無錫商甲半導(dǎo)體MOS 管封裝形式及散熱性能分析 TO-247 封裝 TO-247 封裝與 TO-220 封裝類似,同樣屬于直插式封裝,但體積更大,引腳更粗。其散熱片面積也相應(yīng)增大,散熱能力更強(qiáng),在自然對流條件下,熱阻約為 40 - 60℃/W ...
榨汁機(jī)需要電機(jī)能夠快速啟動并穩(wěn)定運(yùn)行,以實(shí)現(xiàn)高效榨汁。TrenchMOSFET在其中用于控制電機(jī)的運(yùn)轉(zhuǎn)。以一款家用榨汁機(jī)為例,TrenchMOSFET構(gòu)成的驅(qū)動電路,能精細(xì)控制電機(jī)的啟動電流和轉(zhuǎn)速。其低導(dǎo)通電阻有效降低了導(dǎo)通損耗,減少了電機(jī)發(fā)熱,提高了榨汁機(jī)的...
TrenchMOSFET制造:阱區(qū)與源極注入步驟完成多晶硅相關(guān)工藝后,進(jìn)入阱區(qū)與源極注入工序。先利用離子注入技術(shù)實(shí)現(xiàn)阱區(qū)注入,以硼離子(B?)為注入離子,注入能量在50-150keV,劑量在1012-1013cm?2,注入后進(jìn)行高溫推結(jié)處理,溫度在950-10...
晶體管外形封裝(TO) TO封裝作為早期的封裝規(guī)格,涵蓋諸如TO-3P、TO-247等多種設(shè)計(jì)。這種封裝形式以其高耐壓和強(qiáng)抗擊穿能力著稱,適用于中高壓、大電流的MOS管。在現(xiàn)代應(yīng)用中,TO封裝逐漸向表面貼裝式發(fā)展。 雙列直插式封裝(DIP) ...
功率MOSFET屬于電壓型控制器件。它依靠多數(shù)載流子工作,因而具有許多優(yōu)點(diǎn):能與集成電路直接相連;開關(guān)頻率可在數(shù)兆赫以上(可達(dá)100MHz),比雙極型功率晶體管(GTR)至少高10倍;導(dǎo)通電阻具有正溫度系數(shù),器件不易發(fā)生二次擊穿,易于并聯(lián)工作。與GTR相比,功...
無錫商甲半導(dǎo)體有限公司有下列封裝產(chǎn)品 TO-220與TO-220FTO-220與TO-220F這兩種封裝的MOS管在外觀上相似,可以相互替代。然而,TO-220背部配備了散熱片,因此其散熱效果相較于TO-220F更為出色。同時(shí),由于成本因素,TO-2...
TrenchMOSFET的反向阻斷特性是其重要性能之一。在反向阻斷狀態(tài)下,器件需要承受一定的反向電壓而不被擊穿。反向阻斷能力主要取決于器件的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和材料特性,如外延層的厚度、摻雜濃度,以及柵極和漏極之間的電場分布等。優(yōu)化器件結(jié)構(gòu),增加外延層厚度、降低摻雜濃度...
超結(jié)MOSFET的發(fā)展方向 1、更高的集成度通過更高的集成度,可以在更小的芯片面積上實(shí)現(xiàn)更高的性能,從而進(jìn)一步降低成本和提高效率。2、更優(yōu)的材料新材料的研究和應(yīng)用會帶來超結(jié)MOSFET性能的進(jìn)一步提升。例如,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等新型半...
無錫商甲半導(dǎo)體MOS 管封裝形式及散熱性能分析 TO-247 封裝 TO-247 封裝與 TO-220 封裝類似,同樣屬于直插式封裝,但體積更大,引腳更粗。其散熱片面積也相應(yīng)增大,散熱能力更強(qiáng),在自然對流條件下,熱阻約為 40 - 60℃/W ...
不同封裝形式的 MOS 管在散熱性能和應(yīng)用場景上有哪些差異?在電子電路的世界里,MOS 管(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是當(dāng)之無愧的 “明星元件”,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動、信號放大等眾多領(lǐng)域。然而,除了 MOS 管本身的電氣性能,其封裝形式同樣不容...
