降低鍍層的內(nèi)應(yīng)力，改善晶格缺陷、雜質(zhì)、空洞、瘤子等，容易得到無(wú)裂紋的鍍層，減少添加劑。有利于獲得成份穩(wěn)定的合金鍍層。4、改善陽(yáng)極的溶解，不需陽(yáng)極活化劑。5、改進(jìn)鍍層的機(jī)械物理性能，如提高密度降低表面電阻和體電阻，提高韌性、耐磨性、抗蝕性而且可以控制鍍層硬度。6...

DC/DC轉(zhuǎn)換器也可以分為自激式和他控式。借助轉(zhuǎn)換器本身的正反饋信號(hào)實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)管自持周期性開(kāi)關(guān)的轉(zhuǎn)換器，叫做自激式轉(zhuǎn)換器，如洛耶爾（Royer）轉(zhuǎn)換器就是一種典型的推挽自激式轉(zhuǎn)換器。他控式DC/DC轉(zhuǎn)換器中的開(kāi)關(guān)器件控制信號(hào)，是由外部專門的控制電路產(chǎn)生的。開(kāi)關(guān)電...

脈沖寬度可變模式，頻率、脈沖寬度可變模式。前一種工作模式多用于DC/AC逆變電源，或DC/DC電壓變換；后兩種工作模式多用于開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源。另外，開(kāi)關(guān)電源輸出電壓也有三種工作方式：直接輸出電壓方式、平均值輸出電壓方式、幅值輸出電壓方式。同樣，前一種工作方式多用于...

之間加一直流電場(chǎng)。電勢(shì)就使交換到樹(shù)脂上的離子沿著樹(shù)脂粒的表面遷移并通過(guò)膜進(jìn)入濃水室。陽(yáng)極吸引負(fù)電離子（如OH-，CI-）這些離子通過(guò)陰離子膜進(jìn)入相臨的濃水流卻被陽(yáng)離子選擇膜阻隔，從而留在濃水流中。陰極吸引純水流中的陽(yáng)離子（如H+，Na+）。這些離子穿過(guò)陽(yáng)離子選...

按一機(jī)部IBI144一75的規(guī)定，普通型可控硅稱為KP型可控硅整流元件(又叫KP型硅閘流管》。普通可控硅的型號(hào)采用如下格式標(biāo)注:圖片1額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個(gè)，如表1一5所示。正反向重復(fù)蜂值屯壓級(jí)別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級(jí)，1000V以...

進(jìn)水要求播報(bào)編輯項(xiàng) 目技 術(shù) 要 求給水RO產(chǎn)水, 電導(dǎo)率≤20μs/cm ( 建議<10μs/cm )PH值6.0 ~ 9.0 (建議7.0 ~ 9.0 )水溫5 ~ 35℃硬度(以CaCO3計(jì))< 0.5 ppm有機(jī)物< 0.5 ppm ，TOC建議值為零...

（1） 脫鹽率大于99.9%，效率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于兩級(jí)反滲透和單純的離子交換。（2） 較傳統(tǒng)的離子交換法脫鹽節(jié)約樹(shù)脂95%以上（3） 離子交換樹(shù)脂不需使用酸堿再生，節(jié)約大量酸堿和清洗用水，降低勞動(dòng) 強(qiáng)度。（4） 清潔生產(chǎn)，無(wú)廢水處理問(wèn)題，利于環(huán)保。（5） 自動(dòng)化程度高...

現(xiàn)***關(guān)電源有兩種：一種是直流開(kāi)關(guān)電源；另一種是交流開(kāi)關(guān)電源。這里主要介紹的只是直流開(kāi)關(guān)電源，其功能是將電能質(zhì)量較差的原生態(tài)電源（粗電），如市電電源或蓄電池電源，轉(zhuǎn)換成滿足設(shè)備要求的質(zhì)量較高的直流電壓（精電）。直流開(kāi)關(guān)電源的**是DC/DC轉(zhuǎn)換器。因此直流開(kāi)...

交換反應(yīng)在模組的純化學(xué)室進(jìn)行，在那里陰離子交換樹(shù)脂用它們的氫氧根據(jù)離子（OH-）來(lái)交換溶解鹽中的陰離了（如氯離子C1）。相應(yīng)地，陽(yáng)離子交換樹(shù)脂用它們的氫離子（H+）來(lái)交換溶解鹽中的陽(yáng)離子（如Na+）。在位于模組兩端的陽(yáng)極（+）和陰極（-）之間加一直流電場(chǎng)。電勢(shì)...

特點(diǎn)1、降低孔隙率，晶核的形 成速度大于成長(zhǎng)速度，促使晶核細(xì)化。2、改善結(jié)合力，使鈍化膜擊穿，有利于基體與鍍層之間牢固結(jié)合。3、改善覆蓋能力和分散能力，高的陰極負(fù)電位使普通電鍍中鈍化的部位也能沉積，減緩形態(tài)復(fù)雜零件的突出部位由于沉積離子過(guò)度消耗而帶來(lái)的“燒焦”...

