MOS管的工作原理，在開(kāi)關(guān)電源中常用MOS管的漏極開(kāi)路電路，如圖2漏極原封不動(dòng)地接負(fù)載，叫開(kāi)路漏極，開(kāi)路漏極電路中不管負(fù)載接多高的電壓，都能夠接通和關(guān)斷負(fù)載電流。是理想的模擬開(kāi)關(guān)器件。這就是MOS管做開(kāi)關(guān)器件的原理。當(dāng)然MOS管做開(kāi)關(guān)使用的電路形式比較多了。N...

晶體二極管分類(lèi)如下：1、點(diǎn)接觸型二極管，點(diǎn)接觸型二極管是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后，再通過(guò)電流法而形成的。因此，其PN結(jié)的靜電容量小，適用于高頻電路。但是，與面結(jié)型相比較，點(diǎn)接觸型二極管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大電流和整流。因?yàn)闃?gòu)造...

MOS管的三個(gè)管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產(chǎn)生的。寄生電容的存在使得在設(shè)計(jì)或選擇驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候要麻煩一些，但沒(méi)有辦法避免，后邊再詳細(xì)介紹。在MOS管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有一個(gè)寄生二極管。這個(gè)叫體二極管，在驅(qū)動(dòng)感性負(fù)...

二極管（Diode）具有單向?qū)щ娦裕粗辉试S電流沿著一個(gè)方向流動(dòng)，而阻擋反向電流流動(dòng)。二極管是電子電路中較基本的元件之一，普遍應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。單向?qū)ㄐ缘膶?shí)驗(yàn)說(shuō)明：當(dāng)輸入電源電壓Vi比穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)定電壓VZ低時(shí)，穩(wěn)壓二極管沒(méi)有擊穿而處于反向截止區(qū)，此時(shí)...

三極管的種類(lèi)：1）低頻小功率三極管，特征頻率在3MHz以下，功率小于1W，一般作為小信號(hào)放大用；2）高頻小功率三極管，特征頻率大于3MHz，功率小于1W，主要用于高頻振蕩、放大電路；3）低頻大功率三極管，特征頻率小于3MHz，功率大于1W，低頻大功率三極管品種...

頻率倍增用二極管，頻率倍增用二極管英文名稱(chēng)為Frequency doubled diode，對(duì)二極管的頻率倍增作用而言，有依靠變?nèi)荻O管的頻率倍增和依靠階躍（即急變）二極管的頻率倍增。頻率倍增用的變?nèi)荻O管稱(chēng)為可變電抗器，可變電抗器雖然和自動(dòng)頻率控制用的變?nèi)荻?..

下面介紹的是三極管工作原理，一起來(lái)看看吧。三極管有哪三極？1、NPN型三極管的三極：NPN型三極管，由三塊半導(dǎo)體構(gòu)成，其中兩塊N型和一塊P型半導(dǎo)體組成，P型半導(dǎo)體在中間，兩塊N型半導(dǎo)體在兩側(cè)。有一個(gè)箭頭的電極是發(fā)射極e，箭頭朝外的是NPN型三極管。箭頭方向也表...

二極管是否損壞如何判斷：?jiǎn)呜?fù)導(dǎo)電性能的檢測(cè)及好壞的判斷，通常，鍺材料二極管的正向電阻值為1kΩ左右，反向電阻值為300左右。硅材料二極管的電阻值為5kΩ左右，反向電阻值為（無(wú)窮大）。正向電阻越小越好，反向電阻越大越好。正、反向電阻值相差越懸殊，說(shuō)明二極管的單向...

電極，所有的FET都有柵極（gate）、漏極（drain）、源極（source）三個(gè)端，分別大致對(duì)應(yīng)BJT的基極（base）、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）。除JFET以外，所有的FET也有第四端，被稱(chēng)為體（body）、基（base）、...

用萬(wàn)用表判斷半導(dǎo)體三極管的極性和類(lèi)型（用指針式萬(wàn)用表）：1.判別半導(dǎo)體三極管的c極和e極：確定基極后，對(duì)于NPN管，用萬(wàn)用表兩表筆接三極管另外兩極，交替測(cè)量?jī)纱危魞纱螠y(cè)量的結(jié)果不相等，則其中測(cè)得阻值較小得一次黑筆接的是e極，紅筆接得是c極（若是PNP型管則黑...

什么叫二極管？二極管分為哪幾種？二極管的主要參數(shù)有哪些？二極管基礎(chǔ)概念，二極管又稱(chēng)晶體二極管,簡(jiǎn)稱(chēng)二極管(diode)，另外，還有早期的真空電子二極管；它是一種具有單向傳導(dǎo)電流的電子器件。在半導(dǎo)體二極管內(nèi)部有一個(gè)PN結(jié)兩個(gè)引線端子，這種電子器件按照外加電壓的方...

