晶閘管智能調(diào)壓模塊的使用方法 1、各功能端相對(duì)com端必須為正，若com端為負(fù)極，極性相反，則晶閘管智能調(diào)壓模塊主回路輸出端可能失控。 2、晶閘管智能調(diào)壓模塊各功能端的控制特性均為正極性，即控制電壓越高，模塊強(qiáng)電主回路輸出電壓越高。 3、...

傳統(tǒng)的電加熱行業(yè)使用的功率器件一般采用分離晶閘管+晶閘管觸發(fā)板的方式來(lái)完成對(duì)變壓器初級(jí)或次級(jí)的調(diào)壓；加熱行業(yè)往往工作環(huán)境很惡劣，粉塵飛揚(yáng)，溫度變化較大，濕度較高，長(zhǎng)時(shí)間工作后會(huì)出現(xiàn)觸發(fā)板工作失常，造成晶閘管擊穿，導(dǎo)致設(shè)備停產(chǎn)，產(chǎn)品報(bào)廢等，給生產(chǎn)造成嚴(yán)重?fù)p失...

晶閘管模塊電流規(guī)格的選取 1、根據(jù)負(fù)載性質(zhì)及負(fù)載額定電流進(jìn)行選取 （1）電阻負(fù)載的較大電流應(yīng)是負(fù)載額定電流的2倍。 （2）感性負(fù)載的較大電流應(yīng)為額定負(fù)載電流的3倍。 （3）負(fù)載電流變化較大時(shí)，電流倍數(shù)適當(dāng)增大。 （4）在運(yùn)行過(guò)...

晶閘管模塊 晶閘管模塊因其體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外部接線簡(jiǎn)單、互換性好、維護(hù)安裝方便等優(yōu)點(diǎn)，自誕生以來(lái)就受到各大功率半導(dǎo)體制造商的青睞，并得到了極大的發(fā)展。 晶閘管模塊一般對(duì)錯(cuò)正弦電流有疑問(wèn)，存在導(dǎo)通角，負(fù)載電流具有一定的波動(dòng)和不...

電壓很容易對(duì)晶閘管模塊造成損壞，那么，我們就要了解過(guò)電壓保護(hù)，保護(hù)晶閘管模塊，不讓其受過(guò)電壓損壞。要保護(hù)晶閘管，就要知道過(guò)電壓是怎么產(chǎn)生的？從而去避免。以下是為大家列舉的詳細(xì)情況：晶閘管模塊對(duì)過(guò)電壓很敏感，當(dāng)正向電壓超過(guò)其斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM一定值...

紅表筆接K極時(shí)，電阻呈低阻值，對(duì)其它情況電阻值均為無(wú)窮大。由此可迅速判定G、K極，剩下的就是A極。2．檢查觸發(fā)能力如圖2(a)所示，首先將表Ⅰ的黑表筆接A極，紅表筆接K極，電阻為無(wú)窮大；然后用黑表筆尖也同時(shí)接觸G極，加上正向觸發(fā)信號(hào)，表針向右偏轉(zhuǎn)到低阻...

晶閘管的主要電參數(shù)有正向轉(zhuǎn)折電壓VBO、正向平均漏電流IFL、反向漏電流IRL、斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM、反向重復(fù)峰值電壓VRRM、正向平均壓降VF、通態(tài)平均電流IT、門(mén)極觸發(fā)電壓VG、門(mén)極觸發(fā)電流IG、門(mén)極反向電壓和維持電流IH等。(一)晶閘管正向轉(zhuǎn)...

輸入、輸出及外殼間）＞1000MΩ（500Vdc）冷卻方式散熱器（風(fēng)冷）工作環(huán)境溫度0---+55℃㈦強(qiáng)電主回路輸出端應(yīng)用電路接線1、安裝方式：壁掛式垂直安裝，電源為上進(jìn)下出。接線時(shí)各銅端子上要雜物，擰緊螺釘，否則會(huì)造成端子發(fā)熱而導(dǎo)致?lián)p壞。2、三相交流...

含DCT1電流變換器，測(cè)兩相電流)N無(wú)C過(guò)流報(bào)警功能和電流限制H恒流功能Y恒壓功能電流環(huán)光隔離遠(yuǎn)程狀態(tài)接口(選件)(散熱器超溫、過(guò)流、缺相、運(yùn)行、電源)N-無(wú)F-遠(yuǎn)程狀態(tài)接口（含DDR遠(yuǎn)程狀態(tài)）調(diào)功(選件)00無(wú)01阻性調(diào)功04感性調(diào)功1、電力調(diào)整器電...

BHC6M-2型三相可控硅調(diào)功調(diào)壓器是運(yùn)用數(shù)字電路觸發(fā)可控硅實(shí)現(xiàn)調(diào)壓和調(diào)功。調(diào)壓采用移相控制方式，調(diào)功有定周期調(diào)功和變周期調(diào)功兩種方式。該控制板帶鎖相環(huán)同步電路、自動(dòng)判別相位、缺相保護(hù)、上電緩起動(dòng)、緩關(guān)斷、散熱器超溫檢測(cè)、恒流輸出、電流限制、過(guò)流保護(hù)、...

