提供寧波市并聯(lián)機(jī)器人報(bào)價(jià)勃肯特機(jī)器人供應(yīng)
**品質(zhì)|淺析勃肯特并聯(lián)機(jī)器人中IP68防塵防水性能
浙江省經(jīng)信廳一級(jí)巡視員凌云一行蒞臨指導(dǎo)工作
勃肯特機(jī)器人與科控工業(yè)自動(dòng)化與昂敏智能三方簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議
質(zhì)量系統(tǒng)集成案例分享 – 瓶裝果醬項(xiàng)目案例分析
勃肯特工廠獲得CE、ISO質(zhì)量管理體系等多項(xiàng)**認(rèn)證
世界真奇妙,機(jī)器人開(kāi)始上保險(xiǎn)
勃肯特研發(fā)之路:基于機(jī)器視覺(jué)的智能缺陷檢測(cè)系統(tǒng)
并聯(lián)機(jī)器人在食品、藥品行業(yè)應(yīng)用實(shí)例
勃肯特機(jī)器人帶上“3D眼鏡”
基本結(jié)構(gòu)三極管的內(nèi)部構(gòu)造非常簡(jiǎn)單,主要由三部分構(gòu)成:基區(qū):由pn型材料組成、起導(dǎo)電作用的部分稱(chēng)為本征層;集電極和發(fā)射極:分別由n型和p型的兩種半導(dǎo)體制成、起開(kāi)關(guān)作用的部分稱(chēng)為功能層或柵欄層;溝道和耗盡區(qū):兩個(gè)相鄰的pn結(jié)之間有一條很窄的過(guò)渡區(qū)域叫做溝道。功能特...
下面對(duì)二極管伏安特性曲線加以說(shuō)明:正向特性,二極管兩端加正向電壓時(shí),就產(chǎn)生正向電流,當(dāng)正向電壓較小時(shí),正向電流極小(幾乎為零),這一部分稱(chēng)為死區(qū),相應(yīng)的A(A′)點(diǎn)的電壓稱(chēng)為死區(qū)電壓或門(mén)檻電壓(也稱(chēng)閾值電壓),硅管約為0.5V,鍺管約為0.1V,如圖中OA(O...
三極管的應(yīng)用領(lǐng)域,三極管作為一種重要的電子器件,普遍應(yīng)用于電子工業(yè)、電力系統(tǒng)、通訊系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)系統(tǒng)等領(lǐng)域。它可以被用作信號(hào)放大器、開(kāi)關(guān)、振蕩器、調(diào)制器等電路中。在電子工程師的日常工作中,三極管也是非常重要的組成部分。本文介紹了三極管的定義、工作原理和應(yīng)用領(lǐng)域。...
VMOS場(chǎng)效應(yīng)管,VMOS場(chǎng)效應(yīng)管(VMOSFET)簡(jiǎn)稱(chēng)VMOS管或功率場(chǎng)效應(yīng)管,其全稱(chēng)為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來(lái)的高效、功率開(kāi)關(guān)器件。它不只繼承了MOS場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗高(≥108W)、驅(qū)動(dòng)電流?。ㄗ笥?.1μA左右),還具有耐...
印度人賈格迪什·錢(qián)德拉·博斯在1894年成為了頭一個(gè)使用晶體檢測(cè)無(wú)線電波的科學(xué)家。他也在厘米和毫米級(jí)別對(duì)微波進(jìn)行了研究 [10] [11] 。1903年,格林里夫·惠特勒·皮卡德( Greenleaf Whittier Pickard )發(fā)明了硅晶檢波器,并在...
場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,并以此命名。場(chǎng)效應(yīng)管(fet)是電場(chǎng)效應(yīng)控制電流大小的單極型半導(dǎo)體器件。在其輸入端基本不取電流或電流極小,具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡(jiǎn)單等特點(diǎn),在大規(guī)模和超大規(guī)...
晶體二極管分類(lèi)如下:1、點(diǎn)接觸型二極管,點(diǎn)接觸型二極管是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后,再通過(guò)電流法而形成的。因此,其PN結(jié)的靜電容量小,適用于高頻電路。但是,與面結(jié)型相比較,點(diǎn)接觸型二極管正向特性和反向特性都差,因此,不能使用于大電流和整流。因?yàn)闃?gòu)造...
點(diǎn)接觸式二極管,點(diǎn)接觸式二極管和下文所述的面接觸式二極管工作原理類(lèi)似,不過(guò)構(gòu)造較為簡(jiǎn)單。主要結(jié)構(gòu)即為一個(gè)由第三主族金屬制成的導(dǎo)電的頂端,和一塊與其相接觸的N型半導(dǎo)體。一些金屬會(huì)進(jìn)入半導(dǎo)體,接觸面的這一小片區(qū)域就成為了P型半導(dǎo)體。長(zhǎng)期流行的1N34鍺型二極管,目...