反向阻斷峰值電壓VPR 當(dāng)可控硅加反向電壓，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時(shí)，不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。4、 觸發(fā)電壓VGT 在規(guī)定的環(huán)境溫度下，陽(yáng)極---陰極間加有一定電壓時(shí)，可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的**小控制...

在位于模組兩端的陽(yáng)極（+）和陰極（-）之間加一直流電場(chǎng)。電勢(shì)就使交換到樹(shù)脂上的離子沿著樹(shù)脂粒的表面遷移并通過(guò)膜進(jìn)入濃水室。陽(yáng)極吸引負(fù)電離子（如OH-，CI-）這些離子通過(guò)陰離子膜進(jìn)入相臨的濃水流卻被陽(yáng)離子選擇膜阻隔，從而留在濃水流中。陰極吸引純水流中的陽(yáng)離子（...

式DC/DC轉(zhuǎn)換器在實(shí)現(xiàn)輸出與輸入電氣隔離時(shí)，通常采用變壓器來(lái)實(shí)現(xiàn)，由于變壓器具有變壓的功能，所以有利于擴(kuò)大轉(zhuǎn)換器的輸出應(yīng)用范圍，也便于實(shí)現(xiàn)不同電壓的多路輸出，或相同電壓的多種輸出。在功率開(kāi)關(guān)管的電壓和電流定額相同時(shí)，轉(zhuǎn)換器的輸出功率通常與所用開(kāi)關(guān)管的數(shù)量成正...

軟開(kāi)關(guān)DC/DC轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)管，在開(kāi)通或關(guān)斷過(guò)程中，或是加于其上的電壓為零，即零電壓開(kāi)關(guān)（Zero-Voltage-Switching，ZVS），或是通過(guò)開(kāi)關(guān)管的電流為零，即零電流開(kāi)關(guān)（Zero-Current·Switching，ZCS）。這種軟開(kāi)關(guān)方式可以...

但是MOSFET在零電流條件下開(kāi)通時(shí)，并不能減小容性開(kāi)通損耗。諧振轉(zhuǎn)換器（Resonant Converter ，RC）、準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器（Quasi-Resonant Converter，QRC）、多諧振轉(zhuǎn)換器（Multi-Resonant Converter，...

結(jié)構(gòu)原件可控硅類型可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個(gè)PN結(jié)，分析原理時(shí)，可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成，其等效圖解如右圖所示。雙向可控硅：雙向可控硅是一種硅可控整流器件，也稱作雙向晶閘管。這種器件在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無(wú)觸點(diǎn)控...

在線性電源中，讓功率晶體管工作在線性模式，與線性電源不同的是，PWM開(kāi)關(guān)電源是讓功率晶體管工作在導(dǎo)通和關(guān)斷的狀態(tài)，在這兩種狀態(tài)中，加在功率晶體管上的伏安乘積是很小的（在導(dǎo)通時(shí)，電壓低，電流大；關(guān)斷時(shí)，電壓高，電流?。?功率器件上的伏安乘積就是功率半導(dǎo)體器件上所...

4、及時(shí)實(shí)施集中監(jiān)控隨著通信設(shè)備的擴(kuò)容，電源設(shè)備越來(lái)越多，其分布點(diǎn)越來(lái)越分散，需要維護(hù)的人員越來(lái)越多，與減員增效形成矛盾。解決矛盾的一條重要途徑就是實(shí)施集中監(jiān)控。以超微晶(又稱納米晶)軟磁合金材料為主變壓器鐵芯實(shí)施集中監(jiān)控可根據(jù)現(xiàn)有條件逐步進(jìn)行，不必強(qiáng)求一步到...

可以采用模塊化電源組成分布式電源系統(tǒng)，可以設(shè)計(jì)成N+1冗余電源系統(tǒng)，并實(shí)現(xiàn)并聯(lián)方式的容量擴(kuò)展。針對(duì)開(kāi)關(guān)電源運(yùn)行噪聲大這一缺點(diǎn)，若單獨(dú)追求高頻化其噪聲也必將隨著增大，而采用部分諧振轉(zhuǎn)換電路技術(shù)，在理論上即可實(shí)現(xiàn)高頻化又可降低噪聲，但部分諧振轉(zhuǎn)換技術(shù)的實(shí)際應(yīng)用仍存...

無(wú)防塵隔離裝置的機(jī)房?jī)?nèi)，機(jī)房含塵量較大。由于開(kāi)關(guān)電源采用強(qiáng)迫風(fēng)冷方式冷卻的居多，空氣流動(dòng)勢(shì)必將塵土帶入設(shè)備中，而開(kāi)關(guān)電源不宜經(jīng)常拆卸清理，過(guò)量的塵土累積，遇潮濕天氣就會(huì)造成漏電短路，導(dǎo)致故障發(fā)生。我單位就曾有一模塊投入運(yùn)行不到半年就發(fā)生自動(dòng)停機(jī)，經(jīng)技術(shù)人員前來(lái)...

