在發(fā)光原理上的差別:LED是利用注入有源區(qū)的載流子自發(fā)輻射復合發(fā)光,而LD是受激輻射復合發(fā)光。發(fā)光二極管發(fā)出的光子的方向,相位是隨機的,激光二極管發(fā)出的光子是同方向,同相位。LED是LightEmittingDiode(發(fā)光二極管)的縮寫。***見于日常生活中,如家用電器的指示燈,汽車后防霧燈等。LED的**顯著特點是使用壽命長,光電轉換效能高。其原下上在某些半導體材料的PN結中,注入的少數(shù)載流子與多數(shù)載流子復合時會把多余的能量以光的形式釋放出來,從而把電能直接轉換為光能。PN結加反向電壓,少數(shù)載流子難以注入,故不發(fā)光。這種利用注入式電致發(fā)光原理制作的二極管叫發(fā)光二極管,通稱LED。為了避免激...
在發(fā)光原理上的差別:LED是利用注入有源區(qū)的載流子自發(fā)輻射復合發(fā)光,而LD是受激輻射復合發(fā)光。發(fā)光二極管發(fā)出的光子的方向,相位是隨機的,激光二極管發(fā)出的光子是同方向,同相位。LED是LightEmittingDiode(發(fā)光二極管)的縮寫。***見于日常生活中,如家用電器的指示燈,汽車后防霧燈等。LED的**顯著特點是使用壽命長,光電轉換效能高。其原下上在某些半導體材料的PN結中,注入的少數(shù)載流子與多數(shù)載流子復合時會把多余的能量以光的形式釋放出來,從而把電能直接轉換為光能。PN結加反向電壓,少數(shù)載流子難以注入,故不發(fā)光。這種利用注入式電致發(fā)光原理制作的二極管叫發(fā)光二極管,通稱LED。用戶的信賴...
導電特性二極管**重要的特性就是單方向導電性。在電路中,電流只能從二極管的正極流入,負極流出。下面通過簡單的實驗說明二極管的正向特性和反向特性。1·正向特性在電子電路中,將二極管的正極接在高電位端,負極接在低電位端,二極管就會導通,這種連接方式,稱為正向偏置。必須說明,當加在二極管兩端的正向電壓很小時,二極管仍然不能導通,流過二極管的正向電流十分微弱。只有當正向電壓達到某一數(shù)值(這一數(shù)值稱為“門檻電壓”,鍺管約為0.2V,硅管約為0.6V)以后,二極管才能直正導通。導通后二極管兩端的電壓基本上保持不變(鍺管約為0.3V,硅管約為0.7V),稱為二極管的“正向壓降”。激光二極管一、激光的產(chǎn)生機理...
導電特性二極管**重要的特性就是單方向導電性。在電路中,電流只能從二極管的正極流入,負極流出。下面通過簡單的實驗說明二極管的正向特性和反向特性。1·正向特性在電子電路中,將二極管的正極接在高電位端,負極接在低電位端,二極管就會導通,這種連接方式,稱為正向偏置。必須說明,當加在二極管兩端的正向電壓很小時,二極管仍然不能導通,流過二極管的正向電流十分微弱。只有當正向電壓達到某一數(shù)值(這一數(shù)值稱為“門檻電壓”,鍺管約為0.2V,硅管約為0.6V)以后,二極管才能直正導通。導通后二極管兩端的電壓基本上保持不變(鍺管約為0.3V,硅管約為0.7V),稱為二極管的“正向壓降”。原裝芯片,廠家直銷激光二極管...
同一芯片上集成多波長DFB-LD與外腔電吸收調制器的單芯片光源也在發(fā)展中。研制成功的電吸收調制器集成光源,采用有源層與調制器吸收層共用多QW結構。調制器的作用如同一個高速開關,把LD輸出變換成二進制的0和1。在一塊芯片上形成40種不同的折射光柵,波長1530--1590nm的40路調制器集成光源,信道間隔為200GHz。其開發(fā)目標是集成100個發(fā)射波長的LD陣列,以進行9.5THz超大容量的通信。VCESLVCESL(垂直腔面發(fā)射激光)二極管的特點如下:從其頂部發(fā)射出圓柱形射束,射束無需進行不對稱矯正或散光矯正,即可調制成用途***的環(huán)形光束,易與光纖耦合;轉換效率非常高,功耗*為邊緣發(fā)射LD...
