注意事項播報編輯1.激光二極管發(fā)射的激光有可能對人眼造成傷害。二極管工作時,嚴(yán)禁直接注視其端面,不能透過鏡片直視激光,也不能透過反視鏡觀察激光。2.器件需要合適的驅(qū)動電源,瞬時反向電流不能超過2uA,反向電壓不得超過3V,否則會損壞器件。驅(qū)動電源子在電源通斷時,要防止浪涌電流的措施。用示波器測試驅(qū)動電路時,要先斷開電源再連接示波器探頭,若在通電情況下測試探頭,可能引用浪涌電流損壞器件。3.器件應(yīng)存放或工作于干凈的環(huán)境中。4.在較高溫度下工作,會增大閥值電流,較低轉(zhuǎn)化頻率,加速器件的老化。在調(diào)整光輸入量時,要用光功率表檢測,防止超過大額定輸出。5.輸出功率高于指定參數(shù)工作,會加速元件老化。6.機...
應(yīng)用圖4 激光二極管隨著技術(shù)和工藝的發(fā)展,多層結(jié)構(gòu)。常用的激光二極管有兩種:①PIN光電二極管。它在收到光功率產(chǎn)生光電流時,會帶來量子噪聲。②雪崩光電二極管。它能夠提供內(nèi)部放大,比PIN光電二極管的傳輸距離遠(yuǎn),但量子噪聲更大。為了獲得良好的信噪比,光檢測器件后面須連接低噪聲預(yù)放大器和主放大器。半導(dǎo)體激光二極管的工作原理,理論上與氣體激光器相同。 激光二極管⑴波長:即激光管工作波長,可作光電開關(guān)用的激光管波長有635nm、650nm、670nm、690nm、780nm、810nm、860nm、980nm等。⑵閾值電流Ith :即激光管開始產(chǎn)生激光振蕩的電流,對一般小功率激光管而言,其值...
FG-LD圖10**小藍(lán)紫激光二極管FG-LD(光纖光柵激光二極管)利用已成熟的封裝技術(shù),將含有FG的光纖與端面鍍有增透膜的F-P腔LD耦合而成可調(diào)諧外腔結(jié)構(gòu)的激光器,由LD芯片、空氣間隙、光纖前端的光纖部分組成,光學(xué)諧振腔在光柵和LD外端面之間。LD的內(nèi)端面鍍有增透膜,以減小其F-P模式,F(xiàn)G用來反饋選模,由于其極窄的濾波特性,LD工作波長將控制在光柵的布拉格發(fā)射峰帶寬內(nèi),通過加壓應(yīng)變或改變溫度的方法,調(diào)諧FG的布拉格波長,就可以得到波長可控制的激光輸出。FG-LD制作組裝相對簡單,性能卻可與DFB-LD相比擬,激射波長由FG的布拉格波長決定,因此可以精控,單模輸出功率可達(dá)10mW以上,小于...
發(fā)展上世紀(jì)60年代發(fā)明的一種光源,命名為激光,LASER是英文的“受激放射光放大”的首字母縮寫。1962年秋***研制出 77K下脈沖受激發(fā)射的同質(zhì)結(jié)GaAs 激光二極管。1964 年將其工作溫度提高到室溫。1969年制造出室溫下脈沖工作的單異質(zhì)結(jié)激光二極管,1970年制成室溫下連續(xù)工作的 Ga1-xAlxAs/GaAs雙異質(zhì)結(jié)(DH)激光二極管。此后,激光二極管迅速發(fā)展。1975年 Ga1-xAlxAs/GaAsDH 激光二極管的壽命提高到105小時以上。In1-xGaxAs1-yPy/InP 長波長DH激光二極管也取得重大進(jìn)展,因而推動了光纖通信和其他應(yīng)用的發(fā)展。此外還出現(xiàn)了由Pb1-xS...
