器的額定電流與小熔化電流之比稱為熔化系數(shù)，此系數(shù)是熔斷器保護(hù)小信數(shù)過載的靈敏度指標(biāo)，其值主要取決于熔體的材料和結(jié)構(gòu)及其工作溫度。從過載保護(hù)來值越小，對(duì)小倍數(shù)過越有利...

因?yàn)楦咚匍_斷和關(guān)斷會(huì)產(chǎn)生很高的尖峰電壓,及有可能造成IGBT自身或其他元件擊穿。(3)IGBT開通后，驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)提供足夠的電壓、電流幅值，使IGBT在正常工作及過載情況下不致退出飽和而損壞。(4)IGBT驅(qū)動(dòng)電路中的電阻RG對(duì)工作性能有較大的影響，...

封閉式熔斷器：封閉式熔斷器分有填料熔斷器和無填料熔斷器兩種，如圖3和圖4所示。有填料熔斷器一般用方形瓷管，內(nèi)裝石英砂及熔體，分?jǐn)嗄芰?qiáng)，用于電壓等級(jí)500V以下、電流等級(jí)1KA以下的電路中。無填料密閉式熔斷器將熔體裝入密閉式圓筒中，分?jǐn)嗄芰ι孕。糜?00V以...

該igbt芯片上設(shè)置有：工作區(qū)域、電流檢測(cè)區(qū)域和接地區(qū)域；其中，igbt芯片還包括第1表面和第二表面，且，第1表面和第二表面相對(duì)設(shè)置；第1表面上設(shè)置有工作區(qū)域和電流檢測(cè)區(qū)域的公共柵極單元，以及，工作區(qū)域的第1發(fā)射極單元、電流檢測(cè)區(qū)域的第二發(fā)射極單元和第三發(fā)射極...

以及設(shè)置于所述塑封體內(nèi)的整流橋、功率開關(guān)管、邏輯電路、至少兩個(gè)基島；其中，所述整流橋的一交流輸入端通過基島或引線連接所述火線管腳，第二交流輸入端通過基島或引線連接所述零線管腳，一輸出端通過基島或引線連接所述高壓供電管腳，第二輸出端通過基島或引線連接所述信號(hào)地管...

IGBT裸片是硅基的絕緣柵雙極晶體管芯片。裸片和晶圓級(jí)別的芯片可幫助模塊制造商提高產(chǎn)品集成度和功率密度，并有效節(jié)約電路板空間。另外，英飛凌還提供完善的單獨(dú)塑封IGBT系列：IGBT單管。該系列芯片包括單片IGBT，以及和續(xù)流二極管集成封裝的產(chǎn)品，廣...

所有人都知道IGBT的標(biāo)準(zhǔn)定義，但是很少有人詳細(xì)地、系統(tǒng)地從這句話抽絲剝繭，一層一層地分析為什么定義里說IGBT是由BJT和MOS組成的，它們之間有什么區(qū)別和聯(lián)系，在應(yīng)用的時(shí)候，什么時(shí)候能選擇IGBT、什么時(shí)候選擇BJT、什么時(shí)候又選擇MOSFET管。這些問題...

1.倒閘操作的概念當(dāng)電氣設(shè)備由一種狀態(tài)轉(zhuǎn)換到另一種狀態(tài)或改變電力系統(tǒng)的運(yùn)行方式時(shí)，需要進(jìn)行一系列的操作，這種操作叫做電氣設(shè)備的倒閘操作。2.電氣設(shè)備狀態(tài)（1）運(yùn)行狀態(tài)：指設(shè)備的斷路器及隔離開關(guān)都在合閘位置，將電源至受電端間的電路接通（包括輔助設(shè)備，如電壓互感器...

保證電弧熄滅的熔絲展開長(zhǎng)度按下式計(jì)算：l=160+70Umm式中U—熔斷器的額定電壓kV2、石英砂顆粒度石英砂的顆粒度，對(duì)限流式熔斷器的滅弧性能有很大影響。試驗(yàn)表明，顆粒直徑在。3、限制過電壓措施由于限流式熔斷器開斷電路時(shí)，電弧電流被強(qiáng)迫過零，因而易產(chǎn)生過電壓...

什么是熔斷器熔斷器是一種簡(jiǎn)單的保護(hù)電器。在農(nóng)村，配電變壓器高、低壓側(cè)都裝有熔斷器作為短路保護(hù)，以防止短路電流對(duì)變壓器的損害。另外，各種動(dòng)力和照明裝置也常常采用熔斷器作短路故障或連續(xù)過負(fù)荷的保護(hù)裝置。熔斷器是當(dāng)電流超出限定值時(shí)借助熔體熔化而分?jǐn)嚯娐返?..

保險(xiǎn)絲分?jǐn)嗄芰庉嫯?dāng)介于常規(guī)不熔斷電流與相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的額定分?jǐn)嗄芰Γǖ碾娏鳎┲g的電流作用于保險(xiǎn)絲時(shí)，保險(xiǎn)絲應(yīng)能滿意地動(dòng)作，而且不會(huì)危及周圍環(huán)境。保險(xiǎn)絲被安置的電路的預(yù)期故障電流必須小于標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的額定分?jǐn)嗄芰﹄娏鳎駝t，當(dāng)故障發(fā)生保險(xiǎn)絲熔斷時(shí)會(huì)出現(xiàn)持續(xù)飛弧、引...