三極管的3種狀態(tài):三極管有三種狀態(tài):截止?fàn)顟B(tài)、放大狀態(tài)和飽和狀態(tài)。我們可以把三極管想象成一個(gè)水管。①截止?fàn)顟B(tài),首先,當(dāng)我們沒(méi)有對(duì)水龍頭施加任何外力時(shí),水龍頭是關(guān)閉的,水流無(wú)法通過(guò),這時(shí)的狀態(tài)相當(dāng)于三極管的截止?fàn)顟B(tài)。具體來(lái)說(shuō),就是加在三極管發(fā)射結(jié)的電壓小于PN結(jié)...
半導(dǎo)體二極管的非線性電流-電壓特性,可以根據(jù)選擇不同的半導(dǎo)體材料和摻雜不同的雜質(zhì)從而形成雜質(zhì)半導(dǎo)體來(lái)改變。特性改變后的二極管在使用上除了用做開(kāi)關(guān)的方式之外,還有很多其他的功能,如:用來(lái)調(diào)節(jié)電壓(齊納二極管),限制高電壓從而保護(hù)電路(雪崩二極管),無(wú)線電調(diào)諧(變...
以N溝道為例,它是在P型硅襯底上制成兩個(gè)高摻雜濃度的源擴(kuò)散區(qū)N+和漏擴(kuò)散區(qū)N+,再分別引出源極S和漏極D。源極與襯底在內(nèi)部連通,二者總保持等電位。當(dāng)漏接電源正極,源極接電源負(fù)極并使VGS=0時(shí),溝道電流(即漏極電流)ID=0。隨著VGS逐漸升高,受柵極正電壓的...
導(dǎo)通時(shí)隔離變壓器上的電壓為(1-D)Ui、關(guān)斷時(shí)為DUi,若主功率管S可靠導(dǎo)通電壓為12V,而隔離變壓器原副邊匝比N1/N2為12/[(1-D)Ui]。為保證導(dǎo)通期間GS電壓穩(wěn)定C值可稍取大些。該電路具有以下優(yōu)點(diǎn):①電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單可靠,具有電氣隔離作用。當(dāng)脈寬變...
C-MOS場(chǎng)效應(yīng)管(增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管),電路將一個(gè)增強(qiáng)型P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管和一個(gè)增強(qiáng)型N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管組合在一起使用。當(dāng)輸入端為低電平時(shí),P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通,輸出端與電源正極接通。當(dāng)輸入端為高電平時(shí),N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通,輸出端與電源地接通...
VMOS場(chǎng)效應(yīng)管,VMOS場(chǎng)效應(yīng)管(VMOSFET)簡(jiǎn)稱(chēng)VMOS管或功率場(chǎng)效應(yīng)管,其全稱(chēng)為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來(lái)的高效、功率開(kāi)關(guān)器件。它不只繼承了MOS場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗高(≥108W)、驅(qū)動(dòng)電流小(左右0.1μA左右),還具有耐...
場(chǎng)效應(yīng)管的分類(lèi):場(chǎng)效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類(lèi)。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)因有兩個(gè)PN結(jié)而得名,絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(JGFET)則因柵極與其它電極完整絕緣而得名。它們由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱(chēng)為單極型晶體管,屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。我們常說(shuō)的MOS管就是絕緣柵型...
三極管,全稱(chēng)應(yīng)為半導(dǎo)體三極管,也稱(chēng)雙極型晶體管、晶體三極管,是一種控制電流的半導(dǎo)體器件其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào), 也用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。晶體三極管,是半導(dǎo)體基本元器件之一,具有電流放大作用,是電子電路的主要元件。三極管是在一塊半導(dǎo)體基片上制作兩個(gè)...
肖特基二極管,利用金屬和半導(dǎo)體二者的接合面的'肖特基效應(yīng)'的整流作用。由于正向的切入電壓較低,導(dǎo)通回復(fù)時(shí)間也短,適合用于高頻率的整流。一般而言漏電流較多,突波耐受度較低。也有針對(duì)此缺點(diǎn)做改善的品種推出。穩(wěn)壓二極管(Reference Diode)(常用稱(chēng)法:齊...
由于點(diǎn)接觸型二極管金屬絲很細(xì),形成的PN結(jié)面積很小,所以極間電容很小,同時(shí),也不能承受高的反向電壓和大的電流。這種類(lèi)型的管子適于做高頻檢波和脈沖數(shù)字電路里的開(kāi)關(guān)元件,也可用來(lái)作小電流整流。如2APl是點(diǎn)接觸型鍺二極管,較大整流電流為16mA,較高工作頻率為15...
現(xiàn)在的高清、液晶、等離子電視機(jī)中開(kāi)關(guān)電源部分除了采用了PFC技術(shù)外,在元器件上的開(kāi)關(guān)管均采用性能優(yōu)異的MOS管取代過(guò)去的大功率晶體三極管,使整機(jī)的效率、可靠較大程度上提高,故障率大幅的下降。MOS管和大功率晶體三極管在結(jié)構(gòu)、特性有著本質(zhì)上的區(qū)別,所以在應(yīng)用上,...