PGS適用人群播報編輯高齡孕婦(年齡≥35歲)反復(fù)自然流產(chǎn)史的孕婦(自然流產(chǎn)≥3次)反復(fù)胚胎種植失敗的孕婦(失敗≥3次)生育過染色體異常疾病患兒的夫婦染色體數(shù)目及結(jié)構(gòu)異常的夫婦注意事項播報編輯選擇了PGS,常規(guī)產(chǎn)前檢查仍不可忽視。因為全世界各種遺傳性疾病有4000余種,而PGS只能檢查胚胎23對染色體結(jié)構(gòu)和數(shù)目的異常,無法覆蓋所有疾病。因為PGS取材有限,只是取一定數(shù)量的卵裂球或者囊胚期細(xì)胞,雖然不會影響胚胎的正常發(fā)育,但取材細(xì)胞和留下繼續(xù)發(fā)育的細(xì)胞團遺傳構(gòu)成并非完全相同,故對于某些染色體嵌合型疾病可能出現(xiàn)篩查結(jié)果不符。另外染色體疾病的發(fā)病原因至今不明,也沒有預(yù)防的辦法。雖然挑選了健康的胚胎,...
?激光破膜儀?主要用于輔助胚胎孵出和人工皺縮,具體應(yīng)用場景包括:?輔助孵出?:在胚胎發(fā)育過程中,透明帶會逐漸變薄并破裂溶解,釋放胚胎使其成功著床于宮腔內(nèi)。然而,當(dāng)透明帶過硬或過厚時,胚胎無法自行孵出,從而影響著床和妊娠成功率。此時,激光破膜儀可以對透明帶進(jìn)行人工打孔或削薄,幫助胚胎順利孵出?12。?人工皺縮?:在囊胚期,胚胎內(nèi)部可能形成一個巨大的含水囊腔,這個囊腔對高滲液體置換細(xì)胞內(nèi)的水構(gòu)成很大阻礙,影響胚胎的冷凍操作。激光破膜儀能夠精細(xì)地打破這個囊腔,放出水分,使高滲液體能夠順利進(jìn)入細(xì)胞內(nèi),從而完成對囊胚的冷凍操作?12。激光破膜儀的工作原理激光破膜儀通過發(fā)射激光,利用其穿透作用破壞胚胎的某...
其它類型LD光模塊激光二極管內(nèi)置MQWF-P腔LD或DFB-LD、控制電路、驅(qū)動電路,輸出光信號。其體積小,可靠性高,使用方便,在城域網(wǎng)、同步傳輸系統(tǒng)、同步光纖網(wǎng)絡(luò)中都大量采用2.5Gb/s光發(fā)射模塊,10Gb/s、40Gb/s處于初期試用階段,向高速化、低成本、微型化發(fā)展。利用高分子材料Polymer折射率隨溫度變化特性,加熱器改變高分子材料光柵溫度,引發(fā)其折射率和光柵節(jié)距變化,使其反射波長改變。已研制出Polymer-AWG波長可調(diào)的集成模塊,有16個波長通道,波長間隔200GHz,插損8--9dB,串?dāng)_-25dB。用一個高速調(diào)制器對每個波長進(jìn)行時間調(diào)制的多波長LD正處于研制階段。這是一種...
植入前遺傳學(xué)診斷(英文:preimplantation genetic diagnosis,PGD [2]),是在進(jìn)行胚胎移植前,從卵母細(xì)胞或受精卵中取出極體或從植入前階段的胚胎中取1~2個卵裂球或多個滋養(yǎng)層細(xì)胞進(jìn)行特定的遺傳學(xué)性狀檢測,然后據(jù)此選擇合適的胚胎進(jìn)行移植的技術(shù) [2-3]。為2019年公布的計劃生育名詞。 應(yīng)用情況近年來,我國每年通過輔助生殖技術(shù)出生的嬰兒有數(shù)十萬。胚胎植入前遺傳學(xué)診斷技術(shù)發(fā)展十分迅速。這項技術(shù)的廣泛應(yīng)用,也為將來把基因組編輯技術(shù)用于人類受精卵打下了基礎(chǔ)?;蚪M編輯存在出現(xiàn)差錯的可能性,有可能會發(fā)生脫靶或造成胚胎嵌合等現(xiàn)象。將來如果用于臨床,對基因組編輯...