如果激光二極管通過放大得到的增益(Gain)高于內部損耗和磁鏡損耗,則產(chǎn)生振蕩。即存在振蕩電流閾值。比較大輸出受到扭折(電流-光輸出直線的折彎)、COD(端面光破壞)、溫度引起的熱飽和等的限制。測量激光二極管的光輸出時使用光功率計。如下圖所示,設置受光面時,使激光的所有光束都入射到光功率計的受光面上。將受光面相對光軸傾斜5~20°,以避免來自光功率計受光面的反射光返回到激光二極管。I-L特性表示正向電流 (IF) 和光輸出 (PO) 的關系,可讀取閾值電流 (Ith) 和工作電流 (Iop) 。監(jiān)視電流 (Im) 是用內置的光電二極管監(jiān)視從激光芯片后面射出的激光時的輸出電流。激光二極管發(fā)射的激...
激光器一般用在醫(yī)學,***的方面,屬于高科技產(chǎn)品二極管的主要特性是單向導電性,也就是在正向電壓的作用下,導通電阻很?。欢诜聪螂妷鹤饔孟聦娮铇O大或無窮大.正因為二極管具有上述特性,電路中常把它用在整流、穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓原理:穩(wěn)壓二極管的特點就是加反向電壓擊穿后,其兩端的電壓基本保持不變.而整流二極管反向擊穿后就損壞了.這樣,當把穩(wěn)壓管接入電路以后,若由于電源電壓發(fā)生波動,或其它原因造成電路中各點電壓變動時,負載兩端的電壓將基本保持不變.穩(wěn)壓二極管用來穩(wěn)壓或在串聯(lián)電路中作基準電壓整流二極管和穩(wěn)壓二極管都是PN半導體器件.所不同的是整流二極管用的是單向導電性.穩(wěn)壓二極管是利用了其反向特性.在電...
由于電子與空六的自發(fā)復合而發(fā)光的現(xiàn)象稱為自發(fā)輻射。當自發(fā)輻射所產(chǎn)生的光子通過半導體時,一旦經(jīng)過已發(fā)射的電子-空六對附近,就能激勵二者復合,產(chǎn)生新光子,這種光子誘使已激發(fā)的載流子復合而發(fā)出新光子現(xiàn)象稱為受激輻射。如果注入電流足夠大,則會形成和熱平衡狀態(tài)相反的載流子分布,即粒子數(shù)反轉。當有源層內的載流子在大量反轉情況下,少量自發(fā)輻射產(chǎn)生的光子由于諧振腦兩端面往復反射而產(chǎn)生感應輻射,造成選頻諧振正反饋,或者說對某一頻率具有增益。當增益大于吸收損耗時,就可從PN結發(fā)出具有良好譜線的相干光--激光,這就是激光二極管的簡單原理隨著技術和工藝的發(fā)展,目前實際使用的半導體激光二極管具有復雜的多層結常用的激光二...
反向特性在電子電路中,二極管的正極接在低電位端,負極接在高電位端,此時二極管中幾乎沒有電流流過,此時二極管處于截止狀態(tài),這種連接方式,稱為反向偏置。二極管處于反向偏置時,仍然會有微弱的反向電流流過二極管,稱為漏電流。當二極管兩端的反向電壓增大到某一數(shù)值,反向電流會急劇增大,二極管將失去單方向導電特性,這種狀態(tài)稱為二極管的擊穿。激光二極管的注入電流必須大于臨界電流密度,才能滿足居量反轉條件而發(fā)出激光。臨界電流密度與接面溫度有關,并且間接影響效益。高溫操作時,臨界電流提高,效益降低,甚至損壞組件。特色當激光二極管注入電流在臨界電流密度以下時,發(fā)光機制主要是自發(fā)放射,光譜分散較廣,頻寬大約在100到...
如果激光二極管通過放大得到的增益(Gain)高于內部損耗和磁鏡損耗,則產(chǎn)生振蕩。即存在振蕩電流閾值。比較大輸出受到扭折(電流-光輸出直線的折彎)、COD(端面光破壞)、溫度引起的熱飽和等的限制。測量激光二極管的光輸出時使用光功率計。如下圖所示,設置受光面時,使激光的所有光束都入射到光功率計的受光面上。將受光面相對光軸傾斜5~20°,以避免來自光功率計受光面的反射光返回到激光二極管。I-L特性表示正向電流 (IF) 和光輸出 (PO) 的關系,可讀取閾值電流 (Ith) 和工作電流 (Iop) 。監(jiān)視電流 (Im) 是用內置的光電二極管監(jiān)視從激光芯片后面射出的激光時的輸出電流。激光二極管具有體積...
