這種靈活性使得系統(tǒng)設(shè)計能夠更加精細化，避免因選用固定規(guī)格的模塊而可能出現(xiàn)的性能冗余或不足。同時，對于產(chǎn)量巨大、成本敏感的應(yīng)用領(lǐng)域，IGBT單管在批量生產(chǎn)時具備明顯的成本優(yōu)勢，有助于優(yōu)化整機產(chǎn)品的成本結(jié)構(gòu)。2.應(yīng)用的大量性與便捷性TO-247、TO-3P、D2P...

性能的持續(xù)演進隨著芯片技術(shù)的進步，現(xiàn)代IGBT單管的性能已得到長足提升。通過采用溝槽柵和場終止層技術(shù)，新一代的IGBT單管在導(dǎo)通壓降（Vce(sat)）和開關(guān)損耗（Esw）之間實現(xiàn)了更優(yōu)的權(quán)衡。更低的損耗意味著工作時的發(fā)熱量更小，要么可以在同等散熱條件下輸出更...

半導(dǎo)體分立器件IGBT關(guān)鍵參數(shù)解析引言絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）作為現(xiàn)代電力電子技術(shù)的重要元器件，在能源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、工業(yè)控制和新能源等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。其性能優(yōu)劣直接關(guān)系到整個系統(tǒng)的效率、可靠性與成本。對于江東東海半導(dǎo)體股份有限公司而言，深入理解IGB...

新能源汽車輔助系統(tǒng)與充電設(shè)施：雖然主驅(qū)動逆變器多采用IGBT模塊，但在新能源汽車的輔助系統(tǒng)中，IGBT單管大有用武之地。例如，車載空調(diào)壓縮機驅(qū)動器、PTC加熱器控制器、水泵/油泵驅(qū)動器等都需要用到中低壓的IGBT單管。此外，在交流慢速充電樁（充電樁）中，IGB...

江東東海半導(dǎo)體在這些基礎(chǔ)工藝領(lǐng)域的持續(xù)投入，為產(chǎn)品性能的不斷提升奠定了堅實基礎(chǔ)。先進封裝技術(shù)對1200VIGBT的性能表現(xiàn)產(chǎn)生著直接影響。銅線鍵合、銀燒結(jié)連接、氮化硅陶瓷襯底、雙面冷卻等新工藝新材料的應(yīng)用，顯著提高了模塊的功率循環(huán)能力與熱性能。這些封裝技術(shù)的進...

電氣性能與寄生參數(shù)控制封裝引入的寄生電感與電阻會增大開關(guān)過沖、延長關(guān)斷時間并引起電磁干擾。降低寄生參數(shù)的措施包括：采用疊層母線排設(shè)計，縮小正負端間距以減小回路電感。優(yōu)化內(nèi)部布局，使主電流路徑對稱且緊湊。使用低介電常數(shù)介質(zhì)材料減少電容效應(yīng)。集成柵極驅(qū)動電路或溫度...

功率器件領(lǐng)域的基石：IGBT技術(shù)解析與江東東海半導(dǎo)體的創(chuàng)新實踐在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的中心地帶，一種名為絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的半導(dǎo)體器件正悄然驅(qū)動著能源轉(zhuǎn)換的變化。從新能源汽車的疾馳到工業(yè)電機的精細運轉(zhuǎn)，從高鐵網(wǎng)絡(luò)的延伸至可再生能源的高效并網(wǎng)，IGBT作...

面向未來的承諾能源效率的提升永無止境。隨著5G、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)中心的蓬勃發(fā)展，以及全球“雙碳”目標(biāo)的深入推進，對高效、高功率密度、高可靠功率器件的需求將持續(xù)增長。寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的成熟與成本下降，將進一步加速其在眾多領(lǐng)域的滲透，重塑功率電子的格局。江...

SiC技術(shù)賦能千行百業(yè)SiC功率器件的比較好性能正在多個關(guān)鍵領(lǐng)域引發(fā)改變性變化：新能源汽車：SiC技術(shù)是提升電動車能效與續(xù)航里程的關(guān)鍵。在主驅(qū)動逆變器中應(yīng)用SiC模塊，可比較好降低開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率（5-10%），同等電池容量下延長續(xù)航里程，并允...

IGBT：原理、結(jié)構(gòu)及其關(guān)鍵特性IGBT的不錯性能源于其獨特的結(jié)構(gòu)設(shè)計，它巧妙融合了MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）與BJT（雙極型晶體管）的技術(shù)優(yōu)勢。其基本結(jié)構(gòu)包含：MOS柵極結(jié)構(gòu)：提供電壓控制能力，驅(qū)動功率需求低，易于實現(xiàn)高速開關(guān)控制。雙極導(dǎo)電...