激光破膜儀的優(yōu)勢 1.提升胚胎發(fā)育潛能:激光破膜儀有助于囊胚克服孵化前的結(jié)構(gòu)性阻力,使胚胎內(nèi)外的代謝產(chǎn)物和營養(yǎng)物質(zhì)能夠順利交換,從而提升胚胎的發(fā)育潛能。 2.節(jié)省胚胎能量:通過輔助孵出,激光破膜儀降低了囊胚擴張和孵化所需的能量,節(jié)省了活力較差的胚胎在孵化過程中的能量消耗,提高了移植成功的概率。 3.促進(jìn)胚胎與子宮內(nèi)膜同步發(fā)育:激光破膜儀幫助胚胎提前孵化,使其能夠更早地與子宮內(nèi)膜接觸,從而實現(xiàn)胚胎和子宮內(nèi)膜的同步發(fā)育,更有助于妊娠成功。激光破膜儀的適用情況激光破膜儀并非***適用,而是針對特定情況的一種輔助手段。如反復(fù)種植失敗、透明帶厚度超過15口m、女方年齡≥38歲等情況...
發(fā)展上世紀(jì)60年代發(fā)明的一種光源,命名為激光,LASER是英文的“受激放射光放大”的首字母縮寫。1962年秋***研制出 77K下脈沖受激發(fā)射的同質(zhì)結(jié)GaAs 激光二極管。1964 年將其工作溫度提高到室溫。1969年制造出室溫下脈沖工作的單異質(zhì)結(jié)激光二極管,1970年制成室溫下連續(xù)工作的 Ga1-xAlxAs/GaAs雙異質(zhì)結(jié)(DH)激光二極管。此后,激光二極管迅速發(fā)展。1975年 Ga1-xAlxAs/GaAsDH 激光二極管的壽命提高到105小時以上。In1-xGaxAs1-yPy/InP 長波長DH激光二極管也取得重大進(jìn)展,因而推動了光纖通信和其他應(yīng)用的發(fā)展。此外還出現(xiàn)了由Pb1-xS...
在動物體細(xì)胞核移植技術(shù)中,注入去核卵母細(xì)胞的是供體細(xì)胞核,而非整個供體細(xì)胞。這一過程通常涉及顯微注射技術(shù),該技術(shù)能夠精細(xì)地將細(xì)胞核移入卵細(xì)胞的透明帶區(qū)域,即卵細(xì)胞膜的周邊,貼緊在膜表面。這一步驟避免了直接破壞細(xì)胞膜,從而減少了對卵細(xì)胞的傷害。注入細(xì)胞核后,接下來的一個關(guān)鍵步驟是通過電脈沖刺激,促使卵母細(xì)胞與供體細(xì)胞核進(jìn)行融合。電脈沖能夠有效地打破細(xì)胞膜和透明帶之間的連接,使得供體細(xì)胞核能夠順利進(jìn)入卵母細(xì)胞內(nèi)部,為后續(xù)的發(fā)育提供必要的遺傳信息。這種方法的優(yōu)勢在于,通過只注入細(xì)胞核,能夠比較大限度地保留卵母細(xì)胞的細(xì)胞質(zhì),這些細(xì)胞質(zhì)在早期胚胎發(fā)育過程中扮演著重要角色。此外,使用這種方法還可以避免一些...
隨著科技的不斷進(jìn)步,激光打孔技術(shù)作為一種高效、精細(xì)的加工方式,在各個領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。特別是在薄膜材料加工領(lǐng)域,激光打孔技術(shù)憑借其獨特的優(yōu)勢,成為了不可或缺的重要加工手段。本文將重點探討激光打孔技術(shù)在薄膜材料中的應(yīng)用及其優(yōu)勢。 激光打孔技術(shù)簡介激光打孔技術(shù)是一種利用高能激光束在薄膜材料上打孔的加工方式。通過精確控制激光束的能量和運動軌跡,可以在薄膜材料上形成微米級甚至納米級的孔洞。這種加工方式具有高精度、高效率、低成本等優(yōu)點,因此在薄膜材料加工領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。 激光破膜儀采用1480nm 的紅外線固態(tài)激光二極管 ,屬于 Class 1 級激光,確保了使用過程中的安全性。D...