極管是如常用的電子元件之一,它比較大的特性就是單向導電,也就是電流只可以從二極管的一個方向流過,二極管的作用有整流電路,檢波電路,穩(wěn)壓電路,各種調制電路,主要都是由二極管來構成的其原理都很簡單,正是由于二極管等元件的發(fā)明,才有我們現(xiàn) 在豐富多彩的電子信息世界的誕生,既然二極管的作用這么大那么我們應該如何去檢測這個元件呢,其實很簡單只要用萬用表打到電阻檔測量一下反向電阻如果很小就說明這個二極管是壞的,反向電阻如果很大這就說明這個二極管是好的。對于這樣的基礎元件我們應牢牢掌握住他的作用原理以及基本電路,這樣才能為以后的電子技術學習打下良好的基礎。由于激光二極管溫度升高將增大流過它的電流值,必須采用...
激光二極管的結構隨著技術和工藝的發(fā)展,目前實際使用的半導體激光二極管具有復雜的多層結構。圖2為日本三洋公司的紅光半導體激光二極管的結構。圖3為小功率激光管剖視圖,由圖可見,激光芯片貼在用來散熱的熱沉上,在管座上靠近激光芯片下部封有PIN光電二極管圖4為普通激光二極管的外形,由圖可見,小功率激光管有三條引腳,這是因為在管內還封裝有一個光電二極管,用于監(jiān)控激光管工作電流。3.半導體激光二極管的常用參數(shù)有:(1)波長:即激光管工作波長,目前可作光電開關用的激光管波長有635nm650nm70nm690nm、780nm、810nm、860nm、980nm等(2)值電流Ith:即激光管開始產(chǎn)生激光振蕩的...
極管是如常用的電子元件之一,它比較大的特性就是單向導電,也就是電流只可以從二極管的一個方向流過,二極管的作用有整流電路,檢波電路,穩(wěn)壓電路,各種調制電路,主要都是由二極管來構成的其原理都很簡單,正是由于二極管等元件的發(fā)明,才有我們現(xiàn) 在豐富多彩的電子信息世界的誕生,既然二極管的作用這么大那么我們應該如何去檢測這個元件呢,其實很簡單只要用萬用表打到電阻檔測量一下反向電阻如果很小就說明這個二極管是壞的,反向電阻如果很大這就說明這個二極管是好的。對于這樣的基礎元件我們應牢牢掌握住他的作用原理以及基本電路,這樣才能為以后的電子技術學習打下良好的基礎。如果激光二極管通過放大得到的增益(Gain)高于內部...
半導體激光二極管的工作原理,理論上與氣體激光器相同。激光二極管本質上是一個半導體二極管,按照PN結材料是否相同,可以把激光二極管分為同質結、單異質結(SH)、雙異質結(DH)和量子阱(QW)激光二極管。量子阱激光二極管具有閾值電流低,輸出功率高的優(yōu)點,是目前市場應用的主流產(chǎn)品。同激光器相比,激光二極管具有效率高、體積小、壽命長的優(yōu)點,但其輸出功率?。ㄒ话阈∮?mW),線性差、單色性不太好,使其在有線電視系統(tǒng)中的應用受到很大限制,不能傳輸多頻道,高性能模擬信號。在雙向光接收機的回傳模塊中,上行發(fā)射一般都采用量子阱激光二極管作為光源。在較高溫度下工作,會增大閥值電流,較低轉化頻率,加速器件的老化。...
激光二極管具:有體積小、重量輕、耗電低、驅動電路簡單、調制方便、耐機械沖擊以及抗震動等優(yōu)點,但它對過電流、過電壓以及靜電干擾極為敏感,因此,在使用時,要特別注意不要使其工作參數(shù)超過其比較大允許值,可采用的方法如下:(1)用直流恒流源驅動激光二極管。(2)在激光_極管電路上串聯(lián)限流電阻器,并聯(lián)旁路電容器。(3)由于激光二極管溫度升高將增大流過它的電流值,因此,必須采用必要的散熱措施,以保證器件工作在一定的溫度范圍之內。(4)為了避免激光二極管因承受過大的反向電壓而造成擊穿損壞,可在其兩端反并聯(lián)上快速硅二極管。為了避免激光二極管因承受過大的反向電壓而造成擊穿損壞,可在其兩端反并聯(lián)上快速硅二極管。吉...