2）熔體與熔斷器額定電流的確定熔體額定電流大小與負(fù)載大小、負(fù)載性質(zhì)有關(guān)。對(duì)于負(fù)載平穩(wěn)、無沖擊電流，如一般照明電路、電熱電路可按負(fù)載電流大小來確定熔體的額定電流。對(duì)于有沖擊電流的電動(dòng)機(jī)負(fù)載，為達(dá)到短路保護(hù)目的，又保證電動(dòng)機(jī)正常起動(dòng)，對(duì)籠型感應(yīng)電動(dòng)機(jī)其熔斷器熔體的...

所述柜體的內(nèi)壁固定有散熱扇，且散熱扇的頂部固定有豎桿，所述豎桿的內(nèi)部設(shè)置有轉(zhuǎn)軸，且轉(zhuǎn)軸的外壁固定有太陽(yáng)能電板。推薦的，所述防震塊等間距分布于緩沖塊的外壁，且緩沖塊通過***凹槽與柜體構(gòu)成滑動(dòng)結(jié)構(gòu)。推薦的，所述緩沖塊關(guān)于收納箱的中軸線對(duì)稱設(shè)置，且收納箱與柜體的中...

封閉式熔斷器：封閉式熔斷器分有填料熔斷器和無填料熔斷器兩種，如圖3和圖4所示。有填料熔斷器一般用方形瓷管，內(nèi)裝石英砂及熔體，分?jǐn)嗄芰?qiáng)，用于電壓等級(jí)500V以下、電流等級(jí)1KA以下的電路中。無填料密閉式熔斷器將熔體裝入密閉式圓筒中，分?jǐn)嗄芰ι孕?，用?00V以...

而這正是所希望的結(jié)果。在正常工作狀態(tài)，電路內(nèi)部的**取樣電阻對(duì)負(fù)載電流周期性地進(jìn)行采樣，因此避免了因過流導(dǎo)致災(zāi)難性后果出現(xiàn)。因此，內(nèi)部過熱保護(hù)電路為變換器提供了安全工作區(qū)（SAO）。其中MAX668是一個(gè)開關(guān)控制器，由它完成升壓功能。電流反饋型升壓控制器（MA...

其目的為了使熔絲在過載情況下迅速斷開?？焖偃蹟嗥骶屯怀觥翱臁保簿挽`敏度高，當(dāng)電路電流一過載，熔絲在焊點(diǎn)的作用下，迅速發(fā)熱，迅速斷開熔絲，好的快速熔斷體其效率相當(dāng)高，主要用來保護(hù)可控硅和一些電子功率元器件?？焖偃蹟嗥骺焖偃蹟嗥鞯慕Y(jié)構(gòu)、工作原理和特性...

快速熔斷器主要用于半導(dǎo)體整流元件或整流裝置的短路保護(hù)。由于半導(dǎo)體元件的過載能力很低。只能在極短時(shí)間內(nèi)承受較大的過載電流，因此要求短路保護(hù)具有快速熔斷的能力?？焖偃蹟嗥鞯慕Y(jié)構(gòu)和有填料封閉式熔斷器基本相同，但熔體材料和形狀不同，它是以銀片沖制的有V形深槽的變截面熔...

所述負(fù)載連接于所述第三電容的兩端；所述第二采樣電阻的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的采樣管腳，另一端接地。為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本實(shí)用新型還提供一種電源模組，所述電源模組至少包括：上述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)，第四電容，變壓器，二極管，第五電容，負(fù)載及第...

折疊摘要應(yīng)用整流橋到電路中，主要考慮它的大工作電流和大反向電壓。針對(duì)整流橋不同冷卻方式的選擇和對(duì)其散熱過程的詳細(xì)分析，來闡述元器件廠家提供的元器件熱阻(Rja和Rjc)的具體含義，并在此基礎(chǔ)上提出一種在技術(shù)上可行、使用上操作性強(qiáng)的測(cè)量整流橋殼溫的方...

可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductormodule)。早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。中文名可控硅模塊外文名semicondu...

因此我們可以用散熱器的基板溫度的數(shù)值來代替整流橋的殼溫，這樣不在測(cè)量上易于實(shí)現(xiàn)，還不會(huì)給終的計(jì)算帶來不可容忍的誤差。折疊仿真分析整流橋在強(qiáng)迫風(fēng)冷時(shí)的仿真分析前面本文從不同情形下的傳熱途徑著手，用理論的方法分析了整流橋在三種不同冷卻方式下的傳熱過程，...

目錄1整流橋模塊的原理2整流橋模塊的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)3整流橋模塊的優(yōu)點(diǎn)4整流橋模塊的分類展開1整流橋模塊的原理其內(nèi)部主要是由四個(gè)二極管組成的橋路來實(shí)現(xiàn)把輸入的交流電壓轉(zhuǎn)化為輸出的直流電壓。在整流橋的每個(gè)工作周期內(nèi)，同一時(shí)間只有兩個(gè)二極管進(jìn)行工作，通過二極管...