導(dǎo)電特性圖7 激光二極管二極管**重要的特性就是單方向?qū)щ娦浴T陔娐分?,電流只能從二極管的正極流入,負(fù)極流出。下面通過簡單的實驗說明二極管的正向特性和反向特性。1·正向特性在電子電路中,將二極管的正極接在高電位端,負(fù)極接在低電位端,二極管就會導(dǎo)通,這種連接方式,稱為正向偏置。必須說明,當(dāng)加在二極管兩端的正向電壓很小時,二極管仍然不能導(dǎo)通,流過二極管的正向電流十分微弱。只有當(dāng)正向電壓達(dá)到某一數(shù)值(這一數(shù)值稱為“門檻電壓”,鍺管約為0.2V,硅管約為0.6V)以后,二極管才能直正導(dǎo)通。導(dǎo)通后二極管兩端的電壓基本上保持不變(鍺管約為0.3V,硅管約為0.7V),稱為二極管的“正向壓降”。出廠前進(jìn)行激...
激光二極管 激光二極管包括單異質(zhì)結(jié)(SH)、雙異質(zhì)結(jié)(DH)和量子阱(QW)激光二極管。量子阱激光二極管具有閾值電流低,輸出功率高的優(yōu)點,是市場應(yīng)用的主流產(chǎn)品。同激光器相比,激光二極管具有效率高、體積小、壽命長的優(yōu)點,但其輸出功率?。ㄒ话阈∮?mW),線性差、單色性不太好,使其在有線電視系統(tǒng)中的應(yīng)用受到很大限制,不能傳輸多頻道,高性能模擬信號。在雙向光接收機的回傳模塊中,上行發(fā)射一般都采用量子阱激光二極管作為光源。 激光破膜儀主要應(yīng)用于IVF領(lǐng)域。美國DTS激光破膜XYCLONE注意事項播報編輯1.激光二極管發(fā)射的激光有可能對人眼造成傷害。二極管工作時,嚴(yán)禁直接注視其端面,不能透過鏡...
DBR-LDDBR-LD(分布布拉格反射器激光二極管)相當(dāng)有代表性的是超結(jié)構(gòu)光柵SSG結(jié)構(gòu)。器件**是有源層,兩邊是折射光柵形成的SSG區(qū),受周期性間隔調(diào)制,其反射光譜變成梳狀峰,梳狀光譜重合的波長以大的不連續(xù)變化,可實現(xiàn)寬范圍的波長調(diào)諧。采用DBR-LD構(gòu)成波長轉(zhuǎn)換器,與調(diào)制器單片集成,其芯片左側(cè)為雙穩(wěn)態(tài)激光器部分,有兩個***區(qū)和一個用作飽和吸收的隔離區(qū);右側(cè)是波長控制區(qū),由移相區(qū)和DBR構(gòu)成。1550nm多冗余功能可調(diào)諧DBR-LD可獲得16個頻率間隔為100GHz或32頻率間隔為50GHz的波長,隨著大約以10nm間隔跳模,可獲得約100nm的波長調(diào)諧。除保留已有的處理和封裝工藝外,還...
其它類型LD光模塊激光二極管內(nèi)置MQWF-P腔LD或DFB-LD、控制電路、驅(qū)動電路,輸出光信號。其體積小,可靠性高,使用方便,在城域網(wǎng)、同步傳輸系統(tǒng)、同步光纖網(wǎng)絡(luò)中都大量采用2.5Gb/s光發(fā)射模塊,10Gb/s、40Gb/s處于初期試用階段,向高速化、低成本、微型化發(fā)展。利用高分子材料Polymer折射率隨溫度變化特性,加熱器改變高分子材料光柵溫度,引發(fā)其折射率和光柵節(jié)距變化,使其反射波長改變。已研制出Polymer-AWG波長可調(diào)的集成模塊,有16個波長通道,波長間隔200GHz,插損8--9dB,串?dāng)_-25dB。用一個高速調(diào)制器對每個波長進(jìn)行時間調(diào)制的多波長LD正處于研制階段。這是一種...