產(chǎn)品簡(jiǎn)介電鍍整流機(jī)又稱電鍍整流器或高頻整流機(jī)，以超微晶(又稱納米晶)軟磁合金材料為主變壓器鐵芯，以原裝進(jìn)口IGBT作為主功率器件，主控制系統(tǒng)采用了多環(huán)控制技術(shù),結(jié)構(gòu)上采取了防鹽霧酸化措施。、鍍鋅、鍍鎳、鍍錫、鍍鉻、光電、冶煉電源產(chǎn)品結(jié)構(gòu)合理，可靠性強(qiáng)。該電源以...

目前工業(yè)加熱還大量使用著KGBS以可控硅為主器件的中頻加熱設(shè)備.功率因數(shù)低耗費(fèi)著大量的電能.隨著金融危機(jī)的曼延,節(jié)能降耗,縮減成本已經(jīng)成為中小企業(yè)非常迫切的問(wèn)題.于是我們利用近20年的感應(yīng)加熱經(jīng)驗(yàn),成功研制出JZ(IGBT)系列節(jié)能型中頻。中頻感應(yīng)加熱電源特點(diǎn)...

普通晶閘管**基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管，就可以構(gòu)成可控整流電路。以**簡(jiǎn)單的單相半波可控整流電路為例，在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒(méi)有輸入觸發(fā)脈沖Ug，VS仍然不能導(dǎo)通，只有...

電鍍整流機(jī)又稱電鍍整流器或高頻整流機(jī)，以超微晶(又稱納米晶)軟磁合金材料為主變壓器鐵芯，以原裝進(jìn)口IGBT作為主功率器件，主控制系統(tǒng)采用了多環(huán)控制技術(shù),結(jié)構(gòu)上采取了防鹽霧酸化措施。電源產(chǎn)品結(jié)構(gòu)合理，可靠性強(qiáng)。該電源以其體積小、重量輕、高效率、高可靠的優(yōu)越性能成...

2、應(yīng)定期進(jìn)行數(shù)據(jù)分析我們將開(kāi)關(guān)電源電腦記錄下來(lái)的各種信息定期打印出來(lái)，可以很方便地了解到電源本身的歷史資料，例如何時(shí)發(fā)生過(guò)交流中斷、何時(shí)進(jìn)行了電池充放電，以及電源的工作狀態(tài)等等。通過(guò)對(duì)這些資料的分析，可發(fā)現(xiàn)一定的問(wèn)題，如有必要可及時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)修改。3、應(yīng)加裝防...

并進(jìn)入濃水室從而從淡水中去除。 離子進(jìn)入濃水室后，由于陽(yáng)離子無(wú)法穿過(guò)因離子交換膜，因此其將被截留在濃水室，同樣，陰離子無(wú)法穿過(guò)陽(yáng)離子交換膜，被截留在濃水室，這樣陰陽(yáng)離子將隨濃水流被排出模塊；與此同時(shí)，由于進(jìn)水中的離子被不斷的去除，那么淡水的純度將不斷的提高，待...

(2)如果主電極T2仍加正向電壓，而把觸發(fā)信號(hào)改為反向信號(hào)(圖5b)，這時(shí)雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通后，通態(tài)電流的方向仍然是從T2到T1。我們把這種觸發(fā)叫做“***象限的負(fù)觸發(fā)”或稱為I-觸發(fā)方式。(3)兩個(gè)主電極加上反向電壓U12(圖5c)，輸入正向觸發(fā)信號(hào)，雙向可...

電勢(shì)就使交換到樹(shù)脂上的離子沿著樹(shù)脂粒的表面遷移并通過(guò)膜進(jìn)入濃水室。陽(yáng)極吸引負(fù)電離子（如OH-，CI-）這些離子通過(guò)陰離子膜進(jìn)入相臨的濃水流卻被陽(yáng)離子選擇膜阻隔，從而留在濃水流中。陰極吸引純水流中的陽(yáng)離子（如H+，Na+）。這些離子穿過(guò)陽(yáng)離子選擇膜，進(jìn)入相臨的濃...

矽等溶解鹽。這些鹽是由負(fù)電離子（負(fù)離子）和正電離子（正離子）組成。反滲透可以除去其中超過(guò)99%的離子。自來(lái)水也含有微量金屬，溶解的氣體（如CO2）和其他必須在工業(yè)處理中去除的弱離子化的化合物（如矽和硼）。RO反滲透出水（EDI進(jìn)水）一般為60-40μ/cm（電...

控制極G對(duì)***電極Tl所加的也是正向觸發(fā)信號(hào)（圖5a）。雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通后，電流I2l的方向從T2流向T1。由特性曲線可知，這時(shí)雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通規(guī)律是按第二象限的特性進(jìn)行的，又因?yàn)橛|發(fā)信號(hào)是正向的，所以把這種觸發(fā)叫做“***象限的正向觸發(fā)”或稱為I+觸發(fā)...