激光二極管:激光二極管具有體積小、重量輕、耗電低、驅動電路簡單、調制方便、耐機械沖擊以及抗震動等優(yōu)點,但它對過電流、過電壓以及靜電干擾極為敏感,因此,在使用時,要特別注意不要使其工作參數(shù)超過其比較大允許值。晶體二極管為一個由p型半導體和n型半導體形成的pn結,在其界面處兩側形成空間電荷層,并建有自建電場。當不存在外加電壓時,由于pn結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當外界有正向電壓偏置時,外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時,外界電場和自建電場進一步加強,形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值...
產(chǎn)生激光的三個條件是:實現(xiàn)粒子數(shù)反轉、滿足闡值條件和諧振條件。產(chǎn)生光的受激發(fā)射的首要條件是粒子數(shù)反轉,在半導體中就是要把價帶內的電子抽運到導帶。為了獲得離子數(shù)反轉,通常采用重摻雜的 P 型和N 型材料構成 PN 結,這樣在外加電壓作用下,在結區(qū)附近就出現(xiàn)了離子數(shù)反轉一在高費米能級 EFC 以下導帶中貯存著電子,而在低費米能級 EFV 以上的價帶中貯存著空穴。實現(xiàn)粒子數(shù)反轉是產(chǎn)生激光的必要條件,但不是充分條件。要產(chǎn)生激光,還要有損耗極小的諧振腔,諧振腔的主要部分是兩個互相平行的反射鏡,***物質所發(fā)出的受激輻射光在兩個反射鏡之間來回反射,不斷引起新的受激輻射,使其不斷被放大。只有受激輻射放這種結...
激光二極管一、激光的產(chǎn)生機理二極管在講激光產(chǎn)生機理之前,先講一下受激輻射。在光輻射中存在三種輻射過程,一時處于高能態(tài)的粒子在外來光的激發(fā)下向低能態(tài)躍遷,稱之為自發(fā)輻射;二是處于高能態(tài)的粒子在外來光的激發(fā)下向低能態(tài)躍遷,稱之為受激輻射;三是處于低能態(tài)的粒子吸收外來光的能量向高能態(tài)躍遷稱之為受激吸收。自發(fā)輻射,即使是兩個同時從某一高能態(tài)向低能態(tài)躍遷的粒子,它們發(fā)出光的相位、偏振狀態(tài)、發(fā)射方向也可能不同,但受激輻射就不同,當位于高能態(tài)的粒子在外來光子的激發(fā)下向低能態(tài)躍遷,發(fā)出在頻率、相位、偏振狀態(tài)等方面與外來光子完全相同的光。在激光器中,發(fā)生的輻射就是受激輻射,它發(fā)出的激光在頻率、相位、偏振狀態(tài)等方...
結構性能編輯物理結構是在發(fā)光二極管的結間安置一層具有光活性的半導體,其端面經(jīng)過拋光后具有部分反射功能,因而形成一光諧振腔。在正向偏置的情況下,LED結發(fā)射出光來并與光諧振腔相互作用,從而進一步激勵從結上發(fā)射出單波長的光,這種光的物理性質與材料有關。在VCD機中,半導體激光二極管是激光頭的**部件之一,它大多是由雙異質結構的鎵鋁砷(AsALGA)三元化合物構成的,是一種近紅外半導體器件,波長為780~820nm,額定功率為3~5mw。另外,還有一種可見光(如紅光)半導體激光二極管,也廣泛應用于VCD機以及條形碼閱讀器中。激光二極管的外形及尺寸如圖1所示。其內部結構類型有三種,如圖2所示。由圖2可...
激光二極管具:有體積小、重量輕、耗電低、驅動電路簡單、調制方便、耐機械沖擊以及抗震動等優(yōu)點,但它對過電流、過電壓以及靜電干擾極為敏感,因此,在使用時,要特別注意不要使其工作參數(shù)超過其比較大允許值,可采用的方法如下:(1)用直流恒流源驅動激光二極管。(2)在激光_極管電路上串聯(lián)限流電阻器,并聯(lián)旁路電容器。(3)由于激光二極管溫度升高將增大流過它的電流值,因此,必須采用必要的散熱措施,以保證器件工作在一定的溫度范圍之內。(4)為了避免激光二極管因承受過大的反向電壓而造成擊穿損壞,可在其兩端反并聯(lián)上快速硅二極管。在雙向光接收機的回傳模塊中,上行發(fā)射一般都采用量子阱激光二極管作為光源。陜西廠家直銷激光...