接面電壓,當(dāng)二極管的P-N結(jié)處于正向偏置時(shí),必須有相當(dāng)?shù)碾妷罕挥脕?lái)貫通耗盡區(qū),導(dǎo)致形成一反向的電壓源,此電壓源的電壓就稱(chēng)為障壁電壓,硅二極管的障壁電壓約0.6V~0.7V,鍺二極管的障壁電壓約0.3~0.4V。種類(lèi):依照材料及發(fā)展年代分類(lèi):二極真空管;鍺二極管...
光敏(光電)三極管,光敏三極管的基區(qū)面積比普通三極管大,而發(fā)射區(qū)面積較小。光敏三極管具有對(duì)光電信號(hào)的放大作用,當(dāng)光電信號(hào)從基極(大多數(shù)光窗口即為基極)輸入時(shí),激發(fā)了基區(qū)半導(dǎo)體,產(chǎn)生電子和空穴的運(yùn)動(dòng),從而在發(fā)射區(qū)有空穴的積累,相等于在發(fā)射極施加了正向偏壓,使光敏...
整流二極管: 將交流電源整流成為直流電流的二極管叫作整流二極管。檢波二極管: 檢波二極管是用于把迭加在高頻載波上的低頻信號(hào)檢出來(lái)的器件,它具有較高的檢波效率和良好的頻率特性。開(kāi)關(guān)二極管: 在脈沖數(shù)字電路中,用于接通和關(guān)斷電路的二極管叫開(kāi)關(guān)二極管,它的特點(diǎn)是反向...
三極管主要參數(shù),三極管的參數(shù)有很多,可以分成三大類(lèi):直流參數(shù)、交流參數(shù)、極限參數(shù)。1、直流參數(shù),共發(fā)射極直流放大倍數(shù):共發(fā)射極電路中,沒(méi)有交流輸入時(shí),集電極電流與基極電流之比;集電極-基極反向截至電流:發(fā)射極開(kāi)路時(shí),集電極上加有規(guī)定的反向偏置電壓,此時(shí)的集電極...
如果我們事先在三極管的基極上加上一個(gè)合適的電流(叫做偏置電流,圖2中那個(gè)電阻Rb就是用來(lái)提供這個(gè)電流的,所以它被叫做基極偏置電阻),那么當(dāng)一個(gè)小信號(hào)跟這個(gè)偏置電流疊加在一起時(shí),小信號(hào)就會(huì)導(dǎo)致基極電流的變化,而基極電流的變化,就會(huì)被放大并在集電極上輸出。另一個(gè)原...
場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng):(1)在安裝場(chǎng)效應(yīng)管時(shí),注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件;為了防管件振動(dòng),有必要將管殼體緊固起來(lái);管腳引線在彎曲時(shí),應(yīng)當(dāng)大于根部尺寸5毫米處進(jìn)行,以防止彎斷管腳和引起漏氣等。(2)使用VMOS管時(shí)必須加合適的散熱器后。以VNF306為例,...
穩(wěn)壓二極管和普通二極管結(jié)構(gòu)區(qū)別,穩(wěn)壓二極管和普通二極管在結(jié)構(gòu)上也有所不同。穩(wěn)壓二極管一般由三層不同類(lèi)型的半導(dǎo)體材料組成,即P型半導(dǎo)體、N型半導(dǎo)體和Intrinsic型半導(dǎo)體。這種特殊結(jié)構(gòu)使得穩(wěn)壓二極管在反向電壓超過(guò)其工作電壓時(shí),能夠迅速將反向電流增大,同時(shí)保持...
江崎二極管,阻尼二極管又稱(chēng)隧道二極管、穿隧效應(yīng)二極管、穿隧二極管、透納二極管,英文名稱(chēng)為T(mén)unnel Diode,它是一種可以高速切換的半導(dǎo)體二極管,其切換速度可到達(dá)微波頻率的范圍,其原理是利用量子穿隧效應(yīng)。它是以隧道效應(yīng)電流為主要電流分量的晶體二極管。江崎二...
反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下,因勢(shì)壘區(qū)寬度很小,反向電壓較大時(shí),破壞了勢(shì)壘區(qū)內(nèi)共價(jià)鍵結(jié)構(gòu),使價(jià)電子脫離共價(jià)鍵束縛,產(chǎn)生電子-空穴對(duì),致使電流急劇增大,這種擊穿稱(chēng)為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低,勢(shì)壘區(qū)寬度較寬,不容易產(chǎn)生齊納擊...
場(chǎng)效應(yīng)管的作用:1、場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大,由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器。2、場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換,常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。3、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻。4、場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作...
普通二極管是由一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的半導(dǎo)體器件,即將一個(gè)PN結(jié)加一兩條電極引線做成管芯,并用管殼封裝而成。P型區(qū)的引出線稱(chēng)為正極或陽(yáng)極,N型區(qū)的引出線稱(chēng)為負(fù)極或陰極,如圖1所示。普通二極管有硅管或鍺管兩種,它們的正向?qū)妷海≒N結(jié)電壓)差別較大,鍺管為0.2~0....