5、 維持電流IH 在規(guī)定溫度下,控制極斷路,維持可控硅導通所必需的**小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世,如適于高頻應用的快速可控硅,可以用正或負的觸發(fā)信號控制兩個方向?qū)ǖ碾p向可控硅,可以用正觸發(fā)信號使其導通,用負觸發(fā)信號使其關(guān)斷的可控硅等等。可控...
4、法標熔斷器法標熔斷器具有循環(huán)性能強、體積小、構(gòu)造獨特等特點,適用于占用空間小的小型UPS、小型交流驅(qū)動器以及其它小功率應用。 [2]對于高電流保護區(qū),所選熔斷器應具備以下性能: ①容量大,通常在幾十到幾百A; ②能夠承受瞬間高電流、高脈沖; ③安全可靠性高...
(1)短路故障或過載運行而正常熔斷;(2)熔體使用時間過久,熔體因受氧化或運行中溫度高,使熔體特性變化而誤斷;(3)熔體安裝時有機械損傷,使其截面積變小而在運行中引起誤斷。2、拆換熔體時,要求做到:(1)安裝新熔體前,要找出熔體熔斷原因,未確定熔斷原因,不要拆...
可控硅這種通過觸發(fā)信號(小的觸發(fā)電流)來控制導通(可控硅中通過大電流)的可控特性,正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征。普通可控硅的三個電極可以用萬用表歐姆擋R×100擋位來測。大家知道,晶閘管G、K之間是一個PN結(jié)(a),相當于一個二極管,G為正極、K為負...
在性能上,可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?,而且還具有比硅整流元件(俗稱“死硅”)更為可貴的可控性。它只有導通和關(guān)斷兩種狀態(tài)??煽毓枘芤院涟布夒娏骺刂拼蠊β实臋C電設(shè)備,如果超過此頻率,因元件開關(guān)損耗***增加,允許通過的平均電流相降低,此時,標稱電流應降級使用。可控硅...
晶閘管特性單向晶聞管的結(jié)構(gòu)與符號為了能夠直觀地認識晶閘管的工作特性,大家先看這塊示教板(圖3)。晶閘管VS與小燈泡EL串聯(lián)起來,通過開關(guān)S接在直流電源上。注意陽極A是接電源的正極,陰極K接電源的負極,控制極G通過按鈕開關(guān)SB接在1.5V直流電源的正極(這里使用...
ISO-8820和QC/T420-2004等標準中將它定義為:接于電路中,當電流超過規(guī)定值和規(guī)定的時間時,使電路斷開的熔斷式保護器件。熔斷器是一個熱能響應器件,熔斷器中的熔片或熔絲是用電阻率較高的易熔合金制成,或用截面積較小的良導體制成。為了保護線束及其它設(shè)備...
快速熔斷器是一種熔斷器的一種,快速熔斷器主要用于半導體整流元件或整流裝置的短路保護。由于半導體元件的過載能力很低。只能在極短時間內(nèi)承受較大的過載電流,因此要求短路保護具有快速熔斷的能力??焖偃蹟嗥鞯慕Y(jié)構(gòu)和有填料封閉式熔斷器基本相同,但熔體材料和形狀不同,它是以...
(五)按關(guān)斷速度分類:可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻(快速)可控硅。(六)過零觸發(fā)-一般是調(diào)功,即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發(fā),必須是過零點才觸發(fā),導通可控硅。(七)非過零觸發(fā)-無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發(fā)導通可控硅,常見的是移相觸...
3、熔斷器應與配電裝置同時進行維修工作:(1)清掃灰塵,檢查接觸點接觸情況;(2)檢查熔斷器外觀(取下熔斷器管)有無損傷、變形,瓷件有無放電閃爍痕跡;(3)檢查熔斷器,熔體與被保護電路或設(shè)備是否匹配,如有問題應及時調(diào)查;(4)注意檢查在TN接地系統(tǒng)中的N線,設(shè)...
熔斷器的工作原則是一個簡單的I2R與時間的關(guān)系。電流越大,熔斷或開路時間越短。熔斷器的功耗與通過熔斷器的電流的平方成正比。當功耗過高時,熔斷器熔斷。這個特性同樣適用于受熔斷器保護的線束。如果產(chǎn)生的熱量超過散發(fā)的熱量,熔斷器的溫度就會增加,當溫度升到熔斷器的熔絲...
基片的應用在管體的P+和N+ 區(qū)之間創(chuàng)建了一個J1結(jié)。當正柵偏壓使柵極下面反演P基區(qū)時,一個N溝道形成,同時出現(xiàn)一個電子流,并完全按照功率MOSFET的方式產(chǎn)生一股電流。如果這個電子流產(chǎn)生的電壓在0.7V范圍內(nèi),那么,J1將處于正向偏壓,一些空穴注入N-區(qū)內(nèi),...
若U1與U2的電壓值相同,但與U的電壓值不同,則說明該雙向觸發(fā)二極管的導通性能對稱性良好。若U1與U2的電壓值相差較大時,則說明該雙向觸發(fā)二極管的導通性不對稱。若U1、U2電壓值均與市電U相同時,則說明該雙向觸發(fā)二極管內(nèi)部已短路損壞。若U1、U2的電壓值均為0...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。...
LED燈就是發(fā)光二極管,是采用固體半導體芯片為發(fā)光材料,與傳統(tǒng)燈具相比,LED燈節(jié)能、環(huán)保、顯色性與響應速度好。 [3](一)節(jié)能是LED燈**突出的特點在能耗方面,LED燈的能耗是白熾燈的十分之一,是節(jié)能燈的四分之一。這是LED燈的一個比較大的特點?,F(xiàn)在的人...