設(shè)計低壓MOS管是一個精密的權(quán)衡過程：追求很好的的Rds(on)可能需要更大的芯片面積（增加成本）或更高的Qg（影響開關(guān)性能）；優(yōu)化開關(guān)速度可能需要特殊工藝或結(jié)構(gòu)，可能影響可靠性或成本。很好的器件設(shè)計是在目標(biāo)應(yīng)用場景下尋求各項參數(shù)的比較好平衡點。負載開關(guān)與電源...

低壓MOS管：結(jié)構(gòu)與基礎(chǔ)原理MOSFET的中心結(jié)構(gòu)由源極（Source）、柵極（Gate）、漏極（Drain）和位于柵極下方的溝道區(qū)構(gòu)成。其開關(guān)邏輯簡潔而高效：導(dǎo)通狀態(tài)：當(dāng)柵極施加足夠正向電壓（Vgs>Vth，閾值電壓），溝道區(qū)形成導(dǎo)電通路，電流（Ids）得以...

電池管理系統(tǒng)（BMS）與保護：充放電控制/保護： 在鋰電池保護板（如手機、筆記本電池）、電動車BMS中，低壓MOS管構(gòu)成保護開關(guān)，負責(zé)在過充、過放、過流等異常情況下快速切斷電池回路。要求極低的Rds(on)以減小壓降損耗，可靠的短路耐受能力，以及精確的驅(qū)動控制...

產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同： 從襯底、外延、芯片、封裝到應(yīng)用，需要全產(chǎn)業(yè)鏈的緊密協(xié)作、標(biāo)準(zhǔn)統(tǒng)一和生態(tài)構(gòu)建，才能加速技術(shù)成熟與規(guī)?；瘧?yīng)用。應(yīng)用技術(shù)深化： 充分發(fā)揮SiC高速開關(guān)的優(yōu)勢，需要與之匹配的高性能柵極驅(qū)動設(shè)計、低寄生參數(shù)布局、電磁兼容性（EMC）優(yōu)化及先進的散熱管理方案...

產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同： 從襯底、外延、芯片、封裝到應(yīng)用，需要全產(chǎn)業(yè)鏈的緊密協(xié)作、標(biāo)準(zhǔn)統(tǒng)一和生態(tài)構(gòu)建，才能加速技術(shù)成熟與規(guī)模化應(yīng)用。應(yīng)用技術(shù)深化： 充分發(fā)揮SiC高速開關(guān)的優(yōu)勢，需要與之匹配的高性能柵極驅(qū)動設(shè)計、低寄生參數(shù)布局、電磁兼容性（EMC）優(yōu)化及先進的散熱管理方案...

功率器件，作為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的底層支柱，其每一次技術(shù)躍遷都深刻重塑著能源利用的方式與效率。從硅基器件的持續(xù)精進到寬禁帶半導(dǎo)體的鋒芒初露，功率技術(shù)的創(chuàng)新步伐從未停歇。在邁向高效、低碳、智能未來的征途上，功率器件將扮演愈加關(guān)鍵的角色。以江東東海半導(dǎo)體為**的中國...

SiC MOSFET： SiC MOSFET是當(dāng)前市場的主力器件。其結(jié)合了高輸入阻抗（電壓控制）和低導(dǎo)通電阻的優(yōu)點。江東東海半導(dǎo)體采用先進的溝槽柵（Trench）或平面柵（Planar）結(jié)構(gòu)設(shè)計，優(yōu)化了柵氧可靠性、降低了導(dǎo)通電阻（Rds(on)）、提升了開關(guān)速...

低壓MOS管：結(jié)構(gòu)與基礎(chǔ)原理MOSFET的中心結(jié)構(gòu)由源極（Source）、柵極（Gate）、漏極（Drain）和位于柵極下方的溝道區(qū)構(gòu)成。其開關(guān)邏輯簡潔而高效：導(dǎo)通狀態(tài)：當(dāng)柵極施加足夠正向電壓（Vgs>Vth，閾值電壓），溝道區(qū)形成導(dǎo)電通路，電流（Ids）得以...

深化制造能力： 擴大6英寸晶圓制造產(chǎn)能，優(yōu)化工藝流程，明顯提升良率和產(chǎn)能，降低單位成本。強化產(chǎn)業(yè)生態(tài)： 與上下游伙伴（材料供應(yīng)商、設(shè)備商、封裝廠、系統(tǒng)廠商、高校院所）建立開放、共贏的合作關(guān)系，共同推進標(biāo)準(zhǔn)制定、技術(shù)攻關(guān)與市場培育。拓展應(yīng)用場景： 在鞏固現(xiàn)有新能...

功率器件的關(guān)鍵在于半導(dǎo)體材料特性與器件結(jié)構(gòu)設(shè)計的精妙結(jié)合。硅基器件：成熟與可靠功率MOSFET： 憑借高速開關(guān)、易驅(qū)動特性，主導(dǎo)中低壓（<1000V）、高頻應(yīng)用，如開關(guān)電源、電機驅(qū)動輔助電路。其導(dǎo)通電阻（Rds(on)）是衡量性能的關(guān)鍵指標(biāo)。絕緣柵雙極晶體管（...

