三極管的分類：三極管的應用十分普遍，種類繁多，分類方式也多種多樣。根據結構：NPN型三極管；PNP型三極管。根據功率：小功率三極管；中等功率三極管；大功率三極管。根據工作頻率：低頻三極管；高頻三極管。根據封裝形式：金屬封裝型，塑料封裝型。6、根據PN結材料：鍺...

場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。主要有兩種類型：結型場效應管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS...

點接觸式二極管，點接觸式二極管和下文所述的面接觸式二極管工作原理類似，不過構造較為簡單。主要結構即為一個由第三主族金屬制成的導電的頂端，和一塊與其相接觸的N型半導體。一些金屬會進入半導體，接觸面的這一小片區(qū)域就成為了P型半導體。長期流行的1N34鍺型二極管，目...

正向偏置（Forward Bias），二極管的陽極側施加正電壓，陰極側施加負電壓，這樣就稱為正向偏置，所加電壓為正向偏置。如此N型半導體被注入電子，P型半導體被注入空穴。這樣一來，讓多數載流子過剩，耗盡層縮小、消滅，正負載流子在PN接合部附近結合并消滅。整體來...

MOS管參數：功率MOSFET的一定較大額定值：注①：漏源較大電壓VDSS，可視為反向施加在體二極管兩端的電壓值，故只有一個方向。注②：柵源較大電壓VGSS，即施加在柵極電極與源極電極之間的電壓，由于柵極與P型半導體襯底中加了SiO2絕緣層，只要電壓一定值超過...

恒流二極管 （ 英語 ： Constant Current Diode ） （或稱定電流二極管，CRD、Current Regulative Diode），被施加順方向電壓的場合，無論電壓多少，可以得到一定的電流的元件。通常的電流容量在1~15mA的范圍。雖然...

三極管飽和情況，像圖1因為受到電阻Rc的限制(Rc是固定值，那么較大電流為U/Rc，其中U為電源電壓)，集電極電流是不能無限增加下去的。當基極電流的增大，不能使集電極電流繼續(xù)增大時，三極管就進入了飽和狀態(tài)。一般判斷三極管是否飽和的準則是：Ib*β〉Ic。進入飽...

二極管的分類：一、按半導體材料分類，二極管按其使用的材料可分為鍺（Ge）二極管、硅（Si）二極管、砷化鎵（GaAs）二極管、磷化鎵（GaP）二極管等。二、按封裝形式分類，二極管按其封裝形式可分為塑料二極管、玻璃二極管、金屬二極管、片狀二極管、無引線圓柱形二極管...

二極管的英文是diode。二極管的正.負二個端子,一端稱為陽極,一端稱為陰極。電流只能從陽極向陰極方向移動。二極管是由半導體組成的器件。半導體無論哪個方向都能流動電流。二極管（英語：Diode），電子元件當中，一種具有兩個電極的裝置，只允許電流由單一方向流過。...

1874年，德國物理學家卡爾·布勞恩在卡爾斯魯厄理工學院發(fā)現(xiàn)了晶體的整流能力。因此1906年開發(fā)出的頭一代二極管——“貓須二極管”是由方鉛礦等礦物晶體制成的。早期的二極管還包含了真空管，真空管二極管具有兩個電極 ，一個陽極和一個熱式陰極。在半導體性能被發(fā)現(xiàn)后，...

什么是三極管，三極管，不管是在模電還是數電中都是常見的電子器件，利用它的特性，在模電中通常作放大作用，而在數電中則作開關或者邏輯轉換。三極管的主要結構是PN結，可以是NPN組合，也可以是PNP組合。三極管較基本的作用是放大，把微弱的電信號放大成一定強度的信號，...

MOSFET應用案例解析：開關電源應用從定義上而言，這種應用需要MOSFET定期導通和關斷。同時，有數十種拓撲可用于開關電源，這里考慮一個簡單的例子。DC-DC電源中常用的基本降壓轉換器依靠兩個MOSFET來執(zhí)行開關功能(下圖)，這些開關交替在電感里存儲能量，...

三極管的分類：三極管的應用十分普遍，種類繁多，分類方式也多種多樣。根據結構：NPN型三極管；PNP型三極管。根據功率：小功率三極管；中等功率三極管；大功率三極管。根據工作頻率：低頻三極管；高頻三極管。根據封裝形式：金屬封裝型，塑料封裝型。6、根據PN結材料：鍺...

三極管的飽和狀態(tài)，當三極管發(fā)射結正偏，集電結正偏時，三極管工作在飽和狀態(tài)。在飽和狀態(tài)下，三極管集電極電流ic的大小已經不受基極電流ib的控制，ic與ib不再成比例關系。飽和狀態(tài)下的三極管基極電流ib變大時，集電極電流ic也不會變大了，這就相當于水龍頭的開關已經...

交流二極管（DIAC）、突波保護二極管、雙向觸發(fā)二極管，當施加超過規(guī)定電壓（Break Over電壓，VBO）的電壓會開始導通使得端子之間的電壓降低的雙方向元件。用于電路的突波保護上。另，雖被稱為二極管，實際的構造、動作原理都應歸類為閘流管/可控硅整流器的復雜...