超結(jié)MOS也是為了解決額定電壓提高而導(dǎo)通電阻增加的問題,超結(jié)結(jié)構(gòu)MOSFET在D端和S端排列多個(gè)垂直pn結(jié)的結(jié)構(gòu),其結(jié)果是在保持高電壓的同時(shí)實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻。超級結(jié)的存在突破了硅的理論極限,而且額定電壓越高,導(dǎo)通電阻的下降越明顯。以下圖為例,超結(jié)在S端和D端增...
MOS 管,又被稱為場效應(yīng)管、開關(guān)管,其英文名稱 “MOSFET” 是 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor 的縮寫,在實(shí)際應(yīng)用中,人們常簡稱它為 MOS 管。從外觀封裝形式來看,MOS 管主要...
超結(jié)MOS也是為了解決額定電壓提高而導(dǎo)通電阻增加的問題,超結(jié)結(jié)構(gòu)MOSFET在D端和S端排列多個(gè)垂直pn結(jié)的結(jié)構(gòu),其結(jié)果是在保持高電壓的同時(shí)實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻。超級結(jié)的存在突破了硅的理論極限,而且額定電壓越高,導(dǎo)通電阻的下降越明顯。以下圖為例,超結(jié)在S端和D端增...
MOS 管,又被稱為場效應(yīng)管、開關(guān)管,其英文名稱 “MOSFET” 是 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor 的縮寫,在實(shí)際應(yīng)用中,人們常簡稱它為 MOS 管。從外觀封裝形式來看,MOS 管主要...
TO-252、 TO-220、TO-247、TO-263、DFN-5x6 等全系列封裝的商甲半導(dǎo)體 MOSFET,其中封裝產(chǎn)品占位面積較傳統(tǒng)封裝縮減,完美適配消費(fèi)電子小型化與散熱需求。豐富的封裝形式可靈活適配您的設(shè)計(jì),滿足多樣化應(yīng)用場景的安裝與性能需求。其良好...
80年代初期出現(xiàn)的 MOS功率場效應(yīng)晶體管和功率集成電路的工作頻率達(dá)到兆赫級。集成電路的技術(shù)促進(jìn)了器件的小型化和功能化。這些新成就為發(fā)展高頻電力電子技術(shù)提供了條件,推動電力電子裝置朝著智能化、高頻化的方向發(fā)展。 80年代發(fā)展起來的靜電感應(yīng)晶閘管、隔離...
電 子?煙是一種模仿卷 煙的電子產(chǎn)品,其原理是通過加熱將**油霧化的過程,而霧化是通過電熱絲瞬間大電流大功率來實(shí)現(xiàn)。**由功率大小分為小煙和大煙兩種。小煙功率一般20W以下,發(fā)熱量100-200度之間;大煙功率一般20W以上,發(fā)熱量200-500度...
無錫商甲半導(dǎo)體多款 MOSFET 在 BLDC(無刷直流電機(jī))中應(yīng)用較多。其低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷的特點(diǎn),能減少電機(jī)運(yùn)行時(shí)的能量損耗,保證良好的溫升效果,讓 BLDC 在長時(shí)間工作后仍能保持穩(wěn)定性能。良好的抗雪崩能力可承受感性負(fù)載帶來的能量沖擊,避免電機(jī)啟動或...
在工業(yè)自動化生產(chǎn)線中,各類伺服電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)的精細(xì)驅(qū)動至關(guān)重要。TrenchMOSFET憑借其性能成為電機(jī)驅(qū)動電路的重要器件。以汽車制造生產(chǎn)線為例,用于搬運(yùn)、焊接和組裝的機(jī)械臂,其伺服電機(jī)的驅(qū)動系統(tǒng)采用TrenchMOSFET。低導(dǎo)通電阻大幅降低了電機(jī)運(yùn)行時(shí)的...
商甲半導(dǎo)體的產(chǎn)品可以應(yīng)用于電池管理系統(tǒng),公司產(chǎn)品目前涵蓋20V-150V產(chǎn)品,封裝形式有TO-252/TO-263/PDFN5*6-8L、SOP-8/TOLL封裝產(chǎn)品。其導(dǎo)通電阻和柵極電荷更低,能減少電流通過時(shí)的能量損耗,有效控制系統(tǒng)運(yùn)行時(shí)的溫升,讓 BM...