晶閘管一般指晶體閘流管晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡(jiǎn)稱為可控硅；1957年美國(guó)通用電器公司開(kāi)發(fā)出世界上晶閘管產(chǎn)品，并于1958年使其商業(yè)化；晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，它有三個(gè)極：陽(yáng)極，陰極和門(mén)極；晶...

強(qiáng)型120A增強(qiáng)型150A增強(qiáng)型200A增強(qiáng)型300A增強(qiáng)型400A型號(hào)LSR-H3Z50D3LSR-H3Z50D2LSR-H3Z50A3LSR-H3P50D1H3Z70D3H3Z70D2H3Z70A3H3P70D1H3Z90D3H3Z90D2H3Z9...

紅表筆接K極時(shí)，電阻呈低阻值，對(duì)其它情況電阻值均為無(wú)窮大。由此可迅速判定G、K極，剩下的就是A極。2．檢查觸發(fā)能力如圖2(a)所示，首先將表Ⅰ的黑表筆接A極，紅表筆接K極，電阻為無(wú)窮大；然后用黑表筆尖也同時(shí)接觸G極，加上正向觸發(fā)信號(hào)，表針向右偏轉(zhuǎn)到低阻...

電力電子開(kāi)關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種立式晶閘管模塊。背景技術(shù)：電力電子開(kāi)關(guān)是指利用電子電路以及電力電子器件實(shí)現(xiàn)電路通斷的運(yùn)行單元,至少包括一個(gè)可控的電子驅(qū)動(dòng)器件，如晶閘管、晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管、可控硅、繼電器等。其中，現(xiàn)有的晶閘管*能夠?qū)崿F(xiàn)單路控制，不利于晶...

滿足可控硅模塊工作的必要條件： （1）+12V直流電源：可控硅模塊內(nèi)部控制電路的工作電源。 ①可控硅模塊輸出電壓要求：+12V電源：12±0.5V ，紋波電壓小于20mv 。 ②可控硅模塊輸出電流要求：標(biāo)稱電流小于500安培產(chǎn)品：I+12...

以提高測(cè)試電壓和測(cè)試電流，使GTO可靠地導(dǎo)通。（2）要準(zhǔn)確測(cè)量GTO的關(guān)斷增益βoff，必須有**測(cè)試設(shè)備。但在業(yè)余條件下可用上述方法進(jìn)行估測(cè)。由于測(cè)試條件不同，測(cè)量結(jié)果*供參考，或作為相對(duì)比較的依據(jù)。逆導(dǎo)晶閘管RCT(Reverse-Conducti...

可控硅模塊規(guī)格的選擇方法：考慮到可控硅產(chǎn)品一般為非正弦電流，存在導(dǎo)通角問(wèn)題，負(fù)載電流存在一些波動(dòng)和不穩(wěn)定因素，晶閘管芯片抗電流沖擊能力差，在選擇模塊電流規(guī)格時(shí)必須留出一定的裕度。 推薦選擇方法可按照以下公式計(jì)算：I＞K×I負(fù)載×U∕U實(shí)際 K ...

它可以用控制移相觸發(fā)脈沖來(lái)方便地改變負(fù)載的交流工作電壓，從而應(yīng)用于精確地調(diào)溫、調(diào)光等阻性負(fù)載及部分感性負(fù)載場(chǎng)合。⑵雙向可控硅輸出的普通型與單向可控硅反并聯(lián)輸出的增強(qiáng)型的區(qū)別在感性負(fù)載的場(chǎng)合，當(dāng)LSR由通態(tài)關(guān)斷時(shí)，由于電流、電壓的相位不一致，將產(chǎn)生一個(gè)很...

晶閘管模塊目前大量用于在直流電動(dòng)機(jī)當(dāng)中，在整流調(diào)控等方面具有非常的功能價(jià)值。晶閘管模塊在直流電動(dòng)機(jī)中的控制方式是怎樣的，昆二晶對(duì)其做出以下分析和講解：紫尋點(diǎn)化，幺五三零六巴巴零貳二貳要使電動(dòng)機(jī)正反轉(zhuǎn)，就要求晶閘管模塊控制電路使整流器輸出加到電動(dòng)機(jī)的...

晶閘管模塊的工作原理 在晶閘管模塊T的工作過(guò)程中，晶閘管模塊的陽(yáng)極A和陰極K與電源和負(fù)載相連，構(gòu)成晶閘管模塊的主電路。晶閘管模塊的柵極G和陰極K與控制可控硅的裝置相連，形成晶閘管模塊的控制電路。 從晶閘管模塊的內(nèi)部分析工作過(guò)程： 晶閘管模...