三極管具有電流放大作用，能以基極電流微小的變化量來控制集電極電流較大的變化量，也用作無觸點開關。三極管的簡介，三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導體器件，是半導體基本元器件之一，是電子電路的主要元件，具有電流放大作用，三極管是在一塊半導體...

三極管，全稱應為半導體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種電流控制電流的半導體器件·其作用是把微弱信號放大成輻值較大的電信號，具有電流放大作用，也用作無觸點開關，是電子電路的主要元件。三極管的作用：1、放大作用。三極管的單向導電性，使得它很容易把信號放...

三極管顧名思義具有三個電極。二極管是由一個PN結構成的，而三極管由兩個PN結構成，共用的一個電極成為三極管的基極(用字母B表示——B取自英文Base，基本的、基礎的)，其他的兩個電極分別稱為集電極(用字母C表示——C取自英文Collector，收集)和發(fā)射極(...

溝道增強型MOSFET場效應管的工作原理：vGS對iD及溝道的控制作用① vGS=0 的情況，增強型MOS管的漏極d和源極s之間有兩個背靠背的PN結。當柵——源電壓vGS=0時，即使加上漏——源電壓vDS，而且不論vDS的極性如何，總有一個PN結處于反偏狀態(tài)，...

LED 燈具的驅動。設計LED燈具的時候經常要使用MOS管，對LED恒流驅動而言，一般使用NMOS。功率MOSFET和雙極型晶體管不同，它的柵極電容比較大，在導通之前要先對該電容充電，當電容電壓超過閾值電壓(VGS-TH)時MOSFET才開始導通。因此，設計時...

三極管飽和情況，像圖1因為受到電阻Rc的限制(Rc是固定值，那么較大電流為U/Rc，其中U為電源電壓)，集電極電流是不能無限增加下去的。當基極電流的增大，不能使集電極電流繼續(xù)增大時，三極管就進入了飽和狀態(tài)。一般判斷三極管是否飽和的準則是：Ib*β〉Ic。進入飽...

二極管是否損壞如何判斷：單負導電性能的檢測及好壞的判斷，通常，鍺材料二極管的正向電阻值為1kΩ左右，反向電阻值為300左右。硅材料二極管的電阻值為5kΩ左右，反向電阻值為（無窮大）。正向電阻越小越好，反向電阻越大越好。正、反向電阻值相差越懸殊，說明二極管的單向...

在1884年，愛迪生被授予了此項發(fā)明的專業(yè)技術。由于當時這種裝置實際上并不能看出實用價值，這項專業(yè)技術更多地是為了防止別人聲稱較早發(fā)現(xiàn)了這一所謂“愛迪生效應”。20年后，約翰·弗萊明（愛迪生前雇員）發(fā)現(xiàn)了這一效應的實用價值，它可以用來制作精確檢波器。1904年...

場效應管由源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate）三個主要部分組成。在JFET中，柵極和通道之間通過PN結隔離；而在MOSFET中，柵極和通道之間由一層絕緣材料（通常是二氧化硅）隔離。當在柵極施加適當的電壓時，會在柵極下方的半導體中形成一個導...

三極管，全稱應為半導體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導體器件其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號， 也用作無觸點開關。晶體三極管，是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的主要元件。三極管是在一塊半導體基片上制作兩個...

MOS管參數：功率MOSFET的一定較大額定值：注①：漏源較大電壓VDSS，可視為反向施加在體二極管兩端的電壓值，故只有一個方向。注②：柵源較大電壓VGSS，即施加在柵極電極與源極電極之間的電壓，由于柵極與P型半導體襯底中加了SiO2絕緣層，只要電壓一定值超過...

測試步驟：MOS管的檢測主要是判斷MOS管漏電、短路、斷路、放大。其步驟如下：假如有阻值沒被測MOS管有漏電現(xiàn)象。1、把連接柵極和源極的電阻移開，萬用表紅黑筆不變，假如移開電阻后表針慢慢逐步退回到高阻或無限大，則MOS管漏電，不變則完好。2、然后一根導線把MO...

二極管應用：1.整流，整流二極管主要用于整流電路，即把交流電變換成脈動的直流電。整流二極管都是面結型，因此結電容較大，使其工作頻率較低，一般為3kHZ以下。2.開關，二極管在正向電壓作用下電阻很小，處于導通狀態(tài)，相當于一只接通的開關；在反向電壓作用下，電阻很大...

MOS管參數：功率MOSFET的一定較大額定值：注①：漏源較大電壓VDSS，可視為反向施加在體二極管兩端的電壓值，故只有一個方向。注②：柵源較大電壓VGSS，即施加在柵極電極與源極電極之間的電壓，由于柵極與P型半導體襯底中加了SiO2絕緣層，只要電壓一定值超過...

場效應管工作原理用一句話說，就是“漏極-源極間流經溝道的ID， 用柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓進行控制”。更正確地說，ID流經通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產生耗盡層擴展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域，表示的過渡層的擴...