圖1(a)所示為一個N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu), N+ 區(qū)稱為源區(qū),附于其上的電極稱為源極。N基 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P 型區(qū)(包括P+ 和P-區(qū))(溝道在該區(qū)域形成),稱為亞溝...
1、英標熔斷器英式熔斷器主要用于英聯(lián)邦國家生產(chǎn)的設(shè)備。英標熔斷器殼體采用陶瓷材質(zhì),產(chǎn)品具有體積小、性價比高等特點,特別受到240V以下的UPS廠商青睞。2、美標熔斷器美式熔斷器應用**為***,涵蓋了大部分電力電子產(chǎn)品應用。美標熔斷器殼體采用三聚氰胺網(wǎng)格布加陶...
2023年5月,新加坡—麻省理工學院研究與技術(shù)聯(lián)盟的科學家開發(fā)了世界上**小的LED。 發(fā)光二極管簡稱為LED。由含鎵(Ga)、砷(As)、磷(P)、氮(N)等的化合物制成。當電子與空穴復合時能輻射出可見光,因而可以用來制成發(fā)光二極管。在電路及儀器中作為指示燈...
IGBT的應用范圍一般都在耐壓600V以上、電流10A以上、頻率為1kHz以上的區(qū)域。多使用在工業(yè)用電機、民用小容量電機、變換器(逆變器)、照相機的頻閃觀測器、感應加熱(InductionHeating)電飯鍋等領(lǐng)域。根據(jù)封裝的不同,IGBT大致分為兩種類型,...
1、英標熔斷器英式熔斷器主要用于英聯(lián)邦國家生產(chǎn)的設(shè)備。英標熔斷器殼體采用陶瓷材質(zhì),產(chǎn)品具有體積小、性價比高等特點,特別受到240V以下的UPS廠商青睞。2、美標熔斷器美式熔斷器應用**為***,涵蓋了大部分電力電子產(chǎn)品應用。美標熔斷器殼體采用三聚氰胺網(wǎng)格布加陶...
路器一般由觸頭系統(tǒng)、滅弧系統(tǒng)、操作機構(gòu)、脫扣器、外殼等構(gòu)成。當短路時,大電流(一般10至12倍)產(chǎn)生的磁場克服反力彈簧,脫扣器拉動操作機構(gòu)動作,開關(guān)瞬時跳閘。當過載時,電流變大,發(fā)熱量加劇,雙金屬片變形到一定程度推動機構(gòu)動作(電流越大,動作時間越短)。有電子型...
在性能上,可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?,而且還具有比硅整流元件(俗稱“死硅”)更為可貴的可控性。它只有導通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設(shè)備,如果超過此頻率,因元件開關(guān)損耗***增加,允許通過的平均電流相降低,此時,標稱電流應降級使用??煽毓?..
通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時間,就可以調(diào)節(jié)負載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術(shù)中,常把交流電的半個周期定為180°,稱為電角度。這樣,在U2的每個正半周,從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α;在每個正半周內(nèi)可控...
②限流特性好,分斷能力高;③相對尺寸較??;NT系列熔斷器④價格較便宜。(2)熔斷器的主要缺點①故障熔斷后必須更換熔斷體;②保護功能單一,只有一段過電流反時限特性,過載、短路和接地故障都用此防護;③發(fā)生一相熔斷時,對三相電動機將導致兩相運轉(zhuǎn)的不良后果,當然可用帶...
2023年5月,新加坡—麻省理工學院研究與技術(shù)聯(lián)盟的科學家開發(fā)了世界上**小的LED。 發(fā)光二極管簡稱為LED。由含鎵(Ga)、砷(As)、磷(P)、氮(N)等的化合物制成。當電子與空穴復合時能輻射出可見光,因而可以用來制成發(fā)光二極管。在電路及儀器中作為指示燈...
(2)限幅電路在電子電路中,常用限幅電路對各種信號進行處理。它是用來讓信號在預置的電平范圍內(nèi),有選擇地傳輸一部分信號。大多數(shù)二極管都可作為限幅使用,但有些時候需要用到**限幅二極管,如保護儀表時。 [6](3)穩(wěn)壓電路在穩(wěn)壓電路中通常需要使用齊納二極管,它是一...
?IGBT電源模塊?是一種由絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)構(gòu)成的功率模塊。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半...
瞬態(tài)電壓抑制二極管用萬用表測量管子的好壞對于單要極型的TVS,按照測量普通二極管的方法,可測出其正、反向電阻,一般正向電阻為4kΩ左右,反向電阻為無窮大。 [8]對于雙向極型的瞬態(tài)電壓抑制二極管,任意調(diào)換紅、黑表筆測量其兩引腳間的電阻值均應為無窮大,否則,說明...
快速熔斷器是一種熔斷器的一種,快速熔斷器主要用于半導體整流元件或整流裝置的短路保護。由于半導體元件的過載能力很低。只能在極短時間內(nèi)承受較大的過載電流,因此要求短路保護具有快速熔斷的能力??焖偃蹟嗥鞯慕Y(jié)構(gòu)和有填料封閉式熔斷器基本相同,但熔體材料和形狀不同,它是以...
因此,在本征半導體的兩個不同區(qū)域摻入三價和五價雜質(zhì)元素,便形成了P型區(qū)和N型區(qū),根據(jù)N型半導體和P型半導體的特性,可知在它們的交界處就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差異,電子和空穴都要從濃度高的區(qū)域向濃度低的區(qū)域擴散,它們的擴散使原來交界處的電中性被破壞。 [6]PN...