?激光破膜儀?主要用于輔助胚胎孵出和人工皺縮,具體應(yīng)用場景包括:?輔助孵出?:在胚胎發(fā)育過程中,透明帶會逐漸變薄并破裂溶解,釋放胚胎使其成功著床于宮腔內(nèi)。然而,當(dāng)透明帶過硬或過厚時,胚胎無法自行孵出,從而影響著床和妊娠成功率。此時,激光破膜儀可以對透明帶進(jìn)行人工打孔或削薄,幫助胚胎順利孵出?12。?人工皺縮?:在囊胚期,胚胎內(nèi)部可能形成一個巨大的含水囊腔,這個囊腔對高滲液體置換細(xì)胞內(nèi)的水構(gòu)成很大阻礙,影響胚胎的冷凍操作。激光破膜儀能夠精細(xì)地打破這個囊腔,放出水分,使高滲液體能夠順利進(jìn)入細(xì)胞內(nèi),從而完成對囊胚的冷凍操作?12。激光破膜儀的工作原理激光破膜儀通過發(fā)射激光,利用其穿透作用破壞胚胎的某...
1989年Handyside AH首先將PGD成功應(yīng)用于臨床,用PCR技術(shù)行Y染色體特異基因體外擴增,將診斷為女性的胚胎移植入子宮獲妊娠成功。開初的PGD都是用PCR或FISH檢測性別,選女性胚胎移植,幫助有風(fēng)險生育血友病A、進(jìn)行性肌營養(yǎng)不良等X連鎖遺傳病后代的夫婦妊娠分娩出一正常女嬰。但按遺傳規(guī)律,此法無疑否定健康男孩的出生,而允許攜帶者女孩繁衍,并不能切斷致病基因的傳遞。1992年美國首先報道用PCR檢測囊性纖維成功,并通過胚胎篩選,誕生了健康嬰兒。之后,α-1-抗胰島素缺乏癥、色素沉著視網(wǎng)膜炎等多種單基因遺傳病的PGD檢測方法建立,PGD進(jìn)入對單基因遺傳病的檢測預(yù)防階級。1993年以后,...
物理結(jié)構(gòu)是在發(fā)光二極管的結(jié)間安置一層具有光活性的半導(dǎo)體,其端面經(jīng)過拋光后具有部分反射功能,因而形成一光諧振腔。在正向偏置的情況下,LED結(jié)發(fā)射出光來并與光諧振腔相互作用,從而進(jìn)一步激勵從結(jié)上發(fā)射出單波長的光,這種光的物理性質(zhì)與材料有關(guān)。在VCD機中,半導(dǎo)體激光二極管是激光頭的**部件之一,它大多是由雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)的鎵鋁砷(AsALGA)三元化合物構(gòu)成的,是一種近紅外半導(dǎo)體器件,波長為780~820 nm,額定功率為3~5 mw。另外,還有一種可見光(如紅光)半導(dǎo)體激光二極管,也廣泛應(yīng)用于VCD機以及條形碼閱讀器中。激光二極管的外形及尺寸如圖11所示。其內(nèi)部結(jié)構(gòu)類型有三種,如圖11所示。操作模式具備...
工作原理播報編輯圖6 激光二極管晶體二極管為一個由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié),在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層,并建有自建電場。當(dāng)不存在外加電壓時,由于p-n結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當(dāng)外界有正向電壓偏置時,外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時,外界電場和自建電場進(jìn)一步加強,形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流I0。當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時,p-n結(jié)空間電荷層中的電場強度達(dá)到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程,產(chǎn)生大量電子空穴對,產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流,稱...
有哪些疾病與染色體有關(guān)?染色體/基因異常導(dǎo)致的常見疾病:1.染色體數(shù)目丟失(非整倍體):定義:一個健康人有23對染色體,每對都是二倍體,也就是兩對。如果有1,3或更多的染色體,這是染色體數(shù)目錯誤的跡象。遺傳性疾病:由異常數(shù)字引起的遺傳病有上百種,如21三體即先天性愚型(或唐氏綜合征)、18三體(愛德華氏病)、13三體(佩吉特病)、5p綜合征(貓叫綜合征)、特納綜合征、克氏綜合征、兩性畸形等。2.異常染色體結(jié)構(gòu):定義:每條染色體上有許多基因片段。如果一條染色體上的基因片段出現(xiàn)易位、倒位、重疊等問題。,這是結(jié)構(gòu)異常,平衡易位**常見。如果發(fā)現(xiàn)患者是易位攜帶者,流產(chǎn)或IVF周期失敗的風(fēng)險更大。遺傳病...