激光二極管具:有體積小、重量輕、耗電低、驅動電路簡單、調制方便、耐機械沖擊以及抗震動等優(yōu)點,但它對過電流、過電壓以及靜電干擾極為敏感,因此,在使用時,要特別注意不要使其工作參數(shù)超過其比較大允許值,可采用的方法如下:(1)用直流恒流源驅動激光二極管。(2)在激光_極管電路上串聯(lián)限流電阻器,并聯(lián)旁路電容器。(3)由于激光二極管溫度升高將增大流過它的電流值,因此,必須采用必要的散熱措施,以保證器件工作在一定的溫度范圍之內。(4)為了避免激光二極管因承受過大的反向電壓而造成擊穿損壞,可在其兩端反并聯(lián)上快速硅二極管。深圳市凱軒業(yè)科技致力于激光二極管研發(fā)及方案設計,有想法的咨詢哦親們。遼寧激光二極管哪種好...
激光二極管的結構隨著技術和工藝的發(fā)展,目前實際使用的半導體激光二極管具有復雜的多層結構。圖2為日本三洋公司的紅光半導體激光二極管的結構。圖3為小功率激光管剖視圖,由圖可見,激光芯片貼在用來散熱的熱沉上,在管座上靠近激光芯片下部封有PIN光電二極管圖4為普通激光二極管的外形,由圖可見,小功率激光管有三條引腳,這是因為在管內還封裝有一個光電二極管,用于監(jiān)控激光管工作電流。3.半導體激光二極管的常用參數(shù)有:(1)波長:即激光管工作波長,目前可作光電開關用的激光管波長有635nm650nm70nm690nm、780nm、810nm、860nm、980nm等(2)值電流Ith:即激光管開始產(chǎn)生激光振蕩的...
激光二極管:激光二極管具有體積小、重量輕、耗電低、驅動電路簡單、調制方便、耐機械沖擊以及抗震動等優(yōu)點,但它對過電流、過電壓以及靜電干擾極為敏感,因此,在使用時,要特別注意不要使其工作參數(shù)超過其比較大允許值。晶體二極管為一個由p型半導體和n型半導體形成的pn結,在其界面處兩側形成空間電荷層,并建有自建電場。當不存在外加電壓時,由于pn結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當外界有正向電壓偏置時,外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時,外界電場和自建電場進一步加強,形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值...
半導體激光二極管的常用參數(shù)有:(1)波長:即激光管工作波長,目前可作光電開關用的激光管波長有635nm、650nm、670nm、690nm、780nm、810nm、860nm、980nm等(2)聞值電流Ith:即激光管開始產(chǎn)生激光振蕩的電流,對一般小功率激光管而言,其值約在數(shù)十毫安,具有應變多量子阱結構的激光管聞值電流可低至10mA以(3)工作電流Iop:即激光管達到額定輸出功率時的驅動電流,此值對于設計調試激光驅動電路較重要(4)垂直發(fā)散角9?:激光二極管的發(fā)光帶在垂直PN結方向張開的角度,般在15?~40?左右。(5)水平發(fā)散角?:激光二極管的發(fā)光帶在與PN結平行方向所張開的角度,般在6?...
產(chǎn)生激光的三個條件是:實現(xiàn)粒子數(shù)反轉、滿足閾值條件和諧振條件。產(chǎn)生光的受激發(fā)射的首要條件是粒子數(shù)反轉,在半導體中就是要把價帶內的電子抽運到導帶。為了獲得離子數(shù)反轉,通常采用重摻雜的P型和N型材料構成PN結,這樣,在外加電壓作用下,在結區(qū)附近就出現(xiàn)了離子數(shù)反轉—在高費米能級EFC以下導帶中貯存著電子,而在低費米能級EFV以上的價帶中貯存著空穴。實現(xiàn)粒子數(shù)反轉是產(chǎn)生激光的必要條件,但不是充分條件。要產(chǎn)生激光,還要有損耗極小的諧振腔,諧振腔的主要部分是兩個互相平行的反射鏡,***物質所發(fā)出的受激輻射光在兩個反射鏡之間來回反射,不斷引起新的受激輻射,使其不斷被放大。只有受激輻射放大的增益大于激光器內的...