以提高測(cè)試電壓和測(cè)試電流，使GTO可靠地導(dǎo)通。（2）要準(zhǔn)確測(cè)量GTO的關(guān)斷增益βoff，必須有**測(cè)試設(shè)備。但在業(yè)余條件下可用上述方法進(jìn)行估測(cè)。由于測(cè)試條件不同，測(cè)量結(jié)果*供參考，或作為相對(duì)比較的依據(jù)。逆導(dǎo)晶閘管RCT(Reverse-Conducti...

充電電源，電機(jī)調(diào)速，感應(yīng)加熱及熱處理等各種整流、逆變和變頻領(lǐng)域。我公司所生產(chǎn)的電力電子器件成功的替代了多種進(jìn)口器件，實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)軋機(jī)原器件的國(guó)產(chǎn)化；6K、6G、8K、8G電力機(jī)車(chē)原器件也全部由我公司國(guó)產(chǎn)化，使用壽命超過(guò)了進(jìn)口元件。在自動(dòng)控制方面，我公司成...

它可以用控制移相觸發(fā)脈沖來(lái)方便地改變負(fù)載的交流工作電壓，從而應(yīng)用于精確地調(diào)溫、調(diào)光等阻性負(fù)載及部分感性負(fù)載場(chǎng)合。⑵雙向可控硅輸出的普通型與單向可控硅反并聯(lián)輸出的增強(qiáng)型的區(qū)別在感性負(fù)載的場(chǎng)合，當(dāng)LSR由通態(tài)關(guān)斷時(shí)，由于電流、電壓的相位不一致，將產(chǎn)生一個(gè)很...

可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個(gè)PN結(jié)，分析原理時(shí)，可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成。當(dāng)陽(yáng)極A加上正向電壓時(shí)，BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)。此時(shí)，如果從控制極G輸入一個(gè)正向觸發(fā)信號(hào)，BG2便有基流ib2流過(guò)，經(jīng)BG2放大，...

如雷電閃光、車(chē)輛燈光等）干擾被控?zé)舻恼９ぷ?。?jié)能燈每晚點(diǎn)燃的時(shí)間由公式t≈（R3R4）C5計(jì)算，N為定時(shí)系數(shù)。當(dāng)開(kāi)關(guān)K斷開(kāi)時(shí)，定時(shí)時(shí)間約為6h，適合于冬季夜晚；當(dāng)K閉合時(shí)，定時(shí)約4h，適合夏季夜晚。節(jié)能燈驅(qū)動(dòng)電路由VT2、VT3等組成的逆變電路構(gòu)成。...

觸發(fā)板的所有控制參數(shù)均為數(shù)字量，無(wú)溫度漂移變化，運(yùn)行穩(wěn)定、工作可靠。強(qiáng)抗干擾能力，采用獨(dú)特措施，惡劣干擾環(huán)境正常運(yùn)行。通用性強(qiáng)，適用范圍寬，控制板適應(yīng)任何主電路，任何性質(zhì)負(fù)載。手動(dòng)、自動(dòng)；穩(wěn)流、穩(wěn)壓；電位器控制、儀表控制可任意選擇和切換。三相晶閘管數(shù)控板直接觸...

晶閘管模塊 晶閘管模塊因其體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外部接線簡(jiǎn)單、互換性好、維護(hù)安裝方便等優(yōu)點(diǎn)，自誕生以來(lái)就受到各大功率半導(dǎo)體制造商的青睞，并得到了極大的發(fā)展。 晶閘管模塊一般對(duì)錯(cuò)正弦電流有疑問(wèn)，存在導(dǎo)通角，負(fù)載電流具有一定的波動(dòng)和不...

使設(shè)備進(jìn)入穩(wěn)態(tài)運(yùn)行。若一次起動(dòng)不成功，即自動(dòng)調(diào)頻電路沒(méi)有抓住中頻電壓反饋信號(hào)，此時(shí)，它激信號(hào)便會(huì)一直掃描到比較低頻率，重復(fù)起動(dòng)電路一旦檢測(cè)到它激信號(hào)進(jìn)入到比較低頻段，便進(jìn)行一次再起動(dòng)，把它激信號(hào)再推到比較高頻率，重新掃描一次，直至起動(dòng)成功，重復(fù)起動(dòng)的周...

單向可控硅的檢測(cè) 萬(wàn)用表選用電阻R×1檔，用紅黑兩表筆分別測(cè)任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數(shù)為數(shù)十歐姆的一對(duì)引腳，此時(shí)黑筆接的引腳為控制極G，紅筆接的引腳為陰極K，另一空腳為陽(yáng)極A。此時(shí)將黑表筆接已判斷了的陽(yáng)極A，紅表筆仍接陰極K。此時(shí)萬(wàn)用表指...

公司是專(zhuān)業(yè)從事電力電子產(chǎn)品研發(fā)、制作、銷(xiāo)售于一體的****公司主要產(chǎn)品：MTC（A、K、X）、MDC（A、K）、MFC（A、K、X）系列功率半導(dǎo)體模塊；MDS、MDQ、MFQ、MFF系列單相、三相整流橋模塊；BJD（H）系列單相、BJT（H）系列三...