激光的產(chǎn)生圖1在講激光產(chǎn)生機理之前,先講一下受激輻射。在光輻射中存在三種輻射過程,一是處于高能態(tài)的粒子自發(fā)向低能態(tài)躍遷,稱之為自發(fā)輻射;二是處于高能態(tài)的粒子在外來光的激發(fā)下向低能態(tài)躍遷,稱之為受激輻射;三是處于低能態(tài)的粒子吸收外來光的能量向高能態(tài)躍遷稱之為受激吸收。圖2 激光二極管示意圖自發(fā)輻射,即使是兩個同時從某一高能態(tài)向低能態(tài)躍遷的粒子,它們發(fā)出光的相位、偏振狀態(tài)、發(fā)射方向也可能不同,但受激輻射就不同,當(dāng)位于高能態(tài)的粒子在外來光子的激發(fā)下向低能態(tài)躍遷,發(fā)出在頻率、相位、偏振狀態(tài)等方面與外來光子完全相同的光。在激光器中,發(fā)生的輻射就是受激輻射,它發(fā)出的激光在頻率、相位、偏振狀態(tài)等方面完全一樣...
1989年Handyside AH首先將PGD成功應(yīng)用于臨床,用PCR技術(shù)行Y染色體特異基因體外擴增,將診斷為女性的胚胎移植入子宮獲妊娠成功。開初的PGD都是用PCR或FISH檢測性別,選女性胚胎移植,幫助有風(fēng)險生育血友病A、進(jìn)行性肌營養(yǎng)不良等X連鎖遺傳病后代的夫婦妊娠分娩出一正常女嬰。但按遺傳規(guī)律,此法無疑否定健康男孩的出生,而允許攜帶者女孩繁衍,并不能切斷致病基因的傳遞。1992年美國首先報道用PCR檢測囊性纖維成功,并通過胚胎篩選,誕生了健康嬰兒。之后,α-1-抗胰島素缺乏癥、色素沉著視網(wǎng)膜炎等多種單基因遺傳病的PGD檢測方法建立,PGD進(jìn)入對單基因遺傳病的檢測預(yù)防階級。1993年以后,...
有哪些疾病與染色體有關(guān)?染色體/基因異常導(dǎo)致的常見疾病:1.染色體數(shù)目丟失(非整倍體):定義:一個健康人有23對染色體,每對都是二倍體,也就是兩對。如果有1,3或更多的染色體,這是染色體數(shù)目錯誤的跡象。遺傳性疾病:由異常數(shù)字引起的遺傳病有上百種,如21三體即先天性愚型(或唐氏綜合征)、18三體(愛德華氏病)、13三體(佩吉特病)、5p綜合征(貓叫綜合征)、特納綜合征、克氏綜合征、兩性畸形等。2.異常染色體結(jié)構(gòu):定義:每條染色體上有許多基因片段。如果一條染色體上的基因片段出現(xiàn)易位、倒位、重疊等問題。,這是結(jié)構(gòu)異常,平衡易位**常見。如果發(fā)現(xiàn)患者是易位攜帶者,流產(chǎn)或IVF周期失敗的風(fēng)險更大。遺傳病...
基因檢測減少流產(chǎn)和胚胎發(fā)育異常風(fēng)險染色體異常是導(dǎo)致流產(chǎn)和胚胎發(fā)育不良的主要原因之一。通過基因檢測,醫(yī)生可以篩查出攜帶染色體異常的受精卵,并選擇正常的受精卵進(jìn)行移植,減少流產(chǎn)和胚胎發(fā)育異常的風(fēng)險。在試管胚胎移植前進(jìn)行染色體篩查可以有效預(yù)防常見染色體異常疾病,如唐氏綜合征、愛德華氏綜合征等。這些篩查項目可以通過羊水穿刺、臍血抽取等方式進(jìn)行。如果提前發(fā)現(xiàn)胚胎攜帶染色體異常,可以選擇性終止妊娠或者采取其他措施。基因檢測提高移植成功率在進(jìn)行試管嬰兒移植前,醫(yī)生通常會選擇比較好質(zhì)的受精卵進(jìn)行移植。通過基因檢測,醫(yī)生可以了解受精卵的遺傳信息、染色體情況等,并根據(jù)這些信息選擇**適合移植的受精卵,提高著床率和...