激光二極管原理及應用激光二極管參數(shù)與原理及應用,激光的產(chǎn)生機理在講激光產(chǎn)生機理之前,先講一下受激輻射。在光輻射中存在三種輻射過程一時處于高能態(tài)的粒子在外來光的激發(fā)下向低能態(tài)躍遷,稱之為自發(fā)輻射二是處于高能態(tài)的粒子在外來光的激發(fā)下向低能態(tài)躍遷,稱之為受激輻射三是處于低能態(tài)的粒子吸收外來光的能量向高能態(tài)躍遷稱之為受激吸收自發(fā)輻射,即使是兩個同時從某一高能態(tài)向低能態(tài)躍遷的粒子,它們發(fā)出光的相位、偏振狀態(tài)、發(fā)射方向也可能不同,但受激輻射就不同,當位于高能態(tài)的粒子在外來光子的激發(fā)下向低能態(tài)躍遷,發(fā)出在頻率、相位、偏振狀態(tài)等方面與外來光子完全相同的光。在激光器中,發(fā)生的輻射就是受激輻射,它發(fā)出的激光在頻率...
激光二極管的物理結構是在發(fā)光二極管的結間安置一層具有光活性的半導體,其端面經(jīng)過拋光后具有部分反射功能,因而形成一光諧振腔。在正向偏置的情況下,LED結發(fā)射出光來并與光諧振腔相互作用,從而進一步激勵從結上發(fā)射出單波長的光,這種光的物理性質與材料有關。半導體激光二極管的工作原理,理論上與氣體激光器相同。圖1(b)是激光二極管的代言符號。激光二極管在計算機上的光盤驅動器,激光打印機中的打印頭等小功率光電設備中得到了廣大的應用。在較高溫度下工作,會增大閥值電流,較低轉化頻率,加速器件的老化。黑龍江激光二極管的工作原理產(chǎn)生激光的三個條件是:實現(xiàn)粒子數(shù)反轉、滿足閾值條件和諧振條件。產(chǎn)生光的受激發(fā)射的首要條...
VCSEL采用三明治式結構,其中間只有20nm、1--3層的QW增益區(qū),上、下各層是由多層外延生長薄膜形成的高反射率為100%的布拉格反射層,由此構成諧振腔。相干性極高的激光束***從其頂部激射出。多家廠商有1550nm低損耗窗口與低色散的可調諧VCSEL樣品展示。1310nm的產(chǎn)品預計在今后1--2年內上市。可調諧的典型器件是將一只普通980nmVCSEL與微光機電系統(tǒng)的反射腔集成組合,由曲形頂鏡、增益層、反射底鏡等構成可產(chǎn)生中心波長為1550nm的可調諧結構,用一個靜電控制電壓將位于支撐薄膜上的頂端反射鏡定位,改變控制電壓就可調整諧振腔體間隙尺寸,從而達到調整輸出波長的目的。在1528--...
激光二極管的結構隨著技術和工藝的發(fā)展,目前實際使用的半導體激光二極管具有復雜的多層結構。圖2為日本三洋公司的紅光半導體激光二極管的結構。圖3為小功率激光管剖視圖,由圖可見,激光芯片貼在用來散熱的熱沉上,在管座上靠近激光芯片下部封有PIN光電二極管圖4為普通激光二極管的外形,由圖可見,小功率激光管有三條引腳,這是因為在管內還封裝有一個光電二極管,用于監(jiān)控激光管工作電流。3.半導體激光二極管的常用參數(shù)有:(1)波長:即激光管工作波長,目前可作光電開關用的激光管波長有635nm650nm70nm690nm、780nm、810nm、860nm、980nm等(2)值電流Ith:即激光管開始產(chǎn)生激光振蕩的...
DBR-LDDBR-LD(分布布拉格反射器激光二極管)相當有代表性的是超結構光柵SSG結構。器件**是有源層,兩邊是折射光柵形成的SSG區(qū),受周期性間隔調制,其反射光譜變成梳狀峰,梳狀光譜重合的波長以大的不連續(xù)變化,可實現(xiàn)寬范圍的波長調諧。采用DBR-LD構成波長轉換器,與調制器單片集成,其芯片左側為雙穩(wěn)態(tài)激光器部分,有兩個***區(qū)和一個用作飽和吸收的隔離區(qū);右側是波長控制區(qū),由移相區(qū)和DBR構成。1550nm多冗余功能可調諧DBR-LD可獲得16個頻率間隔為100GHz或32頻率間隔為50GHz的波長,隨著大約以10nm間隔跳模,可獲得約100nm的波長調諧。除保留已有的處理和封裝工藝外,還...