MOSFET應(yīng)用案例解析：開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用從定義上而言，這種應(yīng)用需要MOSFET定期導(dǎo)通和關(guān)斷。同時(shí)，有數(shù)十種拓?fù)淇捎糜陂_(kāi)關(guān)電源，這里考慮一個(gè)簡(jiǎn)單的例子。DC-DC電源中常用的基本降壓轉(zhuǎn)換器依靠?jī)蓚€(gè)MOSFET來(lái)執(zhí)行開(kāi)關(guān)功能(下圖)，這些開(kāi)關(guān)交替在電感里存儲(chǔ)能量，...

MOS管參數(shù)：功率MOSFET的一定較大額定值：注①：漏源較大電壓VDSS，可視為反向施加在體二極管兩端的電壓值，故只有一個(gè)方向。注②：柵源較大電壓VGSS，即施加在柵極電極與源極電極之間的電壓，由于柵極與P型半導(dǎo)體襯底中加了SiO2絕緣層，只要電壓一定值超過(guò)...

三極管的構(gòu)造，三極管有三個(gè)區(qū)域，分別被命名為發(fā)射結(jié)、基極和集電結(jié)。它的基本原理是利用半導(dǎo)體材料中P型和N型材料間的PN結(jié)和PNP結(jié)的特性來(lái)實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大。三極管的白色瓷體上標(biāo)注著三個(gè)觸點(diǎn)，分別為發(fā)射極、基極和集電極。三極管的工作原理，三極管的工作原理很復(fù)雜，但可...

穩(wěn)壓二極管和普通二極管電性能區(qū)別，穩(wěn)壓二極管和普通二極管在電性能方面也存在明顯差異。穩(wěn)壓二極管的電性能主要表現(xiàn)在穩(wěn)定的工作電壓、穩(wěn)定的反向阻斷電壓和低動(dòng)態(tài)電阻等方面。這使得穩(wěn)壓二極管在需要高精度控制電壓的電路中表現(xiàn)出色，如通信設(shè)備、電源設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備等。...

在近期的工作中，小編接觸到了之前不太熟悉的一種電子元器件——場(chǎng)效應(yīng)管，在查找相關(guān)資料時(shí)，經(jīng)常會(huì)看到另幾個(gè)元器件，比如mos管、二極管、三極管，網(wǎng)上甚至有種說(shuō)法：場(chǎng)效應(yīng)管和mos管就是一種東西。這種說(shuō)法當(dāng)然是不夠準(zhǔn)確的，為了能夠更好地認(rèn)識(shí)這幾種元器件，本文就給大...

半導(dǎo)體二極管的參數(shù)介紹如下：1、反向電流IR：指管子末擊穿時(shí)的反向電流， 其值愈小，則管子的單向?qū)щ娦杂谩Ｓ捎跍囟仍黾?，反向電流?huì)急劇增加，所以在使用二極管時(shí)要注意溫度的影響。2、正向壓降VD：在規(guī)定的正向電流下，二極管的正向電壓降。小電流硅二極管的正向壓降...

場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較：（1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。（2）場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱(chēng)之為單極型器件，而晶體...

在汞弧閥（具有冷陰極的汞蒸氣離子閥）中，一種難熔的導(dǎo)電陽(yáng)極與一池作為陰極的液態(tài)汞之間會(huì)形成電弧，電壓?jiǎn)挝豢蛇_(dá)數(shù)百千瓦，這對(duì)高壓直流輸電的發(fā)展起到了促進(jìn)作用。一些小型的熱離子整流器有時(shí)候也用汞蒸氣填充，以減少他們的正向壓降并增加這種熱離子強(qiáng)真空器件的電流額定值。...

導(dǎo)電溝道的形成：當(dāng)vGS數(shù)值較小，吸引電子的能力不強(qiáng)時(shí)，漏——源極之間仍無(wú)導(dǎo)電溝道出現(xiàn)，如圖1(b)所示。vGS增加時(shí)，吸引到P襯底表面層的電子就增多，當(dāng)vGS達(dá)到某一數(shù)值時(shí)，這些電子在柵極附近的P襯底表面便形成一個(gè)N型薄層，且與兩個(gè)N+區(qū)相連通，在漏——源極...