產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同： 從襯底、外延、芯片、封裝到應(yīng)用，需要全產(chǎn)業(yè)鏈的緊密協(xié)作、標(biāo)準(zhǔn)統(tǒng)一和生態(tài)構(gòu)建，才能加速技術(shù)成熟與規(guī)?；瘧?yīng)用。應(yīng)用技術(shù)深化： 充分發(fā)揮SiC高速開關(guān)的優(yōu)勢，需要與之匹配的高性能柵極驅(qū)動設(shè)計、低寄生參數(shù)布局、電磁兼容性（EMC）優(yōu)化及先進的散熱管理方案...

應(yīng)用方案支持：公司不僅提供器件，更注重理解客戶需求，針對開關(guān)電源、電機驅(qū)動、電池保護等具體應(yīng)用場景，提供相應(yīng)的技術(shù)參考設(shè)計和應(yīng)用支持，幫助客戶縮短開發(fā)周期，優(yōu)化系統(tǒng)性能。品質(zhì)保障體系：建立完善的質(zhì)量管理與可靠性驗證體系，確保產(chǎn)品在性能、壽命和一致性上滿足工業(yè)級...

功率器件，作為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的底層支柱，其每一次技術(shù)躍遷都深刻重塑著能源利用的方式與效率。從硅基器件的持續(xù)精進到寬禁帶半導(dǎo)體的鋒芒初露，功率技術(shù)的創(chuàng)新步伐從未停歇。在邁向高效、低碳、智能未來的征途上，功率器件將扮演愈加關(guān)鍵的角色。以江東東海半導(dǎo)體為**的中國...

功率器件：賦能現(xiàn)代工業(yè)的隱形基石 在工業(yè)自動化的脈動、新能源汽車的疾馳、家用電器無聲運轉(zhuǎn)的背后，一種關(guān)鍵半導(dǎo)體元件——功率器件——正默默承擔(dān)著電能高效轉(zhuǎn)換與精密控制的重任。作為江東東海半導(dǎo)體股份有限公司深耕的關(guān)鍵領(lǐng)域，功率器件技術(shù)的發(fā)展深刻影響著能源利用效率的...

江東東海半導(dǎo)體：專注創(chuàng)新，服務(wù)市場面對全球范圍內(nèi)對更高能效、更小體積、更強可靠性的持續(xù)追求，江東東海半導(dǎo)體將研發(fā)創(chuàng)新視為發(fā)展的根本動力：深耕硅基技術(shù)：持續(xù)優(yōu)化成熟硅基功率MOSFET和IGBT器件的性能，包括降低導(dǎo)通電阻（Rds(on)/Vce(sat)）、提...

寬禁帶半導(dǎo)體器件（SiC & GaN）： 這表示了功率電子技術(shù)的未來方向。碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）材料憑借其遠超傳統(tǒng)硅材料的禁帶寬度、高臨界擊穿電場強度、高熱導(dǎo)率等天然優(yōu)勢，可明顯降低器件的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，并允許在更高溫度、更高頻率下工作。SiC...

SiC技術(shù)賦能千行百業(yè)SiC功率器件的比較好性能正在多個關(guān)鍵領(lǐng)域引發(fā)改變性變化：新能源汽車：SiC技術(shù)是提升電動車能效與續(xù)航里程的關(guān)鍵。在主驅(qū)動逆變器中應(yīng)用SiC模塊，可比較好降低開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率（5-10%），同等電池容量下延長續(xù)航里程，并允...

江東東海半導(dǎo)體：專注創(chuàng)新，服務(wù)市場面對全球范圍內(nèi)對更高能效、更小體積、更強可靠性的持續(xù)追求，江東東海半導(dǎo)體將研發(fā)創(chuàng)新視為發(fā)展的根本動力：深耕硅基技術(shù)：持續(xù)優(yōu)化成熟硅基功率MOSFET和IGBT器件的性能，包括降低導(dǎo)通電阻（Rds(on)/Vce(sat)）、提...

無處不在的應(yīng)用領(lǐng)域低壓MOS管的應(yīng)用滲透至現(xiàn)代電子系統(tǒng)的方方面面：開關(guān)電源（SMPS）：在AC-DC適配器、服務(wù)器電源、通信電源中，低壓MOS管廣泛應(yīng)用于：同步整流（SR）：替代傳統(tǒng)肖特基二極管，利用MOSFET的低導(dǎo)通壓降明顯降低次級側(cè)整流損耗，是提升電源效...

IGBT：原理、結(jié)構(gòu)及其關(guān)鍵特性IGBT的不錯性能源于其獨特的結(jié)構(gòu)設(shè)計，它巧妙融合了MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）與BJT（雙極型晶體管）的技術(shù)優(yōu)勢。其基本結(jié)構(gòu)包含：MOS柵極結(jié)構(gòu)：提供電壓控制能力，驅(qū)動功率需求低，易于實現(xiàn)高速開關(guān)控制。雙極導(dǎo)電...