DBR-LDDBR-LD(分布布拉格反射器激光二極管)相當(dāng)有代表性的是超結(jié)構(gòu)光柵SSG結(jié)構(gòu)。器件**是有源層,兩邊是折射光柵形成的SSG區(qū),受周期性間隔調(diào)制,其反射光譜變成梳狀峰,梳狀光譜重合的波長以大的不連續(xù)變化,可實現(xiàn)寬范圍的波長調(diào)諧。采用DBR-LD構(gòu)成波長轉(zhuǎn)換器,與調(diào)制器單片集成,其芯片左側(cè)為雙穩(wěn)態(tài)激光器部分,有兩個***區(qū)和一個用作飽和吸收的隔離區(qū);右側(cè)是波長控制區(qū),由移相區(qū)和DBR構(gòu)成。1550nm多冗余功能可調(diào)諧DBR-LD可獲得16個頻率間隔為100GHz或32頻率間隔為50GHz的波長,隨著大約以10nm間隔跳模,可獲得約100nm的波長調(diào)諧。除保留已有的處理和封裝工藝外,還...
DFB-LD多采用Ⅲ和Ⅴ族元素組成的三元化合物、四元化合物,在1550nm波段內(nèi),**成熟的材料是InGaAsP/InP。新型AIGaInAs/InP材料的研發(fā)日趨成熟,國際上*少數(shù)幾家廠商可提供商用產(chǎn)品。優(yōu)化器件結(jié)構(gòu),有源區(qū)為應(yīng)變超晶格QW。有源區(qū)周邊一般為雙溝掩埋或脊型波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。有源區(qū)附近的光波導(dǎo)區(qū)為DFB光柵,采用一些特殊的設(shè)計,如:波紋坡度可調(diào)分布耦合、復(fù)耦合、吸收耦合、增益耦合、復(fù)合非連續(xù)相移等結(jié)構(gòu),提高器件性能。生產(chǎn)技術(shù)中,金屬有機化學(xué)汽相淀積MOCVD和光柵的刻蝕是其關(guān)鍵工藝。MOCVD可精確控制外延生長層的組分、摻雜濃度、薄到幾個原子層的厚度,生長效率高,適合大批量制作,反應(yīng)離...
注意事項播報編輯1.激光二極管發(fā)射的激光有可能對人眼造成傷害。二極管工作時,嚴(yán)禁直接注視其端面,不能透過鏡片直視激光,也不能透過反視鏡觀察激光。2.器件需要合適的驅(qū)動電源,瞬時反向電流不能超過2uA,反向電壓不得超過3V,否則會損壞器件。驅(qū)動電源子在電源通斷時,要防止浪涌電流的措施。用示波器測試驅(qū)動電路時,要先斷開電源再連接示波器探頭,若在通電情況下測試探頭,可能引用浪涌電流損壞器件。3.器件應(yīng)存放或工作于干凈的環(huán)境中。4.在較高溫度下工作,會增大閥值電流,較低轉(zhuǎn)化頻率,加速器件的老化。在調(diào)整光輸入量時,要用光功率表檢測,防止超過大額定輸出。5.輸出功率高于指定參數(shù)工作,會加速元件老化。6.機...
DFB-LD多采用Ⅲ和Ⅴ族元素組成的三元化合物、四元化合物,在1550nm波段內(nèi),**成熟的材料是InGaAsP/InP。新型AIGaInAs/InP材料的研發(fā)日趨成熟,國際上*少數(shù)幾家廠商可提供商用產(chǎn)品。優(yōu)化器件結(jié)構(gòu),有源區(qū)為應(yīng)變超晶格QW。有源區(qū)周邊一般為雙溝掩埋或脊型波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。有源區(qū)附近的光波導(dǎo)區(qū)為DFB光柵,采用一些特殊的設(shè)計,如:波紋坡度可調(diào)分布耦合、復(fù)耦合、吸收耦合、增益耦合、復(fù)合非連續(xù)相移等結(jié)構(gòu),提高器件性能。生產(chǎn)技術(shù)中,金屬有機化學(xué)汽相淀積MOCVD和光柵的刻蝕是其關(guān)鍵工藝。MOCVD可精確控制外延生長層的組分、摻雜濃度、薄到幾個原子層的厚度,生長效率高,適合大批量制作,反應(yīng)離...