組成，F(xiàn)ET由各種半導(dǎo)體構(gòu)成，目前硅是較常見(jiàn)的。大部分的FET是由傳統(tǒng)塊體半導(dǎo)體制造技術(shù)制造，使用單晶半導(dǎo)體硅片作為反應(yīng)區(qū)，或者溝道。大部分的不常見(jiàn)體材料，主要有非晶硅、多晶硅或其它在薄膜晶體管中，或者有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的非晶半導(dǎo)體。有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管基于有機(jī)半...

二極管應(yīng)用：1.續(xù)流，在開(kāi)關(guān)電源的電感中和繼電器等感性負(fù)載中起續(xù)流作用。2.檢波，檢波二極管的主要作用是把高頻信號(hào)中的低頻信號(hào)檢出。它們的結(jié)構(gòu)為點(diǎn)接觸型。其結(jié)電容較小，工作頻率較高，一般都采用鍺材料制成。3.阻尼，阻尼二極管多用在高頻電壓電路中，能承受較高的反...

場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng)：（1）在安裝場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)，注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件；為了防管件振動(dòng)，有必要將管殼體緊固起來(lái)；管腳引線在彎曲時(shí)，應(yīng)當(dāng)大于根部尺寸5毫米處進(jìn)行，以防止彎斷管腳和引起漏氣等。（2）使用VMOS管時(shí)必須加合適的散熱器后。以VNF306為例，...

導(dǎo)通電阻（R_DS(on)）：場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通時(shí)的漏極與源極之間的電阻。它決定了電流通過(guò)器件時(shí)的壓降和功耗，較小的導(dǎo)通電阻意味著較低的功耗和較高的電流驅(qū)動(dòng)能力。較大漏極電流（I_D(max)）：場(chǎng)效應(yīng)管能夠承受的較大電流，超過(guò)這個(gè)電流值可能會(huì)導(dǎo)致器件過(guò)熱、性能退化...

當(dāng)滿足 MOS 管的導(dǎo)通條件時(shí)，MOS 管的 D 極和 S 極會(huì)導(dǎo)通，這個(gè)時(shí)候體二極管是截止?fàn)顟B(tài)。因?yàn)?MOS 管導(dǎo)通內(nèi)阻很小，不足以使寄生二極管導(dǎo)通。MOS管的導(dǎo)通條件，PMOS增強(qiáng)型管：UG-US|UGSTH| ， UGSTH是開(kāi)啟電壓；NMOS增強(qiáng)型管：...

肖特基二極管，利用金屬和半導(dǎo)體二者的接合面的'肖特基效應(yīng)'的整流作用。由于正向的切入電壓較低，導(dǎo)通回復(fù)時(shí)間也短，適合用于高頻率的整流。一般而言漏電流較多，突波耐受度較低。也有針對(duì)此缺點(diǎn)做改善的品種推出。穩(wěn)壓二極管（Reference Diode）（常用稱(chēng)法：齊...

場(chǎng)效應(yīng)管與雙極性晶體管的比較：1.場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，柵極基本不取電流，而晶體管是電流控制器件，基極必須取一定的電流。因此，在信號(hào)源額定電流極小的情況，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管。2.場(chǎng)效應(yīng)管是多子導(dǎo)電，而晶體管的兩種載流子均參與導(dǎo)電。由于少子的濃度對(duì)溫度、輻射等外界...

功能，二極管具有陽(yáng)極和陰極兩個(gè)端子，電流只能往單一方向流動(dòng)。也就是說(shuō)，電流可以從陽(yáng)極流向陰極，而不能從陰極流向陽(yáng)極。對(duì)二極管所具備的這種單向特性的應(yīng)用，通常稱(chēng)之為“整流”功能。在真空管內(nèi)，借由電極之間加上的電壓能夠讓熱電子從陰極到達(dá)陽(yáng)極，因而有整流的作用。將交...

什么是三極管？三極管全稱(chēng)是“晶體三極管”，也被稱(chēng)作“晶體管”，是一種具有放大功能的半導(dǎo)體器件。通常指本征半導(dǎo)體三極管，即BJT管。典型的三極管由三層半導(dǎo)體材料，有助于連接到外部電路并承載電流的端子組成。施加到晶體管的任何一對(duì)端子的電壓或電流控制通過(guò)另一對(duì)端子的...

用萬(wàn)用表判斷半導(dǎo)體三極管的極性和類(lèi)型（用指針式萬(wàn)用表）：1.判別半導(dǎo)體三極管的c極和e極：確定基極后，對(duì)于NPN管，用萬(wàn)用表兩表筆接三極管另外兩極，交替測(cè)量?jī)纱?，若兩次測(cè)量的結(jié)果不相等，則其中測(cè)得阻值較小得一次黑筆接的是e極，紅筆接得是c極（若是PNP型管則黑...