無錫商甲半導(dǎo)體MOS 管封裝形式及散熱性能分析 DPAK 封裝 DPAK 封裝也稱為 TO-252 封裝,屬于表面貼裝封裝形式,兼具一定的散熱能力和較小的體積。它的底部有一個(gè)較大的金屬焊盤,可直接焊接在電路板上,增加了與電路板的接觸面積,有利于...
超結(jié)MOSFET的發(fā)展方向 1、更高的集成度通過更高的集成度,可以在更小的芯片面積上實(shí)現(xiàn)更高的性能,從而進(jìn)一步降低成本和提高效率。2、更優(yōu)的材料新材料的研究和應(yīng)用會帶來超結(jié)MOSFET性能的進(jìn)一步提升。例如,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等新型半...
無錫商甲半導(dǎo)體提供專業(yè)選型服務(wù) 封裝選擇關(guān)鍵因素 功率需求高功率(>100W):TO-247、TO-220、D2PAK。 中低功率(<100W):DPAK、SO-8、QFN。 **功率(信號級):SOT-23、SC-70。 散...
TrenchMOSFET作為一種新型垂直結(jié)構(gòu)的MOSFET器件,是在傳統(tǒng)平面MOSFET結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上優(yōu)化發(fā)展而來。其獨(dú)特之處在于,將溝槽深入硅體內(nèi)。在其元胞結(jié)構(gòu)中,在外延硅內(nèi)部刻蝕形成溝槽,在體區(qū)形成垂直導(dǎo)電溝道。通過這種設(shè)計(jì),能夠并聯(lián)更多的元胞。例如,在典型的...
電力電子器件正沿著大功率化、高頻化、集成化的方向發(fā)展。80年代晶閘管的電流容量已達(dá)6000安,阻斷電壓高達(dá)6500伏。但這類器件工作頻率較低。提高其工作頻率,取決于器件關(guān)斷期間如何加快基區(qū)少數(shù)載流的復(fù)合速度和經(jīng)門極抽取更多的載流子。降低少子壽命雖能有效地縮短關(guān)...
襯底材料對TrenchMOSFET的性能有著重要影響。傳統(tǒng)的硅襯底由于其成熟的制造工藝和良好的性能,在TrenchMOSFET中得到廣泛應(yīng)用。但隨著對器件性能要求的不斷提高,一些新型襯底材料如碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等逐漸受到關(guān)注。SiC襯底具有寬禁...
TrenchMOSFET的頻率特性決定了其在高頻電路中的應(yīng)用能力。隨著工作頻率的升高,器件的寄生參數(shù)(如寄生電容、寄生電感)對其性能的影響愈發(fā)重要。寄生電容會限制器件的開關(guān)速度,增加開關(guān)損耗;寄生電感則會產(chǎn)生電壓尖峰,影響電路的穩(wěn)定性。為提高TrenchMOS...
80年代初期出現(xiàn)的 MOS功率場效應(yīng)晶體管和功率集成電路的工作頻率達(dá)到兆赫級。集成電路的技術(shù)促進(jìn)了器件的小型化和功能化。這些新成就為發(fā)展高頻電力電子技術(shù)提供了條件,推動電力電子裝置朝著智能化、高頻化的方向發(fā)展。 80年代發(fā)展起來的靜電感應(yīng)晶閘管、隔離...
功率半導(dǎo)體被稱為“電力電子的心臟”,廣泛應(yīng)用于家電、新能源、工業(yè)控制等領(lǐng)域。但這也是一片競爭激烈的“紅?!薄獓鴥?nèi)相關(guān)企業(yè)超千家,價(jià)格戰(zhàn)此起彼伏。商甲半導(dǎo)體的突圍策略很明確:不做大而全,專攻細(xì)分場景?!氨热鐠叩貦C(jī)器人、電動工具這類產(chǎn)品,對芯片的功耗、尺寸要求極...
功率MOS管選型需根據(jù)應(yīng)用場景、電壓、電流、熱性能等關(guān)鍵參數(shù)綜合考量。以下為具體步驟和要點(diǎn): 選型步驟? 1.明確N/P溝道類型?N溝道適用于低壓側(cè)開關(guān)(如12V系統(tǒng)),P溝道適用于高壓側(cè)開關(guān)(如驅(qū)動電機(jī))。 ? 2.確定額定電壓(VDS...